「active buffer」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor layer is formed of a gallium nitride based compound semiconductor as a group-III nitride semiconductor, and has a buffer layer 71; an n-type barrier layer 72, an active layer 73; a p-type barrier layer 74; and a p-type contact layer 75, which are sequentially stacked on the silicon nitride substrate.例文帳に追加

半導体層は、ＩＩＩ族窒化物半導体である窒化ガリウム系化合物半導体から形成され、バッファ層７１と、ｎ型障壁層７２と、活性層７３と、ｐ型障壁層７４と、ｐ型コンタクト層７５とを有し、これらの層は炭化珪素基板上に順に積層されている。 - 特許庁

An active buffer is attached to a pulse tube freezer, and the pulse tube expander is characterized by rotary valves used as high pressure selector valve and low pressure selector valve communicating with a hot end part and as high pressure intake valve and low pressure supply valve communicating with the cold end part.例文帳に追加

アクティブバッファを取り付けたパルスチューブ冷凍機であって、温端部に連通する高圧切替弁および低圧切替弁並びに前記冷端部に連通する高圧吸気弁および低圧供給弁にロータリー弁を用いたことを特徴とするパルスチューブエキスパンダである。 - 特許庁

A legitimate token discrimination section 2b1 discriminates a legitimate token on the basis of tokens stored in a reception buffer at a lapse of a token multiple detection time after reception of the token addressed to an active system node 2a, and an abort section 2b2 aborts the token discriminated to be illegitimate.例文帳に追加

正当トークン判定部２ｂ１は、稼動系ノード２ａ宛のトークンを受信してからトークン多重検知時間が経過した時に、受信バッファに蓄積されているトークンに基づいて正当であるトークンを判定し、破棄部２ｂ２は、正当でないと判定されたトークンを破棄する。 - 特許庁

On one principal surface of an n-type Si substrate 11, the nitride-based group III-V compound semiconductor layer 13, an n-type active layer 14, and a p-type nitride-based group III-V compound semiconductor layer 15 are grown with a buffer layer 12 interposed therebetween to form the light emitting diode structure.例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ基板１１の一方の主面に、バッファ層１２を介してｎ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１３、活性層１４およびｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させて発光ダイオード構造を形成する。 - 特許庁

A buffer layer 2, an intermediate layer 3, a first contact layer 4a, a first clad layer 5, an active layer 6, a second clad layer 7 and a second contact layer 4b are formed on a board 1, an insulating film 8 is provided on the surface of the layer 4a and the layer 4b, and an electrode 9 is provided.例文帳に追加

基板１上にバッファ層２、中間層３、第一のコンタクト層４a、第一のクラッド層５、活性層６３、第二のクラッド層７、第二のコンタクト層４bを形成し、さらに第一のコンタクト層４aと第二のコンタクト層４bの表面上に絶縁膜８を設け、電極９を設けている。 - 特許庁

The implementation of active voltage positioning (AVP) improved for a power source of a microprocessor or the like includes an AVP circuit separated from a power source error amplifier 42 by a buffer amplifier 62 having parallel RC feedback circuits 64, 66 controllably adjusting a transient response.例文帳に追加

マイクロプロセッサ等の電源のための改良されたアクティブ電圧ポジショニング（ＡＶＰ）の実施は、過渡応答を制御可能に調整する並列ＲＣフィードバック回路６４，６６を有するバッファ増幅器６２により、電源誤差増幅器４２から分離されたＡＶＰ回路を含む。 - 特許庁

The negative electrode for a nonaqueous electrolyte secondary battery has a composite negative active material 13 comprising silicon-containing particles 11 capable of absorbing/releasing at least lithium ions and carbon nano-fibers 12; and a mix layer containing an expansion/contraction buffer material 14 having conductivity.例文帳に追加

本発明の非水電解質二次電池用負極は、少なくともリチウムイオンの吸蔵放出が可能な含ケイ素粒子１１とカーボンナノファイバ１２とからなる複合負極活物質１３と、導電性を有する膨張収縮緩衝材１４を含む合剤層を有する。 - 特許庁

A retrieval object position decision unit 303 sends an active signal to a line 114 when the current picture number of the input image is the same as the picture number in the retrieval object position information buffer 306, but sends an inactive signal to the line 114 when not.例文帳に追加

検索対象位置判定器３０３は、入力画像の現在のピクチャ番号が検索対象位置情報バッファ３０６のピクチャ番号と等しい場合には線路１１４にアクティブ信号を送る一方、等しくない場合には線路１１４にインアクティブ信号を送る。 - 特許庁

A buffer layer 102, a first contact layer 103, a first clad layer 104, a first optical guide layer 107, an active layer 108, a cap layer 109, a second optical guide layer 110, a second clad layer 111 and a second contact layer 112 are formed in order on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

サファイア基板１０１上に、バッファ層１０２、第１のコンタクト層１０３、第１のクラッド層１０４、第１の光ガイド層１０７、活性層１０８、キャップ層１０９、第２の光ガイド層１１０、第２のクラッド層１１１、及び第２のコンタクト層１１２を順次形成する。 - 特許庁

In addition, p- and n-type blocking layers 8 and 9 are arranged between the partial lower part of the buffer layer 2 and the spacer layer 5 by making the widths of the upper part of the spacer layer 2, active layer 3, and spacer layer 4 in the direction perpendicular to the emitting direction of laser light narrower than that of the substrate 1.例文帳に追加

また、ｎ−バッファ層２の上部と、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３とｐ−スペーサ層４は、レーザ光出射方向に対して垂直方向の幅がｎ−基板１よりも狭くしてｐ−ブロッキング層８、ｎ−ブロッキング層９とが配置されている。 - 特許庁

While heating the metal film 3 and thereby heating the infrared transmission substrate 2 through heat conduction, an n-type buffer layer 21, an n-type clad layer 22, an active layer 23, a p-type clad layer 24 and a p-type contact layer 25 are formed by epitaxial growth, on the other side of the infrared transmission substrate 2.例文帳に追加

金属膜３を加熱し、それによって、熱伝導で赤外線透過基板２を加熱しながら、赤外線透過基板２の他方の面に、エピタキシャル成長により、ｎ型バッファ層２１、ｎ型クラッド層２２、活性層２３、ｐ型クラッド層２４およびｐ型コンタクト層２５を形成する。 - 特許庁

A gain combination DFB laser 20 is a laser of oscillation wavelength of about 1,550 nm, and comprises, on an n-InP substrate 1, an n-InP buffer layer 2, active layer 3, p-InP spacer layer 4, p-InP upper-part clad layer 6, and p-GaInAs contact layer 7.例文帳に追加

本利得結合ＤＦＢレーザ２０は、発振波長約１５５０ｎｍのレーザであって、ｎ−ＩｎＰ基板１上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２、活性層３と、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層６、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層７の積層構造を有する。 - 特許庁

The command controlling parts output the address buffer controlling signal synchronizing with a clock signal when the delay controlling signal is in an inactive state and the command is in a usual mode wherein the command is a write command or a read command and when the delay controlling signal is in an active state and in a write command delay operating mode.例文帳に追加

コマンド制御部は、遅延制御信号がインアクティブ状態で、コマンドがライトコマンド又はリードコマンドである通常動作モードのときと、遅延制御信号がアクティブ状態で、ライト命令遅延動作モードのときに、クロック信号に同期してアドレスバッファ制御信号を出力する。 - 特許庁

Regarding the lens sheet in which a lens part composed of many lens units is formed on at least either surface of a transparent base material by an active energy ray curable resin, the many lens units are formed on the transparent base material via a buffer layer with a thickness of 1 to 10 μm.例文帳に追加

透明基材の少なくとも一方の面に、活性エネルギー線硬化樹脂により多数のレンズ単位からなるレンズ部が形成されてなるレンズシートにおいて、前記透明基材上に厚さ１〜１０μｍの緩和層を介して多数のレンズ単位が形成されているレンズシート。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 20 includes a plurality of layers including an n-type GaAs buffer layer 2 that are formed on an n-type GaAs substrate 1, and an InGaAs multiple quantum well active layer 5 including two InGaAs quantum well layers 5A and 5B having different light-emitting peak wavelengths that is formed on the plurality of layers.例文帳に追加

半導体発光素子２０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２等の複数の層が形成され、さらに発光ピーク波長が異なる二つのＩｎＧａＡｓ量子井戸層５Ａ、５Ｂを含むＩｎＧａＡｓ多重量子井戸活性層５が形成されている。 - 特許庁

On the surface of an n-GaAs substrate 2, a clad layer 3, an MQW active layer 4, a first clad layer 5, an etching stop layer 6, a block layer 7, a second clad layer 8, a buffer layer 9, and a p-electrode 11 are formed, and an n-electrode 1 is formed on the back of the n-GaAs substrate 2.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、第１クラッド層５、エッチングストップ層６、ブロック層７、第２クラッド層８、バッファ層９、ｐ電極１１が積層され、ｎ−ＧａＡｓ基板２の裏側にはｎ電極１が形成されている。 - 特許庁

Where the compound represented by formula (I) or the crystalline forms thereof is used in combination with another medicament for the treatment of dysuria, pharmaceutical compositions can be formulated by admixing separately each of active ingredients, or admixing concurrently both of active ingredients, with pharmaceutically acceptable additives such as excipient, disintegrator, binder, lubricant, diluent, buffer, isotonic agent, preservative, wetting agent, emulsifying agent, dispersing agent, stabilizing agent, solubilizing agent and the like, and administered separately or concurrently in an oral or pareteral dosage form. 例文帳に追加

本発明の式（Ｉ）で表される化合物またはその結晶と、他の排尿障害治療薬とを組み合わせて使用する場合、これらの有効成分を別々にまたは同時に、薬理学的に許容される賦形剤、崩壊剤、結合剤、滑沢剤、希釈剤、緩衝剤、等張化剤、防腐剤、湿潤剤、乳化剤、分散剤、安定化剤、溶解補助剤などと混合し、医薬組成物として経口または非経口的に投与することができる。 - 特許庁

This therapeutic agent for the infection in the wounded part comprises gentian violet having antimicrobial activity as an active ingredient, a citric acid buffer agent for enhancing the antimicrobial activity of the gentian violet, stabilizing the product and eliminating irritation with pH during the treatment of the infection in the wounded part and preferably a saccharide ingredient for preventing the gentian violet from depositing.例文帳に追加

有効成分として抗菌活性を有するゲンチアナバイオレットと、ゲンチアナバイオレットの抗菌活性を増強し、かつ製品の安定化及び創傷創部感染治療時のpHによる刺激性を無くすためのクエン酸系H緩衝剤、及び好ましくはゲンチアナバイオレットの析出を防止するための糖成分を含有する。 - 特許庁

The input and output device 4 connected between the active system computer 2 and a standby system computer 3 performing the same arithmetic processing, and external apparatuses 6 and 7 stores data received from the external apparatuses 6 and 7 in an input data buffer 43, and then inputs the data to both the computers 2 and 3.例文帳に追加

同一の演算処理を行う稼動系計算機２及び待機系計算機３と外部機器６，７との間に接続された入出力装置４は，外部機器６，７から受信したデータを入力データバッファ４３に格納してから稼動系計算機２及び待機系計算機３の両方に入力する。 - 特許庁

A driving circuit integrated type active matrix display device is equipped with a display panel, a controller IC 102 having a display memory 111, an output buffer 12 reading data out of the display memory and outputting them to a display panel part, and a controller 113 communicating with a host device and performing control.例文帳に追加

駆動回路一体型のアクティブマトリクス型表示装置において、表示パネル部の外に、表示メモリ１１１と、表示メモリからデータを読み出し表示パネル部へ出力する出力バッファ１１２と、上位装置との通信並びに制御を司るコントローラ１１３と、を有するコントローラＩＣ１０２を備える。 - 特許庁

When a management packet recognition section 512 of the node 402 detects this packet and informs a selector 505 about the detection of the packet, the selector 505 selects an input from a parallel output buffer 504, and receives the packet that the node unit 402 cannot receiver, so as to reconfigure a ring which uses an active system and a standby system which does not use the interrupted part of the transmission line.例文帳に追加

ノード４０２の管理パケット認識部５１２がこのパケットを検知し、セレクタ５０５に通知すると、セレクタ５０５は、並列出力バッファ５０４からの入力を選択し、ノード装置４０２が受信できなかったパケットを受信し、切断箇所を使用しない運用系と予備系によるリングが再構成される。 - 特許庁

A mask 11 for selective growth is formed on a sapphire substrate 1 as a substrate for growth, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order on an AlN buffer layer 2, and a mixed doped GaN layer 6a is formed on the p-type GaN layer 6.例文帳に追加

成長用基板であるサファイア基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されており、ｐ型ＧａＮ層６上には混合ドープＧａＮ層６ａが形成される。 - 特許庁

To provide a method for hydrolyzing a substrate using hydrolase, with which the active state of hydrolase is retained from the start point to the end point of hydrolysis reaction between the substrate and the hydrolase by effectively using the activation function of the hydrolase in water formed by electrolysis and the hydrolysis reaction is promoted without using a buffer solution in a reaction system.例文帳に追加

電解生成水の加水分解酵素の活性化機能を有効に利用して、基質と加水分解酵素との加水分解反応の開始時点から終了時点までの間、加水分解酵素の活性状態を保持して、反応系に緩衝液を使用することなく、加水分解反応を促進すること。 - 特許庁

The water-soluble preparation for a prefilled syringe or an infusion bag comprises 0.006-0.3 w/w% 3-methyl-1-phenyl-2-pyrazolin-5-one, 0.001-2 w/w% sodium bisulfite and 0.001-0.1 w/w% disodium edetate as active ingredients and 1-50 mM citrate buffer solution.例文帳に追加

有効成分として３−メチル−１−フェニル−２−ピラゾリン−５−オン０．００６〜０．３Ｗ／Ｗ％、亜硫酸水素ナトリウム０．００１〜２Ｗ／Ｗ％及びエデト酸２ナトリウム０．００１〜０．１Ｗ／Ｗ％、１〜５０ｍＭクエン酸緩衝液を含有することを特徴とするプレフィルドシリンジ用又は輸液バッグ用の水溶性製剤。 - 特許庁

By setting the designated number of bits to a small number, the display of large size is achieved when reading still picture data from the display memory 20 and displaying a still picture on the display panel 140, while part of a plurality of buffer circuits in a gradation voltage generation circuit 36 is controlled to be in a non-active state.例文帳に追加

指定ビット数を小さなビット数とすることによって、表示メモリ２０から静止画データを読み出して表示パネル１４０に静止画を表示する際に、大きなサイズの表示を可能とする一方、階調電圧生成回路３６の複数のバッファ回路の一部を非活性状態に制御する。 - 特許庁

Initialization commands (NR) given from a command input buffer 2 are decoded, initialization operation mode indicating signals are generated by an initialization command decoding circuit 3a, when all of these initialization operation mode indicating signals are made active states in the prescribed sequence, a normal command decoding circuit 3b is activated by an initial setting control circuit 3c.例文帳に追加

コマンド入力バッファ（２）から与えられる初期化コマンド（ＮＲ）をデコードし、初期化動作モード指示信号を初期化コマンドデコード回路（３ａ）から発生し、この初期化動作モード指示信号が所定のシーケンスですべて活性状態とされたときに、初期設定制御回路（３ｃ）により、通常コマンドデコード回路（３ｂ）を能動化する。 - 特許庁

An n-type buffer layer 102, n-type first clad layer 103, MQW active layer 104, p-type second clad layer 105, p-type etch stop layer 106 of energy band gap smaller than that of this second clad layer 105, p-type third clad layer 107 comprising the ridge part, and p-type protection layer 108 are provided on a GaAs substrate 101.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型第１クラッド層１０３、ＭＱＷ活性層１０４、ｐ型第２クラッド層１０５、この第２クラッド層１０５よりもエネルギーバンドギャップの小さいｐ型エッチング停止層１０６、リッジ部を構成するｐ型第３クラッド層１０７、ｐ型保護層１０８を備える。 - 特許庁

The nitride compound semiconductor epitaxial wafer is constituted by successively laminating a buffer layer 2, an n-type GaN clad layer 3, an active layer 4 of multiple quantum well structure consisting of an undoped InGaN well layer, and an undoped GaN barrier layer, p-type clad layers 5, 6, and a p-type InGaN contact layer 7 on a substrate 1.例文帳に追加

本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハは、基板１上にバッファ層２、ｎ型ＧａＮクラッド層３、アンドープＩｎＧａＮ井戸層とアンドープＧａＮ障壁層とからなる多重量子井戸構造の活性層４、ｐ型クラッド層５，６、及びｐ型ＩｎＧａＮコンタクト層７が順次積層されている。 - 特許庁

On a sapphire substrate 1, a GaN buffer layer 2, an n-type GaN contact layer 3, an MWQ active layer 4, and a p-type GaN contact layer 5 are stacked in order, and a partial region is mesa-etched from the p-type GaN contact layer 5 halfway to the n-type GaN contact layer 3 to form an (n) electrode 7.例文帳に追加

サファイア基板１上に、ＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮコンタクト層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型ＧａＮコンタクト層５が順次積層されており、ｐ型ＧａＮコンタクト層５からｎ型ＧａＮコンタクト層３の途中まで一部領域がメサエッチングされて、ｎ電極７が形成されている。 - 特許庁

A DFB laser device 10, an embedding hetero type having an oscillation wavelength of 1,550 nm, comprises, on an n-InP substrate 12, an n-InP buffer layer 14, an active layer 16, a p-InP spacer layer 18, a grating 20 consisting of GaInAsP layer, and a lamination structure of p-InP first cladding layer 22 in which a grating is embedded.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ素子１０は、発振波長が１５５０ｎｍの埋め込みへテロ型であって、ｎ-ＩｎＰ基板１２上に、ｎ-ＩｎＰバッファ層１４、活性層１６、ｐ-ＩｎＰスペーサ層１８、ＧａＩｎＡｓＰ層からなる回折格子２０、及び回折格子を埋め込んだｐ-ＩｎＰ第１クラッド層２２の積層構造を備える。 - 特許庁

In this semiconductor memory, a series of pulse signals is generated responding to that an internal chip selection signal from an internal chip selection buffer is activated when an external chip selection signal transitions from an inactive state to an active state, and hence a chip selection output time tco is made shorter than a conventional output time.例文帳に追加

本発明よる半導体メモリ装置は、外部チップ選択信号が非活性状態から活性状態に遷移する時に内部チップ選択バッファからの内部チップ選択信号が活性化されることに応答して一連のパルス信号を発生するので、従来に比べてチップ選択出力時間ｔｃｏが短縮される。 - 特許庁

The active buffer device 10 comprises a variable displacement casing and a means for expanding the volume of the casing, and the casing is in fluid connection with a first tube array 31 between the control mechanism 5 and the sewer pipe 3 through a flow port 105 to induce the first tube array 31 to a sucking action.例文帳に追加

この活動的なバッファ装置（１０）は、可変容積の筐体と、筐体の容積を拡張させる手段とを含み、第一のチューブ配列（３１）に吸引作用を誘起させるために、筐体が流通口（１０５）を通して制御機構（５）と下水パイプ（３）との間の第一のチューブ配列（３１）に流体連結される。 - 特許庁

Buffer layers 101 and 102, a first lower clad layer 103 and a second lower clad layer 104, an active layer 105, a first upper clad layer 106, an etching stop layer 107, a second upper clad layer 108, an intermediate band gap layer 109, and a cap layer 110 are laminated in this sequence on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００の上にバッファ層１０１、バッファ層１０２、第１下側クラッド層１０３、第２下側クラッド層１０４、活性層１０５、第１上側クラッド層１０６、エッチングストップ層１０７、第２上側クラッド層１０８、中間バンドギャップ層１０９、キャップ層１１０がこの順で積層してある。 - 特許庁

The active lightweight sound isolation unit 20 is constituted by stacking a bottom plate section 13 formed by stacking plastic corrugated boards 13a and 13b, on the flat speaker 21 formed by pinching a thin printed coil plate 21e via buffer sheets 21ga and 21gb with permanent magnet plate 21a, 21b, thereby reducing a primary sound source.例文帳に追加

薄型プリントコイル板２１ｅを緩衝シート２１ｇａ、２１ｇｂを介して永久磁石板２１ａ、２１ｂで挟んで形成した平面スピーカ２１に、プラスチックダンボール１３ａ、１３ｂを重ねて形成した底板部１３を重ねたアクティブ軽量遮音ユニット２０を構成することによって、一次音源を低減する。 - 特許庁

An N-type GaAs buffer layer, an N-type InGaP clad layer, an InGaAsP barrier layer, an InGaAs active layer, an InGaAsP barrier layer, a P-type InGaP clad layer, a P-type InGaAsP etching stop layer, a P-type InGaP clad layer, and a P-type GaAs contact layer are successively laminated on an N-type GaAs substrate.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板11上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層12、ｎ型ＩｎＧａＰクラッド層13、ＩｎＧａＡｓＰバリア層14、ＩｎＧａＡｓ活性層15、ＩｎＧａＡｓＰバリア層16、ｐ型ＩｎＧａＰクラッド層17、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰエッチングストップ層18、ｐ型ＩｎＧａＰクラッド層19、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層20を順次積層する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1 having an active region on the surface side, a through electrode 24 of a conductive material formed so as to penetrate from the surface to a rear face of the semiconductor substrate 1, and a stress buffer part 25 formed to be surrounded by the through electrode 24 and different from the conductive material.例文帳に追加

半導体装置は、表面側に活性領域を有する半導体基板１と、半導体基板１の表面から裏面までを貫通するように形成され、導電材からなる貫通電極２４と、貫通電極２４に囲まれるように形成され、導電材とは異なる応力緩衝部２５とを備えている。 - 特許庁

In a signal driving circuit of an active matrix type liquid crystal display device, n switches 161 to 16n are provided between buffer circuits 151 to 15n to which voltages responsive to an image to be displayed are inputted through reference voltage selecting circuits 131 to 13n and output terminals T1 to Tn to which video signal lines are connected.例文帳に追加

アクティブマトリクス型液晶表示装置の信号線駆動回路において、表示すべき画像に応じた電圧が基準電圧選択回路１３１〜１３ｎから入力されるバッファ回路１５１〜１５ｎと映像信号線が接続される出力端子Ｔ１〜Ｔｎとの間に、ｎ個の切換スイッチ１６１〜１６ｎを設ける。 - 特許庁

Impurity diffusion layers 4, a buffer insulating layer 4 composed of (Ce, Zr)O2 (or CeO2), the second ferroelectric layer 5 comprising Bi3TiNbO9, the first ferroelectric layer 6 consisting of Bi4Ti3O12, and a gate electrode 7 composed of polysilicon are laminated successively in an active region surrounded by the LOCOS film 2 of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１のＬＯＣＯＳ膜２によって囲まれる活性領域には、不純物拡散層４と、（Ｃｅ，Ｚｒ）Ｏ_2 （又はＣｅＯ_2 ）からなるバッファ絶縁層４と、Ｂｉ_3 ＴｉＮｂＯ_9 からなる第２の強誘電体層５と、Ｂｉ_4 Ｔｉ_3 Ｏ__12からなる第１の強誘電体層６と、ポリシリコンからなるゲート電極７とが順に積層されている。 - 特許庁

A driving voltage is applied to a liquid crystal in a display cell by applying signal voltages Vsp, Vsn from a signal line driving circuit 3 to display electrodes on a matrix substrate 11 via active elements such as TFTs, and also applying a common voltage Vcom common to each display cell 13 to a counter electrode on a counter substrate 12 via a buffer circuit 4.例文帳に追加

ＴＦＴなどのアクティブ素子を介して信号線駆動回路３からの信号電圧Ｖsp・Ｖsnをマトリクス基板１１上の表示電極に印加するとともに、各表示セル１３に共通の共通電圧Ｖcom をバッファ回路４を介して対向基板１２上の対向電極に印加することで、表示セル１３における液晶に駆動電圧を印加する。 - 特許庁

When the link controller 100 receives a link clock signal LINKCLK, a link clock enable signal LINKCLKEN, and packet data RXDATA from the transceiver 40 and if the signal LINKCLKEN becomes active, the link controller 100 starts to supply a clock signal BUFCLK to a packet buffer circuit 104, into which the packet data are stored, and analyzes the packet.例文帳に追加

リンクコントローラ１００は、トランシーバ４０からリンククロック信号ＬＩＮＫＣＬＫとリンククロックイネーブル信号ＬＩＮＫＣＬＫＥＮとパケットデータＲＸＤＡＴＡを受け、信号ＬＩＮＫＣＬＫＥＮがアクティブになった場合に、パケットデータが格納されるパケットバッファ回路１０４へのクロック信号ＢＵＦＣＬＫの供給を開始し、パケットの解析を行う。 - 特許庁

An n-GaAs buffer layer 102, n-AlGaInP clad layer 103, active layer 104, p-AlGaInP lower clad layer 105, p-AlGaInP etching stopper layer 106, p-AlGaInP upper clad layer 107, p-GaInP intermediate layer 108, and p-GaAs lower contact layer 109 and grown in sequence on an n-GaAs substrate 101.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０３、活性層１０４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層１０５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰエッチングストッパ層１０６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ上部クラッド層１０７、ｐ−ＧａＩｎＰ中間層１０８、ｐ−ＧａＡｓ下部コンタクト層１０９をその順序で成長させる。 - 特許庁

Signal voltages Vsp, Vsn from a signal line driving circuit 3 are applied via an active element, such as a TFT, onto a display electrode on a matrix substrate 11, and a common voltage Vcom common to each display cell 13 is applied via a buffer circuit 4 to a counter electrode on a counter substrate 12, thereby applying a driving voltage to the liquid crystal in the liquid crystal display 13.例文帳に追加

ＴＦＴなどのアクティブ素子を介して信号線駆動回路３からの信号電圧Ｖsp・Ｖsnをマトリクス基板１１上の表示電極に印加するとともに、各表示セル１３に共通の共通電圧Ｖcom をバッファ回路４を介して対向基板１２上の対向電極に印加することで、表示セル１３における液晶に駆動電圧を印加する。 - 特許庁

Examination is performed for providing a deodorization filter for efficiently absorbing the basic gas and keeping the deodorization effect, and as the result, it is found that, by treating a filter in a honeycomb shape comprising active carbon mixed paper with a phosphoric acid buffer solution, the deodorization filter which remarkably keeps the deodorization effect of the basic gas is provided easily at a low cost.例文帳に追加

本発明は、塩基性ガスを効率よく吸着し、消臭効果の持続する消臭フィルターを提供すべく鋭意検討を行なった結果、活性炭混抄紙で構成したハニカム形状のフィルターを、リン酸緩衝溶液で処理することによって、塩基性ガスの消臭効果が飛躍的に持続する消臭フィルターを、安価に簡単に提供できることを見出し、本発明に至ったものである。 - 特許庁

The filter unit for the fuel battery with durability is provided by forming and combining together a first filter which has a density gradient in a direction where gas flows and is made of fiber treated with an acid buffer solution, a second filter having a metal phthalocyanine complex and weak alkaline metallic salt carried by a honeycombed or corrugated filter made of active carbon fiber-blended paper, and a third filter which is a pleats filter containing fiber carrying metal zeolite.例文帳に追加

気体の流れる方向に対して密度勾配のある、酸性緩衝液で処理した繊維からなる第１フィルターと、金属フタロシアニン錯体と弱アルカリ性金属塩を、活性炭混抄紙で構成したハニカムまたはコルゲート形状のフィルターに担持させた第２フィルターと、金属ゼオライトを担持した繊維を含むプリーツフィルターの第３フィルターを作成し、これらを組み合わすことによって、耐久性のある燃料電池用のフィルターユニットを提供できる。 - 特許庁