「a ga」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A single crystal n-type ITO transparent electrode film 11 contains Ga as well as In, has a mole ratio of Ga/(In+Ga) of 0.08-0.5, and a thickness of 1.1-55 nm.例文帳に追加

単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜１１はＩｎだけでなくＧａをも含有し、単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜（１１）は、０．０８以上０．５以下のＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）のモル比を有し、単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜１１は、１．１ｎｍ以上５５ｎｍ以下の厚みを有する。 - 特許庁

This manufacturing method is a method to make a single crystal having a garnet structure substantially comprising Ca, Nb, Ga, and O by Czochralski method, and the composition ratio of Ca, Nb, and Ga is Ca:Nb:Ga=37.7-39.1:20.2-21.6:40.7-42.1 in molar ratio.例文帳に追加

Ｃａ、Ｎｂ、Ｇａ及びＯから実質的に構成され且つガーネット構造を有する単結晶をチョコラルスキー法によって製造する方法であって、Ｃａ、Ｎｂ及びＧａの組成比がモル比で表してＣａ：Ｎｂ：Ｇａ＝３７．７〜３９．１：２０．２〜２１．６：４０．７〜４２．１となるように用いる。 - 特許庁

This spattering target for forming the transparent conductive film has an organization in which a Zn-Ga complex oxide surrounds a Zn-Ga alloy crystal particle having a composition which contains: 0.1 to 30% by mass of Ga; and the balance comprising Zn.例文帳に追加

本発明の透明導電膜形成用スパッタリングターゲットは、Ｇａ：０．１〜３０質量％を含有し、残部がＺｎからなる組成を有するＺｎ−Ｇａ合金結晶粒をＺｎ−Ｇａ複合酸化物が包囲している組織を有する。 - 特許庁

By making a sputter particle 11 to be a constituent material (W, Ga) of the Ga liquid metal ion source 2-1, even if the sputter particle 11 is attached onto the Ga liquid metal ion source 2-1, contamination which makes physical properties of the Ga9 change is not generated.例文帳に追加

スパッタ粒子１１がＧａ液体金属イオン源２−１の構成材(Ｗ,Ｇａ)となるようにすることにより、スパッタ粒子１１がＧａ液体金属イオン源２−１に付着した場合でもＧａ９の物性を変えるような汚染が生じない。 - 特許庁

A sputtering target is used for forming the n-layer of the solar cell, and contains In, Ga, Zn and O, where an atomic content of each of In, Ga, and Zn is 10 atom% or more, when a total number of In, Ga and Zn atoms in the n-layer is assumed as 100 atom%.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲットは、太陽電池のｎ層を形成するために用いられ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＯを含有し、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの原子数を１００原子％とした場合、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの含有量がいずれも１０原子％以上である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Ga compound-doped polycrystalline silicon, in which the accuracy of the measurement and the workability of Ga doping are improved and to provide the Ga compound-doped polycrystalline silicon hardly causing photo-degradation and having high conversion efficiency stably.例文帳に追加

Ｇａドープの計測の正確性および作業性を向上させたＧａ化合物ドープ多結晶シリコンの製造方法と、光劣化が生じにくく、高い変換効率が安定的に得られるＧａ化合物ドープ多結晶シリコンとを提供するものである。 - 特許庁

The magnetic material has an X-ray diffraction peak corresponding to the crystal structure of ε-Fe_2O_3 and is composed of a crystal of ε-Ga_xFe_2-xO_3, formed by replacing a part of Ga^3+ ion site in the ε-Fe_2O_3 crystal with Ga^3+ ion, wherein 0<X<1.例文帳に追加

ε−Ｆｅ_2Ｏ_3の結晶構造に対応するＸ線回折ピークを有し、ε−Ｆｅ_2Ｏ_3結晶のＧａ^3+イオンサイトの一部がＧａ^3+イオンで置換されたε−Ｇａ_xＦｅ_2-xＯ_3〔ただし０＜Ｘ＜１である〕の結晶からなる磁性材料である。 - 特許庁

Therefore, under a situation that the engine operating area is frequently changed between the low GA area and other areas (high GA area) during regeneration of the filter, when it is shifted to the low GA area, a temperature of the filter is not significantly reduced.例文帳に追加

このため、フィルタ再生の実行中に機関運転領域が低ＧＡ領域とそれ以外の領域（高ＧＡ領域）との間で頻繁に変化するという状況のもとで、低ＧＡ領域に移行したとき、フィルタ温度が大幅に低下することはなくなる。 - 特許庁

A solar cell includes an n-layer containing In, Ga, Zn and O, and an atomic content of each of In, Ga, and Zn is 10 atom% or more, when a total number of In, Ga and Zn atoms in the n-layer is assumed as 100 atom%.例文帳に追加

本発明は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＯを含有するｎ層を備え、このｎ層中のＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子数を１００原子％とした場合、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの含有量がいずれも１０原子％以上である太陽電池である。 - 特許庁

a style of Chinese painting in which mountains and water are painted in pale tones, called 'nansou-ga' 例文帳に追加

南宗画という,主として淡彩の山水画を描く中国絵画の様式 - EDR日英対訳辞書

When Emperor holds the Momiji no Ga (the autumn excursion) to celebrate the Retired Emperor's birthday, Genji performs a dance. 例文帳に追加

帝が上皇の長寿のお祝いを紅葉賀と銘打って主催し、源氏はこれに舞を舞う。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Natsu-kusa ya/tsuwamono-domo ga/yume no ato (Mounds of summer grass - the place where noble soldiers one time dreamed a dream): Hiraizumi-cho, Iwate Prefecture 例文帳に追加

夏草や兵どもが夢の跡（なつくさやつわものどもがゆめのあと）：岩手県平泉町 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

These mind games make it difficult to distinguish "mitate-e" from the usual fuzoku-ga (paintings depicting customs), and is a characteristic feature of the "mitate-e." 例文帳に追加

一見したところで通常の風俗画と区別が付かないのが特徴である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Haboku-sansui-zu' is a Sansui-ga (Chinese-style landscape painting) which was created by Sesshu in 1495 and was given to Sesshu's disciple, Soen. 例文帳に追加

「破墨山水図」は、雪舟が1495年に制作し、弟子の宗淵に与えた山水画。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Kurama Tengu refers to the great "tengu" (mountain spirit that has a long nose) which is believed to have lived in Sojo-ga-dani, situated deep on Mt. Kurama, and the tengu is also called "Kurama-yama Sojo-bo" (Priest Shobo on Mt. Kurama). 例文帳に追加

鞍馬山の奥の僧正が谷に住むといわれる大天狗、鞍馬山僧正坊。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Kien was also a prominent painter whose work of sansui-ga (landscape painting) was as highly regarded as his master Okyo MARUYAMA's. 例文帳に追加

絵画の腕も卓越しており、山水画では、師の円山応挙に劣らずという評価も受けている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Genji Monogatari-zu Byobu (folding screen with scenes from The Tale of Genji) (Wakana・Momiji-no-ga) (Honen-ji Temple, Kagawa) A pair of eight folding screens, Important Cultural Property 例文帳に追加

源氏物語図屏風（若菜・紅葉賀）（香川・法然寺）八曲一双重要文化財 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Yoshisada NITTA devised a plan and outmaneuvered the bakufu army by charging Kamakura from Inamura ga saki. 例文帳に追加

新田義貞は一計を案じ、幕府軍の裏をかいて稲村ガ崎から鎌倉へ突入した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The idiomatic expression of Udatsu-ga-agaranai originated from such a situation. 例文帳に追加

そのことから、慣用句として使われるうだつがあがらないの語源となっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Udatsu-ga-agaranai refers to a condition where no good result are being obtained, in work for example, with no future prospects. 例文帳に追加

うだつがあがらないとは、仕事などで成果が出ず、先の見込みがない状態を言う。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To make ion emission (emission) of a Ga liquid metal ion source (LMIS) stable and having long life.例文帳に追加

Ｇａ液体金属イオン源(LMIS)のイオン放射(エミッション)を安定に、かつ、長寿命にする。 - 特許庁

As this adhesive layer 21, an adhesive layer is prepared that consists of a nitride material containing gallium (Ga).例文帳に追加

この密着層２１として、ガリウム（Ｇａ）を含む窒化物系材料から成る密着層を設ける。 - 特許庁

The silicon crystal is added with Ga and phosphorus as a doping agent.例文帳に追加

シリコン結晶であって、ドープ剤としてＧａとリンが添加されたものであるシリコン結晶。 - 特許庁

A plurality of lower-layer data electrodes 12 is classified into two or more groups GA, GB, and GC.例文帳に追加

複数本の下層データ電極１２は複数のグループＧＡ，ＧＢ，ＧＣに区分される。 - 特許庁

To more easily form a compound semiconductor layer including high-quality Ga.例文帳に追加

高い品質のＧａを含む化合物半導体層をより容易に形成できるようにする。 - 特許庁

The silicon crystal is added Ga and B as a doping agent.例文帳に追加

シリコン結晶であって、ドープ剤としてＧａとＢが添加されたものであるシリコン結晶。 - 特許庁

To achieve a low contact resistance to an n-type semiconductor layer that contains Ga.例文帳に追加

Ｇａを含有するｎ型半導体層に対して低いコンタクト抵抗を実現する。 - 特許庁

After that, the precursor thin film is heat-treated in atmosphere containing Se to form a Cu(In, Ga)Se_2 thin film.例文帳に追加

その後、Ｓｅを含む雰囲気中で前記前駆体薄膜を熱処理して、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ_２薄膜を形成する。 - 特許庁

The partial images GA-GD are picked up by the photographing magnification of the almost double of the entire image G.例文帳に追加

部分画像Ｇ_A〜Ｇ_Dは全体画像Ｇに対して略２倍の撮影倍率で撮像されている。 - 特許庁

The second nitride semiconductor contains Ga and has a specific resistance of ≥10^4 Ωcm.例文帳に追加

第二の窒化物半導体が、Ｇａを含み、比抵抗が１０^４Ω・ｃｍ以上である。 - 特許庁

The thermoelectric conversion material consists of a composite oxide comprising Zn, Ga and In.例文帳に追加

Ｚｎ、ＧａおよびＩｎを含有する複合酸化物からなることを特徴とする熱電変換材料。 - 特許庁

To enhance the formability by achieving the consistent slidability when drawing a GA steel sheet.例文帳に追加

ＧＡ鋼板を絞り成形する際の摺動性を安定化し、成形性の向上を図る。 - 特許庁

A block division part 22 divides the respective image parts Ga and Gb and generates two block images.例文帳に追加

ブロック分割部２２は、画像部分Ｇａ，Ｇｂのそれぞれを分割して２個のブロック画像を生成する。 - 特許庁

First, one end part (right-side end part Ga) of the substrate G is irradiated with ultraviolet rays in a standstill state.例文帳に追加

最初に基板Ｇの一端部（右側端部Ｇa）に対する静止状態で紫外線照射を行う。 - 特許庁

Preferably, the top surface of the substrate 22, corresponding to the upper region 22b, has a Ga polarity.例文帳に追加

好ましくは、上部領域２２ｂに該当する基板２２の上面はＧａ極性を有する。 - 特許庁

As a result, the injection pressure of the shield gas GA at an injection nozzle 12 is dropped.例文帳に追加

その結果、噴出孔１２におけるシールドガスＧＡの噴射圧力が低下する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element in which Sb, Ga, or Bi is doped, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

Ｓｂ、ＧａまたはＢｉがドーピングされた半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The output potential on the other side is acquired from a connection terminal Tb connected to the other end of the strain gage Ga.例文帳に追加

ひずみゲージＧａの他端に接続された接続端子Ｔｂから他方の出力電位を得る。 - 特許庁

Thus, the light emission facet 1F is a Ga polar plane and the rear facet 1B is an N polar plane.例文帳に追加

これにより、光出射面１ＦがＧａ極性面となり、後面１ＢがＮ極性面となる。 - 特許庁

In addition, the amount of intake air is set to an amount of air GaA by correcting an amount of intake air Ga by a reduction (ΔGa).例文帳に追加

さらに、吸入空気量Ｇａを減量（ΔＧａ）して空気量ＧａＡに設定する。 - 特許庁

A guard ring 4 is provided on the surface side of the guard ring area GA.例文帳に追加

ガードリングエリアＧＡの表面側には、ガードリング４が設けられている。 - 特許庁

The ratio of a group III element to group VI element is 2:3.例文帳に追加

また、In-Ga-Se化合物ターゲット21に含まれるIII族元素対VI族元素の比を２：３とする。 - 特許庁

A luminous element is formed on the smooth (Al, Ga, In)N thin film 624.例文帳に追加

前記平滑な（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜６２４上に、発光素子を形成する。 - 特許庁

In the formula, A is Si, Ge, Ti, Zr, Al or Ga; and (x) is 1 to 6.例文帳に追加

式中、ＡはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＡｌまたはＧａであり、ｘは１〜６である。 - 特許庁

The PVC connection by a global group GA is set up between nodes 1 and 2.例文帳に追加

ノード１とノード２間は、統括グループＧＡのＰＶＣ接続が確立されている。 - 特許庁