「a ga」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In a process where a leach liquor is added to the the material containing one or more of Ga, Ge and In, and one or more of Ga, Ge and In are leached and separated, a sulfurizing agent is added to the leach liquor, thus one or more of Ga, Ge and In are efficiently leached and separated from the material containing one or more of Ga, Ge and In.例文帳に追加

Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を含有するものに浸出液を加えてＧａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を浸出して分離する過程において、この浸出液に硫化剤を添加することによって、前記Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を含有するものからＧａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を効率よく浸出して分離する。 - 特許庁

In the growing process, Ga element is supplied from the GaN substrate 10 in a solution of Ga element and the flux, consequently lowering of the Ga concentration in the flux associated with the growth in the surface side can be suppressed, the ratio of Ga element in the flux can be made constant, and flux-constituting elements such as Na or Li can be prevented from being taken into the crystal.例文帳に追加

成長工程において、Ｇａ元素とフラックスとの溶液では、Ｇａ元素がＧａＮ基板１０から供給されるので、表面側成長に伴うフラックス中のＧａ濃度の低下を抑制でき、フラックス中のＧａ元素比を一定にすることができ、ＮａやＬｉなどのフラックス構成元素が結晶中に取り込まれるのを防止することができる。 - 特許庁

Also, as the manufacturing method, the surface of the substrate including Si is irradiated with converged Ga ions or In ions, the Ga ions or In ions are implanted while shaving the surface of the substrate, a layer including the Ga or In is formed on the surface of the substrate, and dry etching is performed using the layer including the Ga or In as an etching mask.例文帳に追加

また、その製造方法として、前記Ｓｉを含む基板の表面に集束したＧａイオン又はＩｎイオンを照射して、該基板の表面を削りながらＧａイオン又はＩｎイオンを注入し、該基板の表面にＧａ又はＩｎを含む層を形成し、これをエッチングマスクとしてドライエッチングする方法を構成する。 - 特許庁

A sputtering target contains In, Ga and Zn, and consists of an oxide sintered body having a structure in which a contained amount of the In is larger than that in a periphery, and a structure in which a contained amount of the Ga and the Zn is larger than that in a periphery.例文帳に追加

Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含み、周囲よりもＩｎの含有量が多い組織と、周囲よりもＧａ及びＺｎの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a Cu(Ga AND/OR In)Se_2 thin film layer, a Cu(InGa)(S, Se)_2 thin film layer, a solar battery, a method for forming a Cu(Ga AND/OR In)Se_2 thin film layer, and a method for forming a Cu(InGa)(S, Se)_2 thin film layer.例文帳に追加

Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ_２薄膜層、Ｃｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ，Ｓｅ）_２ 薄膜層、太陽電池、Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ_２薄膜層の形成方法及びＣｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ、Ｓｅ）_２薄膜層の形成方法を提供 - 特許庁

A rolling step is performed a plurality of times stepwise from the thickness (a) to the thickness b (a>b) such that a Cu-Ga alloy plate becomes thinner gradually while regulating the surface temperature of the Cu-Ga alloy plate to be within a range of 380-520°C.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｇａ合金板の表面温度を３８０℃〜５２０℃の範囲内に調節しながら、Ｃｕ−Ｇａ合金板の厚さが徐々に薄くなるように、厚さａから厚さｂ（ａ＞ｂ）まで段階的に複数回、圧延工程を行う。 - 特許庁

A W aperture is used as a beam limit (GUN) aperture 2-3, Ga (with a melting point of 30°C) of around 25 mg is put on a surface of a part covering a beam irradiation region 7-1 (Ga pool 10).例文帳に追加

ビーム制限(ＧＵＮ)アパーチャ２−３としてＷアパーチャを用い、ビーム照射領域７−１に掛かる部分の表面に約２５ｍｇのＧａ(融点３０℃)を置く(Ｇａ溜り１０)。 - 特許庁

Metal Ga is used as a source material 28, and a nitrogen-containing gas such as NH_3 (ammonia) is introduced as a reactive gas G in a passage for Ga vapor via a gas introduction pipe 38.例文帳に追加

また、ソース物質２８として金属Ｇａを用いると共に、ガス導入管３８を介してＧａ蒸気の通路にＮＨ_３（アンモニア）等の窒素含有ガスを反応ガスＧとして導入する。 - 特許庁

Diffusion of Ga is analyzed with a laminate formed by laminating a Ga-doped MgZnO layer, an undoped MgZnO layer, a nitrogen-doped MgZnO layer, an undoped active layer, and a nitrogen-doped MgZnO layer on a ZnO substrate.例文帳に追加

ＺｎＯ基板上にＧａドープＭｇＺｎＯ層、アンドープＭｇＺｎＯ層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層、アンドープ活性層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層と積層した積層体でＧａの拡散を分析した。 - 特許庁

To provide a practical and formable sputtering target of a Cu-Ga alloy or a Cu-Ga-In alloy for a thin film solar battery high in reliability and to provide a method for producing it.例文帳に追加

実用的で成形可能な信頼性の高い薄膜太陽電池用のＣｕ−Ｇａ合金或いはＣｕ−Ｇａ−Ｉｎ合金のスパッタリングターゲットを提供すること及びその製造方法を提供すること - 特許庁

A control circuit 11 controls the ON-state of either one of a switch P_S or a switch N_S, increase the ground fault current I_ga compared with the case where the ground fault current I_ga flows through a resistor R_1 or a resistor R_2.例文帳に追加

制御回路１１は、スイッチＰ_Ｓ又はスイッチＮ_Ｓのいずれか一方をＯＮ状態に制御して、抵抗Ｒ_１又は抵抗Ｒ_２を地絡電流Ｉ_ｇａが流れた場合に比して地絡電流Ｉ_ｇａを増大させる。 - 特許庁

A substrate 1, on which a Mo film is formed, is placed into a film-forming chamber 3, and sputterings of an In-Ga-Se target 21 and a Cu target 23 are carried out at a substrate temperature of approximately 150°C-450°C.例文帳に追加

成膜室３にMo膜が形成された基板１が入れられIn-Ga-Seターゲット21およびCuターゲット23のスパッタを、基板温度約１５０℃〜４５０℃で行う。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a Cu-Ga film of a Ga additive concentration of 1-40 atom% to which Na is preferably added by a sputtering method, and to provide a method for producing the sputtering target.例文帳に追加

スパッタ法により良好にＮａ添加されたＧａ添加濃度１〜４０原子％のＣｕ−Ｇａ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Thus, a substitution of a Ge atom to a Ga atom position and a suppression of generation of an N vacancy are sufficiently executed, and hence an activity as a toner of an impurity Ge atom can be improved.例文帳に追加

これによりGe原子のGa原子位置への置換と、N原子の空孔発生の抑制を十分に行い、不純物Ge原子のドナーとしての活性を向上させることができる。 - 特許庁

The oxide sintered compact comprises an indium element (In), a gallium element (Ga), a zinc element (Zn) and a tin (Sn) element, and comprises a compound expressed by Ga_2In_6Sn_2O_16 or (Ga, In)_2O_3.例文帳に追加

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、亜鉛元素（Ｚｎ）及び錫元素（Ｓｎ）を含み、Ｇａ_２Ｉｎ_６Ｓｎ_２Ｏ_１６又は（Ｇａ，Ｉｎ）_２Ｏ_３で表される化合物を含むこと特徴とする酸化物焼結体。 - 特許庁

The machining nozzle Nz of the laser beam machine using the assist gas Ga has a recess 5 to serve as a passage 2 for the assist gas Ga and a protrusion 6 to serve as a work abutting part 3 formed on the bottom surface 1 of the machining nozzle tip end.例文帳に追加

アシストガスＧａを用いるレーザー加工機の加工ノズルＮｚであって、該加工ノズル先端部底面１にアシストガスＧａの流路２となる凹部５と、ワーク当接部３となる凸部６とを形成したことを特徴とする。 - 特許庁

To realize an illuminated defect repair using an ion beam device in which the deterioration in the quality in the periphery of a repair region due to a Ga ion diffusion in cleaning after post treatment of a halo component by a laser beam repair machine does not occur.例文帳に追加

レーザー修正機によるハロー成分のポストトリートメント後の洗浄時にGaイオン拡散に起因する修正領域周辺の品質劣化の起こらないイオンビーム装置を用いた白欠陥修正を実現する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a compound-semiconductor thin-film containing a group IB element, In and Ga as group IIIB elements and a group VIB element and having the excellent uniformity of Ga distribution in the film-thickness direction.例文帳に追加

ＩＢ族元素と、IIIＢ族元素としてＩｎおよびＧａと、VIＢ族元素とを含み、その膜厚方向におけるＧａ分布の均一性が良好な化合物半導体薄膜を製造するための方法を提供する。 - 特許庁

The Cu-Ga alloy powder is obtained by stirring and alloying a mixed powder, in which a Cu powder and Ga are blended at a mass ratio from 85:15 to 55:45, in an inert atmosphere at a temperature of 30-700°C.例文帳に追加

Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で３０〜７００℃の温度で攪拌して合金化することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を得る。 - 特許庁

To provide a method for separately producing a hot-dip galvanized steel sheet (GI) and galvannealed steel sheet (GA) of high quality in the same bath without conditioning a hot-dipping bath, by using a Ni-pre-plating method.例文帳に追加

プレNi法により、溶融メッキ浴の浴調整なしに同一浴で、品質の良好な溶融亜鉛メッキ鋼板(GI)と合金化溶融亜鉛メッキ鋼板(GA)を造り分ける方法を提供する。 - 特許庁

A distance between an electrode 2 provided in electron devices 1 and an electrode 4 provided in a packaging board 3 is bonded by a conductor 5 in which there are dispersed metallic particles 7 responding to the alloy with Ga at 100°C or less in a metal 6 containing Ga.例文帳に追加

電子デバイス部品１に設けた電極２と実装基板３に設けた電極４との間を、Ｇａを含む金属６中に１００℃以下でＧａと合金化反応する金属粒子７が分散した導体５で接合する。 - 特許庁

The intake air amount Ga is also reflected in increase correction of a fuel injection amount based on the engine load factor klsm. Thereby, an increase correction amount of a fuel injection amount corrected based on the engine load factor klsm is adjusted to a proper value in a way that the more the intake air amount Ga is increased, the more the increase correction amount is decreased.例文帳に追加

そのため、上記エンジン負荷率ｋｌｓｍに基づき補正される燃料噴射量の増量補正量を、吸入空気量Ｇａが多くなるほど少なくして適切な値とすることができるようになる。 - 特許庁

Generally, the word is used to mean a sign of good or bad things happening in the future, and terms such as 'engi wo katsugu' (be superstitious), 'engi ga yoi' (sign of a good thing happening in the future) and 'engi ga warui' (sign of a bad thing happening in the future) are used. 例文帳に追加

一般には、良いこと、悪いことの起こるきざし・前兆の意味で用いられ、「縁起を担ぐ」、「縁起が良い」、「縁起が悪い」などと言う。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

From the Kamakura period to the Muromachi period, among the Zen monks at the gosan (Zen temples highly ranked by the government) literature prospered, and suiboku-ga (a drawing in India ink) and sansui-ga (a landscape painting in Eastern Asia) were introduced from the Southern Song Dynasty, and including court nobles, they made a waka poetry club. 例文帳に追加

鎌倉時代から室町時代にかけて五山を中心に禅僧たちの間に文学が隆盛し、また南宋から水墨画・山水画が伝来し、公家をも含めた詩会のためのサークルをつくっていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The fuel cell system comprises a reformer 2 which produces hydrogen contained reformed gas Ga from a reforming fuel F and a fuel cell 3 which performs power generation utilizing the hydrogen contained reformed gas Ga.例文帳に追加

改質用燃料Ｆから水素含有改質ガスＧａを生成する改質器２と、水素含有改質ガスＧａを利用して発電を行う燃料電池３とを備えている。 - 特許庁

The gallium arranging section 105 includes, for example, a passage for allowing the material gas supplied from the material gas supply section 104 to pass, a metal Ga arranged on the path, and a heating section for heating the metal Ga.例文帳に追加

ガリウム配置部１０５は、例えば、原料ガス供給部１０４が供給する原料ガスを通過させる経路と、この経路に配置された金属Ｇａと、この金属Ｇａを加熱する加熱部とを備えるものである。 - 特許庁

When the treated gas G2 is quenched, water vapor in the gas G2 is condensed to water and a large quantity of acidic gases GA is brought into contact / reaction with water to produce acid A.例文帳に追加

そして、この処理済ガスG2を急冷すると、当該ガスG2中の水蒸気が凝結して水となり、この水に多量の酸性ガスGAが接触・反応して酸Aが生成される。 - 特許庁

The friction material includes a fibrous base material, a binding material, a friction adjusting material and the like, wherein the friction material contains at least one of metallic Ga and Ga alloys of 0.5-10 vol.% based on the whole friction material.例文帳に追加

繊維基材、結合材及び摩擦調整材等を含む摩擦材であって、金属Ｇａ及びＧａ合金の少なくとも何れかを摩擦材全体に対して０．５〜１０体積％含む摩擦材。 - 特許庁

To provide a method of producing a Ga-doped silicon single crystal useful as material for a solar battery, by which the accuracy of the amount of the doped Ga is enhanced.例文帳に追加

太陽電池用の材料として有用なＧａドープシリコン単結晶においてＧａドープ量の正確性を高めたＧａドープシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

There is disclosed a Cu-Ga alloy sputtering target which comprises a Cu-based alloy containing Ga, has an average crystal particle diameter of 10 μm or less, and has a porosity of 0.1% or less.例文帳に追加

Ｇａを含むＣｕ基合金からなるスパッタリングターゲットであって、その平均結晶粒径が１０μｍ以下であり、かつ気孔率が０．１％以下であることを特徴とするＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット。 - 特許庁

Wire electrical discharge machining is carried out on the Cu-Ga alloy lump along its overall length by relatively moving the Cu-Ga alloy lump which is a machining object 15 and a wire 12 in a direction where they cross with each other.例文帳に追加

加工対象物１５であるＣｕ−Ｇａ合金塊とワイヤー１２とを互いに交わる方向に相対移動させ、Ｃｕ−Ｇａ合金塊に対してその全長にわたってワイヤー放電加工を行う。 - 特許庁

A Cu-Ga alloy lump as an object 13 to be machined and a blade 11 are relatively moved in a direction intersecting with each other, and the Cu-Ga alloy lump is subjected to blade-saw machining over its entire length.例文帳に追加

加工対象物１３であるＣｕ−Ｇａ合金塊とブレード１１とを互いに交わる方向に相対移動させ、Ｃｕ−Ｇａ合金塊に対してその全長にわたってブレードソー加工を行う。 - 特許庁

The Fe-based ferromagnetic shape memory alloy has a composition containing, by atom, 22 to 40% Mn and 25 to 35% Ga, and the balance Fe with inevitable impurities, and has a parent phase of a bcc structure.例文帳に追加

22〜40原子％のMnと、25〜35原子％のGaとを含有し、残部がFe及び不可避的不純物からなり、母相がbcc構造であることを特徴とするFe基強磁性形状記憶合金。 - 特許庁

The plurality of groups GA to GE are arranged in a staggered manner so that the cross- sections defined as the estimating objects in the plurality of groups GA to GE are positioned on the same plane (a plane including a F-F line).例文帳に追加

そして、上記複数のグループＧＡ〜ＧＥの評価対象となる断面が同一平面(Ｆ−Ｆ線を含む平面)上に存在するように、複数のグループＧＡ〜ＧＥの位置をずらして配置する。 - 特許庁

As a beam confinement (GUN) aperture 2-3, W aperture is used, and about 25 mg of Ga (melting point 30°C) is put on the surface of a part overhanging a beam irradiation region 7-1 (Ga basin 10).例文帳に追加

ビーム制限(ＧＵＮ)アパーチャ２−３としてＷアパーチャを用い、ビーム照射領域７−１に掛かる部分の表面に約２５ｍｇのＧａ(融点３０℃)を置く(Ｇａ溜り１０)。 - 特許庁

An n-type ZnO layer 2 doped with Ga, a ZnO light emitting layer 3 which is doped with Ga and 10 μm in thickness, and a p-type ZnO layer 4 doped with N, are formed on a ZnO substrate 1.例文帳に追加

ＺｎＯ基板１上に、Ｇａをドープしたｎ型ＺｎＯ層２と、Ｇａをドープして厚さが１０μｍのＺｎＯ発光層３と、Ｎをドープしたｐ型ＺｎＯ層４を備える。 - 特許庁

It is desirable to cut (so-called sliced) the Cu-Ga alloy lump so that the shortest side of a rectangular parallelopiped body and a cutting surface cross with each other when a shape of the Cu-Ga alloy lump before cutting is rectangular parallelopiped.例文帳に追加

切断前のＣｕ−Ｇａ合金塊の形状が直方体である場合には、直方体の最も短い辺と切断面とが交わるように、当該Ｃｕ−Ｇａ合金塊を切断する（いわゆる「スライス」を行う）ことが好ましい。 - 特許庁

A single crystal belonging to a point group 32, having a Ca_3Ga_2Ge_4O_14 type crystal structure, principally comprising Ca, Nb, Ga, Si and O, and represented by the chemical formula Ca_3NbGa_3Si_2O_14 is used as the material of the piezoelectric substrate 1.例文帳に追加

圧電基板１の材料には、点群３２に属し、Ca_3Ga_2Ge_4O_14型結晶構造を有し、その主要成分がCa、Nb、Ga、SiおよびＯよりなり、化学式Ca_3NbGa_3Si_2O_14で表される単結晶が用いられる。 - 特許庁

A time-pitch analyzing section 81 chronologically continuously analyzes sound data which chronologically continue in each of predetermined-frequency bands, based on algorithm constructed by a GP or a GA.例文帳に追加

GPまたはGAにより構築されたアルゴリズムに基づいて、時間−音程解析部８１は、時間的に連続する音声データを、所定の周波数帯域毎に時間的に連続して解析する。 - 特許庁

A single crystal which belongs to the group of dots 32, has a Ca3Ga2Ge4 O14 type crystal structure, has its main components consisting of La, Ta, Ga and O and is expressed by a chemical formula La3Ta0.5 Ga5.5 O14 is used for the material of the substrate 1.例文帳に追加

圧電基板１の材料には、点群３２に属し、Ca_3Ga_2Ge_4O_14型結晶構造を有し、その主要な成分がLa、Ta、GaおよびＯよりなり、化学式La_3Ta_0.5Ga_5.5O_14で表される単結晶が用いられる。 - 特許庁

In the oxide phosphor which has Ce as a light-emitting element, comprises Gd, Al, Ga, and O, and is composed of a host crystal mainly having a garnet structure, the Fe content is set at 35 wt. ppm or less, preferably 30 wt. ppm or less on the basis of the weight of the phosphor.例文帳に追加

Ceを発光元素とし、Gd、Al、Ga、Oを含み、主にガーネット構造の母体結晶からなる酸化物蛍光体において、Feの含有量を、蛍光体重量に対して35重量ppm以下、好ましくは30重量ppm以下とする。 - 特許庁

After a substrate 900 is moved to a position above a deposition chamber 300, Ga is caused to uniformly deposit on the surface of the substrate 900 by exposing the surface to Ga for an arbitrary period of time.例文帳に追加

基板９００を成長室３００の上部に移動し、基板９００表面を任意時間Ｇａに晒し、基板９００表面に一様にＧａを堆積させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing device-quality free-standing (Al, Ga, In)N articles by growing a (Al, Ga, In)N material on a sacrificial template and separating the material from the sacrificial template.例文帳に追加

犠牲型板上に成長させた（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料を犠牲型板から分離し、デバイス品質の独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Each of the electrodes 12 comprises a nickel alloy, containing at least one kind of element selected from among a first group comprising Ca, Sc, Ga, Ge, Ag, Rh and Ta in total, with a content of 0.001 mass% and higher and 3.0 mass% and lower.例文帳に追加

電極12は、Ca,Sc,Ga,Ge,Ag,Rh,及びTaからなる第1のグループから選ばれた少なくとも1種の元素を合計で0.001質量％以上3.0質量％以下含有し、残部がNi及び不純物からNi合金で構成する。 - 特許庁

Gachu-ga (a pictorial work that appear within a painting as part of the overall composition) expressed in Emakimono during the Kamakura Period shows that Suiboku-ga was adopted for Shoji-e (paintings on shoji paper sliding-door or Fusuma) in the temples other than those belonging to the Zen sect. 例文帳に追加

鎌倉時代の絵巻物に表現された画中画を見ると、当時、禅宗以外の寺院の障子絵などにも水墨画が用いられていたことがわかる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス