「active buffer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The preservative-free and boric acid buffer-based eye drop of the prostaglandins comprises the prostaglandins such as latanoprost or isopropylunoprostone as the active ingredient (chief ingredient) and is regulated to pH5.0-7.0.例文帳に追加

ラタノプロストやイソプロピルウノプロストン等のプロスタグランジン類を有効成分（主剤）として含有するホウ酸緩衝系ベースのｐＨ5.0〜7.0に調節される防腐剤フリーのプロスタグランジン類の点眼剤。 - 特許庁

The buffer layer is formed between the active layer and the source and drain electrodes respectively, and comprises a plurality of materials having a continuously variable content ratio, depending on its thickness.例文帳に追加

バッファ層は、アクティブ層とソース電極及びドレイン電極との間にそれぞれ形成され、厚さによって連続的に変動する含有量比を有する複数の物質からなる。 - 特許庁

The method includes the step of treating seed powder and/or seed embryo powder with a cellulose hydrolase-containing buffer solution, and the step of extracting a liposoluble physiologically active substance.例文帳に追加

種子粉末及び/又は種子の胚粉末を、セルロース加水分解酵素を含む緩衝液で処理する工程と、脂溶性生理活性物質を抽出する工程とを含む。 - 特許庁

To provide an active probe not applying a heavy load onto a measuring object, even in a high-frequency band, capable of miniaturizing a probe head part, and enabling a constitution without a broadband buffer.例文帳に追加

高周波域でも測定対象に大きな負荷がかからず、プローブヘッド部を小型化でき、広帯域バッファなしの構成も可能なアクティブプローブを実現することを目的とする。 - 特許庁

The organic thin film semiconductor transistor comprises a substrate, a gate electrode, a gate insulating layer, an organic semiconductor active layer, a source-drain electrode, and a protective layer, and further, a buffer layer installed between the above-mentioned organic semiconductor active layer and the above-mentioned protective layer.例文帳に追加

基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体活性層、ソース−ドレイン電極、および保護層を含み、前記有機半導体活性層と前記保護層との間に緩衝層が介設されていることを特徴とする有機薄膜半導体トランジスター。 - 特許庁

An emission element 1 includes: a quantum cascade active layer 4 being an active layer using the intersubband transition; an n-type buffer layer 3 and an n-type guide layer 5 as first conduction-type semiconductor layers; and a photonic crystal layer 7 as a two-dimensional diffraction grating.例文帳に追加

発光素子１では、サブバンド間遷移を用いた活性層である量子カスケード活性層４と、第１導電型の半導体層としてのｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５と、２次元回折格子としてのフォトニック結晶層７とを備える。 - 特許庁

The semiconductor laser 10 comprises a structure which has a buffer layer 2, a clad layer 3, a light confinement layer 4, an active layer 5, a light confinement layer 6, a clad layer 7, and a contact layer 8 laminated in order on a substrate 1 and is equipped with a window member 11 adjacently to the active layer 5.例文帳に追加

半導体レーザ１は、バッファ層２、クラッド層３、光閉じ込め層４、活性層５、光閉じ込め層６、クラッド層７およびコンタクト層８が基板１上に順次積層され、活性層５に隣接して窓部材１１を備える構造からなる。 - 特許庁

An n-GaAs buffer layer 2 is provided on an n-GaAs substrate 1 provided with a bottom face electrode 8, a light emitting part consisting of an n-clad layer 3, an active layer 4 and a p-clad layer 5 is formed on the buffer layer 2, and a p-contact layer 6 is formed on the p-clad layer 5.例文帳に追加

底面電極８が設けられたｎ−ＧａＡｓ基板１上には、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２が設けられ、このバッファ層２には、ｎクラッド層３、活性層４、ｐクラッド層５よりなる発光部が形成され、ｐクラッド層５上にｐコンタクト層６が形成される。 - 特許庁

In system switching between transmission ports 124 and 128, a control section 118 of a transmission-side host 110 controls a branching section 120 so as to transfer a switching request frame to a transmission buffer of a transmission port of an active system and to transfer subsequent frames to a transmission buffer of a transmission port of a reserve system.例文帳に追加

送信側ホスト１１０の制御部１１８は、送信ポート１２４と１２８の系切替えに際して、切替要求フレームを運用系の送信ポートの送信バッファに転送し、以降のフレームを予備系の送信ポートの送信バッファに転送するように分岐部１２０を制御する。 - 特許庁

The processing host 1, upon receiving switching control data as a cue, sequentially transmits, by inter-system transfer, every data stored in the reception data buffer unit 4, thereby allowing the data to be stored in a reception data buffer unit 14 of a processing host 11 which is a standby system currently and which will be newly switched to the active system.例文帳に追加

処理ホスト１は切替制御用データの受信を契機として、受信データバッファ部４に格納されていた全てのデータを系間転送にて順次送信して、現在予備系で新たに現用系に切り替わる処理ホスト１１の受信データバッファ部１４に格納させる。 - 特許庁

The semiconductor laser is constituted, in such a way that due to the composition of a semiconductor layer, forbidden band gap widths of buffer layers 105 and 107 are larger than those of an active layer 106, and the forbidden gap widths of clad layers 104 and 108 are larger than those of buffer layers 105 and 107 that contact each of them.例文帳に追加

本発明の半導体レーザは、半導体層の組成より、活性層１０６よりバッファ層１０５、１０７の禁制帯幅が大きく、またクラッド層１０４、１０８の禁制帯幅は、それぞれに接するバッファ層１０５、１０７の禁制帯幅より大きくなるように構成する。 - 特許庁

An external CPU 35 judges that a command header in a buffer circuit 21 reaches the number of bytes set to a byte width designation register 33 when a flag 41 is active, and reads the command header from the buffer circuit 21 through an open gate circuit (any one of circuits 23-29) by one accessing.例文帳に追加

外部ＣＰＵ３５は、フラグ４１がアクティブであるとき、バッファ回路２１内のコマンドヘッダがバイト幅指定レジスタ３３に設定されたバイト数に達したと判断し、開いているゲート回路（２３〜２９のいずれか）を通じてバッファ回路２１からコマンドヘッダの読込みを１回のアクセスで行う。 - 特許庁

The distributed feedback semiconductor laser device is provided with an active layer 23 to join carriers again, clad layers 24 and 26 as a p-type semiconductor layer for supplying a hole to the active layer 23, a buffer layer 22 as an n-type semiconductor layer for supplying an electron to the active layer 23, a diffraction lattice layer 25 formed in the p-type semiconductor layer, and so on.例文帳に追加

分布帰還型半導体レーザ素子は、キャリア再結合を行う活性層２３と、活性層２３へホールを供給するｐ型半導体層であるクラッド層２４，２６層と、活性層２３へ電子を供給するｎ型半導体層であるバッファ層２２と、ｐ型半導体層の中に形成された回折格子層２５などで構成される。 - 特許庁

To provide a a silicon carbide substrate; an optoelectronic diode having a nitride active layer of group III; a buffer structure selected from a group consisting of gallium nitride and indium gallium nitride between the silicon carbide substrate and the optoelectronic diode, and an optoelectronic device in which stress induced destruction generated in the buffer structure is not generated in other part of the buffer structure but is generated in a specified region.例文帳に追加

炭化ケイ素基質；第ＩＩＩ族窒化物活性層を有するオプトエレクトロニックダイオード；炭化ケイ素基質とオプトエレクトロニックダイオードとの間の窒化ガリウムおよび窒化インジウムガリウムからなる群から選ばれる緩衝構造；および緩衝構造内で生じる応力誘発破壊が緩衝構造内の他の部分ではなくて所定の領域に生じるようなオプトエレクトロニックデバイスを提供する。 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2, an active layer 3, and an n-type InP clad layer 4 formed on a p-type InP substrate 1 are processed through a first dry etching process for the formation of a ridge 6.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板１の上に形成された、ｐ型ＩｎＰバッファ層２、活性層３およびｎ型ＩｎＰクラッド層４を第１のドライエッチングにより加工して、リッジ部６を形成する。 - 特許庁

A response message presenting part presents the response messages little by little from a buffer in an active state to each of the channel-categorized users with a pace understandable by the user asynchronously with user utterance by element units.例文帳に追加

応答メッセージ提示部は、活動状態のバッファからチャンネル別のユーザそれぞれに対して、応答メッセージを要素単位でユーザ発言とは非同期にユーザに理解できるペースで少しずつ提示する。 - 特許庁

In this structure, the distance D from the interface of the n-type substrate 1 and the buffer layer 11 to the center 5a of the active layer 5 is set longer than the beam spot radius (a) of 1/e^2 of laser beam.例文帳に追加

この構造において、ｎ型基板１とバッファ層１１との界面から、活性層５の中心５ａまでの距離Ｄが、レーザ光の１／ｅ^２のビームスポット半径ａよりも長くなるようにする。 - 特許庁

The light emitting diode comprises a p-type nitride semiconductor layer (3), an active layer (4), an n-type nitride semiconductor layer (5) and a current diffusion layer (6) which are arranged on a silicon support substrate (1) through a buffer layer (2).例文帳に追加

発光ダイオードはシリコン支持基板（１）の上にバッファ層（２）を介して配置されたｐ型窒化物半導体層（３）、活性層（４）、ｎ型窒化物半導体層（５）及び電流拡散層（６）を有する。 - 特許庁

Here, since the insulator 12 is embedded in the groove 11 which separates the buffer layers 5, the N-type clad layer 6, the MQW active layer 7 and the P-type clad layer 8 do not grow on the groove 11.例文帳に追加

このとき、バッファ層５を分離する溝１１に絶縁体１２が埋設されているので、溝１１上には、Ｎ型クラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびＰ型クラッド層８が成長しない。 - 特許庁

Moreover, the active layer 3 includes a P-type base region 6 which is formed away from the N-type buffer region 4 and an N-type emitter region 7 formed on the surface of the P-type base region 6.例文帳に追加

また、活性層３は、Ｎ型バッファ領域４から離間して形成されたＰ型ベース領域６と、Ｐ型ベース領域６の表面部に形成されたＮ型エミッタ領域７を備える。 - 特許庁

The via hole is formed, where the via hole passes through the insulation region of a semiconductor layer and a buffer layer from the surface side of the semiconductor layer having an active region and the insulation one to a semiconductor substrate.例文帳に追加

活性領域と絶縁領域とを有する半導体層の表面側から、この半導体層の絶縁領域およびバッファ層を貫通して半導体基板に至るバイア・ホールを形成する。 - 特許庁

A p-type well layer 4, an n-type buffer layer 7 and an n-type diffusion layer 20 are formed by impurity diffusion on the surface of the n-type active layer 3 between a source electrode 9 and a drain electrode 11.例文帳に追加

ソース電極９及びドレイン電極１１間で、ｎ^- 型活性層３の表面には、ｐ型ウエル層４、ｎ型バッファ層７、及びｎ型拡散層２０が不純物拡散により形成される。 - 特許庁

An n-type GaAlAs buffer layer 14, an n-type GaAs substrate 16, an n-type GaAlAs clad layer 18, and a GaAs active layer 20 (emission region) are formed on an n-type electrode 12.例文帳に追加

ｎ形電極１２上にｎ型ＧａＡｌＡｓバッファ層１４、ｎ形ＧａＡｓ基板１６、ｎ形ＧａＡｌＡｓクラッド層１８、ＧａＡｓ活性層２０（発光領域）が形成されている。 - 特許庁

A group III-V semiconductor device comprises a compositionally graded body 108 disposed over a substrate 102 and below a buffer layer 110 supporting an active area 112 of the group III-V semiconductor device.例文帳に追加

III−Ｖ族半導体装置は、基板１０２の上およびIII−Ｖ族半導体装置の活性領域１１２を支持するバッファ層１１０の下に配置された組成傾斜本体１０８を備える。 - 特許庁

To allow a slave device to easily find a storage position of an entry in a buffer storing information about active transaction for removing the entry when the corresponding transaction is canceled.例文帳に追加

スレーブ装置がアクティブトランザクションに関する情報を記憶するバッファ中のエントリの記憶位置を突き止めるのを容易にでき、対応するトランザクションが取消されたときエントリを除去することができる。 - 特許庁

There is used an active filter containing a buffer amplifier that branches the common-mode current from the earthing conductor by linear- driving two junction-type transistors or a MOSFET transistor through the transistor.例文帳に追加

２つの接合型トランジスタ又はＭＯＳＦＥＴトランジスタを線形に駆動して接地線からのコモンモード電流をトランジスタを介して分流する緩衝増幅器を含む能動フィルタを用いる。 - 特許庁

A semiconductor mesa of the laminate structure 33 includes a low-temperature GaN buffer layer 35, an n-type GaN layer 37, and an active layer 39 and a p-type gallium nitride-based semiconductor layer 37 of a quantum well structure.例文帳に追加

積層構造３３の半導体メサは、低温ＧａＮバッファ層３５、ｎ型ＧａＮ層３７、量子井戸構造の活性層３９及びｐ型窒化ガリウム系半導体層３７を含む。 - 特許庁

The buffer of which the value of pH and ionic strength are occasionally adjusted to sorts of the pharmacologically active protein to be purified, is used for eluting protein in pure condition.例文帳に追加

精製される薬理学的に活性なタンパク質の種類に対して、ときどき調整されるｐＨおよびイオン強度の値を有する緩衝液は、純粋な形態でのタンパク質の溶出のために使用される。 - 特許庁

An n-GaAs active layer 3 is grown on a GaAs substrate 1 via an AlGaAs high-resistance buffer layer 2, and an n-InGaP etching stopping layer 4 and an n+-GaAs cap layer 5 are grown (first step).例文帳に追加

ＧaＡs基板１上にＡlＧaＡs高抵抗バッファ層２を介してｎ-ＧaＡs活性層３を成長させ、更にｎ-ＩnＧaＰエッチング停止層４、ｎ^+-ＧaＡsキャップ層５を成長させる（第１の工程）。 - 特許庁

On a buffer layer 12 of the infrared semiconductor laser device 2A, a height-adjusting buffer layer 20 of n-type GaAs is provided which is sequentially formed with an interval from the infrared semiconductor laser device 1A and is adjusted in film thickness for improved crystallinity of semiconductor layers on the substrate 11 as well as for conformity between heights from the substrate surface of a first active layer 14 and a second active layer.例文帳に追加

赤色半導体レーザ素子２Ａには、バッファ層１２上に、赤外半導体レーザ素子１Ａと間隔をおいて順次形成され、基板１１上の各半導体層の結晶性を向上させると共に第１活性層１４と第２活性層との基板面からの高さが一致するように膜厚が調整されたｎ型のＧａＡｓからなる高さ調整用バッファ層２０を有している。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element has a buffer layer grown using a growth substrate made of ZnO and formed of an AlGaInN-based material including In, having a growth plane including a nitrogen polar plane; and an active layer formed on the buffer layer and formed of an AlGaInN-based material including In, having a growth plane including a group III polar plane.例文帳に追加

ＺｎＯからなる成長基板を用いて成長した、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層と、前記緩衝層上に形成され、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層と、を備える。 - 特許庁

The ANC unit (active noise processing unit) 2 is provided with a buffer amplifier 23 and is so constituted that the audio signal amplified by a power amplifier 13 of the audio head unit 1 is subjected to level regulation by the buffer amplifier 23 and is inputted to a mixer 22 and therefore the free exchanging is possible if the unit is the audio head unit containing the power amplifier.例文帳に追加

ＡＮＣユニット（能動的騒音処理ユニット）２にバッファアンプ２３を設け、オーデオヘッドユニット１のパワーアンプ１３で増幅されたオーデオ信号をバッファアンプ２３でレベル調整しミキサ２２に入力するように構成したので、パワーアンプを内蔵するオーデオヘッドユニットであれば自由に交換することができる。 - 特許庁

A single or multi-color light emitting diode (LED) with high extraction efficiency comprises a substrate 78, a buffer layer 76 formed on the substrate, one or more patterned layers 72 deposited on the top of the buffer layer, and one or more active layers 70 formed on or between the patterned layers.例文帳に追加

高い抽出効率を有する単色またはマルチカラーの発光ダイオード（ＬＥＤ）は、基板７８と、基板上に形成されたバッファ層７６と、バッファ層の上部に堆積された１つ以上のパターニングされた層７２と、パターニングされた層の上または層の間に形成された１つ以上のアクティブ層７０から構成される。 - 特許庁

Also, the SDRAM is provided with a SFF 32 latching an output signal DQM 1 of the input buffer 31 by an internal clock signal CLK 1 from the clock buffer 21, the input buffer 33 inputs a synchronous mask control signal DQMS from the SFF 32, a bank active recognizing signal BACT and a write-in state recognizing signal WENZ, and is activated/inactivated by the synchronous mask control signal DQMS.例文帳に追加

入力バッファ３１の出力信号ＤＱＭ１をクロックバッファ２１からの内部クロック信号ＣＬＫ１にてラッチするＳＦＦ３２を備え、入力バッファ３３は、ＳＦＦ３２からの同期マスク制御信号ＤＱＭＳと、バンクアクティブ認識信号ＢＡＣＴと書き込み状態認識信号ＷＥＮＺを入力し、アクティブ状態において同期マスク制御信号ＤＱＭＳにによって活性化／非活性化する。 - 特許庁

The semiconductor element includes an undoped GaN layer 3, an Si film 31, an n-type GaN layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type GaN layer 6 laminated in this order on an AlN buffer layer 2 formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上に形成されたＡｌＮバッファ層２上にアンドープＧａＮ層３、Ｓｉ膜３１、ｎ型ＧａＮ層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されている。 - 特許庁

The surface-emitting laser device 100 has a buffer layer 102, a lower part semiconductor DBR 103, a lower part spacer layer 104, an active layer 105, an upper spacer layer 106, an upper part semiconductor DBR 107, and a contact layer 109 stacked on a substrate 101.例文帳に追加

基板１０１上にバッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９が積層されている。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second clad layer, and a p-type contact layer are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

When rewrite of an MM 12 is performed (11), the memory update information is transferred to a back up node 20 (14) on registering its address A in a retransmission buffer 132 (12, 13) with sequential numbers S in an active node 10.例文帳に追加

現用ノード１０ではＭＭ１２の書き替えが行われる（１１）と、そのアドレスＡをシーケンシャル番号Ｓとともに再送バッファ１３２に登録した（１２，１３）上でメモリ更新情報を予備ノード２０に転送する（１４）。 - 特許庁

A GaAs buffer layer 12, a channel layer 13, a spacer layer 14, an electron supply layer 15 and a barrier layer 16 for constituting an active layer of a HEMT are laminated sequentially, for example, on a semi-insulating GaAs substrate 11.例文帳に追加

例えば半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上に、ＨＥＭＴの能動層を構成するＧａＡｓバッファ層１２、チャネル層１３、スペーサ層１４、電子供給層１５、障壁層１６が順に積層されている。 - 特許庁

An n+ buffer layer that is formed on the reverse side of an N- layer 11 consists of an inactive region 21 where the activation of ions is incomplete, and an active region 19 that is a region where the activation of ions has been improved.例文帳に追加

Ｎ^-層１１の裏面に形成されたｎ^+バッファ層は、イオンの活性化が不完全な領域である不活性領域２１と、イオンの活性化が高められた領域である活性領域１９とからなる。 - 特許庁

An n-GaAs buffer layer 2, n-A1GaAs clad layer 3, AlGaAs active layer 4, p-AlGaAs clad layer 5 and p-GaAs cap layer 6 are laminated on an n-GaAs substrate 1.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１の上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３、ＡｌＧａＡｓ活性層４、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５、ｐ−ＧａＡｓキャップ層６が順に積層されている。 - 特許庁

A semiconductor laser diode 10 includes a substrate 1, a buffer layer 2, a first cladding layer 3, an active layer 4, a second cladding layer 5, a contact layer 6, a first electrode 7, a second electrode 8 and a resonator end surface.例文帳に追加

半導体レーザダイオード１０は、基板１と、バッファ層２と、第１のクラッド層３と、活性層４と、第２のクラッド層５と、コンタクト層６と、第１の電極７と、第２の電極８と、共振器端面とを備える。 - 特許庁

A write command discriminating circuit 26 generates a first enable signal DSZ to active data input and clock signal input buffers 11 and 12 when the command COM inputted from the buffer 22 is a write command.例文帳に追加

ライトコマンド判定回路２６は外部コマンド入力バッファ２２から入力した外部コマンドCOMがライトコマンドであるとき、データ入力及びクロック信号入力バッファ１１，１２を活性化する第１のイネーブル信号DSZを生成する。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second-clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second-clad layer, and a p-type contact layer, are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

An n-type substrate 1, n-type buffer layer 2, GRIN-SCH-MQW active layer 3, p-type spacer layer 4, p-type clad layer 6, p-type contact layer 7, and p-side electrode 10 are successively laminated upon an n-side electrode 11 in this order.例文帳に追加

ｎ側電極１１の上にｎ−基板１、ｎ−バッファ層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−スペーサ層４、ｐ−クラッド層６、ｐ−コンタクト層７、ｐ側電極１０の順に積層する。 - 特許庁