「a ga」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

On July 11, Ozawa Ichiro, a former leader of the Democratic Party of Japan (DPJ), established a new political party: People's Life First, or "Kokumin no Seikatsu ga Daiichi." 例文帳に追加

７月11日，民主党の元代表，小(お)沢(ざわ)一郎氏が新政党｢国民の生活が第一｣を設立した。 - 浜島書店 Catch a Wave

As the surface coating agent, a tervalent metal ion such as Fe or Ga or a polysiloxane having BHL value of ≤10 is used.例文帳に追加

表面コーティング剤は、ＦｅやＧａ等の３価の金属イオン又はＢＨＬ値１０以下のポリシロキサン等を用いる。 - 特許庁

A standard sample having a known In or Ga concentration distribution is prepared according to the irradiation angle and irradiation energy of the oxygen ion 3.例文帳に追加

酸素イオン３の照射角及び照射エネルギーにより、既知のＩｎ又はＧａ濃度分布を有する標準試料が作製される。 - 特許庁

The liquid metal includes a gallium (Ga) alloy and has a heat resistance of about 5 mm^2°C/W or lower.例文帳に追加

液体金属はガリウム（Ｇａ）合金を含み、約５平方ミリメートル摂氏度毎ワット（ｍｍ^２℃／Ｗ）以下の熱抵抗を有することができる。 - 特許庁

The clathrate compound has a composition having Ca substituted for some of atoms in a composition expression Ba_8(Ga, Sn)_46.例文帳に追加

本発明のクラスレート化合物は、組成式Ｂａ_8（Ｇａ、Ｓｎ）_46 において、一部の原子がＣａで置換されている組成を有する。 - 特許庁

The clathrate compound has a composition having Mg substituted for some of atoms, in a composition expression Ba_8(Ga, Sn)_46.例文帳に追加

本発明のクラスレート化合物は、組成式Ｂａ_8（Ｇａ、Ｓｎ）_46 において、一部の原子がＭｇで置換されている組成を有する。 - 特許庁

An Sn-Ga alloy having a composition having the atomicity % of Sn of 15% or less is housed in a heated tank 4.例文帳に追加

加熱されたタンク４内には、Ｓｎの原子数％が１５％以下の組成を有するＳｎ−Ｇａ系合金が収納されている。 - 特許庁

To materialize an Al_xGa_yIn_zN semiconductor wafer having excellent surface quality on the Ga side, and a manufacturing method of such a wafer.例文帳に追加

優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。 - 特許庁

The material for X-ray scintillator includes, as a host, a perovskite-type single phase single crystal represented by (Y, Gd, Lu)(Al, Ga)O_3.例文帳に追加

（Ｙ、Ｇｄ、Ｌｕ）（Ａｌ、Ｇａ）Ｏ_3で示されるペロブスカイト型単相単結晶をホストとして含有するＸ線シンチレータ用材料を提案する。 - 特許庁

A calculation means 12 calculates an image characteristic value Ng from pixel values of a plurality of pixels included in the original images Ga acquired by the acquisition means 11.例文帳に追加

算定手段１２は、取得手段１１が取得した原画像Ｇａに含まれる複数の画素の画素値から画像特性値Ｎgを算定する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a continuous wave semiconductor laser diode of an N (Al, Ga, In) material system.例文帳に追加

（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料系の連続波半導体レーザダイオードを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

In the course of raising temperature, GaN 18 decomposes in the upper part of a crystal growth container 12 to produce a group III metal (Ga) and nitrogen.例文帳に追加

昇温中、結晶成長容器１２の上部ではＧａＮ１８が分解し、III族金属（Ｇａ）と窒素が生成される。 - 特許庁

Furthermore, since the Co_2Fe(Ga_XGe_X-1) Heusler alloy has a high Curie point of 1288K, it is a practical material of promise.例文帳に追加

また１２８８Ｋと高いキュリー点をもつことから、Ｃｏ_２Ｆｅ（Ｇａ_ＸＧｅ_Ｘ−１）ホイスラー合金が実用材料として有望である。 - 特許庁

To deposit a ZnO film in a state where Ga and Al in desired quantities are uniformly doped.例文帳に追加

所望とする量のＧａやＡｌが、均一にドープされた状態にＺｎＯ膜が形成できるようにする。 - 特許庁

An AlYGa1-YAs (0≤Y≤1) layer, in which ethyl Ga is set to be a raw material, is arranged between the superstructure buffer layer and a GaInAs-channel layer.例文帳に追加

また、超格子構造緩衝層とＧａＩｎＡｓチャネル層との中間に、エチルＧａを原料としたＡｌ_YＧａ_1-YＡｓ（０≦Ｙ≦１）層を配置する。 - 特許庁

At the junction J, a junction surface (N surface) of the semiconductor structure 19 and a junction surface (Ga surface) of the semiconductor structure 45 are joined together.例文帳に追加

接合Ｊでは半導体構造物１９の接合面（Ｎ面）と半導体構造物４５の接合面（Ｇａ面）とが接合される。 - 特許庁

The metal material contains at least one selected from a group (A) of Ga, In, Pb, Bi, Cd, Mg, Zn, Ag, Au, each element in an amount of 0.01 to 1 mass%.例文帳に追加

（Ａ）Ｇａ，Ｉｎ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ａｇ，Ａｕの群から選ばれる少なくとも１種を、１種あたり０．０１質量％以上１質量％以下含有する。 - 特許庁

Furthermore, when it is then shifted to the high GA area, it does not take much time to increase a filter temperature to a value required for combustion of PM.例文帳に追加

更に、後に高ＧＡ領域に移行したとき、フィルタ温度のＰＭの燃焼に必要な値への上昇に時間がかかるということもなくなる。 - 特許庁

The electrode 110 includes a metal layer 202 having a Ga content of equal to or more than 1 atomic number% and equal to or less than 25 atomic number%.例文帳に追加

電極１１０は、Ｇａ含有率が１原子数％以上２５原子数％以下の金属層２０２を有する。 - 特許庁

The third lens group G3 is constituted of a fixed lens group Ga having positive refractive power and a movable lens group Gb having positive refractive power.例文帳に追加

また、第三レンズ群Ｇ３は、正の屈折力を持つ固定レンズ群Ｇａと、正の屈折力を持つ可動レンズ群Ｇｂと、から構成される。 - 特許庁

In the general Formula (1) which is CsX:A, X represents Br or I and A represents Eu, In, Ga or Ce.例文帳に追加

一般式（１） ＣｓＸ：Ａ 式中、ＸはＢｒ又はＩを表し、ＡはＥｕ，Ｉｎ，Ｇａ又はＣｅを表す。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high purity Ga-sputtering target in which impurities such as oxygen are removed.例文帳に追加

酸素等からなる不純物を除去した、純度の高いＧａスパッタターゲットの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When it is heated, Ga reacts with Si, the dummy substrate 1 is etched, and a concave part 3 and a convex part 4 are formed.例文帳に追加

加熱すると、ＧａはＳｉと反応し、ダミー基板１がエッチングされ、凹部３および凸部４が形成される。 - 特許庁

In a frame period, the writing of picture data to the pixels is performed by successive selection of first scanning lines GA by a first scanning line driving part 3a.例文帳に追加

１フレーム期間において、画像データの書込みは、第１の走査線駆動部３ａによる第１の走査線ＧＡの順次選択によって行う。 - 特許庁

Thereafter, Ga and N are extracted from the Fe particles 4 to grow a GaN nano-column 5 having a (10-11) face (Fig. 1(d)).例文帳に追加

以降、このＦｅ粒４からＧａとＮとを取込ませ、（１０−１１）面を有するＧａＮナノコラム５を成長させる（図１（ｄ））。 - 特許庁

A base film of a III-V semiconductor containing Ga and N and flatter than the substrate surface is disposed on the substrate surface.例文帳に追加

この表面に、Ｇａ及びＮを含むＩＩＩ−Ｖ族半導体からなり、基板表面よりも平坦な下地膜が配置されている。 - 特許庁

A crucible 10 holding a mixed melt 290 of Na metal and Ga metal is disposed in an internal reaction vessel 20.例文帳に追加

金属Ｎａと金属Ｇａとの混合融液２９０を保持する坩堝１０は、内部反応容器２０内に配置される。 - 特許庁

To provide a sputtering target composed of Cu-In-Ga-Se four-element based alloy in which the composition segregation is considerably less, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

組成偏析の極めて少ないＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Desirably, the Ga is doped by 0.01-10 at% of a concentration, and the Mn is doped by 0.01-5 at% of a concentration.例文帳に追加

好ましくは、前記Ｇａは０．０１〜１０ａｔ％、前記Ｍｎは０．０１〜５ａｔ％の濃度でドーピングされる。 - 特許庁

More desirably, the Ga is doped by 2-8 at% of a concentration, and the Mn is doped by 0.1-2 at% of a concentration.例文帳に追加

より好ましくは、前記Ｇａは２〜８ａｔ％、前記Ｍｎは０．１〜２ａｔ％の濃度でドーピングされる。 - 特許庁

Further more desirably, the Ga is doped by 4-6 at% of a concentration, and the Mn is doped by 0.2-1.5 at% of a concentration.例文帳に追加

さらにより好ましくは、前記Ｇａは４〜６ａｔ％、前記Ｍｎは０．２〜１．５ａｔ％の濃度でドーピングされる。 - 特許庁

The polygon-meshed product surface is divided into regions, and a texture GA is mapped in an initial region A.例文帳に追加

ポリゴンメッシュ化した製品表面を領域分けし、初期領域ＡにテクスチャＧＡをマッピングする。 - 特許庁

The position of a gravity center Ga of the recording layer 3 in its thickness direction is located at a position of the interior of the recording layer 3 biased by 1/2 of the layer thickness toward the fixed layer 1.例文帳に追加

記録層３の膜厚方向における磁化の重心Ｇａの位置が記録層３の膜厚の１／２よりも固着層１側に位置している。 - 特許庁

The target containing In, Zn, and Ga as its constituent has a relative density of 75% or higher and a resistivity ρ of 50 Ωcm or less.例文帳に追加

このターゲットは、その組成にＩｎ、Ｚｎ、Ｇａを含み、相対密度が７５％以上、且つ抵抗値ρが５０Ωｃｍ以下である。 - 特許庁

To increase oxygen ion conductivity and electron conductivity by producing a sintered body having a perovskite crystalline structure and comprising specified proportions of La, Ga, Ni and O and one or more elements of Sr. Ca and Ba.例文帳に追加

酸素イオン伝導性、電子伝導性及び酸素透過性を有するＬａＧａＯ_3系焼結体を提供する。 - 特許庁

A magnetic material core 20 of the current measuring device 10 is provided with a gap Gb for preventing magnetic saturation additionally to the gap Ga for measurement.例文帳に追加

電流計測装置１０では、磁性体コア２０に、磁束測定用ギャップＧａに加えて、磁気飽和防止用ギャップＧｂを設ける。 - 特許庁

A GA is also used to optimize the rule base, using the fuzzy model, optimal linguistic variable parameters, and a teaching signal.例文帳に追加

ファジーモデル、最適言語的変数パラメータ、および教示信号を用いてルールベースを最適化するために、ＧＡを使用する。 - 特許庁

According to the contacting resistance measuring method, the ground line between a terminal table and the grounding brush G is opened and a certain voltage is impressed between the grounding brushes Ga and Gb when the railroad car runs.例文帳に追加

端子台と接地ブラシＧ間の接地ラインを開放し、鉄道車両走行時に、接地ブラシＧａ，Ｇｂ間に所定電圧を印加する。 - 特許庁

A buffer layer 42 made of an AlN is formed on an SiC substrate 41, and further a Ga layer 43 is deposited on the buffer layer 42 made of the AlN.例文帳に追加

ＳｉＣ基板４１上にＡｌＮからなるバッファ層４２を形成し、更に、ＡｌＮからなるバッファ層４２上にＧａ層４３を堆積させる。 - 特許庁

The gap Ga, Gb serves as a thermal insulator for cutting off the heat radiation of a hot cathode fluorescent lamp mounted in the main body casing 1X.例文帳に追加

空隙Ｇａ、Ｇｂは断熱材として作用し、本体ケ−ス１Ｘに取り付けられる熱陰極蛍光ランプからの放射熱を遮断する。 - 特許庁

The light-receiving device includes an InP substrate, and a superlattice light-receiving layer formed by alternatively laminating a sink layer of a group third-fifth compound semiconductor containing In, Ga, As, and N and a raised layer of a group third-fifth compound semiconductor containing Ga, As, and Sb to form a type 2 junction.例文帳に追加

ＩｎＰを基板とし、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｓ、Ｎを含む３−５族化合物半導体の沈降層と、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｂを含む３−５族化合物半導体の隆起層とを交互に積層し、タイプ２の接合を形成した超格子を受光層とする。 - 特許庁

The ferromagnetic shape memory alloy has a composition containing, by atom, 35 to 65% Co and 20 to 35% Ga, and the balance Ni with inevitable impurities, and has a single phase structure consisting of a β phase with a B2 structure or a two phase structure consisting of a second phase with an fcc structure.例文帳に追加

Coを35〜65原子％，Gaを20〜35原子％含有し、残部がNiおよび不可避的不純物からなる組成と、Ｂ２構造のβ相からなる単相組織またはＢ２構造のβ相とｆｃｃ構造の第２相からなる２相組織とを有する強磁性形状記憶合金とする。 - 特許庁

The Cu-Ga alloy powders are subjected to heat treatment in a vacuum or inert gas atmosphere at a temperature of 250-1,000°C, and the heat-treated Cu-Ga alloy powders are sintered by a hot-press method in a vacuum or inert gas atmosphere at a temperature of 250-1,000°C and a pressing pressure of 5-30 MPa.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度で熱処理し、熱処理したＣｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度と、５ＭＰａ〜３０ＭＰａのプレス圧力とでホットプレス法により焼結する。 - 特許庁

To provide a method for producing a Ga-containing nitride semiconductor with high productivity in which, by preventing the accompanying adhesion of a Ga-containing nitride to portions other than a substrate in a growth chamber of a vapor phase deposition apparatus, particularly the accompanying adhesion of the Ga-containing nitride when thick film formation is desired, various problems due to the adhesion is solved, without inhibiting the growth of the Ga-containing nitride semiconductor onto the substrate.例文帳に追加

気相成長装置の成長室内の基板以外の部分へのＧａ含有窒化物の随伴的な付着、特に厚膜形成を行いたい場合の当該Ｇａ含有窒化物の随伴的な付着を防止することにより当該付着による様々な問題を解消し、且つ基板上へのＧａ含有窒化物半導体の成長が阻害されることなく、生産性が高いＧａ含有窒化物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

For a growth technology, a plasma generated from N2 gas may be used as a nitrogen atom supplying means, and atom beams generated by highly heating the In metal or Ga metal atoms in a crucible may also be used as a means for supplying Ga and In.例文帳に追加

また、成長技術として窒素原子の供給手段としてＮ２ガスから発生するプラズマを用い、ＧａとＩｎの供給手段としてルツボ内でＩｎあるいはＧａ金属元素を高温加熱して生成される原子ビームを利用してもよい。 - 特許庁