「a ga」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The phosphor is SrTiO_3:Pr, Al or Ga, and the phosphor is manufactured by firing a metal oxide obtained by calcining a powder containing an organic metal chelate of Sr, Ti, Pr, Al or Ga.例文帳に追加

ＳｒＴｉＯ_ 3：Ｐｒ，Ａｌ又はＧａ蛍光体で、該蛍光体は、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｐｒ，Ａｌ又はＧａの有機金属キレート錯体を含む粉末を仮焼成して得られる金属酸化物を本焼成して製造される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thermoelectric material such that when the thermoelectric material containing Ba and/or Ga is manufactured, an outflow of Ba and/or Ga is suppressed and the composition is precisely controllable.例文帳に追加

Ｂａ及び／又はＧａを含む熱電材料を製造する場合において、Ｂａ及び／又はＧａの流出を抑制し、組成の精密な制御が可能な熱電材料の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The entire image G is enlarged by the photographing magnification of the partial images GA-GD and the area matching the partial images GA-GD of the enlarged entire image G' is calculated for the respective partial images.例文帳に追加

全体画像Ｇは部分画像Ｇ_A〜Ｇ_Dの撮影倍率で拡大され、部分画像毎に拡大全体画像Ｇ′の当該部分画像Ｇ_A〜Ｇ_Dが一致する領域が算出される。 - 特許庁

A step of reheating the Cu-Ga alloy plate or a step of un-warping the Cu-Ga alloy plate may be performed between some rolling step and the next rolling step.例文帳に追加

或る圧延工程と次の圧延工程との間に、Ｃｕ−Ｇａ合金板を再加熱する再加熱工程や、Ｃｕ−Ｇａ合金板の反りを除去する反り除去工程を行ってもよい。 - 特許庁

M is at least one kind of elements chosen from among the group of Al (aluminum), Ga (gallium), Ti (titanium), Ge (germanium) and Sn (tin), and is an element different from A.例文帳に追加

前記Mは、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、Ti（チタン）、Ge（ゲルマニウム）、及びSn（スズ）のグループから選択される少なくとも１種類の元素であり、かつ、前記Aとは異なる元素である。 - 特許庁

The active layer is constituted by an amorphous oxide semiconductor containing In, Ga, and Zn, and has a Zn concentration lower than 20%, an In concentration equal to or higher than 40%, and a Ga concentration equal to or higher than 37%.例文帳に追加

この活性層は、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含むアモルファス酸化物半導体で構成されるものであり、かつＺｎ濃度が２０％未満であり、Ｉｎ濃度が４０％以上であり、Ｇａ濃度が３７％以上である。 - 特許庁

Preferably, Ga-doped zinc oxide is dispersed into water, Ga-doped zinc oxide dispersed into water is added to a water glass aqueous solution, they are mixed to prepare a spray liquid, the spray liquid is sprayed on the base material, and, after dried, the base material is heated at 150 to 700°C and is baked.例文帳に追加

好ましくはＧａドープ酸化亜鉛を水に分散させ、これを水ガラス水溶液に添加し、混合してスプレー液を調製し、これを基材にスプレーし、乾燥後、１５０〜７００℃に加熱して焼き付ける。 - 特許庁

Thereafter, the surface of the Ga layer 43 is irradiated with a nitrogen source to rebuild this Ga layer 43 on the lower layer 44 of the GaN layer having a little number of transfers and the upper layer 45 of the GaN layer having further less number of transfers than the lower layer 44.例文帳に追加

この後、Ｇａ層４３の表面に、窒素源を照射して、このＧａ層４３を転位が少ないＧａＮ層の下層部４４と、この下層部４４よりも更に転位の数が少ないＧａＮ層の上層部４５に再構築する。 - 特許庁

A cylinder fresh air quantity is calculated by using the blow-by fresh air quantity (Step 138), and a basic fuel injection quantity Qbase calculated based on the suction air volume Ga, is corrected by this cylinder fresh air quantity (Step 140).例文帳に追加

そして、吹き抜け新気量を用いて筒内新気量を算出し（ステップ１３８）、吸入空気量Gaに基づき算出された基本燃料噴射量Qbaseをこの筒内新気量にて補正する（ステップ１４０）。 - 特許庁

An undoped resistive layer of Ga_xIn_1-xAs 18 is disposed below the cap layer 16 so as to define a resistive layer opening 38 having a first width W1 in alignment with the cap layer opening 38.例文帳に追加

Ga_xIn_1-xAsの非ドープ抵抗層18を上記キャップ層16の下に配置し、第一の幅W1をもち上記キャップ層開口部38と位置の合った抵抗層開口部38を画定する。 - 特許庁

On the other hand, when it is decided that the GA value is abnormal by the GA parity deciding part 2, the BAR address selector 4 sets a sub-address value preliminarily prepared in the sub-address setting circuit 3 as a BAR value.例文帳に追加

一方、ＧＡパリティ判定部２によりＧＡ値が異常であると判定された場合は、ＢＡＲアドレス選択器４においてサブアドレス設定回路３に予め用意されるサブアドレス値をＢＡＲ値として設定する。 - 特許庁

To efficiently separate one or more of Ga, Ge and In from a material containing one or more of Ga, Ge and In as solid material by a simple process.例文帳に追加

Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を固形物として含有するものからＧａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を単純な工程で効率よく分離することを可能にする。 - 特許庁

On the other hand, current-carrying of the heater is prohibited under a condition where intake air quantity GA drops to quantity less than the criterion value GAst from a state that intake air quantity GA gets to the criterion value GAst or more.例文帳に追加

一方、吸入空気量ＧＡが判定値ＧＡｓｔ以上になった状態から判定値ＧＡｓｔ未満にまで低下したことを条件にヒータの通電を禁止する。 - 特許庁

The transparent conductive film includes 0.5-4.5 mass% Ce, 0.05-1.5 mass% Ga, 73.4-79.8 mass% Zn, and oxygen as a remaining portion, and has component composition satisfying a qualification used as Ce content>Ga content.例文帳に追加

Ｃｅ：０．５〜４．５質量％、Ｇａ：０．０５〜１．５質量％、Ｚｎ：７３．４〜７９．８質量％、残部：酸素からなり、かつＣｅ含有量＞Ｇａ含有量となる条件を満たす成分組成を有することを特徴とする。 - 特許庁

The solder may further comprise at least one oxidation-inhibiting element selected from the group consisting of P, Ge, and Ga in a total amount of 0.001 to 0.5 mass%, and/or Ag in an amount of 0.005 to 2 mass% as a wettability improving element.例文帳に追加

はんだ合金は、さらに、P 、Ge、Gaのような酸化抑制元素を 0.001〜0.5 質量％、および／またはAgのような濡れ性改善元素を 0.005〜２質量％の量で含有してもよい。 - 特許庁

A storage device 21 stores a project file Fp for making an image characteristic value Nf of each original image Ga constituting the content and the stereoscopic processing parameter to generate the stereoscopic image Gb from the original images Ga correspond to each other.例文帳に追加

記憶装置２１は、コンテンツを構成する各原画像Ｇａの画像特性値Ｎfと当該原画像Ｇａから立体視画像Ｇｂを生成するための立体化パラメータとを対応づけるプロジェクトファイルＦpを記憶する。 - 特許庁

An entire gain determination section 41 calculates an entire gain Ga from a first table storage section 42 based on an input from an input section 5 and outputs the entire gain Ga to an output peak level determination section 43 and a second gain determination section 51.例文帳に追加

全体ゲイン決定部４１は入力部５からの入力に基づいて第１テーブル記憶部４２から全体ゲインＧａを算出し、出力ピークレベル決定部４３と第２ゲイン決定部５１とに出力する。 - 特許庁

After supply of Ga source gas is started again at the time t2, a supplying amount of the Ga source gas is moderately increased and reached to a steady-state value at the time t22 later than the time t21.例文帳に追加

時刻ｔ２にＧａソースガスの供給を再び開始した後に、Ｇａソースガスの供給量をゆるやかに増加させて時刻ｔ２１の後の時刻ｔ２２において定常値に到達する。 - 特許庁

To provide a method for producing an In-Ga-Zn-based composite oxide sintered compact where the In-Ga-Zn-based composite oxide sintered compact composed mainly of the crystal of a compound denoted as In_2Ga_2ZnO_7 is obtained as an IGZO sintered compact.例文帳に追加

ＩＧＺＯ焼結体として、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７で表される化合物の結晶が主体である複合酸化物焼結体を得ることができるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the estimated deposit amount of PM is PMsm≤BUpm (Yes in S122), a correction execution reference value Dp is obtained from a correction execution reference value map MAPdp(GA) (S126) to determine the value of exhaust pressure difference ΔP/GA (S128).例文帳に追加

ＰＭの推定堆積量ＰＭｓｍ≦ＢＵｐｍである時（Ｓ１２２でＹＥＳ）に、補正実行基準値Ｄｐを補正実行基準値マップＭＡＰｄｐ（ＧＡ）から求め（Ｓ１２６）、排気圧力差ΔＰ／ＧＡの値を判定している（Ｓ１２８）。 - 特許庁

It was established as a technique for Sansui-ga (landscapes painting) in China in the latter part of Tang, and in Song, Suiboku-ga of Shikunshi (four plants of high virtue) (pine, bamboo, plum, and chrysanthemum) were painted by bunjin-kanryo (government officials of letters). 例文帳に追加

中国で唐代後半に山水画の技法として成立し、宋代には、文人官僚の余技としての、四君子（松竹梅菊）の水墨画が行われた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In addition, there is no direct relationship between Suiboku-ga and the dharma of the Zen sect, and it seems that Suiboku-ga was accepted as a new foreign culture as well as the Zen sect style architecture. 例文帳に追加

なお、水墨画と禅宗の教義とには直接の関係はなく、水墨画は禅宗様の建築様式などと同様、外来の新しい文化として受容されたものと思われる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In that sense, Nihon-ga is defined as those created after the Meiji period, which means that Taikan YOKOYAMA of Meiji was classified as a painter of Nihon-ga but the Edo period painter Eitoku KANO was not. 例文帳に追加

その意味では日本画は明治以降のものであり、明治の横山大観が日本画家であっても、江戸時代の狩野永徳は日本画家ではない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The words in the first vocal section is a waka poem 'Shiho no yama sashide no iso ni sumu chidori, kimiga miyo oba yachiyo tozo naku' (しほの山さしでの磯にすむ千鳥 君が御代をば八千代とぞ鳴く) taken from Ga no bu (the Ga [celebration] section) of "Kokin Wakashu." 例文帳に追加

前唄は『古今和歌集』賀の部より採った和歌「しほの山さしでの磯にすむ千鳥君が御代をば八千代とぞ鳴く」が歌詞として節付けされている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

While he was called Narabi-ga-oka daijin (minister) because he lived in a mountain villa at Narabi-ga-oka, Ukyo Heian-kyo (the western part of the ancient capital in current Kyoto), he was also called variously Hi daijin, Kitaoka daijin and Noji daijin. 例文帳に追加

平安京右京の双岡（ならびがおか、双ヶ丘）に山荘を営んだことから双岡大臣と称されたほか、比大臣、北岡大臣、野路大臣などと、幾通りもの呼び名をもって知られた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The photocatalyst for water splitting includes a Ga selenide, an Ag-Ga selenide, or both thereof, and the photoelectrode for water splitting includes the photocatalyst for water splitting.例文帳に追加

Ｇａセレン化物、Ａｇ−Ｇａセレン化物、又はそれらの両方を含有する水分解用光触媒、及び当該水分解用光触媒を含む水分解用光電極が提供される。 - 特許庁

Fuel injection quantity is controlled to make air fuel ratio in the upstream of the catalyst richer than the actual stoichiometric air fuel ratio of the catalyst (straight line 2) in a zone where intake air quantity Ga exceeds 15 g/sec.例文帳に追加

吸入空気量Gaが１５(g/sec)を超える領域で、触媒の上流における空燃比が、触媒の実理論空燃比（直線(2)）よりリッチ化するように燃料噴射量を制御する。 - 特許庁

Since water vapor V is mixed with the fluorine compound-containing exhaust gas G1 and obtained mixture is subjected to pyrolysis, treated gas G2 containing acidic gases GA such as hydrogen fluoride and a large quantity of water vapor V is produced after pyrolysis.例文帳に追加

フッ素化合物を含有する排ガスG1に水蒸気Vを混合して加熱分解しているので、加熱分解後にはフッ化水素などの酸性ガスGAと多量の水蒸気Vとを含む処理済ガスG2が生成される。 - 特許庁

In the nitrogen-doped MgZnO layer next to the undoped MgZnO layer, the density of diffused Ga abruptly decreases toward a surface side and the Ga is not diffused to the upper layer of the nitrogen-doped MgZnO layer.例文帳に追加

アンドープＭｇＺｎＯ層の次の窒素ドープＭｇＺｎＯ層で、拡散してきたＧａの濃度が表面側になるにつれて、急激に減少しており、この窒素ドープＭｇＺｎＯ層の上層にＧａは拡散していない。 - 特許庁

To provide a solvent extraction method of Ga and In capable of efficiently extracting Ga and In while suppressing transfer of impurities such as iron, zinc and aluminum to an organic phase.例文帳に追加

鉄、亜鉛およびアルミニウム等の不純物の有機相への移行を押さえながら、Ｇａ，Ｉｎを効率よく抽出することができるＧａ，Ｉｎの溶媒抽出方法を提供する。 - 特許庁

The oxide containing In, Ga, and Zn includes a repeated structure in which four layered structures are assumed to be one unit, the layered structures each consist of an oxide containing at least one of In, Ga, and Zn.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む酸化物であって、４つの層状構造を１ユニットとする繰り返し構造を含み、前記層状構造はそれぞれＩｎ、Ｇａ、Ｚｎのうち少なくとも１つを含む酸化物からなる酸化物。 - 特許庁

At least one of catalyst metal selected from Pt, Pd, Rh, Ir, Ag, and Cu is carried onto substituted zeolite, where at least a part of Al element is substituted with at least one of metal element selected from B, Ga, In, and Tl, by ion exchange.例文帳に追加

ゼオライト中のAl元素の少なくとも一部がＢ，Ga，In及びTlから選ばれる少なくとも一種の金属元素で置換された置換ゼオライトに、Pt，Pd，Rh，Ir，Ag及びCuから選ばれる少なくとも一種の触媒金属をイオン交換担持した。 - 特許庁

The alloy for hydrogen generation is obtained by adding ≥0.1wt% Al to Ga alloy containing, in Ga, 0.05-1wt% at least one element selected from a group consisting of Ge, Fe, Cu and Sb.例文帳に追加

ＧａにＧｅ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｓｂからなる群から選ばれる少なくとも１種以上を０．０５〜１ｗｔ％含有するＧａ合金にＡｌを０．１ｗｔ％以上添加してなる水素発生用合金。 - 特許庁

When the shape of the Cu-Ga alloy lump before cutting is parallelopiped, the Cu-Ga alloy lump is cut so that the shortest side of the parallelopiped shape and a cut section are intersected with each other.例文帳に追加

切断前のＣｕ−Ｇａ合金塊の形状が直方体である場合には、直方体の最も短い辺と切断面とが交わるように、当該Ｃｕ−Ｇａ合金塊を切断する。 - 特許庁

The parasitic capacitance C_ga is a capacity component interposed between the gate and source of the driving transistor 22 to reduce the value of the parasitic capacitance between the gate and source.例文帳に追加

この寄生容量Ｃ_gaは、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間に介在する容量成分となり、ゲート−ソース間の寄生容量の容量値を減らす方向に作用する。 - 特許庁

The aluminum alloy for conduction has a composition comprising at least one kind of element selected from Ag, Mn, Sn, Zn, Cu, Ga, Ge, Li, Mg, Si, Th, Ti, V and Zr in the ratio of 0.3 to 10.0 wt.%, and the balance Al as the main component with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明に係る導電用アルミニウム合金は、 Ag,Mn,Sn,Zn,Cu,Ga,Ge,Li,Mg,Si,Th,Ti,V,Zrから選択される少なくとも１種の元素を0.3〜10.0重量％の割合で含有し、 残部が主成分であるAlと不可避不純物、で構成されるものである。 - 特許庁

Opening of a variable nozzle of the turbocharger 14 arranged per bank is controlled so that amount Ga of fresh air sucked into each of the plurality of banks become equal.例文帳に追加

複数のバンクのそれぞれに吸入される新気量Gaが等しくなるように、バンク毎に配置されたターボチャージャ１４の可変ノズル開度を制御する。 - 特許庁

The structure of the house comprises the existing house body section 2, the extension part 5 extended by having an exterior wall 4 separated from an exterior wall 3 of the house body section at an interval Ga and a connecting metal fitting 6 closing the interval Ga with flashing.例文帳に追加

既設の家屋本体部２、その外壁３と間隔Ｇａを隔てる外壁４を有して建て増しされる増築部５、及び前記間隔Ｇａを雨仕舞いして閉じる連結金物６からなる。 - 特許庁

The diffusion of Ga in the active layer 15 is suppressed in the ZnO substrate to obtain a steep interface between the ZnO substrate and active layer, thus enabling the system to get excellent crystal in the active layer composed of InGaN.例文帳に追加

ZnO基板中に活性層１５のGaが拡散するのが抑制され、ZnO基板と活性層の間の急峻な界面が得られ、InGaNからなる活性層の良好な結晶が得られる。 - 特許庁

According to the structure, the interdiffusion of Ga and As in the p-type GaAs layer 1 and Au in the metallic layer 5 is prevented while the fluctuation of the resistivity of the ohmic electrode 6 can be suppressed at a small value under the high-temperature and high-humid environment.例文帳に追加

上記構造とすることにより、ｐ型GaAs層１のGa、Asと、金属層５のAuの相互拡散を防止するとともに、高温・高湿環境下において、オーミック電極６の抵抗率の変動を小さく抑えることができる。 - 特許庁

A selection section 74 selects the candidate point BC corresponding to n2 pieces of window sequences GA in which the number of search windows WA including peak PB in the plurality of window sequences GA are large.例文帳に追加

選択部７４は、複数の窓列ＧAのうちピークＰBを包含する検索窓ＷAの個数が多いｎ2個の窓列ＧAに対応した候補点ＢCを選択する。 - 特許庁

The (Ga, Mn)N thin film 11 can be bonded to the tunnel barrier thin film 13 with sufficient alignment by growing it epitaxially on the tunnel barrier thin film 13 as a substrate.例文帳に追加

(Ga, Mn)N薄膜１１は、トンネル障壁薄膜１３を基板としてエピタキシャル成長させることによりトンネル障壁薄膜１３と整合性よく接合することができる。 - 特許庁

The ZnMgSSe clad layer is doped with Al, Ga, or In as an n-type dopant together with nitrogen as a p-type dopant, wherein the ratio of Al, Ga, or In to N is set at 0.01 to 0.8:1.例文帳に追加

ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層に、ｐ型ドーパントである窒素とともに、ｎ型ドーパントのＡｌ、Ｇａ又はＩｎを０．０１〜０．８の割合で共ドープする。 - 特許庁

The BeMgZnSe clad layer is doped with Al, Ga, or In as an n-type dopant together with nitrogen as a p-type dopant, wherein the ratio of Al, Ga, or In to N is set at 0.01 to 0.8:1.例文帳に追加

ＢｅＭｇＺｎＳｅクラッド層に、ｐ型ドーパントである窒素とともに、ｎ型ドーパントのＡｌ、Ｇａ又はＩｎを０．０１〜０．８の割合で共ドープする。 - 特許庁

The lead-free alloy for soldering has a composition containing, by weight, 0.2 to 2.5% silver (Ag), 0.1to 2.0% copper (Cu), 0.001 to 0.5% phosphorous (P) and 0.001 to 0.5% gallium (Ga), and the balance tin (Sn).例文帳に追加

銀（Ag）0.2〜2.5重量％と銅（Cu）0.1〜2.0重量％と燐（P）0.001〜0.5重量％とガリウム（Ga）0.001〜0.5重量％及び残りは錫（Sn）から組成された半田付け用無鉛合金として構成した。 - 特許庁