「a ga」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a new spinel type ZnGaAl-based oxide phosphor by using Al more inexpensive than Ga.例文帳に追加

Ｇａよりも安価なＡｌを用いてなる新規なスピネル型ＺｎＧａＡｌ系酸化物蛍光体を提供する。 - 特許庁

The window layer 20 is a Zn_1-xMg_xO film doped with at least one doping element selected from Ga, Al, and B.例文帳に追加

窓層２０が、Ｇａ、Ａｌ及びＢから選ばれる少なくとも１種のドーピング元素によってドープされたＺｎ_１−ｘＭｇ_ｘＯ膜である。 - 特許庁

A growth temperature of the aluminum nitride crystal is set in the range of ≥1,000°C and ≤1,500°C, to thereby decompose GaN into metal Ga and nitrogen gas.例文帳に追加

窒化アルミニウム結晶の育成温度を１０００℃以上１５００℃以下の範囲とすることにより、ＧａＮを金属Ｇａと窒素ガスに分解させる。 - 特許庁

Using the mask 20a, on the InP layer 24, a group III-V compound semiconductor layer 26a including Ga, In, and As is formed.例文帳に追加

マスク２０ａを用いて、ＩｎＰ層２４上にＧａ、Ｉｎ、及びＡｓを含むIII−Ｖ族化合物半導体層２６ａを形成する。 - 特許庁

To homogeneously and efficiently grow a high quality Ga-containing nitride crystal by an industrially available method.例文帳に追加

工業的に利用可能な方法で、効率良く高品質のＧａ含有窒化物を均一に結晶成長させること。 - 特許庁

Ink dot intervals Ga and Gb are made uniform, so that a density of images to be colored can be unified.例文帳に追加

これにより、インクドット間隔Ｇａ、Ｇｂが均一となって、着色される画像濃度が均一化できる。 - 特許庁

Here, the group III nitride semiconductor 6 is heated upto the boiling temperature 200°C of Ga chloride or higher using a heater 5.例文帳に追加

このとき、上記III族窒化物半導体６を、ヒータ５によりＧa塩化物の沸点２００℃以上の温度に加熱する。 - 特許庁

As the material gas, TMA is used for an Al material, the mixed gas of TEG and TMG is used for a Ga material, and arsine is used for an arsenic material.例文帳に追加

原料ガスとしては、Ａｌ原料にＴＭＡ、Ｇａ原料にＴＥＧとＴＭＧの混合ガス、砒素原料にアルシンを用いた。 - 特許庁

An acquisition means 11 successively acquires a plurality of original images Ga constituting the content by being arrayed in time series.例文帳に追加

取得手段１１は、時系列的に配列されてコンテンツを構成する複数の原画像Ｇａを順次に取得する。 - 特許庁

Ga having reactivity to Si is scattered on a dummy substrate 1 comprising Si, then heated to form an agglomerate to be an erosive body 2.例文帳に追加

Ｓｉから成るダミー基板１上に、Ｓｉに反応性を有するＧａを散布し、加熱して凝集体を形成させ、浸食体２とする。 - 特許庁

Disclosed is the manufacturing method of the sputter target including a mixing step of mixing liquid Ga and dopant elements with each other.例文帳に追加

液状Ｇａとドーパント元素とを混合する混合工程を備えるスパッタターゲットの製造方法とする。 - 特許庁

The sputtering target includes: an alloy phase, which includes one or more of Ga, In, and Se, and Cu; and a pure Se phase.例文帳に追加

スパッタリングターゲットが、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｅのうち１種または２種以上とＣｕとからなる合金相と、純Ｓｅ相とで構成されている。 - 特許庁

When the intake air amount GA becomes equal to or larger than the determination value β (timing t3a), the target air-fuel ratio maintained is changed to a lean air-fuel ratio.例文帳に追加

そして、吸入空気量ＧＡが判定値β以上になる（タイミングｔ３ａ）と、維持していた目標空燃比をリーン空燃比に変更する。 - 特許庁

A nitride semiconductor shown in general formula Al_xGa_yIn_1-x-yN (where 0≤x≤1, 0≤y≤1 and 0≤1-x-y≤1) is used for the semiconductor region 12.例文帳に追加

半導体領域１２には、一般式がAl_x Ga_y In_1-x-yＮ（但し、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦1-x-y≦1）で表される窒化物半導体が用いられている。 - 特許庁

A part or the whole of the oxide layer contains any element of In, Ga, Zn, Sn, Sb, Ge or As.例文帳に追加

前記酸化物層の一部又は全部が、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、又はＡｓのいずれかの元素を含有する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact not containing expensive gallium (Ga) and having a small bulk resistance, and to provide an oxide semiconductor thin film having the same composition as that of the oxide sintered compact.例文帳に追加

高価なガリウム（Ｇａ）を含有せず、バルク抵抗が小さい酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

A main injection portion 30 for injecting main shield gas Ga is coaxially and rotatably installed on the laser irradiating tube 14.例文帳に追加

レーザ照射管１４には、主シールドガスＧａを噴射する主噴射部３０が同軸状かつ回転自在に装着されている。 - 特許庁

In this case, the concentration of Zn is lower than those of In and M (M is one or a plurality of elements selected from Fe, Ga, Ni, and Al).例文帳に追加

この場合において、Ｚｎの濃度がＩｎ及びＭ（Ｍ＝Ｆｅ、Ｇａ、Ｎｉ及びＡｌから選ばれた一又は複数の元素）よりも低くする。 - 特許庁

A convergence judgment part 3 judges the convergence of optimization on the basis of the evolution individual group PGN of the GA engine of the highest order.例文帳に追加

収束判定部３は、最上位のＧＡエンジン１の進化個体群ＰＧNに基づいて、最適化の収束判定を行う。 - 特許庁

A plurality of virtual spheres Ga, Gb, Gc, ... having on the surfaces the latest data Dn out of the computed coordinate point data D1-Dn, are found.例文帳に追加

演算された座標点データＤ１〜Ｄｎのうちの最新のデータＤｎをその表面に有する複数の仮想球Ｇａ，Ｇｂ，Ｇｃ，・・・を求める。 - 特許庁

The antibacterial functional material is obtained by baking an inorganic binder containing Al and/or Ga-doped zinc oxide particles to the surface of a base material.例文帳に追加

Ａｌ及び／又はＧａドープ酸化亜鉛粒子を含有する無機バインダーが基材表面に焼き付けられてなる抗菌機能材。 - 特許庁

The etching stopper layer is constituted by an amorphous oxide containing In, Ga, and An with a Zn concentration lower than 20%.例文帳に追加

エッチングストッパ層はＺｎ濃度が２０％未満のＩｎ、ＧａおよびＺｎを含むアモルファス酸化物で構成されている。 - 特許庁

The Pd catalyst and the GaAs substrate react and a mix layer 40 of Pd-Ga-As is formed.例文帳に追加

このＰｄキャタリストとＧａＡｓ基板が反応してＰｄ−Ｇａ−Ａｓの混合層４０が形成される。 - 特許庁

The metal 21 is preferably a metal element of Ga, In, Zn, Cd, Sn, Pb or Bi or an alloy thereof.例文帳に追加

また、金属２１がＧａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉの金属元素、及びこれらの金属元素の合金であることが好ましい。 - 特許庁

Then, image notes Ga and Gb for which a photographed image is composited are generated for fixed time and displayed at the musical score display part W1.例文帳に追加

そして、撮影した画像を合成した画像音符Ｇａ，Ｇｂを、一定時間生成し譜面表示部Ｗ１に表示させる。 - 特許庁

It preferably contains further one or two of Mg, Si, Ge and Ga added by a total of 5-30 mass ppm.例文帳に追加

更にＭｇ、Ｓｉ、ＧｅおよびＧａの１種または２種以上を合計で５〜３０質量ｐｐｍ添加することが好ましい。 - 特許庁

The buffer layer 13 is about 1.1 nm thick, and is composed of AlGaInP having a smaller composition of Ga than that of the AlGaInP layer 12.例文帳に追加

緩衝層１３は、厚さが約１．１ｎｍでＡｌＧａＩｎＰ層１２のＧａの組成よりも小さいＧａの組成を持つＡｌＧａＩｎＰからなる。 - 特許庁

Therefore, the molten mix 19 of the Ga and the Na can be efficiently agitated during growth of a GaN crystal.例文帳に追加

したがって、ＧａＮ結晶の育成中にＧａとＮａとの混合融液１９を効率的に攪拌することができる。 - 特許庁

Reference numerals 2X and 2Y represent leg parts with bent extensions 2U an 2V, which serve to form a gap Ga, Gb between the inverter case and the upper plate 1a of the main body casing 1X.例文帳に追加

脚部２Ｘ、２Ｙを形成することにより本体ケ−ス１Ｘの上板１ａとの間に空隙Ｇａ、Ｇｂが形成される。 - 特許庁

The node 1 releases the PVC connection by the global group GA and sets up the PVC connection by a global group GB.例文帳に追加

ノード１は、統括グループＧＡのＰＶＣ接続を解放して、統括グループＧＢのＰＶＣ接続を確立する。 - 特許庁

Under such condition, an eximer laser is emitted to a target 13 comprising Ga or In metal.例文帳に追加

このような条件下で、Ｇａ又はＩｎ金属からなるターゲット１３に対してエキシマレーザを出射する。 - 特許庁

In the formula, A is selected from the group consisting of Si, Ge, Ti, Zr, Al, and Ga, and x denotes 1-6.例文帳に追加

式中のＡはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ及びＧａからなる群から選択され、ｘは１〜６である。 - 特許庁

Thus, it is possible to make the composition ratio of Ga and N on the surface of the GaN system semiconductor layer close to a stoichiometric composition ratio.例文帳に追加

本発明によれば、ＧａＮ系半導体層の表面のＧａとＮの組成比を化学量論的組成比に近づけることができる。 - 特許庁

A molar amount of B is 0.0001 or more to 0.01 or less when total molar amount of Zn, Al, Ga and B is 1, in the thermoelectric transducing material.例文帳に追加

Ｚｎ、Ａｌ、ＧａおよびＢの総モル量を１としたときの、Ｂのモル量が０．０００１以上０．０１以下である前記熱電変換材料。 - 特許庁

For the object, the entire image G and the four partial images GA-GD for which the object is divided into four are picked up.例文帳に追加

被写体に対して全体画像Ｇと被写体を４分割した４枚の部分画像Ｇ_A〜Ｇ_Dとが撮像されている。 - 特許庁

By using the intake air volume GA as a factor for determining the oxidative rate , the PM oxidative rate Vc is highly accurately calculated.例文帳に追加

このため酸化速度を決定する因子の1つとして吸入空気量ＧＡを用いることで、高精度にＰＭ酸化速度Ｖｃを算出することができる。 - 特許庁

When the Ga compound-doped polycrystalline silicon is used for a solar cell, photo-degradation is hardly caused and high conversion efficiency is stably provided.例文帳に追加

Ｇａ化合物ドープ多結晶シリコンを太陽電池に使用すると、光劣化が生じにくく、高い変換効率が安定的に得られる。 - 特許庁

In the device 1, a gap Ga is formed between the screw 5 and the nut 35 at the edge part 13 of the screw 5.例文帳に追加

フォーカス調整装置１は、リードスクリュー５の先端部１３にリードスクリュー５とナット３５と間に空隙Ｇａを形成する。 - 特許庁

To provide a method for growing group III nitride crystals capable of improving the yield of Ga, and to provide GaN crystals obtained by the method.例文帳に追加

Ｇａの収率を向上することができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法およびその方法により得られるＧａＮ結晶を提供する。 - 特許庁

The actual deviation Da between the actual gap Ga and reference gap GR in the entire coating application region is calculated by a controller 15 prior to starting the coating application.例文帳に追加

塗布開始前に、全塗布領域における実ギャップＧａと基準ギャップＧ_Rの実偏差Ｄａを制御装置１５で演算する。 - 特許庁

In the magnetic material, the coercive force lowers depending upon the content of Ga, and the value of saturation magnetization level has a maximum.例文帳に追加

この磁性材料はＧａの含有量に応じて保磁力が低下し、飽和磁化量は極大値を示す。 - 特許庁

When GaAs crystal is grown, TEG and TMG of specified mixing ratio are used as a material for Ga of group III.例文帳に追加

ＧａＡｓ結晶を成長させる際、III族のＧａの原料として所定の混合率のＴＥＧとＴＭＧとを用いる。 - 特許庁

A mixed powder prepared by mixing a Cu-Ga alloy powder containing at least gallium and copper and an alkali metal-containing organic matter is sintered to produce a Cu-Ga alloy sputtering target containing 0.01-5 mass% of the alkali metal.例文帳に追加

少なくともガリウム及び銅を含有するＣｕ−Ｇａ合金粉末と、アルカリ金属含有有機物とを混合した混合粉末を焼結し、アルカリ金属を０．０１〜５質量％含有したＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを製造する。 - 特許庁

To provide a method for producing a Cu-Ga alloy sputtering target containing an alkali metal without using an elemental alkali metal which is difficult to handle, and a Cu-Ga alloy sputtering target obtained by the production method.例文帳に追加

取り扱いが困難なアルカリ金属単体を使用することなく、アルカリ金属を含有したＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びこの製造方法により得られたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A Ga solution is brought into contact with the 1st main surface side of a GaP epitaxial wafer and NH3 gas is supplied as a nitrogen source to the circumferential atmosphere coming into contact with the Ga solution to form the N-doped GaP layer through liquid-phase epitaxial growth.例文帳に追加

ＧａＰエピタキシャルウェーハの第一主表面側にＧａ溶液を接触させ、当該Ｇａ溶液と接する周囲雰囲気に窒素源としてＮＨ_３ガスを供給することによりＮドープＧａＰ層を液相エピタキシャル成長させる。 - 特許庁