「a ga」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Disclosed is the manufacturing method of the group III nitride compound semiconductor light emitting element wherein a Ga target 47a containing a Ga element and a dopant target 47b consisting of a dopant element are used to form at least a portion of a semiconductor layer by exciting the Ga target 47a by sputtering and exciting the dopant target 47b with charged particles in a beam shape.例文帳に追加

Ｇａ元素を含有するＧａターゲット４７ａとドーパント元素からなるドーパントターゲット４７ｂとを用い、前記Ｇａターゲット４７ａをスパッタにより励起させるとともに、前記ドーパントターゲット４７ｂをビーム状とした荷電粒子により励起させて、半導体層の少なくとも一部を形成するＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法とする。 - 特許庁

As that the predetermined gain Ga is divided by a gain variable range Y of an amplifier 60 calculated by dividing a maximum gain Gb by a minimum gain Gb to derive the gain Ga next small to the predetermined gain Ga, circuit-designing a first variable resistor 10 and a feedback resistor 20, and a second variable resistor 40 and a feedback resistor 50 can vary the gain G at approximately identical rate.例文帳に追加

所定のゲインＧａが最大のゲインＧｂを最小のゲインＧｂで除算して算出されるアンプ６０のゲイン可変範囲Ｙで除算されると、その所定のゲインＧａの次に小さいゲインＧａが算出されるように、第一の可変抵抗１０と帰還抵抗２０と第二の可変抵抗４０と帰還抵抗５０とは回路設計されることにより、ゲインＧはほぼ同一の割合で可変できる。 - 特許庁

To provide a CIGS thin film solar cell which can maximize an optical and/or electric conversion rate of a solar cell such that a CIGS thin film is manufactured through a process of printing an ink containing nanoparticles without requirement of vacuum processing or complex equipment and a Cu/(In+Ga) ratio and a Ga/(In+Ga) ratio of the CIGS thin film can be easily regulated.例文帳に追加

太陽電池における光・電変換率の最大化を実現するＣＩＧＳ薄膜太陽電池において、真空工程や複雑な装備の必要なしに、ナノ粒子インクの印刷工程だけでＣＩＧＳ薄膜を製造し、ＣＩＧＳ薄膜のＣｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）比率及びＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）比率を自在に調節できるようにする。 - 特許庁

The apparatus 40 for manufacturing the group III nitride compound semiconductor is provided with a chamber 41; a Ga target 47a containing a Ga element and a dopant target 47b containing a dopant element which are placed within the chamber 41; and a power application means 45 for applying power to the Ga target 47a and the dopant target 47b simultaneously or alternately.例文帳に追加

チャンバ４１と、チャンバ４１内に設置されたＧａ元素を含有するＧａターゲット４７ａおよびドーパント元素からなるドーパントターゲット４７ｂと、Ｇａターゲット４７ａとドーパントターゲット４７ｂとに対して同時にまたは交互にパワーを印加するパワー印加手段４５とを備えているＩＩＩ族窒化物化合物半導体の製造装置４０とする。 - 特許庁

Kodana no koshita no koke ni komiso ga koaru zo, koshakushi komotte kosukutte koyokose (there is a little bean paste in a little tub a little under a little shelf, hold a little of a little dipper to dip a little of it and give me a little). 例文帳に追加

小棚の小下の小桶に小味噌が小有るぞ、小杓子小持って小掬って小寄こせ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To cut even a Cu-Ga alloy ingot, which is manufactured by, for example, the dissolved casting and has relatively large composition ratio of Ga, into a desired shape without causing cracking, cracking or chipping, and to provide a sputtering target consisting of a Cu-Ga alloy and having an excellent surface smoothness Ra of ≤0.1 μm by the surface polishing in a relatively short period of time.例文帳に追加

例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きいＣｕ−Ｇａ合金塊であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく所望の形状に切断し、Ｒａが０．１μｍ以下の優れた表面平滑性を有するＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットを比較的短時間の表面研磨により提供する。 - 特許庁

The gate electrode GA of MOSQA for a peripheral circuit is constituted by the same gate electrode structure as a nonvolatile memory cell of a two-layer gate electrode structure, and a contact hole SC connecting between conductive films 4 and 6 which constitute the gate electrode GA is arranged in a position where it flatly overlaps an active area LA in the plane of the gate electrode GA.例文帳に追加

２層ゲート電極構造の不揮発性メモリセルと同じゲート電極構造によって周辺回路用のＭＯＳＱＡのゲート電極ＧＡを構成し、そのゲート電極ＧＡを構成する導体膜４，６間を接続するコンタクトホールＳＣを、そのゲート電極ＧＡの平面内において活性領域ＬＡと平面的に重なる位置に配置した。 - 特許庁

A lateral selective growth ELO structural layer is the GaInN- ELO structural layer 14 composed of a Ga_xIn_1-xN species crystal 14a provided on the sapphire substrate 12 as a stripe ridge, and a Ga_xIn_1-xN layer 14b grown from the Ga_xIn_1-xN species crystal 14a by lateral growth.例文帳に追加

横方向選択成長ＥＬＯ構造層は、サファイア基板１２上に、ストライプ状リッジとして設けられたＧａ_x Ｉｎ_1-x Ｎ種結晶部１４ａと、Ｇａ_x Ｉｎ_1-x Ｎ種結晶部１４ａから横方向成長法により成長させたＧａ_x Ｉｎ_1-x Ｎ横方向成長層１４ｂとから構成されているＧａＩｎＮ−ＥＬＯ構造層１４である。 - 特許庁

An electronic control device 61 defines a relation between suction air quantity GA to an engine 11 and temperature (catalyst temperature) of a exhaust system component (exhaust emission control catalyst 27) beforehand, calculates a value following catalyst temperature defined by suction air quantity GA after change and the relation mentioned above with response delay by gradual change process and calculates estimated catalyst temperature based on the value during transient period in which suction air quantity GA changes.例文帳に追加

電子制御装置６１は、エンジン１１への吸入空気量ＧＡと排気系部品（排気浄化触媒２７）の温度（触媒温度）との関係を予め定めておき、吸入空気量ＧＡが変化する過渡時には、その変化後の吸入空気量ＧＡと上記関係とから求まる触媒温度に応答遅れを有して追従する値を徐変処理により算出し、この値に基づき推定触媒温度を算出する。 - 特許庁

This film-forming method comprises the steps of: setting a target 2 containing In, Ga and Zn; sputtering the target 2 in an atmospheric gas containing oxygen gas, nitrogen gas and an inert gas, while applying pulse voltage alternately to a plurality of cathodes 3 and 4; and thereby introducing nitrogen into an In-Ga-Zn-O film to form the p-type In-Ga-Zn-O film.例文帳に追加

Ｉｎ，Ｇａ，及びＺｎを含むターゲット２を用い、酸素ガス，窒素ガス及び不活性ガスを含む雰囲気下で、複数のカソード３，４に交互にパルス電圧を印加してスパッタすることにより、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜中に窒素を導入し、ｐ型のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜する。 - 特許庁

When two kinds of semiconductor lasers are formed through growth of GaInNAs well layer by using TEGa as the Ga raw material or growth of GaAs barrier layer using TEGa or TMGa as the Ga the raw material, a light emitting wavelength of the semiconductor laser including the GaAs barrier layer, by using TMGa as the Ga raw material is shifted to a longer wavelength.例文帳に追加

Ｇａ原料としてＴＥＧａを用いてＧａＩｎＮＡｓ井戸層を成長すると共にＧａ原料としてＴＥＧａまたはＴＭＧａを用いてＧａＡｓ障壁層を成長して２種類の半導体レーザを作製したとき、Ｇａ原料としてＴＭＧａを用いたＧａＡｓ障壁層を含む半導体レーザの発光波長が長波長にシフトする。 - 特許庁

On the roof of the haiden (a hall of worship) is a model monkey laid out who has a gohei (a wooden ritual wand decorated with plaited paper streamers) and a bell opposite the monkey of Saru ga Tsuji (crossroad of monkeys) at the northeast corner of the palace. 例文帳に追加

拝殿の屋根の上には、御所の東北角・猿ヶ辻の猿と対応して、御幣と鈴を持った猿が安置されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A light emitting unitary region SP formed from a scan electrode bunch 12YA and a data electrode bunch 24A constitutes a display region GA.例文帳に追加

走査電極群１２ＹＡとデータ電極群２４Ａにより形成される発光単位領域ＳＰが表示領域ＧＡを構成する。 - 特許庁

To simply and efficiently agitate a molten mix of Ga and Na in a production of a group III nitride semiconductor crystal by a Na flux method.例文帳に追加

Ｎａフラックス法によるIII 族窒化物半導体結晶の製造において、ＧａとＮａの混合融液を簡易かつ効率的に攪拌すること。 - 特許庁

To provide semiconductor material, a method, and a device and, more specifically, a nonpolar (Al, B, In, Ga) N quantum well, heterostructure material, and a device.例文帳に追加

半導体材料、方法、およびデバイス、より具体的には、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを提供すること。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit has a cell arranging structure in which a plurality of gate array regions GA is dispersedly arranged in a standard cell region SC.例文帳に追加

スタンダードセル領域ＳＣ内に複数のゲートアレイ領域ＧＡが分散配置されているセル配置構造を有している。 - 特許庁

The porous silica has a porous structure comprising a prescribed space groups into which a metallic element selected from a group comprising Al, Fe, Ti, Co and Ga is added.例文帳に追加

本発明のさらなる目的は、高濃度の金属が添加された多孔体シリカ（ＫＩＴ−５）およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

When producing trioxan from an aqueous solution of formaldehyde in the presence of gallium silicate as a catalyst, in the method of this invention, a gallium silicate is use as a catalyst in a molar ratio (Si/Ga) of 5-50.例文帳に追加

触媒としてガリウムシリケートを用い、ホルムアルデヒド水溶液からトリオキサンを製造する。 - 特許庁

The thin film forming apparatus includes a gallium arranging section 105 for allowing a material gas supplied from a material gas supply section 104 to contact gallium(Ga).例文帳に追加

原料ガス供給部１０４が供給する原料ガスにガリウム（Ｇａ）を接触させるガリウム配置部１０５を備える。 - 特許庁

A circuit board 20 includes a ground electrode formation region GA and a ground electrode non-formation region NGA.例文帳に追加

回路基板２０はグランド電極形成領域ＧＡとグランド電極非形成領域ＮＧＡを備えている。 - 特許庁

The first oxide semiconductor layer 542 is composed of a Ga oxide semiconductor, and has a thickness within a range of 0.5-2.0 nm.例文帳に追加

第１の酸化物半導体層５４２は、Ｇａ酸化物半導体よりなり、０．５〜２．０ｎｍの範囲内の厚みを有している。 - 特許庁

More specifically, the ground plane film 1 is subjected to FIB processing (Ga ion irradiation) to remove a part of the film to make a structure having a recess.例文帳に追加

具体的には、グランドプレーン膜１に、ＦＩＢ加工（Ｇａイオン照射）により、膜の一部を除去して凹部を有する構造とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a non-polar (Al, B, In, Ga)N quantum well, heterostructure material, and a nitride semiconductor device.例文帳に追加

非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料および窒化物半導体デバイスを形成するための方法を提供する。 - 特許庁

A GA arithmetic part 23 performs operations for the calculation of an evaluation function of a chromosome, the selection of a chromosome, crossover, mutation, etc.例文帳に追加

ＧＡ演算部２３は、染色体の評価関数の計算、染色体の選択、交叉、突然変異等の演算を行う。 - 特許庁

To provide a method for easily and economically growing a GaN crystal by using high pressure nitrogen-containing gas and a Ga solvent.例文帳に追加

高圧の窒素含有ガスとＧａ溶媒を利用して、簡便かつ経済的にＧａＮ結晶を成長させ得る方法を提供する。 - 特許庁

To provide a Ga_xIn_1-xN substrate with which a high quality epitaxial film can be stably grown, and to provide a cleaning method for obtaining the same.例文帳に追加

高品質のエピタキシャル膜を安定して成長できるＧａ_xＩｎ_1-xＮ基板とこのＧａ_xＩｎ_1-xＮ基板を得るための洗浄方法を提供する。 - 特許庁

A switch element Qa conducts the first voltage line to a signal node Na by setting the voltage of a control terminal Ga to the second voltage side.例文帳に追加

スイッチ素子Ｑａは、制御端子Ｇａを第２電圧側に電圧設定することで、第１電圧ラインを信号ノードＮａに導通させる。 - 特許庁

To provide a novel In-Ga-Zn-based oxide useful as a semiconductor material etc., and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

半導体材料等として有用な新規なＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A gallate composite oxide of perofskite structure ABO_3-δ, including Ga in a B site is used as a solid electrolyte.例文帳に追加

固体電解質として、ペロブスカイト型構造ＡＢＯ３−δを示し、ＢサイトにＧａを含むガレート複合酸化物を用いる。 - 特許庁

A substrate 31 includes a ground area GA and a non-ground area NGA, and the antenna matching circuit 30 is constituted on the substrate 31.例文帳に追加

基板３１にはグランド領域ＧＡ及び非グランド領域ＮＧＡを設けていて、この基板３１上にアンテナ整合回路３０を構成している。 - 特許庁

An antenna element 31 is disposed at a position away from a ground area GA as far as possible in a non-ground area UA by surface mount.例文帳に追加

アンテナ素子３１は、非グランド領域ＵＡ内でグランド領域ＧＡから極力離れた位置に表面実装により配設される。 - 特許庁

Based on detection outputs from three magnetic sensors, coordinate point data on a magnetic vector are determined as a point on spherical coordinates Ga of a radius Ra.例文帳に追加

３つの磁気センサからの検知出力に基づいて、磁気ベクトルの座標点データが、半径Ｒａの球面座標Ｇａ上の点で求められる。 - 特許庁

An antenna element 21 is disposed at an intermediate position between a ground region GA and a non-ground region NGA on a substrate 50.例文帳に追加

アンテナ素子２１は基板５０のグランド領域ＧＡと非グランド領域ＮＧＡとの中間位置に配置されている。 - 特許庁

From a paste of the chalcogen compound powder, a thin film containing Cu, In, Ga and Se and having a low resistance can be obtained.例文帳に追加

カルコゲン化合物粉のペーストによりＣｕ・Ｉｎ・Ｇａ・Ｓｅを含み低抵抗の薄膜を得られる。 - 特許庁

Moreover, the mixing ratio of In:Ga:N is adjusted to decide three basic hues of a red color, a green color and a blue color.例文帳に追加

また、前記インジウムの混合比を調節して、赤色、緑色及び青色の３基本色相を決定する。 - 特許庁

Since tea bags B1, B2 have gathers Ga, Gb, it is possible to attain a large volume without increasing a vertical size and a lateral size.例文帳に追加

ティーバッグＢ１、Ｂ２ではギャザーＧａ、Ｇｂが形成されているので縦横の寸法が大きくなることなく、大きな容積を得ることができる。 - 特許庁

The single crystal substrate for growing a thin film of In_1-(x+y)Ga_xAl_yN being based on indium nitride (InN) consists of a single crystal represented by chemical formula of REBGeO_5 (where RE represents a rare earth element) that belongs to a trigonal system having a stillwellite structure, and has a substrate face in a crystallographic orientation {0001}.例文帳に追加

窒化インジウム（InN）を基とするIn_1-(x+y)Ga_xAl_yN薄膜を成長させる単結晶基板は、stillwellite型構造を持つ三方晶系に属する化学式REBGeO_5（REは希土類元素）で標記される単結晶からなり、結晶学的方位{0001}を基板面とする。 - 特許庁

He was also skilled at painting with India ink in a manner similar to bunjin-ga (a style of painting that originated in China, in which intellectuals such as writers and other non-professional would try their hand), and he liked painting subjects ranging from orchids to Shikunshi (four plants with high virtue, namely orchid, bamboo, ume plum tree and chrysanthemum). 例文帳に追加

また文人画風の墨画も得意とし蘭をはじめ四君子を好んで描いた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The story borrowed motifs from a tradition of ONO no Komachi and an asaji ga yado (a squalid house covered with cogon) in "Ugetsu Monogatari (Tales of Moonlight and Rain)," written by Akinari UEDA. 例文帳に追加

ストーリーは小野小町の伝承と、上田秋成の雨月物語の中の浅茅が宿をモチーフにしている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

There is a wooden statue of a monkey placed behind the roof at the northeast corner of the Kyoto Imperial Palace to block the kimon (which refers to Saru-ga-tsuji (literally, monkey's road)). 例文帳に追加

京都御所の北東角には屋根裏に木彫りの猿が鎮座し、鬼門を封じている（猿ヶ辻）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Kanzan was a legend, who was said to have lived on Mt. Tendai during Tang, and has been often used as a good subject for Suiboku-ga. 例文帳に追加

寒山は唐時代、天台山に住んでいたという伝説的な隠者で、水墨画の好画題とされる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Among the Sansui-ga of ink printing in Japan, the most earliest work seems to be "Heisa-rakugan-zu (painting of descending geese over a sandbar)" (personal possession) with a seal of 'Shitan.' 例文帳に追加

日本の水墨山水画のうち、もっとも初期の作とされるものは、「思堪」という印章のある『平沙落雁図』（個人蔵）である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The subjects of pictures done on Sugi-shoji in "Honen Shonin Eden" (biography of Honen) as Gachu-ga (a pictorial works that appear within a painting as part of the overall composition) are mainly geese in wild reeds, pine and plum trees. 例文帳に追加

『法然上人絵伝』の杉障子に画中画として描かれている絵は、芦雁や松、竹、梅等が主である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Formerly, usage such as 'hoshi wo tsukeru = to presume a crime suspect, hoshi ga tsuku = to substantiate a charge' and so on existed (Cant Dictionary, Tokyodo Publishing Co., Ltd). 例文帳に追加

古くには「ホシをつける＝容疑者を推定する。ホシがつく＝容疑が固まる」などの用法もあった（隠語辞典・東京堂出版）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Nakademo Toji no Rashomon niwa, Ibaragidoji ga udekuri gongo tsukande omusharu, kano Raiko no hizamoto sarazu (among all, at Rajomon Gate of Toji Temple, Ibaraki Doji [a character in Demon Legend of Mt.Oe] is holding 902 ml of boiled chestnuts; never leaving Raiko's [a character in Demon Legend of Mt.Oe] side). 例文帳に追加

中でも東寺の羅城門には、茨木童子が腕栗五合掴んでおむしゃる、彼の源頼光の膝元去らず。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス