「active buffer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A GaN buffer layer 12, an n-type GaN contact layer 13, an n-type InGaN quantum well active layer 14, a p-type AlGaN sublimation preventing layer 15, and a p-type GaN contact layer 16 are laminated successively on a sapphire substrate 11, where the quantum well active layer 14 is equipped with a well layer sandwiched inbetween a pair of barrier layers.例文帳に追加

サファイア基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮコンタク層１３、ｎ型ＩｎＧａＮ量子井戸活性層１４、ｐ型ＡｌＧａＮ昇華防止層１５、ｐ型ＧａＮコンタクト層１６が順次積層されており、量子井戸活性層１４は、一対の障壁層にて挟まれた井戸層を有している。 - 特許庁

The method for washing a separation membrane comprises a step (A) of bringing an aqueous solution containing active chlorine and a pH buffer into contact with the separation membrane and is capable of preventing the active chlorine from having unnecessary oxidation powder and carrying out washing with a chemical agent without deteriorating the separation membrane and constituent members of the separation membrane module.例文帳に追加

活性塩素とｐＨ緩衝剤とを含む水溶液と、分離膜とを接触させる工程（Ａ）を有する分離膜の洗浄方法は、活性塩素が必要以上の酸化力を持つことを防止することができ、分離膜や分離膜モジュールの構成部材を劣化させることなく薬品洗浄をすることができる。 - 特許庁

The input and output device 4 stores data received from the computer 2 in an active system computer output data receiving buffer 48, stores data received from the computer 3 in a standby system computer output data receiving buffer 49, and outputs data stored in at least either of the buffers to the external apparatuses 6 and 7.例文帳に追加

また，入力装置４は，稼動系計算機２から受信したデータは稼動系計算機用出力データ受信バッファ４８に格納し，待機系計算機３から受信したデータは待機系計算機用出力データ受信バッファ４９に格納し，少なくともいずれか一方に格納されたデータを外部機器６，７に出力する。 - 特許庁

A mask oxidation film 318a is formed at a point at which the opening and the active region 302 intersect and at the same time, a buffer oxidation film 318b is formed on the element separation film 304 adjacent to the mask oxide film 318a by selectively oxidizing the buffer film exposed from the opening and the upper region of the conductive film pattern 310.例文帳に追加

開口部により露出されている緩衝膜および導電膜パターン３１０の上部領域を選択的に酸化させて開口部および活性領域３０２の交わる地点にマスク酸化膜３１８ａを形成すると共に、マスク酸化膜３１８ａに隣接した素子分離膜３０４上に緩衝酸化膜３１８ｂを形成する。 - 特許庁

Where a first control unit 10 operates as an active system, and a second control unit 20 operates as a standby system, a controller 14 outputs the data to be transferred to the second control unit 20 to the buffer memory 16 of an FIFO system.例文帳に追加

第一の制御ユニット１０がアクティブ系、第二の制御ユニット２０がスタンバイ系として動作する場合、コントローラ１４は、第二の制御ユニット２０へ転送すべきデータをＦＩＦＯ方式のバッファメモリ１６に出力する。 - 特許庁

The p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20 have nonoverlapping diffusion regions and the n-type buffer layer 7 has a region touching the n-type active layer 3 directly between the p-type well layer 4 and the n-type diffusion layer 20.例文帳に追加

ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０とは互いの拡散領域が重ならず、ｐ型ウエル層４とｎ型拡散層２０との間で、ｎ型バッファ層７がｎ^- 型活性層３に直接接触する領域を有する。 - 特許庁

Since the soiling of an object to be washed is swollen/dissociated with the use of an alkaline buffer solution formed by electrolysis to float a soiling component mainly having an oil component in the solution, the washed waste water contains no surface active agent.例文帳に追加

電解により生成したアルカリ性緩衝液を用いて洗浄対象物の汚れを膨潤・解離させ、液中に油成分を主とした汚れ成分を浮遊させるため、洗浄排水に界面活性剤を含まない。 - 特許庁

Masks 11 for selective growth and an AlN buffer layer 2 are formed on a substrate 1 for growth, and further a non-doped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order.例文帳に追加

成長用基板１上に選択成長用マスク１１及びＡｌＮバッファ層２が形成され、さらにノンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されている。 - 特許庁

The invention also relates to methods for producing a pharmaceutical or a diagnostic agent, whereby an active constituent is produced according to one of the methods and is mixed with a suitable adjuvant, auxiliary agent, buffer solution, diluting agent or pharmaceutical carrier.例文帳に追加

本発明はまた、薬物または診断剤を生成するための方法に関し、ここで活性成分は、上記の方法に従って生成され、そして適切なアジュバント、補助剤、緩衝剤、希釈剤または薬物キャリアと混合される。 - 特許庁

A transmission order control part 1106, a transmission timing determination part 1107, and an active buffer management part 1108 sends cells from the cell buffers so that a band wider that the band predetermined for the respective buffers is allocated.例文帳に追加

送信順序制御部１１０６、送信タイミング決定部１１０７およびアクティブバッファ管理部１１０８は、各セルバッファに対して定められた帯域以上の帯域が割り当てられるように、各セルバッファからセルを送信する。 - 特許庁

The three-state buffer is in an operation state during a period that the output enable signal is in an active state and has an output in a high-impedance state during a period that the output enable signal is in an inactive state.例文帳に追加

ここで、スリーステートバッファは、出力イネーブル信号がアクティブ状態の期間、動作状態となり、出力イネーブル信号が非アクティブ状態の期間、出力がハイインピーダンス状態となることにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

SUPERCONDUCTOR ARTICLE WITH BUFFER LAYER HAVING TEXTURE IN TWO AXIAL DIRECTIONS, POWER CABLE, POWER SUPPLY TRANSFORMER, POWER GENERATOR, POWER NETWORK, AND ELECTRONIC ACTIVE ARTICLE, AND MANUFACTURING METHOD FOR ARTICLE HAVING TEXTURE IN TWO AXIAL DIRECTIONS例文帳に追加

２軸方向にテクスチャを有するバッファ層を備えた超電導体物品、電力ケーブル、電源変圧器、発電機、電力網、及び電子的に活性な物品、並びに２軸方向にテクスチャを有する物品を製造する方法 - 特許庁

A semiconductor device 1 includes a substrate 2 which has an off angle of 50° to 65° relative to a plane direction [0001] and is made of silicon carbide, a buffer layer 21, and an active layer (an epitaxial layer 3, a p-type layer 4, and n+ regions 5 and 6).例文帳に追加

半導体装置１は、面方位{０００１}に対しオフ角が５０°以上６５°以下である、炭化ケイ素からなる基板２と、バッファ層２１と、活性層（エピタキシャル層３、ｐ型層４、およびｎ+領域５、６）とを備える。 - 特許庁

The semiconductor laser element 100 is constituted by successively laminating an n-buffer layer 2, n-clad layer 3, active layer 4, p-clad layer 5, and p-contact layer 6 on one surface of an n-GaN substrate 1 having a thickness of 120-200 μm.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、厚さ１２０〜２００μｍのｎ−ＧａＮ基板１の一方の面上に、ｎ−バッファ層２、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５およびｐ−コンタクト層６が順に積層されてなる。 - 特許庁

A semiconductor laser having a structure laminating a buffer layer 11, a grating layer 2, a grating buried layer 3, a light confinement layer 4, a multiple quantum well active layer 5, a light confinement layer 6, and a clad layer 7 is formed on an n-type substrate 1.例文帳に追加

ｎ型基板１の上に、バッファ層１１、回折格子層２、回折格子埋込層３、光閉込層４、多重量子井戸活性層５、光閉込層６、クラッド層７を積層した構造の半導体レーザが形成されている。 - 特許庁

A laminate structure of InP buffer layer 14, an active layer 16, a InP spacer layer 18 in the thickness of 200 nm, a GaInAs diffraction grating 20, and a InP clad layer 22 embedding the diffraction grating is provided on a InP substrate 12.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１２上に、ＩｎＰバッファ層１４、活性層１６、膜厚２００ｎｍのＩｎＰスペーサ層１８、のＧａＩｎＡｓ回折格子２０、及び回折格子を埋め込んだＩｎＰクラッド層２２の積層構造を備える。 - 特許庁

The buffer layer is formed between the source and drain electrodes and the active layer, thereby preventing contact resistance due to oxidation from increasing, so that the electrical characteristics of the thin-film transistor can be improved.例文帳に追加

ソース電極及びドレイン電極とアクティブ層との間にバッファ層が形成されることによって、酸化による接触抵抗が増加することを防止することができ、薄膜トランジスタの電気的な特性を向上させることができる。 - 特許庁

When it is determined that an IPFAX transmission task is not active, it is determined that transmission data to be transmitted by a controller section 131 via a network not less than a fixed amount are stored in a transmission buffer section 1302-1 in S1607.例文帳に追加

ＩＰＦＡＸ送信タスクが起動中でないと判断した場合は、Ｓ１６０７で、コントローラ部１３１がネットワークを介して送信すべき送信データが送信バッファ部１３０２−１に一定量以上格納されているかを判断する。 - 特許庁

On the occurrence of a failure of an active resource, the parameter of the defective resource is temporarily stored in the buffer, a substitute resource is determined, the round robin queue is updated, the parameter is transferred to the substitute resource and the defective resource is backed up.例文帳に追加

稼働リソースの障害時には、障害中のリソースのパラメータをバッファに一時的に記録した後、代替リソースの決定、ラウンドロビンキューの更新、代替リソースへのパラメータの転送を行い、障害リソースに対するバックアップを行う。 - 特許庁

First and second semiconductor lasers 10 and 20 comprising buffer layers 11 and 21, clad layers 12 and 22, quantum well active layers 13 and 23 and clad layers 14 and 24 laminated on a substrate 1 while having a stripe structure are integrated on the same substrate, and the quantum well active layer near a resonator end face is disordered by impurity diffusion.例文帳に追加

基板１上に積層されたバッファ層１１、２１、クラッド層１２、２２、量子井戸活性層１３、２３、およびクラッド層１４、２４を備え、ストライプ構造を有する第一および第二半導体レーザ１０、２０が同一基板上に集積化され、共振器端面近傍における量子井戸活性層は不純物拡散により無秩序化されている。 - 特許庁

The system clock 102 is supplied by being branched to an active system clock distribution device 106 and a standby system clock distribution device 107 and it is selectively outputted from a buffer 126U (126Y) to a system clock line 112 by monitoring the interruption inside them.例文帳に追加

システムクロック１０２は運用系クロック分配装置１０６ならびに予備系クロック分配装置１０７に分岐して供給され、これらの内部で断を監視しバッファ１２６Ｕ（１２６Ｙ）からシステムクロックライン１１２に択一的に出力される。 - 特許庁

A divalent salt, concretely speaking magnesium chloride, is added to a reaction buffer solution used for immunoassay so that the total salt concentration becomes 100 mM-600 mM, thus extremely reducing the active measurement value of a negative specimen and avoiding the non-specific reaction.例文帳に追加

免疫測定に使用する反応緩衝液に２価の塩、具体的には塩化マグネシウムを総塩濃度が１００ｍＭ〜６００ｍＭとなるように添加することにより、陰性検体の活性測定値が顕著に減少し、非特異反応が抑制される。 - 特許庁

The latest value is reflected on the memory update information by informing an MPU 11 of address values Ae corresponding to the sequential numbers Se by retrieving the retransmission buffer 132 (16) and making the MPU 11 perform read and write the values in the active node 10.例文帳に追加

現用ノード１０では再送バッファ１３２を検索してシーケンシャル番号Ｓｅに対応するアドレス値ＡｅをＭＰＵ１１に通知し（１６）、そのリード及びライトを行わせる（１７）ことにより、最新の値をメモリ更新情報に反映させる。 - 特許庁

By the lattice relaxation of the first conductivity type buffer layer 15, stress due to the difference of lattice constant between a material of the gallium nitride-based semiconductor layer 21a and a material of the principal plane 13a of the semiconductor region 13 is not applied on the active layer 17.例文帳に追加

第１導電型バッファ層１５の格子緩和により、窒化ガリウム系半導体層２１ａの材料と半導体領域１３の主面１３ａの材料との格子定数差に起因する応力が、活性層１７に加わることがない。 - 特許庁

To obtain a pharmaceutical preparation for restoring bedsore and damaged skin in the form of an ointment containing active ingredients such as refined sugar and povidone-iodine having stability for a long period without using a shape retaining agent or a buffer agent, having extensibility and excellent in feeling of use.例文帳に追加

保形剤や緩衝剤を用いることなく、白糖及びポビドンヨードという有効成分が長期間の安定性を有し、しかも伸展性があって使用感に優れる軟膏状の褥瘡・損傷皮膚修復用製剤を提供する。 - 特許庁

A structure in which an InAs nucleus is formed in the shape of a dot (the shape of an island) in a flat surface between the GaAs substrate 1 and the active layers 40, and a buffer layer 20 of a group III-V compound semiconductor is grown to be the grade in which the InAs nucleus is buried on it.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１と能動層４０との間に、平面内にＩｎＡｓ核をドット状（島状）に形成し、その上にＩｎＡｓ核が埋まる程度にIII−Ｖ族化合物半導体のバッファ層２０を成長した構造を設ける。 - 特許庁

The light emitting diode 1 is provided with a substrate 3 formed of a nitride for transmitting light, an n-type buffer layer 5 sequentially laminated on the principal surface 3a of the substrate 3, an n-type clad layer 7, an active layer 9, a p-type clad layer 11, and a p-type contact layer 13.例文帳に追加

発光ダイオード１は、光を透過する窒化物からなる基板３と、基板３の主面３ａ上に順に積層されたｎ型バッファ層５、ｎ型クラッド層７、活性層９、ｐ型クラッド層１１、及びｐ型コンタクト層１３とを備える。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 101, semiconductor layers are laminated which include a buffer layer 102, a first lower clad layer 103, an etching start layer 104, a second lower clad layer 105, an active layer 107, and an upper clad layer 109 at least in this order.例文帳に追加

半導体基板１０１上に、バッファ層１０２と、第一下クラッド層１０３と、エッチング開始層１０４と、第二下クラッド層１０５と、活性層１０７と、上クラッド層１０９とを少なくとも順に含む半導体層を積層する。 - 特許庁

An active suspension system has a vehicle height adjusting mechanism 1 which makes a vehicle body side member C approach to/separate from a wheel side member, and a buffer mechanism 2 which buffers the vertical input from a wheel W to the vehicle body side member C.例文帳に追加

アクティブサスペンションシステムは、車体側部材Ｃと車輪側部材Ａとを接近または離反させる車高調整機構１と、ホイールＷから車体側部材Ｃへの上下方向入力を緩衝する緩衝機構２とを有している。 - 特許庁

A driver-containing active matrix type display device or the like comprises a metal layer 32 formed on a partial region on a transparent substrate, and a buffer layer 11 provided to cove any of the metal layer 32 forming region and a metal layer 32 non-forming region.例文帳に追加

ドライバ内蔵型アクティブマトリクス型表示装置など、透明基板上の一部の領域に金属層３２が形成され、金属層３２の形成領域上及び非形成領域上のいずれをも覆うようにバッファ層１１を備える。 - 特許庁

The semiconductor structure forming method comprises a step of providing an Si substrate 10 having a surface, a step of forming an interface involving an adjacent seed layer 18 on the surface of the Si substrate 10, a step of forming a buffer layer 20 utilizing molecules of O, and a step of forming one or more high permittivity oxide layers 22 on the buffer layer 20 utilizing active O.例文帳に追加

半導体構造を作成する方法は：表面１２を有するシリコン基板１０を設ける段階；シリコン基板１０の表面１２上に隣接するシード層１８を含むインタフェースを形成する段階；分子酸素を利用してバッファ層２０を形成する段階；および活性酸素を利用してバッファ層２０上に１つ以上の高誘電率酸化物層２２を形成する段階；を備える。 - 特許庁

To provide a flash memory element which is increased in data loading speed in a page buffer by selecting data input via an IO pad to make only a desired data bus active, and prevents a power loss by reducing current consumption by an excess current.例文帳に追加

ＩＯパッドを介して入力されるデータを選択してプログラムを希望するデータパスだけをアクティブさせて、ページバッファへのデータロード速度を改善し、過度電流により電流消費を低減して電力損失を防止できるフラッシュメモリ素子を提供すること。 - 特許庁

On an n-GaAs substrate 10, an n-GaAs buffer layer 110, an n-AlGaInP clad layer 102, an undoped AlGaInP active layer 103, a p-AlGaInP clad layer 104, and a p-AlGaInP intermediate bandgap layer 107 are laminated successively by an MOCVD method.例文帳に追加

ｎ-ＧaＡs基板１０１上にＭＯＣＶＤ法により、ｎ-ＧaＡsバッファ層１１０と、ｎ-ＡlＧaＩnＰクラッド層１０２と、アンドープＡlＧaＩnＰ活性層１０３と、ｐ-ＡlＧaＩnＰクラッド層１０４と、ｐ-ＡlＧaＩnＰ中間バンドギャップ層１０７とを順に積層する。 - 特許庁

In a semiconductor element, an AlGaN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN contact layer 4, an n-type InGaN crack preventing layer 5, an n-type AlGaN clad layer 6, an MQW active layer 7, and a p-type AlGaN clad layer 8 are successively on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上にＡｌＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮコンタクト層４、ｎ−ＩｎＧａＮクラック防止層５、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびｐ−ＡｌＧａＮクラッド層８が順に形成されている。 - 特許庁

The present invention relates to a nitride-based light emitting device having a buffer layer, an n-type nitride semiconductor layer, an active layer and a p-type nitride semiconductor layer formed on a substrate, wherein an Al_1-xSi_xN interlayer is formed inside of the n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に、バッファ層、ｎ型窒化物半導体層、活性層、及びｐ型窒化物半導体層からなる窒化物系発光素子において、前記ｎ型窒化物半導体層内に、Ａｌ_１−ｘＳｉ_ｘＮからなる中間層を有することを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of a semiconductor laser, there are formed by an MOCVD method successively on an n-type substrate 101 an n-type buffer layer 102, an n-type clad layer 103, an active layer 104, a first p-type clad layer 105, a p-type etching stop layer 106, and a second p-type clad layer 107.例文帳に追加

ｎ型基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型クラッド層１０３、活性層１０４、ｐ型第１クラッド層１０５、ｐ型エッチングストップ層１０６、およびｐ型第２クラッド層１０７を、順次形成する。 - 特許庁

As a result, the N-type clad layer 6, the MQW active layer 7 and the P-type clad layer 8 are grown only on the respective buffer layers 5, and an element isolation groove 4 for separating the respective semiconductor light-emitting elements 3 is of necessity formed between them.例文帳に追加

その結果、各バッファ層５上のみに、Ｎ型クラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびＰ型クラッド層８を成長させることができ、各半導体発光素子３間に、それらを分離するための素子分離溝４が必然的に形成される。 - 特許庁

A thin film transistor having a floating island region and a base region between the source and drain regions of an active layer is disposed in a buffer circuit for requesting a high withstand voltage and a rapid operating speed of various type circuits for constituting peripheral drive circuits 101, 102.例文帳に追加

また、周辺駆動回路１０１、１０２を構成する各種回路の内、高い耐圧と速い動作速度を要求するバッファ回路には、活性層のソース／ドレイン領域間に浮島領域およびベース領域を有する構成でなる薄膜トランジスタを配置する。 - 特許庁

A semiconductor laser device 50 is equipped with a laminated structure composed of an N-type buffer layer 52, an N-type clad layer 53, an active layer 54, a P-type clad layer 55, a P-type intermediate layer 56, and a P-type cap layer 57 which are successively and epitaxially grown on an N-type substrate 51.例文帳に追加

本半導体レーザ素子５０は、ｎ型基板５１上に、順次、エピタキシャル成長させた、ｎ型バッファ層５２、ｎ型クラッド層５３、活性層５４、ｐ型クラッド層５５、ｐ型中間層５６、及びｐ型ｓキャップ層５７の積層構造を備える。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor 120 has a GaN buffer layer 102 and an n-type GaN layer 103 as group III nitride semiconductor layers formed on a first main surface 101a, and an MQW active layer 104 formed thereon.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体１２０は、第１の主表面１０１ａに形成されたＩＩＩ族窒化物半導体層としてのＧａＮバッファ層１０２およびｎ型ＧａＮ層１０３と、その上に形成されたＭＱＷ活性層１０４とを有する。 - 特許庁

A VCSEL 20 is constituted by stacking a semiconductor layer, including an n-type buffer layer 104, an n-type lower DBR 106, an active region 108, a current constriction layer 110, a p-type upper DBR 112, and a p-type GaAs contact layer 114 on a substrate 102.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ２０は、基板１０２上に、ｎ型のバッファ層１０４、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性領域１０８、電流狭窄層１１０、ｐ型の上部ＤＢＲ１１２、ｐ型のＧａＡｓコンタクト層１１４を含む半導体層を積層する。 - 特許庁

A compound semiconductor multilayer thin film is formed into a structure, wherein an InSb buffer layer 2 doped with one of Al, Be, Zn, Mg, O and Ga as impurities and an undoped, Te-doped or Se-doped InSb active layer 3 are deposited in order on a semiinsulative GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１上に、不純物としてＡｌ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、ＯまたはＧａの一つをドーピングしたＩｎＳｂバッファ層２と、アンドープまたはＴｅドープまたはＳｅドープのＩｎＳｂ活性層３とを順次堆積させた構造とする。 - 特許庁

The scanning direction 300 of the excimer laser is made the same as the L length direction (current direction) of the transistor (TFT) 210 forming a buffer in a vertical scanner 200, in the ELA crystallizing process of an active matrix organic EL display 100.例文帳に追加

アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１００のＥＬＡ結晶化工程においてエキシマレーザのスキャン方向３００と、垂直スキャナ２００内のバッファを形成するトランジスタ（ＴＦＴ）２１０のＬ長方向（電流が流れる方向）が同方向になるようにする。 - 特許庁

There is provided a semiconductor layer 20, which is formed of an n-type clad layer 21, an active layer 22, a p-type clad layer 23 that includes a stripe shaped embedded ridge portion 28, an n-type buffer layer 24, a p-type contact layer 25, an etching stop layer 26, and a gap layer 27, laminated in this order.例文帳に追加

ｎ型クラッド層２１、活性層２２、ならびにストライプ状の埋込リッジ部２８を含むｐ型クラッド層２３、ｎ型バッファ層２４、ｐ側コンタクト層２５、エッチングストップ層２６およびキャップ層２７をこの順に積層してなる半導体層２０を備える。 - 特許庁

When a detection object in a specimen is detected by an immuno-chromatography method, a reagent composition for immuno-chromatography containing a nonionic surface active agent, an N,N-bis(2-hydroxyethyl)glycine buffer and casein is used as specimen processing liquid or developer.例文帳に追加

イムノクロマトグラフィー法により検体中の検出対象物を検出する際に、非イオン界面活性剤、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）グリシン緩衝剤およびカゼインを含むイムノクロマトグラフィー用試薬組成物を、検体処理液または展開液として用いる。 - 特許庁