「a ga」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a polishing method and apparatus particularly suitable for performing surface-finish having desired flatness to the substrate of the compound semiconductor containing Ga element or the like, with which the surface of a substrate of the compound semiconductor containing, for example, the Ga element can be flattened with high surface precision within a practical machining time.例文帳に追加

Ｇａ元素等を含有する化合物半導体の基板に対する所望の平坦度を有する表面仕上げを行うのに特に適した研磨方法及び研磨装置を提供し、これによって、例えばＧａ元素を含有する化合物半導体の基板表面を実用的な加工時間で表面精度高く平坦に加工できるようにする。 - 特許庁

The standard sample is produced by steps of: forming an ion implantation layer 2 by ion-implanting In or Ga to a silicon substrate 1; and forming a redistribution layer 4 by accumulating ion-implanted In or Ga in a neighborhood of the surface of the silicon substrate 1 by irradiating the silicon substrate 1 with an oxygen ion 3.例文帳に追加

本標準試料は、シリコン基板１にＩｎ又はＧａをイオン注入してイオン注入層２を形成する工程と、シリコン基板１に酸素イオン３を照射して、イオン注入された前記Ｉｎ又はＧａをシリコン基板１の表面近傍に集積させて再分布層４を形成する工程とを有することで製造される。 - 特許庁

To provide a low-cost ferromagnetic shape-memory alloy which is excellent in magnetic properties and processibility and is suitable as a magnetic field-sensitive actuator or a sensor utilizing magnetism.例文帳に追加

Gaを20〜32原子％，Feを15〜45原子％含有し、かつCo，MnおよびAlの中から選ばれる１種または２種以上を含有し、残部がNiおよび不可避的不純物からなり、かつGa，Fe，Co，Mn，Al，Niが下記の(1)式で表わされる組成バランスを持つ組成と、ｂｃｃ基規則構造のオーステナイト相からなる単相組織またはｂｃｃ基規則構造のオーステナイト相とｆｃｃ構造の不規則相とからなる２相組織と、を有する強磁性形状記憶合金である。 - 特許庁

An HEMT1 is provided with a channel layer 119 made of group III nitride, essentially containing Ga and a pair of n-type doped electron supply layers 110 that are arranged on both sides of the channel layer 119 in the layer- thickness direction, are larger in conductor bottom energy than the channel layers 119, and are made of group III nitride essentially containing Ga.例文帳に追加

ＨＥＭＴ１は、Ｇａを必須とするＩＩＩ族元素窒化物からなるチャネル層１１９と、該チャネル層１１９の層厚方向両側に配置されるとともに、それぞれチャネル層１１９よりも伝導体底エネルギーが高く、かつＧａを必須とするＩＩＩ族元素窒化物により構成され、ｎ型にドープされた１対の電子供給層１１０を有することを特徴とする。 - 特許庁

The light guide adjusting device includes a correlation detection unit 2 which inputs an optical signal Ga inputted to the light guide 4 and an optical signal Gb outputted from the light guide 4 and detects the phase difference between those optical signals Ga and Gb, and a state adjusting unit 3 which adjusts the optical path length of the light guide 4 based upon the phase difference detected by the correlation detection unit 2.例文帳に追加

光導体４に入力する光信号Ｇａと光導体４から出力された光信号Ｇｂとが入力して、これらの光信号Ｇａ，Ｇｂの位相差を検出する相関検出部２と、相関検出部２が検出した位相差に基づき光導体４の光路長を調整する状態調整部３とを備える。 - 特許庁

The tillage controller controls the driving of a lift control hydraulic cylinder to change a control gain Ga in response to control information corresponding to the target tillage depth RD0, calculate the tillage depth RD of the rotary tiller from the control gain Ga and the detection value θof the rear cover sensor, and then match the tillage depth RD with the target tillage depth RD0.例文帳に追加

耕耘制御コントローラは、目標耕耘深さＲＤ０に対応する制御情報に応じて制御ゲインＧａを変更し、該制御ゲインＧａとリヤカバーセンサの検出値θとからロータリ耕耘機の耕耘深さＲＤを算出し、この耕耘深さＲＤが目標耕耘深さＲＤ０となるように昇降制御油圧シリンダの駆動を制御する。 - 特許庁

In the case of one gage method, a constant current is sent in a route: an amplifier AMP2→a switch element Sa for selective scanning→a connection terminal Ta→a strain gage Ga→a connection terminal Tc→a switch element Sc'→a switch element SW2→a resistance Rb.例文帳に追加

１ゲージ法の場合、増幅器ＡＭＰ２→選択走査用のスイッチ素子Ｓａ→接続端子Ｔａ→ひずみゲージＧａ→接続端子Ｔｃ→スイッチ素子Ｓｃ′→スイッチ素子ＳＷ２→抵抗Ｒｂの経路で定電流を流す。 - 特許庁

The nitride crystal is produced by inserting an introducing pipe 6, to which gaseous nitrogen is fed, into Ga molten liquid 4, then cracking the gaseous nitrogen in the introducing pipe 6 by the cracking action caused by a high frequency oscillating solenoid coil 5 and sending the formed nitrogen radical into the Ga molten liquid 4.例文帳に追加

窒素ガスを送り込まれる導入管６をＧａ融液４の中に挿入し、高周波発振ソレノイドコイル５からのクラッキング作用によって導入管６内の窒素ガスをクラッキングし、これにより発生する窒素ラジカルをＧａ融液４の中に送り込むことによって窒化物結晶を製造する。 - 特許庁

The nano structure has the pattern with a depth of ≥2 μm formed on the surface of the substrate including Si, Ga or In is included in the surface of the pattern, and the maximum value of the concentration of the Ga or In is positioned within 50 nm from the surface of the pattern in the depth direction of the substrate.例文帳に追加

Ｓｉを含む基板の表面に形成された、深さが２μｍ以上のパターンを有するナノ構造体であって、前記パターンの表面にＧａ又はＩｎを含み、該Ｇａ又はＩｎの濃度の最大値が前記基板の深さ方向に前記パターンの表面より５０ｎｍ以内に位置しているナノ構造体を構成する。 - 特許庁

Hydrogen chloride is introduced into a reaction vessel 106 in which the compound semiconductor monocrystal substrate 4 and Ga are arranged, the moisture concentration in hydrogen chloride introduced into the reaction vessel 106 is regulated to be ≤10 ppm at all times and the Ga- containing compound semiconductor layer is grown by hydride vapor phase growth is grown.例文帳に追加

化合物半導体単結晶基板４とＧａとを配置した反応容器１０６内に塩化水素を導入するとともに、該反応容器１０６内に導入される塩化水素中の水分濃度を常時１０ｐｐｍ以下に規制しつつ、Ｇａ含有化合物半導体層をハイドライド気相成長法により成長させる。 - 特許庁

He also showed talent as a playwright of Kyogen, composing 'Oni ga Yado' (literally, 'Inn of an Ogre') and attempting a re-composition of 'Tanuki no Haratsuzumi' (a story of a raccoon dog and a huntsman, commonly known as "Hikone Danuki," or "A Raccoon Dog in Hikone), which had been a haikyoku (a Noh song no longer performed). 例文帳に追加

また、新作狂言「鬼ヶ宿」の制作や、廃曲となっていた「狸の腹鼓」の復曲（いわゆる「彦根狸」）を試みるなど、狂言作者としての才能も持っていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A substrate product W2 including a semiconductor structure 45 of a principal surface 45a formed of a Ga surface is prepared, and a substrate product W1 including a semiconductor structure 19 of a principal surface 19a formed of a N surface is prepared.例文帳に追加

Ｇａ面からなる主面４５ａの半導体構造物４５を含む基板生産物Ｗ２が準備され、Ｎ面からなる主面１９ａの半導体構造物１９を含む基板生産物Ｗ１が準備される。 - 特許庁

A transmission line 2' as a phase circuit is formed at a predetermined position of a grounded electrode-forming section GA in a packaging substrate 6, and a chip antenna 1' is mounted on a grounded electrode non-forming section NGA.例文帳に追加

実装基板６の接地電極形成部ＧＡの所定箇所に位相回路としての伝送線路２′を形成し、接地電極非形成部ＮＧＡにチップアンテナ１′を実装する。 - 特許庁

To provide a growth method of a GaN crystal having low dislocation density and high crystallinity without adding impurities other than a raw material to a melt or without increasing the scale of a crystal growth device in a liquid phase method using a Ga melt.例文帳に追加

Ｇａ融液を用いる液相法において、融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

A contact trace is made generated on a peripheral surface of a secondary transfer roller 4 (a peripheral surface between positions P3 and P4) contacting a region ARon of a holding region GA by controlling contact timing of a cleaning blade 451.例文帳に追加

クリーニングブレード４５１の当接タイミングを制御して当接痕を把持領域ＧＡの領域ＡＲonと当接する二次転写ローラー４の周面（位置Ｐ3〜Ｐ4間の周面）に発生させている。 - 特許庁

A strain gauge 1 for measuring a hot spot stress has a gauge pattern 12 comprising a gauge base 11, a first grid part GA, and a second grid part GB.例文帳に追加

ホットスポット応力測定用ひずみゲージ１は、ゲージベース１１、第１のグリッド部ＧＡおよび第２のグリッド部ＧＢからなるゲージパターン１２を有している。 - 特許庁

A lift moving means 41 and a reversal moving means 51 are provided to the part opposed to a visual inspection part B in a feed route 1 of a plate member Ga by a feed device 10.例文帳に追加

搬送装置10による板状体Ｇａの搬送経路１中で、目視検査部Ｂに対向する部分に、昇降動手段41と反転動手段51を設けた。 - 特許庁

Just seconds before the opening time, a notice of the opening of the program is given through a display Ga and a voice by using a monitor 21 and speakers 22 of a body of a TV receiver connected to the STB.例文帳に追加

この開始時刻の直前に、ＳＴＢに接続されるテレビ本体のモニタ２１およびスピーカ２２を利用して、表示Ｇａおよび音声により番組が開始する旨の告知が行われる。 - 特許庁

A hold space 3a for container is constituted by being arranged from a prescribed rear position of a midship MS to a bow so that the center of gravity Ga may be the front of the midship MS of a ship l when a container 10a is loaded.例文帳に追加

コンテナ用船倉空間３ａは、コンテナ１０ａを積載したときの重心Ｇａが船舶１のミッドシップＭＳの前方になるように、ミッドシップＭＳの所定の後方位置から船首に渡って配置してなる。 - 特許庁

To accurately expose a second pattern in alignment by compensating the error of a first exposure and the distortion of a printed board when the first exposure is a D/D system and a second exposure is a GA system.例文帳に追加

第１露光がＤ／Ｄ方式で、第２露光がＧＡ方式の場合に、第１露光の誤差とプリント基板の歪みを補償して第２パターンを精度良くアライメントにて露光させる。 - 特許庁

To provide a Cu-Ga-based alloy powder with a low oxygen content for producing a light-absorbing thin film layer of a solar cell and a method for producing a sputtering target material.例文帳に追加

太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための低酸素Ｃｕ−Ｇａ系合金粉末、およびスパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁

For instance, the uta-e depicting a torikabuto (a traditional hat worn when playing gagaku (ancient Japanese court dance and music)), a kaendaiko (a large drum decorated with flames), and Japanese maple leaves suggests the scene where the hero of "Genji Monogatari" performed an elegant dance "Seigaiha" (Blue Ocean Wave) donning a torikabuto under Japanese maple trees, which appears in the chapter of 'Koyo-no-ga' (An Autumn Excursion). 例文帳に追加

例えば、雅楽に用いる鳥兜と火炎太鼓に紅葉を添えたものは、源氏物語「紅葉の賀」で主人公が紅葉の下で鳥兜をかぶる優美な舞青海波を舞った場面を表す。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

There is a theory that a kango (words of Chinese origin) 'manpitsu (漫筆)' meaning an essay which is 'writing (a sentence) at will' became 'manpitsu-ga (a picture painted at will)', then 'manga', also there is another theory that a type of spoonbill called 'mankaku (漫画)' which 'looks for various things' was the origin. 例文帳に追加

「気の向くままに（文章を）書く」という随筆を意味する漢語「漫筆」が「漫筆画」を経て「漫画」になったとする説と、「漫画（まんかく）」という名のヘラサギの一種から「種々の事物を漁る」意になったとする説がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Next, a raw material solution 8 comprising Ga as a raw material metal and Na as a flux and nitrogen as a raw material gas are brought into contact with each other on the nitrided sapphire substrate 7 to grow a GaN crystal thereon.例文帳に追加

次に、窒化処理されたサファイア基板７の上において、原料金属であるＧａと、フラックスであるＮａからなる原料液８と原料ガスである窒素とを接触させて、ＧａＮ結晶を成長させる。 - 特許庁

When a substrate G is taken out from a cassette C by pulling a pincette and then the pincette is pulled, a sensor 9 located at position P before the substrate G is taken out is moved to pass one side Ga of the substrate G while drawing a locus T.例文帳に追加

ピンセットを引いてカセットＣから基板Ｇを取り出し、ピンセットを引いていくと、基板Ｇを取り出す前は位置Ｐにあったセンサ９が、軌跡Ｔを描いて基板Ｇの一辺Ｇａを通過移動する。 - 特許庁

Provided are a treatment method including the dosing of a therapeutically effective amount of glatiramer acetate (GA) in form of a submicron emulsion or a nano-emulsion together with a proteosome-based composition, and usage of the composition containing the glatiramer acetate.例文帳に追加

プロテオソームベースの組成物と共に治療有効量の（サブミクロンのエマルジョンまたはナノエマルジョンである）酢酸グラチラマー（ＧＡ）を投与する工程を含む、および該ＧＡ含有組成物の使用。 - 特許庁

A precursor thin film is formed by alternately repeating a process for supplying In to a substrate and a process for supplying Cu and Ga at least for two times by using a sputtering method.例文帳に追加

スパッタ法を用いて、基板にＩｎを供給する工程とＣｕおよびＧａを供給する工程をそれぞれ少なくとも２回以上交互に繰り返して前駆体薄膜を形成する。 - 特許庁

The coordinate point data are positioned on a non-spherical coordinate Ga having a center Oc(xc, yc, zc) at an off-set position separated from the original point O of a three-dimensional detection coordinate and also having a distortion with the size of detection error coefficients a, b, c.例文帳に追加

この座標点データは、三次元検知座標の原点Ｏから離れたオフセット位置に中心Ｏｃ（ｘｃ，ｙｃ，ｚｃ）を有し、且つ検知誤差係数ａ，ｂ，ｃの大きさの歪みを有する非球面座標Ｇａ上に位置している。 - 特許庁

In the method of manufacturing the thin film transistor, a gate electrode, a gate insulating film, and an active layer are formed on a substrate, and a Ga oxide film serving as a first protection layer is formed on the active layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜および活性層し、活性層上に第１の保護層となるＧａ酸化物膜を形成する。 - 特許庁

A photosensitive organic system insulating film which serves as a second protection layer is formed on the Ga oxide film, the portion which matches a channel region in the photosensitive organic system insulating film is made to be a pattern, the portion other than that is made to be a non-pattern.例文帳に追加

Ｇａ酸化物膜上に第２の保護層となる感光性有機系絶縁膜を形成し、感光性有機系絶縁膜においてチャネル領域に整合する部分をパターン部とし、それ以外の部分を非パターン部とする。 - 特許庁

To provide a high-strength Cu-Ga-based sputtering target material for use in manufacturing a light-absorbing thin layer of a solar cell, which can be highly densified by preventing the powder from being melted in a molding process at high temperature, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高温成形時の溶融を抑制することで高密度化を達成できる、太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための高強度Ｃｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A lifting body 36 is arranged via a lifting means 31 at a part facing visual observation inspection parts A and B, arranged on the side of a carrying passage in the carrying passage 1 of plate-like bodies Ga and Gb.例文帳に追加

板状体Ｇａ，Ｇｂの搬送経路１中で、搬送経路の側方に設けた目視検査部Ａ，Ｂに対向する部分に、昇降手段３１を介して昇降体３６を設けた。 - 特許庁

To provide a method by which the impurity band light-emission of a crystal can be reduced, the crystal having good transparency can be obtained, and the flatness of the crystal can be improved when a GaN single crystal is grown by a flux method using a Ga-Na-based melt.例文帳に追加

Ｇａ−Ｎａ系融液を用いてＧａＮ単結晶をフラックス法で育成するのに際して、結晶の不純物帯発光を低減し、透明度の良好な結晶を得、結晶の平坦性も向上させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target capable of forming a film sufficiently containing Se by sputtering as a laminated film for forming a Cu-In-Ga-Se quaternary alloy film, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金膜を形成するための積層膜として、スパッタ法により十分にＳｅを含有した膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A detecting magnetic head 2 includes a core 3 with a magnetic gap Ga opposed to securities 1 serving as the subject of detection including magnetic substances and conductors, and a primary winding 4 and a secondary winding 5 both of which are wound on the core 3.例文帳に追加

検出用磁気ヘッド２は、磁性体や導電体を含む被検出物である有価証券１に相対向される磁気ギャップＧａを有するコア３、このコア３に巻装された１次巻線４および２次巻線５を有する。 - 特許庁

The moving picture information Ga is distributed to a receiving and display device 80 from a video information distributing device 70 by analog transmission through a transmission line 30, a branching device 31 and a transmission line 36, and high quality moving picture information is displayed.例文帳に追加

動画情報Ｇａは、映像情報配信装置７０から伝送路３０、分岐装置３１、伝送路３６を経てアナログ伝送により受信表示装置８０に配信し、良質の動画情報を表示する。 - 特許庁

An input terminal Y for each memory element is connected with a ϕI line 110 via resistances R_a, R_b, R_c, R_d, and a power source terminal VS is connected with a VGA line 113.例文帳に追加

さらに、各メモリ素子の入力端子Ｙは抵抗Ｒ_a ，Ｒ_b ，Ｒ_c ，Ｒ_d を介してφ__I ライン１１０に、電源端子Ｖ_S はＶ_GAライン１１３に接続されている。 - 特許庁

In 1894, She compiled her letters she had written during staying in Japan for one year and published the book titled "A Japanese Interior" (Japanese title was "Kazoku-jogakko-kyoshi ga mita Meiji Nihon no Uchigawa" [A Interior of Japan of the Meiji period that a teacher of Kazoku Jogakko had seen]); and it produced a sensation. 例文帳に追加

来日中の1年間の手紙をまとめたものを1894年『日本の内側』（日本語訳題『華族女学校教師が見た明治日本の内側』）として出版し反響を呼ぶ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Along the Choshi Dentetsu Co., ltd, a statue with a pheasant on its head which stands for 'Binbo-wo-tori (bird)' (remove poverty) at Kasagami-Kurohae Station and a statue with a dog on its head which stands for 'Binbo-ga-inu (dog)' (there is no poverty) at Inubo Station were place around the same time as the one with the monkey. 例文帳に追加

また銚子電気鉄道には、笠上黒生駅に「貧乏を取り（鳥）」として頭にキジが乗った像が、犬吠駅に「貧乏が居ぬ（犬）」として頭に犬が乗った像が、猿と時同じくして設置された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide an oxide for a sputtering target comprising an indium element (In), a gallium element (Ga) and a zinc element (Zn), comprising a new oxide crystal phase, and having satisfactory appearance.例文帳に追加

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、新規酸化物結晶相を含む、外観が良好なスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。 - 特許庁

The small inflow Ga is a flow rate for keeping a plate temperature Tp of the refrigerant heater 50 within a prescribed temperature range based on a cooling water inflow temperature Twin.例文帳に追加

微小流入量Ｇａは、冷媒加熱器５０のプレート温度Ｔｐを冷却水流入温度Ｔｗｉｎを基準として所定の温度範囲内に維持するための流量とする。 - 特許庁

To provide a focused ion beam device capable of converging the beam diameter to a desired value using a gas ion source as an ion source and capable of responding to wide applications of same level as in the case using a Ga liquid metal ion source as the ion source.例文帳に追加

イオン源としてガスイオン源を用いていながら、ビーム径を所望値にまで絞ることができ、イオン源としてＧａ液体金属イオン源を用いた場合と同程度の幅広いアプリケーションに対応できる。 - 特許庁

To provide a processing method of a semiconductor, a semiconductor device and its manufacturing method for reducing leak currents close of the surface of a semiconductor layer containing Ga and N.例文帳に追加

ＧａとＮとを含む系半導体層の表面近くのリーク電流を低減することが可能な半導体の処理方法、半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method for producing a graphite film includes bringing a surface of a carbon source into contact with Ga vapor to form a graphite film on the surface of the carbon source.例文帳に追加

炭素源の表面をＧａ蒸気に接触させることにより、前記炭素源の表面にグラファイト膜を形成する、グラファイト膜の製造方法に関する。 - 特許庁

To form a uniform metal oxide thin film by a liquid phase precipitation method even on the surface of a semiconductor substrate including Ga having unevenness and a resist pattern on the surface thereof.例文帳に追加

表面に凹凸やレジストパターンのあるＧａを含む半導体基材であっても、その表面に、液相析出法で均一な金属酸化物薄膜を形成できるようにする。 - 特許庁