「a ga」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide glass which has excellent water resistance, is less liable to crystalize even in sealing or subsequent heat treatment, achieves a low sealing temperature and a desired expansion coefficient, and is suitable for sealing or the like with a Tg of 450°C or lower, without containing oxides of Pb, Ge, Ga, etc., or a halogen component such as fluorine, or without containing oxides of Sn and Cu in large quantities.例文帳に追加

Ｐｂ、Ｇｅ、Ｇａ等の酸化物、もしくはフッ素などのハロゲン成分を含まずとも、または、Ｓｎ、Ｃｕの酸化物を多量に含まずとも、耐水性に優れ、封着時またはその後の熱処理においても結晶化しにくく、低い封着温度および所望の膨張係数を実現でき、Ｔｇが４５０℃以下の封着等に適したガラスを提供する。 - 特許庁

To provide a sealing glass which excels in water resistance, is hard to crystallize in sealing time or also in heat treatment after that, can realize a low sealing temperature and a desired thermal expansion coefficient, and has a high transmittance of visible light, even not including the oxides of Pb, Ge, Ga or the like, or halogen components such as fluorine, or even not including the oxides of Sn and Cu so much.例文帳に追加

Ｐｂ、Ｇｅ、Ｇａ等の酸化物、もしくはフッ素などのハロゲン成分を含まずとも、または、Ｓｎ、Ｃｕの酸化物を多量に含まずとも、耐水性に優れ、封着時またはその後の熱処理においても結晶化しにくく、低い封着温度および所望の熱膨張係数を実現でき、可視光の透過率が高い封止用ガラスを提供すること。 - 特許庁

In joining the element substrate 10 and sealing member 20 in the outer circumference side seal region 10c with a first sealing material 91 containing the gap material 95 in the organic EL device 100, a gap Ga between the element substrate 10 and the sealing member 20 in a region planarly overlapping with the pixel region 10a is larger than a particle diameter of the gap material 95.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１００において、外周側シール領域１０ｃで素子基板１０と封止部材２０とを、ギャップ材９５を含有する第１シール材９１によって接合するにあたって、画素領域１０ａと平面的に重なる領域における素子基板１０と封止部材２０との間隔Ｇａを、ギャップ材９５の粒径より大にしてある。 - 特許庁

GaInNAs comprising gallium(Ga), indium(In), nitrogen(N), and arsenic(As) with a thickness of 2 nanometers or less, while a composition of arsenic(As) or phosphorus(P) being 20% or less, or GaInNP where the arsenic is replaced with phosphorus(P), is a light-emitting layer, providing light-emission at a wavelength of 500-600 nanometer range.例文帳に追加

厚さが２ナノメートル以下で、砒素（Ａｓ）あるいは燐（Ｐ）の組成が２０％以下である、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、窒素（ N ）および砒素（Ａｓ）を構成元素とするＧａＩｎＮＡｓ、あるいはこの材料の砒素を燐（Ｐ）に置き換えたＧａＩｎＮＰ、を発光層とする半導体発光素子材料および構造により、波長５００〜６００ナノメートルにおける発光を得る。 - 特許庁

A finder adapter Ga is to be mounted at the back of an eyepiece optical system Gf in a finder optical system and comprises a first lens group G1 having negative refractive power and a second lens group G2 having positive refractive power in the successive order from an object side.例文帳に追加

ファインダー光学系における接眼光学系Ｇｆの後方に装着するファインダーアダプタＧａであって、物体側から順に、負の屈折力を有する第１レンズ群Ｇ１と正の屈折力を有する第２レンズ群Ｇ２とから構成され、上記第１レンズ群を光軸方向に移動させることでファインダー視度を連続的に補正し、かつ以下の条件式（１）、（２）及び（３）を満足することを特徴とするファインダーアダプタ。 - 特許庁

The hot water reservoir facility in the rock for reserving hot water in a tunnel-formed reservoir 1 provided in the rock G and discharging the hot water from the reservoir 1 to use for generation of electrical energy is formed with slits 2 of a predetermined depth for releasing the thermal stress at predetermined intervals in an axial direction of the reservoir 1 on a rock Ga on a surface of the reservoir 1.例文帳に追加

岩盤Ｇ内に設けたトンネル状の貯槽１に熱水を貯蔵し、その貯槽１から熱水を払い出して発電等に利用する岩盤内熱水貯蔵施設であって、貯槽１の表層部の岩盤Ｇａに熱応力を解放するための所定深さのスリット２を貯槽１の軸方向に所定間隔おきに形成する。 - 特許庁

A switching circuit SW switches a refresh address signal RA or an external address signal EA based on the refresh request signal RQ and outputs it, and a common address signal line GAL outputs the external address signal EA or the refresh address signal RA outputted from the switching circuit SW as a common address signal GA.例文帳に追加

切替え回路ＳＷは、リフレッシュリクエスト信号ＲＱに基づいて、リフレッシュアドレス信号ＲＡと外部アドレス信号ＥＡとを切替えて出力し、共通アドレス信号線ＧＡＬは、切替え回路ＳＷから出力される外部アドレス信号ＥＡあるいはリフレッシュアドレス信号ＲＡを、共通アドレス信号ＧＡとして出力する。 - 特許庁

As New Year's movies to be released on the New Year's Eve, the company distributed "Seishun no Hika"(Elegy of Adolescence) directed by Bansho KANAMORI to the Narukofuji-kan theater and also went as far as to distribute a double feature of "Gion Jowa Tsubomi no Mama"(Love story in Gion, a budding woman) also directed by Kanamori and "Otoko ga Tsuma wo Erabutoki" (When a man choose his wife) directed by Shusei GOTO to the 'Asakusa Opera-kan Theater' which had been built after reconstruction of Asakusa area. 例文帳に追加

年末12月31日公開の正月映画として、金森万象監督の『青春の悲歌』を「成子不二館」に、おなじく金森監督の『祇園情話蕾のまゝ』と後藤秋声監督の『男が妻を選ぶ時』の2本立て番組を復興後の浅草に建った「浅草オペラ館」にきっちり供給した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the memorial record he created about and in memory of his mentor, Yuzo KAWASHIMA, entitled "Sayonara dake ga jinsei da: Eiga kantoku Kawashima Yuzo no shogai" (Life is only a chorus of goodbyes: the life of director Yuzo KAWASHIMA), he chronicled Kawashima's life using a documentary style; in it, he recounted how Kawashima kept working right on to the end, filming on location without breathing a single word to anyone that he was suffering from Lou Gehrig's disease. 例文帳に追加

彼の師匠川島雄三についての追悼録、『サヨナラだけが人生だ映画監督川島雄三の生涯』では、川島の生涯を実証的に取り上げ、川島が筋萎縮性側索硬化症に侵されながらそれを一切他言せず、最後まで映画製作の現場に立っていたことを取り上げた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The In-Ga-Zn based composite oxide sintered compact includes: a first phase formed by ZnGaO_2.5 crystals; a second phase formed by InGaO_3 crystals; and a third phase formed by In_2O_3 crystals, and the total phase area ratio of the first phase, the second phase and the third phase to all the phases in the optional cross section of the sintered compact is 70 to 100%.例文帳に追加

本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａＯ_2.5結晶で形成される第１相と、ＩｎＧａＯ_3結晶で形成される第２相と、Ｉｎ_2Ｏ_3結晶で形成される第３相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相、第２相および第３相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。 - 特許庁

For example, the red phosphor of formula (1) is produced by mixing a sulfide of Ca and/or Sr, a fluoride of at least one kind of element selected from the group consisting of Al, Ga and In, sulfur and a europium fluoride and subjecting the mixture to classifying and then calcining in an inert gas atmosphere.例文帳に追加

（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ，Ａ，Ｆ ……(１)、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ，Ｒｂ，Ｆ ……(２)、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ，Ａ，Ｒｂ，Ｆ ……(３)（ＡはＡｌ，Ｇａ，Ｉｎから選択される少なくとも１種で、０．０１〜５モル％、Ｒｂを０．０１〜２モル％含有する。）例えば、式(１)の赤色蛍光体は、Ｃａ及び／又はＳｒの硫化物、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎから選択される少なくとも１種のフッ化物、イオウとフッ化ユーロピウムを混合、分級し不活性ガス雰囲気下で焼成することにより製造される。 - 特許庁

The silver alloy sputtering target for forming a conductive film comprises a silver alloy having a composition comprising 0.1-1.5 mass% Ga and/or Sn in total and the balance being Ag and inevitable impurities, wherein the average grain size of the silver alloy crystal grains is 120-400 μm and the variation in the crystal grain size is within ≤20% of the average grain size.例文帳に追加

導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｇａ，Ｓｎの内の１種または２種を合計で０．１〜１．５質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜４００μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 - 特許庁

During the work processing, in a condition that at least more than two work clamping devices continue to clamp the work, a processed work Ga is clamped by other clamping device at one end of the carriage base and carried out to a product transfer device 73 installed on the lower part of one end of the carriage base by being extended in the Y-axis direction without interrupting the work processing.例文帳に追加

このワーク加工中に、少なくとも２個以上のワーククランプ装置によるワーククランプを続行している状態でキャリッジベースの一端側の他のワーククランプ装置により加工済みワークＧａをクランプし、ワーク加工を中断することなく加工済みワークをキャリッジベースの一端側の下方にＹ軸方向に延伸して設けた製品搬送装置７３へ搬出する。 - 特許庁

In the glove box 300, a reaction vessel 10A installed in an external reaction vessel 20 is replaced with a new reaction vessel 10B, and metal Na and metal Ga are put into the new reaction vessel 10B at a prescribed molar ratio, and metal Na is put between the new reaction vessel 10B and the external reaction vessel 20.例文帳に追加

そして、グローブボックス３００中で外部反応容器２０の内部に設置された反応容器１０Ａを新しい反応用器１０Ｂに交換し、新しい反応容器１０Ｂに金属Ｎａと金属Ｇａとを所定のモル比率で入れるとともに、新しい反応容器１０Ｂと外部反応容器２０との間に金属Ｎａを入れる。 - 特許庁

During a variation of the opening, the opening of the EGR valve when a passage air intake amount GA detected by the air flow meter comes to a certain amount Bga is detected by the opening sensor respectively for cases of the opening of the EGR valve being larger than the fully closed opening (time t2, t4) and smaller than the fully closed opening (time t5, t7).例文帳に追加

その変更中においてエアフロメータにより検出される通路吸気量ＧＡが一定量ＢｇａになったときのＥＧＲバルブの開度であって、全閉開度より大きいとき（時刻ｔ２，ｔ４）の開度と同全閉開度より小さいとき（時刻ｔ５，ｔ７）の開度とがそれぞれ開度センサにより検出される。 - 特許庁

A field-effect transistor has: a gate insulating film 22; an oxide semiconductor layer 14 containing main constituent elements of Sn, Zn, and O, or Sn, Ga, Zn, and O as an active layer; and an oxide intermediate layer 16 arranged between the gate insulating film 22 and the oxide semiconductor layer 14 and having a resistivity higher than that of the oxide semiconductor layer 14.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２２と、活性層としてＳｎ,Ｚｎ及びＯ、又はＳｎ,Ｇａ,Ｚｎ及びＯを主たる構成元素とする酸化物半導体層１４と、ゲート絶縁膜２２と酸化物半導体層１４との間に配置され、酸化物半導体層１４よりも抵抗率が高い酸化物中間層１６と、を有する。 - 特許庁

In an interactive optimization part 310, a response degree computing part 342 inputting a control coefficient of the interactive optimization part 310 for outputting a response degree is used, and an optimal solution for the response degree computing part 342 is searched by GA while the response degree of the response degree computing part 342 is repeatedly evaluated by interactive evolution.例文帳に追加

対話型最適化部３１０については、対話型最適化部３１０の制御係数を入力としてレスポンス度を出力するレスポンス度算出部３４２を用いて、レスポンス度算出部３４２のレスポンス度を対話型評価により繰り返し評価しながら、レスポンス度算出部３４２の最適解をＧＡにより探索する。 - 特許庁

p-GaN11 is grown in condition that the surface potential (relative to the electron) at a growth surface 13 drops and the energy band is bent largely, so as to make p-GaN11 which has ionized Ga voids 14 in the vicinity of the growth surface 13, and a metal is accumulated on the growth face 13 to constitute a low-resistance ohmic electrode.例文帳に追加

成長表面１３における（電子に対する）表面電位が下がり、エネルギーバンドが大きく曲がっている状態でｐ-ＧａＮ１１を成長させ、成長表面１３の近傍にイオン化したＧａ空孔１４を有するｐ-ＧａＮ１１とし、成長表面１３に金属を堆積して低抵抗なオーミック電極を構成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor, wherein an In-Ga-Zn-O group homologous oxide semiconductor is used as an active layer, damage in the active layer is suppressed without forming an etching stopper layer, and resistance of source-drain electrodes can be reduced; and to provide a method for manufacturing an electro-optical device.例文帳に追加

活性層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系ホモロガス酸化物半導体を用い、エッチングストッパー層を形成することなく活性層のダメージを抑制するとともに、ソース・ドレイン電極の低抵抗化を図ることが可能な薄膜トランジスタの製造方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An organic resin coated steel comprises a chemical conversion layer and an organic resin layer successively laminated on a steel, wherein the chemical conversion layer contains one or more compositions selected from a group consisting of hydroxides or oxyhydroxide of Al, Ga, In and Tl, and the deposition of the metal elements is 0.01-10 g/m^2 in total.例文帳に追加

鋼材に、化成処理層、有機樹脂層を順次積層して成る有機樹脂被覆鋼材において、化成処理層が、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌの水酸化物あるいはオキシ水酸化物から成る群から１つ以上選ばれた組成物を含み、その金属元素の付着量が合計で０．０１〜１０ｇ／ｍ^2であることを特徴とする被覆鋼材である。 - 特許庁

When the anode lead bar 112 derived from the condenser element 110 is welded to the anode lead frame 130 via the conductive spacer 161 by the resistance welding method accompanying pressurization, a crushed groove Ga crushed from a pressurization direction upon welding is formed at least at one position from a welding position of the anode lead bar 112 to the root of the same.例文帳に追加

コンデンサ素子１１０から引き出されている陽極リード棒１１２を導電性スペーサ１６１を介して陽極リードフレーム１３０に加圧を伴う抵抗溶接法によって溶接するにあたって、陽極リード棒１１２の溶接箇所から根元に至る間の少なくとも１箇所に溶接時の加圧方向から押し潰された潰し溝Ｇａを形成する。 - 特許庁

In the phase change type optical information recording medium having a recording layer made of a phase change type recording material, the phase of which reversibly changes between an amorphous phase and a crystalline phase through the irradiation with electromagnetic waves, the phase change type recording material consists of Ge, Ga, Sb, Te and Mg and/or Ca.例文帳に追加

電磁波の照射により非晶相及び結晶相間を可逆的に相転移する相変化型記録材料からなる記録層を有する相変化型光情報記録媒体において、該相変化型記録材料が、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅ並びにＭｇ及び／又はＣａから構成されていることを特徴とする相変化型光情報記録媒体。 - 特許庁

The transparent electrode base material 10 at least equipped with a transparent base material 11 and a transparent conductive layer 12 arranged on one of its face is provided with at least one intermediate layer 13 consisting of indium oxide containing a transition element and/or Ga between the transparent base material 11 and the transparent conductive layer 12.例文帳に追加

透明基材１１及びこの一面に配した透明導電層１２を少なくとも備えた透明電極基材１０であって、前記透明基材１１と前記透明導電層１２との間には、遷移元素及び／又はＧａを含む酸化インジウムからなる少なくとも１層の中間層１３を有することを特徴とする透明電極基材を提供する。 - 特許庁

He gained a reputation for roles such as Okaru, Enya hangan and Oishi of "Kanadehon Chushingura," Shizuka Gozen of "Yoshitsune Senbonzakura" (Yoshitsune and One Thousand Cherry Trees), Omiwa of "Imoseyama (Mt. Imose) Onna Teikin" (An Exemplary Tale of Womanly Virtue), Omitsu of "Shinpan Utazaimon" (The Love of Osome and Hisamatsu) (Nozaki Village), Tamate-Gozen of "Sesshu Gappo ga Tsuji" (A Kabuki Drama of Unfettered Evil) (Gappo Anjitsu [hermitage of Gappo]), Sakuramaru of "Sugawara Denju Tenarai Kagami" (Sugawara's secrets of calligraphy) and Yoshitsune of "Kanjincho" (The Subscription List) and "Jinya KUMAGAI, Ichi no Tani Futabagunki" (Chronicle of the Battle of Ichinotani) in the area of maruhonmono (Kabuki drama of joruri [puppet-play] origin). 例文帳に追加

丸本物では『仮名手本忠臣蔵』のお軽、塩冶判官、お石、『義経千本櫻』の静御前、『妹背山婦女庭訓』お三輪、『新版歌祭文』（野崎村）のお光、『攝州合邦辻』（合邦庵室）の玉手御前、『菅原伝授手習鑑』の桜丸、『勧進帳』や『一谷嫩軍記・熊谷陣屋』の義経などが当たり役であった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The In-Ga-Zn based compound oxide sintered body contains a first phase formed of ZnGa_2O_4 crystal, and a second phase formed of an In_2O_3 crystal, and the total phase area ratio of the first and second phases to the entire phase in an optional section of the sintered body is ≥70% and ≤100%.例文帳に追加

本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａ_2Ｏ_4結晶で形成される第１相と、Ｉｎ_2Ｏ_3結晶で形成される第２相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相および第２相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。 - 特許庁

In the gallium nitride semiconductor crystal 2, the growth surface becomes a nonpolar surface instead of an N (nitrogen) polar surface and a Ga polar surface, thus reducing the magnitude of an electric field due to the spontaneous polarization and the piezo polarization generated on the interface of p-side GaN/AlGaN and hence avoiding carrier depletion.例文帳に追加

これらの窒化ガリウム半導体結晶２は、その成長表面がＮ（窒素）極性面やＧａ極性面ではなく、無極性面となるので、ｐ側のＧａＮ／ＡｌＧａＮの界面で発生する自発分極やピエゾ分極による電界の大きさを小さくすることができ、キャリア空乏化を回避することができる。 - 特許庁

This disclosed atomizing device 1 for jetting one or two or more kinds of liquids from two or more nozzles like mist includes: at least two mist passages 4, 5 provided independently of each other; a liquid supply means for supplying the liquid to the upstream part of the mist passage; and a gas supply means for supplying ga to the upstream part of the mist passage.例文帳に追加

ここで開示される「１種又は２種以上の液を２つ以上の噴出口からミスト状にして噴出す噴霧器１」は、少なくとも２つの相互に独立して設けられたミスト流路４、５と、該ミスト流路の上流部に前記液を供給する液供給手段７と、該ミスト流路の上流部にガスを供給するガス供給手段９とを備えている。 - 特許庁

The pneumatic tire is lined with an inner liner layer 8 for preventing air permeation and has main grooves 9 extending in a circumferential direction of the tire on the outer circumference of a tread 1, wherein the thickness Gt of inner liner layers 8t in regions corresponding to the main grooves 9 is greater than the thickness Ga of the inner liner layer 8 not in that regions.例文帳に追加

タイヤの内側に空気透過防止用のインナーライナー層８を内貼りし、トレッド１の外周にタイヤ周方向に延長する主溝９を配置した空気入りタイヤにおいて、主溝９に対応する領域のインナーライナー層８ｔの厚さＧｔを、この領域以外のインナーライナー層８の厚さＧａよりも大きくしたことを特徴とする。 - 特許庁

The phosphor material has a garnet structure having Ce as the luminescent element and containing at least Gd, Al, Ga and O and contains at least one element selected from the group consisting of Pr, Sm, Nd, Dy, Er, Ho and Tm in a content of ≥0.0005 mol% and ≤1 mol%.例文帳に追加

本発明の蛍光材料は、Ｃｅを発光元素とし、少なくともＧｄ、Ａｌ、Ｇａ及びＯを含んだガーネット構造の蛍光材料であって、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、ＨｏおよびＴｍからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含み、その含有量が０．０００５ｍｏｌ％以上１ｍｏｌ％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

A vapor concentration correcting coefficient FGPG at fuel injection time TAU is calculated on the basis of changes in an air/fuel ratio if gas in the air chamber 46 is purged toward an intake passage 50 of an internal combustion engine, with keeping an engine speed NE and intake air amount Ga of the internal combustion engine 20 at a constant value.例文帳に追加

内燃機関２０の機関回転数ＮＥおよび吸入空気量Ｇａを共に一定値に維持した状態で、空気室４６内のガスを内燃機関の吸気通路５０に向けてパージした場合の空燃比の変化に基づいて、燃料噴射時間ＴＡＵにおけるベーパ濃度補正係数ＦＧＰＧを算出する。 - 特許庁

In the particle detector where sample gas G to be detected is introduced to a particle detecting region M being formed by irradiating with laser light La and particles contained in the sample gas G are detected by receiving the scattered light Ls from the particles, the sample gas G is admixed with clean gas Ga having a low polarizability before being introduced to the particle detecting region M.例文帳に追加

レーザ光Ｌａを照射して形成される粒子検出領域Ｍに検出対象となる試料気体Ｇを導き、この試料気体Ｇに含まれる粒子を、レーザ光Ｌａが粒子に照射されて生じる散乱光Ｌｓを受光することによって検出する粒子検出装置において、試料気体Ｇに分極率の低い清浄気体Ｇａを混合して粒子検出領域Ｍに導くようにした。 - 特許庁

This phosphor material having a garnet structure using Ce as a light-emitting element, and at least containing Gd, Al, Ga and O is characterized by containing Eu and Yb, and having 1×10^-5 to 2×10^-3 mol% sum of the contents of the Eu and Yb.例文帳に追加

本発明は、Ｃｅを発光元素とし、少なくともＧｄ、Ａｌ、ＧａおよびＯを含んだガーネット構造の蛍光材料であって、ユーロピウム（Ｅｕ）とイッテルビウム（Ｙｂ）を含み、ユーロピウムとイッテルビウムの含有率の和が１×１０^−５〜２×１０^−３ｍｏｌ％であることを特徴とする蛍光材料である。 - 特許庁

Since the group III-V compound semiconductor layer 21 is formed of a material containing Al elements, Ga elements and In elements as group III elements and containing As elements as group V elements, band offsets in a conduction band of the embedded semiconductor layer 19, that of the second clad layer 23 and that of the group III-V compound layer 21 are small.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層２１は、III族元素としてＡｌ元素、Ｇａ元素及びＩｎ元素を含むと共にＶ族元素としてＡｓ元素を含む材料からなるので、埋込半導体層１９の伝導帯及び第２クラッド層２３の伝導帯とIII−Ｖ族化合物半導体層２１の伝導帯とにおけるバンドオフセットは小さい。 - 特許庁

When the feature information 102 is quality NG, a gain element rate determination part 250 changes a control value (light quantity Gl, accumulation time Gt, diaphragm quantity Gs, analog gain Ga, digital gain Gd, image addition number of sheets Gn, software gain Gs1) of the imaging apparatus 100, and makes the imaging apparatus 100 re-pick up the living body image 101.例文帳に追加

特徴情報１０２が品質ＮＧの場合、ゲイン要素比率決定部２５０は撮像装置１００の制御値（光量Ｇｌ、蓄積時間Ｇｔ、絞り量Ｇｓ、アナログゲインＧａ、デジタルゲインＧｄ、画像加算枚数Ｇｎ、ソフトウェアゲインＧｓ１）を変更し、撮像装置１００に生体画像１０１を再撮像させる。 - 特許庁

A preferable matrix or cage component(s) is one or more elements selected from Si, Ge, Sn, Pb, Al, Ga, In and transition elements, and a preferable clathrating component(s) is one or more elements selected from alkali metals, alkaline-earth metals and transition metals including lanthanoids and actinoids, and, more preferably, one or more elements selected from alkaline-earth elements, lanthanoids, and ocationally, actinoids.例文帳に追加

好ましいマトリクスまたはケージ成分は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎおよび遷移元素から選択された１以上の元素であり、好ましい包接成分は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド元素およびアクチノイド元素を含む遷移元素から、より好ましくは、アルカリ土類金属、ランタノイド元素および時おりまたアクチノイド元素から、選択された１以上の元素である。 - 特許庁

The compound semiconductor substrate is manufactured by forming a CaN compound semiconductor layer 3 on a Zr_XTi_1-XB_2 single-crystal substrate 1 by epitaxial growth via an interposed reactive layer 2, containing at least one of B, Zr, and Ti from the Zr_XTi_1-XB_2 single-crystal substrate 1 and at least one of Ga and N from the CaN compound semiconductor layer 3.例文帳に追加

化合物半導体基板は、Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘＢ_２単結晶基板１上に、ＧａＮ系化合物半導体層３を、間にＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘＢ_２単結晶基板１からのＢ，Ｚｒ，Ｔｉの少なくとも１種と、ＧａＮ化合物半導体層３からのＧａ及びＮの少なくとも１種とを含む反応層２を介在させてエピタキシャル成長させた。 - 特許庁

When displaying a text in classical Chinese, in accordance with display setting data for setting "display" or "non-display" of the respective Chinese characters and their attached information, a regular text (classical Chinese) displaying screen Ga for displaying the Chinese characters and their attached information together, and an unmarked text displaying screen Gb for displaying only the Chinese characters and not their attached information, are switchably displayed.例文帳に追加

漢文テキストを表示する際には、各漢字およびその付属情報の表示／非表示を設定する表示設定データに従い、各漢字とその付属情報を併せて表示する本文（漢文）表示画面Ｇａまたは各漢字だけでその付属情報を表示しない白文表示画面Ｇｂを切り替え自在に表示させる。 - 特許庁

The light-emitting element 100 has a stuck structure in which the first main surface of the second sticking layer 90 composed of the semiconductor or metal is stuck to the second main surface of the first sticking layer 40, having the light-emitting layer 24 and composed of the III-V compound semiconductor via a metallic sticking layer 11 containing In or Ga as the main component.例文帳に追加

発光素子１００は、発光層部２４を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第一被貼り合わせ層４０の第二主表面に、半導体又は金属からなる第二被貼り合わせ層９０の第一主表面が、Ｉｎ又はＧａのいずれかを主成分とする貼り合わせ金属層１１を介して貼り合わされた貼り合わせ構造部を有してなる。 - 特許庁

Each of first and second flow path plates Ga and Gb as arbitrary two sheets of flow path plates adjoining in a layering direction of a plate layered body S has an escape groove 18 capable of avoiding contact with protrusions 17, at regions opposed to the protrusions (burr and deformity) 17 protruded in the layering direction of the plate layered body S.例文帳に追加

プレート積層体Ｓの積層方向に隣接する任意の２枚の流路プレートである第１及び第２の流路プレートＧａ、Ｇｂのそれぞれが、プレート積層体Ｓの積層方向に突出した突状部（バリ、変形）１７に対向する領域に、突状部１７との当接を回避し得る逃げ溝１８を有するように構成する。 - 特許庁

This invention provides: the cathode catalyst for a fuel cell which contains one kind of metal selected from the group consisting of In and Ga, and Ru-Ch supported on the metal, and is characterized in that Ch is one kind of element selected from the group consisting of S, Se and Te; the membrane-electrode assembly for a fuel cell; and the fuel cell system each including the cathode catalyst.例文帳に追加

本発明によれば、Ｉｎ及びＧａからなる群より選択される一種の金属と、金属に担持されるＲｕ−Ｃｈと、を含み、Ｃｈは、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅからなる群より選択される一種の元素であることを特徴とする燃料電池用カソード触媒と、このカソード触媒を含む燃料電池用膜電極接合体、及び燃料電池システムが提供される。 - 特許庁

The nanowires are constituted so that Ga nanowires and ZnS nanowires are joined to each other by heating a mixture of ZnS powder, Ga_2O_3 powder and SiO powder in an inert gas flow in a temperature range of 1,400 to 1,500°C for 1 to 2 hours, wherein the obtained nanowires are coated with silica films of 4 to 8 nm thickness.例文帳に追加

ＺｎＳ粉末とＧａ_2 Ｏ_3 粉末とＳｉＯ粉末との混合物を不活性ガス気流中で、１４００〜１５００℃の温度範囲において、１〜２時間加熱することにより、ＧａナノワイヤーとＺｎＳナノワイヤーとが接合してなるナノワイヤーであって、ナノワイヤーが、厚さが４〜８ｎｍのシリカ膜で被覆されているナノワイヤーが得られる。 - 特許庁

The conductive film, the film having the n-type conductivity, and the oxide semiconductor film containing In, Ga and Zn are etched using the channel protective layer and gate insulating films as etching stoppers with the resist mask, so that source and drain electrode layers, a buffer layer, and a semiconductor layer are formed.例文帳に追加

このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして利用して、導電膜と、ｎ型の導電型を有する膜と、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層を形成する。 - 特許庁

The In-Ga-Zn-O-based oxide semiconductor layer includes structure including a crystal grain expressed by InGaO_3(ZnO)_m(m=1) in amorphous structure expressed by InGaO_3(ZnO)_m(m>0).例文帳に追加

Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域に用いた半導体装置であって、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層は、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０）で表される非晶質構造中に、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＝１）で表される結晶粒を含む構造を有する。 - 特許庁

In electrolytic ion water 232 in which weakly acidic water or air is dissolved, the surface of the substrate 142 made of the compound semiconductor containing one of Ga, Al and In, and the surface of a polishing pad 242 having an electrically conductive member 264 in at least the portion of the surface contacting the substrate 142 are relatively moved in contact with each other to polish the surface of the substrate 142.例文帳に追加

弱酸性の水または空気が溶解した水、または電解イオン水２３２の中で、Ｇａ，Ａｌ及びＩｎのいずれかを含有する化合物半導体の基板１４２の表面と、表面の少なくとも基板１４２と接触する部位に導電性部材２６４を有する研磨パッド２４２の該表面とを互いに接触させつつ相対運動させて、基板１４２の表面を研磨する。 - 特許庁

This fluoride glass matrix preferably contains ions selected from zirconium ion, alkali ions and alkaline earth ions and also, at least 5 mol% of fluoride ion of the matrix is substituted by bromide ion and/or chloride ion, and further, at least 0.01 mol% of a cation(s) selected from transition metal ions, rare earth metal ions, In+, Ga+, Tl+ and Pb+, exists in the matrix.例文帳に追加

該ガラスマトリックスは好ましくはジルコニウムイオンならびにアルカリイオン及びアルカリ土類イオンから成る群より選ばれるイオンを含有し、少なくとも５モル％のフルオリドイオンはブロミド及び／又はクロリドイオンにより置き換えられており、少なくとも０．０１モル％の遷移金属イオン、希土類金属イオン、Ｉｎ^+、Ｇａ^+、Ｔｌ^+及びＰｂ^2+から成る群より選ばれるカチオンが存在する。 - 特許庁