「active buffer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A bandgap on the first buffer layer 21 is larger than a bandgap on the first active layer 23, while a bandgap on the second buffer layer 31 is larger than a bandgap on the second active layer 33.例文帳に追加

第１のバッファ層２１のバンドギャップは、第１の活性層３３のバンドギャップよりも大きく、第２のバッファ層３１のバンドギャップは、第２の活性層３３のバンドギャップよりも大きい。 - 特許庁

The method for producing the optically active epoxy compound includes adding a buffer agent or a buffer liquid to a reaction system when epoxidizing an unsaturated compound by an oxidizer (especially hydrogen peroxide) in the presence of an optically active titanium-salen complex catalyst and an optically active titanium-salan complex catalyst.例文帳に追加

光学活性チタンサレン錯体触媒及び光学活性チタンサラン触媒の存在下で、不飽和化合物を酸化剤（特に過酸化水素）によりエポキシ化するに当り、反応系中に緩衝剤又は緩衝液を添加する。 - 特許庁

An ordinary same action buffer continues its operation while a reference signal REF is active.例文帳に追加

通常同作用バッファ１３は、レファレンス信号ＲＥＦがアクティブである間は、ずっと動作する。 - 特許庁

The distance from the interface between the retaining substrate and the buffer layer to the active layer is at least 2 μm.例文帳に追加

支持基板とバッファ層との界面から活性層までの距離が２μｍ以上である。 - 特許庁

In the receiving mode, the buffer is calibrated to another specified impedance as the active end.例文帳に追加

受取モードでは、バッファが、能動終端として指定されたもう１つのインピーダンスに較正される。 - 特許庁

The thin-film transistor includes a gate electrode, an active layer, a source electrode, a drain electrode, and a buffer layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、ゲート電極、アクティブ層、ソース電極、ドレイン電極、及びバッファ層を含む。 - 特許庁

Secondarily, notches are formed in a buffer layer which supports the electrode 94 of the thin film active device so as to divide the stress added to the buffer layer.例文帳に追加

第２に、薄膜アクティブ素子の電極９４を支持するバッファ層に、バッファ層に加わる応力を分断するための切り込みを設ける。 - 特許庁

The low active generator 40 generates a low active signal lowactive, a delay generator 42 enables a delay signal tRAS delay according to that low active signal lowactive and the delay signal tRAS delay is fed back to the input buffer generator 34.例文帳に追加

ローアクティブジェネレータ４０は、ローアクティブ信号lowactiveを発生し、遅延ジェネレータ４２は、そのローアクティブ信号low activeに従って遅延信号tRAS delayをイネーブルさせ、遅延信号tRAS delayは、入力バッファジェネレータ３４にフィードバックされる。 - 特許庁

By selectively forming the buffer layer 510 in the region where the thin film active device 90 possesses, the periphery of the patterned buffer layer 510 acts as notches.例文帳に追加

薄膜アクティブ素子９０が占める領域部分に選択的にバッファ層５１０を形成すれば、パターン化したバッファ層５１０の周囲が切り込みになる。 - 特許庁

Further, the buffer circuit includes a phase adjusting circuit 402 for limiting the signal width (the time during which the signal is active level) of the sampling control signals.例文帳に追加

さらにサンプリング制御信号の信号幅を制限する位相調整回路４０２を有する。 - 特許庁

The bidirectional output buffer includes an active terminal, by which a drive impedance and a receiving impedance are isolated.例文帳に追加

両方向出力バッファに、能動終端が含まれ、駆動インピーダンスと受取インピーダンスが分離される。 - 特許庁

A command buffer circuit 12 receives an active command signal ACT from the outside according to a clock signal CLK.例文帳に追加

コマンドバッファ回路１２は、クロック信号ＣＬＫに応じて外部からアクティブコマンド信号ＡＣＴを受ける。 - 特許庁

After the switching, the active system aborts the received cell and aborts cells left in the cell storage buffer.例文帳に追加

切り替え後は、現用系では受信セルを廃棄すると共に、セル保管バッファに残っているセルを廃棄する。 - 特許庁

Buffer memories 41-4N temporarily store an active system master signal by a write control signal of the active system and a buffer memory 4Y temporarily stores a standby master signal by a standby system write control signal.例文帳に追加

バッファメモリ４１〜４Ｎは現用系主信号を現用系の書込み制御信号によって一時的に記憶し、バッファメモリ４Ｙは予備系主信号を予備系書込み制御信号によって一時的に記憶する。 - 特許庁

When the active system transmits the cell with the mark attached thereto, the standby system aborts the same cell stored in the storage buffer.例文帳に追加

現用系でマーク付きセルが送信された場合、待機系ではセル保管バッファから同一セルを廃棄する。 - 特許庁

The n-type buffer layer 3 and the n-type guide layer 5 are arranged so as to interpose the quantum cascade active layer 4.例文帳に追加

ｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５は、量子カスケード活性層４を挟むように配置される。 - 特許庁

A semiconductor device comprising an active structure comprising a substrate, a buffer structure or nucleus generation structure, and a circuit element.例文帳に追加

基板(2)、緩衝構造又は核生成構造、及び回路要素を含む活性構造(6)を備えた半導体デバイス。 - 特許庁

The cathode buffer layer 5 is provided between the active layer and the cathode 6, and contains a compound having a cinnoline skeleton.例文帳に追加

陰極バッファ層５は、活性層と陰極６との間に設けられ、シンノリン骨格を有する化合物を含む。 - 特許庁

An n-InP buffer layer 2, an InGaAsP active layer 3, and a first p-InP clad layer 4 are stuck on an n-type InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ型InP基板１の上に、ｎ−InPバッファ層２、InGaAsP活性層３、第１ｐ−InPクラッド層４が積層されている。 - 特許庁

Secondly, a buffer layer 500 to support an electrode 94 of the thin film active element 90 is thinly formed in the shape of a solid image to such an extent that does not impair a function of the buffer layer.例文帳に追加

第２に、薄膜アクティブ素子９０の電極９４を支持するバッファ層５００を、バッファ層の機能を損なわない範囲でベタ状に薄く形成する。 - 特許庁

In a terminal circuit corresponding to the communication mode signal, the communication mode is selected by a selector and an input buffer is made active by an input buffer control signal.例文帳に追加

該通信モード信号に対応する端子回路ではセレクタにより該通信モードが選択され、入力バッファ制御信号により入力バッファがアクティブにされる。 - 特許庁

Corresponding to an active/standby switching trigger signal, the timing control part 136 compares the contents of respective packets, the read starting position of the buffer 132 is changed to the packet, which can be switched with the active packet held in the buffer, and after phase control, a changeover switch 135 is switched and controlled from the active system to the standby system.例文帳に追加

このタイミング制御部１３６では、現用・予備切替トリガ信号に応じて、パケットの内容を比較し、現用系のバッファ保持パケットと切替可能なパケットにバッファ１３２の読み出し開始位置を変更し、位相調整後、切替スイッチ１３５を現用系から予備系に切替制御する。 - 特許庁

If her cmr link was still active then there's a good chance that your killer's image is still in the buffer of my... his system.例文帳に追加

彼女cmrリンクは、その後、まだthere'sa良い機会 アクティブであった場合 あなたのキラーのイメージが私の... のバッファにまだ であること - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

If her cmr link was still active then there's a good chance that your killer's image is still in the buffer of my... his system.例文帳に追加

彼女CMRリンクは、その後、まだthere'sa良い機会 アクティブであった場合 あなたのキラーのイメージが私の... のバッファにまだ であること - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

The first resonator 12 has a first semiconductor layer 20 including a first buffer layer 21 and a first active layer 23, while the second resonator 13 has a second semiconductor layer 30 including a second buffer layer 31 and a second active layer 33.例文帳に追加

第１の共振器１２は、第１のバッファ層２１と第１の活性層２３を含む第１の半導体層２０とを有し、第２の共振器１３は、第２のバッファ層３１と第２の活性層３３を含む第２の半導体層３０とを有している。 - 特許庁

An input and output buffer control circuit 9 controls an external output controls in a usual mode so that the external output can be output if an identifying signal P for a fetch instruction is not active as well as the external output can not be output to an address buffer 11 and an input/output data buffer 12 if the identifying signal P for the fetch instruction is active.例文帳に追加

通常のモードでは、入出力バツファ制御回路９は、命令フェッチ認識信号Ｐがアクティブな時アドレス出力バツファ１１およびデータ入出力バツファ１２に対し外部出力をしないように、また命令フェッチ認識信号Ｐがアクティブでないときは出力できるように制御する。 - 特許庁

This chamber houses a rear gas buffer groups and a working gas containing the active gas selected to impart desirable spectral rays.例文帳に追加

該チャンバは希ガス緩衝ガスおよび望ましいスペクトル線を与えるように選択された活性ガスを含む作業ガスを収容する。 - 特許庁

To sufficiently ensure a setup time in an input buffer circuit without decreasing an active time of an input signal.例文帳に追加

入力信号の振幅時間を減少させることなく、入力バッファ回路におけるセットアップ時間を十分に確保する。 - 特許庁

A buffer layer 11, a non-doped gallium nitride layer 12 and an n-type gallium nitride active layer 13 are formed on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

サファイア基板１０上に、バッファ層１１、ノンドープの窒化ガリウム層１２及びｎ型窒化ガリウム活性層１３を形成する。 - 特許庁

On the buffer film, an oxidation prevention film pattern having an opening in the form of line crossing the active region 302 is formed.例文帳に追加

この緩衝膜上に活性領域３０２を横切るライン形態の開口部を有する酸化防止膜パターンを形成する。 - 特許庁

After forming the trench portion 111 on the substrate 110, by sequentially depositing the buffer layer 120, the n-contact layer 130, and the active layer 140 on the trench portion 111, the area of light emission of the active layer 140 is increased.例文帳に追加

基板110にトレンチ部111を形成した後、トレンチ部111にバッファ層120、ｎ−コンタクト層130、及び活性層140を順次に蒸着することによって、活性層140の発光面積が増大する。 - 特許庁

Consequently, each selection circuit particularizes at least one active inverter among a plurality of the inverters in response to the control signal and uses the buffer circuit for supplying the input signal to the active inverter as an input buffer of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

そのうえで、その選択回路は、前記制御信号に応答して、前記複数のインバータから少なくとも一つの動作インバータを特定し、前記動作インバータに前記入力信号を供給するバッファ回路を半導体集積回路の入力バッファとして用いる。 - 特許庁

An active-system encoder 1 encodes a video signal from an external device, accumulates the encoded video signal in a buffer, and transmits the video signals accumulated in the buffer.例文帳に追加

現用系符号化装置１は、外部装置からの映像信号を符号化し、符号化された前記映像信号をバッファに蓄積するとともに、前記バッファに蓄積された前記映像信号を送信する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element includes on a substrate 10: a buffer layer 11; a lower clad layer 12; an active layer 13; an upper clad layer 14; and a contact layer 15.例文帳に追加

基板１０上に、バッファ層１１、下部クラッド層１２、活性層１３、上部クラッド層１４およびコンタクト層１５を備える。 - 特許庁

The photonic crystal layer 7 is stacked on the n-type buffer layer 3 and the n-type guide layer 5, and is independent of the quantum cascade active layer 4.例文帳に追加

フォトニック結晶層７は、ｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５と積層され、量子カスケード活性層４と独立している。 - 特許庁

On the composition modulation buffer layer 20, first semiconductor layer 40 is formed which includes an active layer made of a nitride semiconductor.例文帳に追加

組成変調バッファ層２０上に、窒化物半導体からなる活性層を含む第１の半導体層４０が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device has an active region 10 including a core circuit formation region 1 and a buffer formation region 2, and a fuse element formation region which is arranged at a corner part of the active region and can electrically be blown.例文帳に追加

半導体装置は、コア回路形成領域およびバッファ形成領域を含む活性領域と、活性領域の角部に配置された電気的に溶断可能なヒューズ素子形成領域とを有する。 - 特許庁

A GaN buffer layer 2, an n-type GaN layer 3, an n-type AlGaInN cladding layer 4, a GaN active layer 5, a p-type AlGaInN cladding layer 6, and a p-type GaN layer 7 are sequentially deposited on a sapphire substrate 1 in this order.例文帳に追加

サファイア基板１上にGaNバッファ層２、n-GaN層３、n-AlGaInNクラッド層４、GaN活性層５、p-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７を順次堆積する。 - 特許庁

At the input of an active command in timing T1, a row address is input to an address buffer, but a row decoder is not operated, and a word line is not selected.例文帳に追加

タイミングＴ１のアクティブコマンドの入力時、ロウアドレスがアドレスバッファに入力されるが、ロウデコーダは動作せず、ワード線は選択されない。 - 特許庁

On the composition modulation buffer layer 20, first and second semiconductor layers 40 and 50 are formed which include active layers made of nitride semiconductors.例文帳に追加

組成変調バッファ層２０上に、窒化物半導体からなる活性層を含む第１及び第２の半導体層４０，５０が形成されている。 - 特許庁

A buffer layer 2, an n-type clad layer 3, a multiple well structure active layer 4, and a p-type clad layer 5 are provided on a silicon wafer 1 of low resistance.例文帳に追加

低抵抗のシリコン基板１の上にバッファ層２、ｎ型クラッド層３、多重井戸構造活性層４、ｐ型クラッド層５を設ける。 - 特許庁

The multiple stages of the substrate 11 are taken over to the buffer layer 12, the n-type semiconductor region 13, the active layer 14, and the p-type semiconductor region 15.例文帳に追加

基板１１の多段ステップをバッファ層１２、ｎ形半導体領域１３、活性層１４、ｐ形半導体領域１５に引き継がせる。 - 特許庁

The upper part of the spacer layer, active layer, and buffer layer is worked into a mesa- stripe, with its both sides embedded with p/n-InP layers 8/9.例文帳に追加

スペーサ層、活性層及びバッファ層の上部は、メサストライプ状に加工され、その両側はｐ／ｎ−ＩｎＰ層８／９で埋め込まれている。 - 特許庁

A partition structure (20) is arranged in the surface of the semiconductor active layer such that the buffer layer (9) is electrically isolated from an emitter electrode (12).例文帳に追加

バッファ層（９）をエミッタ電極（１２）から電気的に絶縁するように、半導体活性層の表面内に仕切り構造（２０）が配設される。 - 特許庁

The active filter 50 is provided with a buffer amplifier Buff1, a buffer amplifier Buff2, a variable-gain amplifier GCA1, a resistor R1a, a resistor R1b, a resistor R2, a capacitor C1a, a capacitor C1b, and a capacitor C2.例文帳に追加

アクティブフィルタ５０にはバッファアンプＢｕｆｆ１、バッファアンプＢｕｆｆ２、可変利得増幅器ＧＣＡ１、抵抗Ｒ１ａ、抵抗Ｒ１ｂ、抵抗Ｒ２、コンデンサＣ１ａ、コンデンサＣ１ｂ、及びコンデンサＣ２が設けられる。 - 特許庁