「active buffer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A control host 21, during switching of an active system with a standby system, transmits switching control data to a processing host 1 of the current active system, thereby allowing the data to be added to the tail of data stored in a reception data buffer unit 4.例文帳に追加

制御ホスト２１は、現用系と予備系とを切り替える切替時に、現在現用系の処理ホスト１へ切替制御用データを送信して、受信データバッファ部４に格納されていたデータの最後尾に付加させる。 - 特許庁

In the case of switching from the active system master signal to the standby master signal, the read phase of the active system is matched with the read phase of the standby system and the signals are read from the buffer memories 41-4N, 4Y in the same timing.例文帳に追加

現用系主信号から予備系主信号への切替えを行う場合、現用系の読出し位相を予備系の読出し位相に合わせ、同一タイミングでバッファメモリ４１〜４Ｎ，４Ｙから読出しを行う。 - 特許庁

A buffer layer 2, a lower SCH layer 3, an active layer 4, an upper SCH layer 5, an electronic stop layer 6 and an etching stop layer 7 are laminated on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上にバッファー層２、下部ＳＣＨ層３、活性層４、上部ＳＣＨ層５、電子ストップ層６、エッチングストップ層７を積層する。 - 特許庁

A second semiconductor layer 50 which includes an active layer made of AlGaAs is formed on the substrate 10 so as to be arranged in parallel with the composition modulation buffer layer 20.例文帳に追加

基板１０上に組成変調バッファ層２０と並置して、ＡｌＧａＡｓからなる活性層を含む第２の半導体層５０が形成されている。 - 特許庁

The composition in the form of an orally dissolving film contains: (a) enterosoluble polymer; (b) at least one alkali buffer agent and; (c) at least one nicotine active agent.例文帳に追加

ａ）腸溶性ポリマー、ｂ）少なくとも１つのアルカリ性緩衝剤；およびｃ）少なくとも１つの活性剤を含む経口溶解性フィルムの形態の組成物。 - 特許庁

An n-InP buffer layer 2, a GRIN-SCH-MQW active layer 3 and a p-InP spacer layer 4 are laminated on the surface of an n-InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４が積層される。 - 特許庁

A light-emitting diode 40 comprises a substrate 41, a buffer layer 42, an n-type semiconductor layer 43, a conformational active layer 44 and a p-type semiconductor layer 45.例文帳に追加

発光ダイオード４０は、基板４１，バッファ層４２，ｎ型半導体層４３，コンフォーメーション活性層４４及びｐ型半導体層４５を有する。 - 特許庁

Thereafter, by an MOCVD method, on the buffer layers 5, an N-type clad layer 6, an MQW active layer 7 and a P-type clad layer 8 are formed, in this order.例文帳に追加

その後、ＭＯＣＶＤ法により、バッファ層５上に、Ｎ型クラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびＰ型クラッド層８がこの順に形成される。 - 特許庁

Consequently, about ≥97.7% of laser light generated from the active layer 5 is distributed on the upper layer of the interface between the n-type substrate 1 and the buffer layer 11.例文帳に追加

これにより、活性層５で発生するレーザ光の約９７．７％以上は、ｎ型基板１とバッファ層１１との界面よりも上層に分布する。 - 特許庁

To effectively protect a pixel electrode 30 from stress even through an inorganic buffer layer is used as a substrate for forming a thin film active element 90.例文帳に追加

薄膜アクティブ素子９０を形成するための下地として無機バッファ層を用いるにもかかわらず、応力から画素電極３０を有効に保護する。 - 特許庁

In accordance with a specific embodiment, the input buffer utilizes a reference voltage input V_REF during a calibration phase of operation but not when in an active operation mode.例文帳に追加

特定の実施の形態によれば、入力バッファは、動作のキャリブレーションフェーズであって、アクティブな動作モードでない間に基準電圧入力Ｖ_REFを利用する。 - 特許庁

An active layer 12 can be formed thin while sustaining crystallinity by selecting a compound semiconductor having good temperature characteristics in the active layer 12 and employing a multilayer structure where high resistance buffer layers 13 and 13 are sandwiched by the active layer 12 and a substrate 11.例文帳に追加

活性層１２に温度特性が良い化合物半導体を選び、活性層１２と基板１１との間に格子定数が近く高抵抗の緩衝層１３，１３を挟んだ多層構造にすることで、活性層１２を、結晶性を保ったまま薄く形成することができる。 - 特許庁

The cathode active material for lithium secondary batteries is added to pH buffer fluid to get slurry, then, while maintaining the temperature of the slurry concerned at 60°C or less, pH is adjusted in an extent above 4.0 to below 8.0 to dissolve cathode active material into the pH buffer fluid, and solution is prepared as a sample for quantitative analyses of hexavalent chromium.例文帳に追加

リチウム２次電池用正極活物質をｐＨ緩衝液に添加してスラリーとし、該スラリーの温度を６０℃以下に維持しつつｐＨを４.０以上８.０以下の範囲に調整して正極活物質をｐＨ緩衝液中に溶解させ、６価クロムの定量分析用試料としての溶解液を調製する。 - 特許庁

An n-InP buffer layer 2, a GRIN-SCH-MQW active layer 3 and a p-InP spacer layer 4 are formed sequentially on an n-InP substrate 1 wherein the upper region of the n-InP buffer layer 2, the GRIN-SCH-MQW active layer 3 and the p-InP spacer layer 4 have a mesa stripe structure.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に順次ｎ−ＩｎＰバッファ層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４が積層され、ｎ−ＩｎＰバッファ層２の上部領域、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３およびｐ−ＩｎＰスペーサ層４はメサストライプ状の構造となっている。 - 特許庁

The source-follower-type analogue buffer with an active load, the new compensating operation and the display with the source-follower-type analogue buffers are provided to reduce an error voltage which is a difference between an input voltage and an output voltage of the analogue buffer.例文帳に追加

能動負荷を備えるソースフォロワー型アナログバッファ、新しい補償動作、および該ソースフォロワー型アナログバッファを複数備えたディスプレイを、アナログバッファの入力電圧と出力電圧の差である誤差電圧を抑制するべく、提供する。 - 特許庁

Consequently, the buffer amplifier only has to correspond to the frequency band except the prescribed frequency band (including a band required for measurement), thereby a low-cost active shield can be constituted by using an inexpensive buffer amplifier.例文帳に追加

従って、バッファアンプは、斯かる所定の周波数帯域を除く周波数帯域（測定に必要な帯域を含む。）に対応したものであれば良く、安価なバッファアンプを使用して低コストなアクティブシールドを構成することが可能となる。 - 特許庁

This semiconductor laser 10 has a double-heterojunction multiplayer structure of a 1st buffer layer 14, a 2nd buffer layer 16, an n-type clad layer 18, an active layer/guide layer 20, a p-type clad layer 22, and a p-type cap layer 24 on a substrate 12.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１０は、基板１２上に、第１バッファ層１４、第２バッファ層１６、ｎ型クラッド層１８、活性層／ガイド層２０、ｐ型クラッド層２２、及びｐ型キャップ層２４のダブルヘテロ接合積層構造を備える。 - 特許庁

The monitor 22 or 12 for the number of cell accumulation determining that the own system is the non-active system begins reading the cell from the buffer 21 or 11, and releases the system switching inhibit signal IR when detecting that the number of cell accumulation of the buffer 21 or 11 in the own system reaches the reading threshold value p.例文帳に追加

また、自系を非運用系と判断したセル蓄積数監視部22,12は、自系のバッファ21,11のセル蓄積数が読出閾値pに達したことを検出したとき、バッファ21,11からセルを読出開始させ、系切替禁止信号IRを解除する。 - 特許庁

The thin film transistor includes: a substrate; a source electrode and a drain electrode on the substrate; an oxide active layer between the source electrode and the drain electrode; a gate electrode on one side of the oxide active layer; a gate insulating film between the gate electrode and the oxide active layer; and a buffer layer between the gate insulating film and the oxide active layer.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスターは、基板、基板上のソース電極、及びドレーン電極、ソース電極、及びドレーン電極間の酸化物活性層、酸化物活性層の一面の上のゲート電極、ゲート電極と酸化物活性層との間のゲート絶縁膜、及びゲート絶縁膜と酸化物活性層との間の緩衝層を含む。 - 特許庁

The LED is comprised of a substrate 78, a buffer layer 76 formed on the substrate, one or more patterned layers 72 deposited on top of the buffer layer, and one or more active layers 70 formed on or between the patterned layers.例文帳に追加

基板７８と、基板上に形成されたバッファ層７６と、バッファ層の上部に堆積された１つ以上のパターニングされた層７２と、パターニングされた層の上または層の間に形成された１つ以上のアクティブ層７０から構成される。 - 特許庁

A nitride active layer of group III including a stress absorbing structure including a plurality of specified stress removing regions in a crystal structure of a buffer structure is formed.例文帳に追加

緩衝構造の結晶構造内に複数の所定の応力除去領域を含む応力吸収構造を含む第ＩＩＩ族窒化物活性層を形成する。 - 特許庁

The light-emitting device 10 has: a buffer layer 22; a first-conductivity-type semiconductor layer; and a thin-film crystal layer including an active structure 25 and a second-conductivity-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光素子１０は、バッファ層２２、第一導電型半導体層、活性構造２５および第二導電型半導体層を含む薄膜結晶層を有している。 - 特許庁

When the memory controller cannot acquire data for satisfying a memory request from the prefetch buffer, the main memory is switched to an active power state and the prefetch logic is called.例文帳に追加

メモリ・コントローラがプリフェッチ・バッファからメモリ要求を満足させるデータを取得できない場合、主メモリはアクティブな電力状態に切り替えられ、プリフェッチ・ロジックが呼び出される。 - 特許庁

The vacuum type sewage system is characterized in that the active vacuum pressure buffer device 10 is in fluid connection with the control mechanism 5 and a sewer pipe 3.例文帳に追加

本発明による真空式下水システムは、制御機構（５）および下水パイプ（３）に活動的な真空圧バッファ装置（１０）を流体連結させることを特徴とする。 - 特許庁

This component is provided with separate regions, having the same vertical structure as that of an active waveguide 20 is embedded between the upper and lower buffer layers.例文帳に追加

この部品は、能動導波路（２０）が上部バッファ層と下部のバッファ層の間に埋め込まれている同じ垂直構造を備えた別個の領域（１、２、３、４、５）を有している。 - 特許庁

To provide an integrated circuit for system control, in which the output end of an output buffer is fixed at a desired logical level, when a reset signal is active without any pull-down resistor.例文帳に追加

プルダウン抵抗等無しに、リセット信号がアクティブのとき、出力バッファ出力端を所望論理レベルに固定するシステム制御用集積回路を提供する。 - 特許庁

The buffer amplifier receives control signals and inputs buffered control signals to an active device provided with capacitance depending on the level of the buffered control signals.例文帳に追加

このバッファ増幅器は、制御信号を受け取り、バッファした制御信号のレベルに依存するキャパシタンスを有する能動デバイスに、バッファした制御信号を入力する。 - 特許庁

The command controlling parts output the address buffer controlling signal by being delayed from the clock signal when the delay controlling signal is in an active state and in a read command delay operating mode.例文帳に追加

コマンド制御部は、遅延制御信号がアクティブ状態であり、リード命令遅延動作モードのときに、クロック信号から遅延してアドレスバッファ制御信号を出力する。 - 特許庁

The group III nitride compound semiconductor light-emitting diode includes a substrate, a buffer layer, an N-type semiconductor material layer, an active layer, and a P-type semiconductor material layer.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒素化合物半導体発光ダイオードは、基板と、バッファ層と、Ｎ型半導体材料層と、活性層と、Ｐ型半導体材料層とを備えている。 - 特許庁

In accordance with a specific embodiment, the input buffer utilizes a reference voltage input VREF during a calibration phase of operation but not when in an active operation mode.例文帳に追加

特定の実施の形態によれば、入力バッファは、動作のキャリブレーションフェーズであって、アクティブな動作モードではない間に基準電圧入力ＶＲＥＦを利用する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a nitride semiconductor which comprises a thin and flat buffer layer while providing an active layer with less dislocation density.例文帳に追加

薄くて平坦化が達成されるバッファ層を有し且つ、転位密度が少ない能動層を得ることができる窒化物半導体を用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

When the number of active transfers pending exceeds a threshold, the software reconfigures thresholds, and deactivates the other transfer to force data transfer into the buffer.例文帳に追加

保留中のアクティブな転送の数が、閾値を超えるとソフトウェアは閾値を再構成し、バッファ内にデータを転送させるために他の転送を非アクティブ化することができる。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting device 10 having the active layer A1 including the quantum well layer having the high compressive strain amount of not less than 1%, a strain buffer layer B1 comprising a layer having a compressive strain amount not greater than the strain amount of the active layer A1 is adjacently formed on the active layer A1.例文帳に追加

圧縮歪量が１％以上の高圧縮歪量子井戸層を含む活性層Ａ１を有する半導体発光素子１０において、活性層Ａ１の歪量以下の圧縮歪量を有する層から構成される圧縮歪緩衝層Ｂ１を、活性層Ａ１上に隣接するように形成する。 - 特許庁

The command buffer circuit 12 generates an internal precharging command signal PRCx corresponding to the active command signal ACT and an internal active command signal ACTx slightly delayed compared to the internal precharging command signal PRCx.例文帳に追加

このコマンドバッファ回路１２は、アクティブコマンド信号ＡＣＴに対応して内部プリチャージコマンド信号ＰＲＣｘを生成するとともに、この内部プリチャージコマンド信号ＰＲＣｘより若干遅延された内部アクティブコマンド信号ＡＣＴｘを生成する。 - 特許庁

In the macro MACRO2, a selection signal of a selector SEL1 turns to a low level, an enable signal of a three-state buffer TR1 becomes active, and an output of the macro MACRO1 is outputted to an output test bus BUSO through the selector SEL1 and the three-state buffer TR1.例文帳に追加

マクロＭＡＣＲＯ２ではセレクターＳＥＬ１の選択信号がロウレベル、スリーステートバッファＴＲ１のイネーブル信号がアクティブとなり、マクロＭＡＣＲＯ１の出力はセレクターＳＥＬ１とスリーステートバッファＴＲ１を経由して出力テストバスＢＵＳＯに出力される。 - 特許庁

Each of a plurality of stacked semiconductor chips 21 to 24 comprises: a bump electrode BP_0; a test pad PAD_0; a test buffer TD_0 that receives signals, which are supplied from the test pad, and supplies it to the bump electrode; and a buffer control part BC that supplies control signals which control the active/inactive state of the test buffer.例文帳に追加

積層された複数の半導体チップ２１〜２４のそれぞれが、バンプ電極ＢＰ＿０と、テストパッドＰＡＤ＿０と、テストパッドから供給される信号を受け取りバンプ電極に供給するテストバッファＴＤ＿０と、テストバッファの活性状態と非活性状態とを制御する制御信号を供給するバッファ制御部ＢＣとを含む。 - 特許庁

On the AlN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an active layer 5 and a p-type GaN layer 6 are sequentially laminated and a separation groove A for separating between the elements is formed.例文帳に追加

ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。 - 特許庁

A third semiconductor layer 60 which includes an active layer made of AlGaInP or GaInP is formed on the substrate 10 so as to be arranged in parallel with the composition modulation buffer layer 20.例文帳に追加

基板１０上に組成変調バッファ層２０と並置して、ＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる活性層を含む第３の半導体層６０が形成されている。 - 特許庁

A resonator structure including a buffer layer 102, a lower semiconductor DBR 103 and an active layer 105, an upper semiconductor DBR 107, and a contact layer 109 are laminated on a substrate 101.例文帳に追加

基板１０１上にバッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９が積層されている。 - 特許庁

A semiconductor region having optical gain such as an active layer is not provided between the GaN wafer 11 and In_X1Al_X2Ga_1-X1-X2N buffer layer 13.例文帳に追加

ＧａＮウエハ１１とＩｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ緩衝層１３との間には、活性層といった光学利得を有する半導体領域は設けられていない。 - 特許庁

In this case, zone 32 which is not doped with impurities is provided in a side of the clad layer 25 provided with the active layer 24 and is used as a buffer region of impurity diffusion at the thermal treatment.例文帳に追加

その場合、ｐ型クラッド層２５の活性層２４側に不純物がドープされない領域３２を形成し、上記熱処理の際に不純物拡散の緩衝領域とする。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type clad layer, an active layer 38, a p-type clad layer and a p-type cap layer are sequentially laminated on an n-type substrate, and an (n) electrodes 44 is provided on a lower surface of the substrate.例文帳に追加

ｎ型基板上に、ｎ型バッファ層、ｎ型クラッド層、活性層３８、ｐ型クラッド層、及びｐ型キャップ層を順次積層し、基板の下面にｎ電極４４を設ける。 - 特許庁

On the AlN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order, and an isolation groove A isolating elements is formed.例文帳に追加

ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。 - 特許庁

To provide a folding process for the preparation of biologically active, dimeric, TGF-β(transforming growth factor type β)-like protein in a detergent-free folding buffer.例文帳に追加

界面活性剤非含有フォルディングバッファーの中での生物学的に活性な二量体型の TGF−β（β型トランスフォーミング増殖因子）様タンパク質の製造のためのフォルディングプロセスの提供。 - 特許庁

An extract of white sorghum with a phosphate buffer solution has various physiological activities such as IgE antibody production inhibitory activity, anticancer activity to colon cancer, active oxygen scavenging activity, etc.例文帳に追加

このほか、ホワイト・ソルガムのリン酸緩衝液抽出物は、ＩｇＥ抗体産生抑制活性、大腸ガンに対する抗ガン活性、活性酸素消去活性等の各種の生理活性を有する。 - 特許庁