「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(123ページ目) - Weblio英語例文検索

The positive electrode comprises a positive electrode active material layer which has a BET specific surface area of 2400 to 3000 m^2/g inclusive and an electrode density of 0.41-0.49 g/cm^3.例文帳に追加

正極電極は、ＢＥＴ比表面積が２４００ｍ^2 ／ｇ以上であって３０００ｍ^2 ／ｇ以下であり、電極密度が０．４１〜０．４９ｇ／ｃｍ^3 である正極活物質層を有することを特徴とする。 - 特許庁

On one surface, a passivation film 8 is formed to which an aperture 8a to expose an electrode pad 3 is formed over the relevant one surface of a wafer W on which an active layer 2 and the electrode pad 3 are formed.例文帳に追加

一方表面に、活性層２および電極パッド３が形成されたウェハＷの当該一方表面を覆い、電極パッド３を露出する開口８ａが形成されたパッシベーション膜８が形成される。 - 特許庁

To provide a binder composition for realizing an electrode high in adhesion between the charge collector and the active substance, and to provide an electrical double layer capacitor high in static capacity and low in internal resistance by using the electrode.例文帳に追加

集電体および活物質間の結着性の大きな電極が得られ、該電極を用いて静電容量が大きくて内部抵抗の小さい電気二重層キャパシタが得られるバインダー組成物を提供すること。 - 特許庁

An active layer 11c is formed on the second semiconductor substrate 12 via an oxide film 11a by conducting the heat treatment to the laminated material 13, and by separating the laminated material 13 with an ion-implanting region 11b.例文帳に追加

この積層体１３を熱処理して積層体１３をイオン注入領域１１ｂで分離することにより第２半導体基板１２上に酸化膜１１ａを介して活性層１１ｃを形成する。 - 特許庁

When a current is injected, in this semiconductor laser device 10, the carrier density in a part 34 in the active layer 20 directly below the current non-injection regions 28 provided in the stripe is lower than that in the other parts.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１０では、電流注入時、ストライプ内に設けられた電流非注入領域２８の直下の活性層２０内の部分３４のキャリア密度が、それ以外の部分のキャリア密度より低い。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser having high COD level and high light emission efficiency, by preventing impurities from being accumulated in an active layer, when a window structure is formed by impurity diffusion near an end surface of a laser resonator.例文帳に追加

レーザ共振器端面近傍に不純物拡散により窓構造を形成する際に、活性層に不純物が蓄積されることを抑制し、ＣＯＤレベルが高く、発光効率が高い半導体レーザを提供する。 - 特許庁

A gate electrode 27 is formed on the end of the source region 24a and the drain region 24b via the gate insulating film 26 and the active layer 25 so that both the ends are arranged overlapping in a prescribed state.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２６および活性層２５を介してソース領域２４ａおよびドレイン領域２４ｂの端部上に両端部が所定状態で重ねて配置されるようにゲート電極２７を形成する。 - 特許庁

A first electrode stripe 101 comprising tungsten is formed on a semiconductor mesa 102 including an active layer 104.例文帳に追加

しかし、埋込型の光導波路素子をセルフアライメント技術で作製しようとした場合、第一の電極膜の結晶成長に対する耐性がないため、メサ形成および埋込層形成の際にマスクの役割を果たすことができない。 - 特許庁

After that, a collector aperture 110 having a width W3 larger than the width W2 of an active region is formed in the film 108 and the layer 109 in an HBT formation region Rbp.例文帳に追加

その後、ＨＢＴ形成領域Ｒbpにおいて第１の堆積酸化膜１０８及びポリシリコン層１０９に活性領域の幅Ｗ２よりも広い幅Ｗ３を有するコレクタ開口部１１０を形成する。 - 特許庁

The laminated polyester film is provided, being characterized in that: at least one side of a polyester film is borne with a coating layer comprising a blocked polyisocyanate-based compound obtained by reaction of a polyisocyanate compound and an active methylene compound.例文帳に追加

ポリイソシアネート化合物と活性メチレン化合物との反応により得られるブロックポリイソシアネート系化合物を含有する塗布層をポリエステルフィルムの少なくとも片面に有することを特徴とする積層ポリエステルフィルム。 - 特許庁

An active layer has a structure of the heat-treated ZnO quantum dot, and the ZnO quantum dot prior to heat treatment is obtained from a ZnO quantum dot dispersing solution prepared by the microemulsion method.例文帳に追加

活性層が、熱処理されたＺｎＯ量子ドットの構造体を有すると共に、熱処理前の前記ＺｎＯ量子ドットは、マイクロエマルジョン法で作製されたＺｎＯ量子ドット分散溶液から取得される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of electrode foil for a nonaqueous electrolyte battery in which generation of a film consisting of fluoride and oxide on the surface of the metal foil is prevented and resistance generated between the active material layer and the metal foil is made small.例文帳に追加

金属箔の表面にフッ化物、酸化物からなる膜の発生を防止し、活物質層と金属箔との間に生じる抵抗を低くした非水電解質電池用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

FUEL-ENCLOSED REGENERATING HYDROGEN/OXYGEN FUEL CELL APPLYING RECTIFYING ACTION OF P-N JUNCTION DIODE, BASED ON PRINCIPLE OF ELECTRIC DOUBLE-LAYER FORMATION BY CHEMICAL REACTION OF ACTIVE MATERIALS OF HYDROGEN ELECTRODE AND OXYGEN ELECTRODE WITH ELECTROLYTIC SOLUTION例文帳に追加

水素極、酸素極の活物質と電解液の化学反応による電気二重層形成の原理に基づき、ＰＮ接合ダイオードの整流作用を応用した燃料密閉再生型水素・酸素燃料電池 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode suitable for a lithium secondary battery, which is the effective manufacturing method of the electrode for the battery having an active material layer composed of a plurality of layers having different oxygen contents.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池などに好適な電池用電極の製造方法であって、酸素含有量が異なる複数の層からなる活物質層を有する電池用電極の効果的な製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a lithium secondary battery having a high-density electrode active material layer reduced in deformation such as a corrugation or wrinkles generated in an electrode plate to facilitate flattening of the electrode plate and in electrode plate resistance.例文帳に追加

電極板に生ずる波打ちや皺等の歪みを低減して、電極板の平坦化を促進し、かつ電極板の抵抗を低減した高密度の電極活物質層を有するリチウム二次電池を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser stack 1 includes a first notch N1 and a second notch N2 (both the ends of a detecting reference) formed at both the end sides of the emitter E of the end face of an active layer including the emitter (light emitting part) E.例文帳に追加

半導体レーザスタック１は、エミッタ（発光部）Ｅを含む活性層の端面のうちのそれぞれのエミッタＥの両端側に第１ノッチＮ１及び第２ノッチＮ２（検出基準両端部）を形成している。 - 特許庁

To provide, among layer-structure lithium transition metal oxides, one that can provide an enhanced cell output when used as a positive electrode active material of a cell mounted on especially on an electric vehicle or a hybrid electric vehicle.例文帳に追加

層構造を有するリチウム遷移金属酸化物において、特に電気自動車やハイブリッド自動車に搭載する電池の正極活物質として、電池の出力を高めることができるものを提供する。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte secondary battery uses as positive electrode active substance Li_2-xA_xMO_3 which is obtained by replacing lithium in Li_2MO_3 provided with a layer structure by an alkaline metal provided with an ion radius which is greater than the ion radius for the lithium.例文帳に追加

層状構造を有するＬｉ_2 ＭＯ_3 中のリチウムを、リチウムのイオン半径よりも大きいイオン半径を有するアルカリ金属で置換することにより得たＬｉ_2-x Ａ_x ＭＯ_3 を正極活物質として用いる。 - 特許庁

Another masking process defines an insulating oxide layer of a distal region thicker than the active region of the transistor, whereby a contamination of a substrate in a production process is reduced and the process controllability can be improved.例文帳に追加

別のマスキング工程により、トランジスタのアクティブ領域よりも厚い末端領域の絶縁酸化層が画定され、これによって製造工程での基板の汚染を低減し、プロセス制御性を改善することが出来る。 - 特許庁

To provide a technology to more uniformly inject driving current into an active layer having a wide area in a surface-emitting nitride semiconductor light emitting device employing a nitride semiconductor substrate or a ZnO substrate.例文帳に追加

窒化物半導体基板やＺｎＯ基板を採用する面発光型の窒化物半導体発光素子において、広い面積の活性層に、より均一に駆動電流を注入するための技術を提供する。 - 特許庁

The organic solar cell includes an active layer 3 which is formed between a positive electrode 1 and a negative electrode 2 containing an electron donative organic compound and compound semiconductor particles, and generates electric charge by irradiation with light.例文帳に追加

正極１と負極２の間に、電子供与性有機化合物と化合物半導体粒子を含有して形成され光の照射によって電荷を発生する活性層３を設けた有機太陽電池に関する。 - 特許庁

The electronic component electrode-polyelectrolyte sheet composite is constructed by laminating an active material layer 1 formed in stripe shape and an electric insulating porous sheet 3 in order at least on one face of a current collector 2.例文帳に追加

電子部品用電極−高分子電解質シート複合体は、集電体２の少なくとも片面に、ストライプ状に形成された活物質層１と、電気絶縁性の多孔質シート３とを順次積層して構成される。 - 特許庁

A positive electrode 7 of the lithium ion secondary battery is equipped with a positive current collector, where a power extracting part 50 is integrally formed in the peripheral part and a positive active material layer 6 placed on the positive current collector.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池の正極７は、電力取出部５０が外周部に一体形成された正極集電体と、その正極集電体に重ね合わされた正極活物質層６とを備える。 - 特許庁

These inverters are comprised of thin film semiconductor elements, and an active layer of the thin film semiconductor elements of the inverter at the last output stage of the circuit is divided into plural pieces for a composition.例文帳に追加

このインバータは薄膜半導体素子を有して構成されており、２段以上のインバータを接続した回路の最終出力段のインバータの薄膜半導体素子の能動層を複数個に分割して構成する。 - 特許庁

By plasma CVD with substrate temperatures at the time of forming a film at 200°C or more, a fine crystal silicon germanium with a composition ratio of germanium being 20% to 50% is formed, and this fine crystal silicon germanium is used as an optical active layer.例文帳に追加

成膜時の基板温度を２００℃以上でプラズマＣＶＤにより、ゲルマニウムの組成比が２０％以上５０％以下の微結晶シリコンゲルマニウム形成し、この微結晶シリコンゲルマニウムを光活性層として用いる。 - 特許庁

In an adhesive sheet in which an adhesive layer is applied on a base film, the base film contains a cross-linked product of an active silane- modified polyolefin-based polymer.例文帳に追加

基材フィルム上に粘着剤層が設けられた半導体用粘着シートにおいて、前記基材フィルムが、活性シラン変性ポリオレフィン系ポリマーの架橋物を含有することを特徴とする半導体用粘着シート。 - 特許庁

Thereby, at the time of charge and discharge, the negative electrode active material layer 22B is hardly collapsed, and a stable film such as SEI film is easily formed on the surface of the negative electrode 22 and the electrolytic liquid is hardly decomposed.例文帳に追加

これにより、充放電時において、負極活物質層２２Ｂが崩落しにくくなり、負極２２の表面にＳＥＩ膜などの安定な被膜が形成されやすくなり、電解液が分解しにくくなる。 - 特許庁

The angle of the optical axis of the waveguide (active layer 20) which makes the normal to the emitting plane 12a is the Brewster angle (15.9°, when the transmission refractive index of the waveguide is set to 3.5 and refractive index of air to 1.0).例文帳に追加

ここで、上記導波路（活性層２０）の光軸と出射面１２ａの法線とのなす角はブリュスター角（導波路の透過屈折率を３．５、空気の屈折率を１．０とした場合１５．９°）となっている。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting device, which is enhanced in emission output and improved in electrostatic breakdown voltage by the use of an active layer of multi-quantum well structure, enabling wide application to various products.例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性層を用い種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、発光出力がより向上し、静電耐圧が良好な窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The layer of the electrode active material is formed by an anodic deposition method to produce the multiple oxide which comprises Sn occupying 0.1-3 mol% in cations, Mo and (/or) W occupying 0.2-20 mol% in cations and the balance the oxide of the platinum group metal.例文帳に追加

電極活物質の層は、Ｓｎが陽イオンの０．１〜３モル％、Ｍｏおよび（または）Ｗが陽イオンの０．２〜２０モル％を占め、陽イオンの残部がＭｎからなる複酸化物を、陽極析出法により形成する。 - 特許庁

The effective refractive index difference ΔnB therein is made large and a light generated in an active layer 14 is effectively enclosed in a stripe region 14A to form an appropriate top-hat type NFP profile.例文帳に追加

屈折率導波領域Ｂにおける実効屈折率差ΔｎＢを大きくして、活性層１４で発生した光をストライプ領域１４Ａに有効に閉じ込め、トップハット型の良好なＮＦＰプロファイルを形成する。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable resin composition that has good compatibility with a low-polarity substance and is suitable for forming a surface coat layer on a variety of synthetic resin products with excellent scuffing resistance and antistatic properties.例文帳に追加

耐擦傷性及び帯電防止性に優れた各種合成樹脂製品の表面コート層の形成に適した、低極性物質との相溶性がよい活性エネルギー線硬化性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of a conventional nitride compound semiconductor laser wherein the increase of an operating voltage is generated according as the width of an optical waveguide is made narrow in order to widen the widening angle of a laser beam in a horizontal direction in an active layer.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体レーザにおいて、活性層に水平方向のレーザ光の広がり角を広くするために光導波路の幅を狭くすると、動作電圧の上昇を招いてしまう。 - 特許庁

The width of a distortion semiconductor active layer varies at three stages: a region where a TE polarization is mainly amplified, a region for amplifying independent of polarization, and a region for amplifying a TM polarization.例文帳に追加

歪み半導体活性層の幅を３段階に変化させることを特徴とし、主にＴＥ偏波を増幅する領域、偏波無依存に増幅する領域、ＴＭ偏波を増幅する領域を持たせるものである。 - 特許庁

To solve such a problem that GaInNAs and GaInAs quantum well layers are degraded due to the segregation of In, and to provide a GaInNAs semiconductor laser with high performance by forming a high-quality quantum well active layer.例文帳に追加

本発明の目的は、Inの偏析を主要因とするGaInNAs、およびGaInAs量子井戸層の品質が低下の問題を解決し、高品質な量子井戸活性層を形成し、高性能なGaInNAs系半導体レーザを提供することにある。 - 特許庁

To obtain an active energy ray-curable resin composition for forming a protective layer having excellent curing properties, scuff resistance, hardness, adhesiveness, transparency, etc., on the surface of a cyclic olefin-based substrate.例文帳に追加

環状オレフィン系樹脂基材の表面に、硬化性、耐擦傷性、硬度、接着性、透明性等に優れた保護層を形成するための活性エネルギー線硬化性樹脂組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

An active region 6 is provided on a lateral growth layer 5 grown in a C-axis direction of a semiconductor device of nitride group III-V compound laminated by the nitride group III-V compound on a surface parallel to a C axis.例文帳に追加

Ｃ軸に平行な面にナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体を積層したナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体装置のＣ軸方向に成長した横方向成長層５上に能動領域６を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element whose sufficient lifetime can be ensured and by which high emission efficiency can be ensured by suppressing overflow of carriers while suppressing dislocation density in an active layer and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

活性層における転位密度を抑制しつつ、十分な素子寿命を確保し、かつキャリアのオーバーフローを抑制して高い発光効率を確保可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The cathode active substance layer applied end 21 on the side of starting a winding is positioned in a range between an edge of a first arc 26a of the cathode lead 2 and an edge of a second arc 26d of the anode lead 7.例文帳に追加

捲回開始側の正極活物質層塗布端部２１が正極リード２の第１の円弧部２６ａ側のエッジと負極リード７の第２の円弧部２６ｄ側のエッジとで挟まれた範囲内に位置する。 - 特許庁

In method of manufacturing the stuck wafer formed by sticking a wafer for active layer and a wafer for support substrate with an oxide film interposed therebetween, a silicon oxide film having a low density of not larger than 2.20 g/cm^3 before sticking is used as the oxide film.例文帳に追加

酸化膜を介して活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハを貼り合わせて形成する貼り合わせウェーハの製造方法において、貼り合わせ前の酸化膜が、2.20g／cm^3以下の低密度シリコン酸化膜を用いる。 - 特許庁

In addition, the total film thickness d1 of the transparent conductive films 15A and 15B is set so that the thickness d1 may become an optical distance which is 1/4×(2n+1) times (n is a natural number) as large as the wavelength of the light emitted from an active layer 13.例文帳に追加

また、これら透明導電膜の膜厚の合計ｄ１を、活性層１３から発せられた光の波長に対して１／４×（２ｎ＋１）倍（ｎ：自然数）の光学距離となるように設定する。 - 特許庁

A utilization rate at a fully charged state of the negative electrode 22 is 20% or more and 70% or less, with a thickness of the negative electrode active material layer 22B in a discharged state at initial charging and discharging of 40 μm or less.例文帳に追加

負極２２の満充電状態における利用率は、２０％以上７０％以下であり、負極活物質層２２Ｂの初期充放電時の放電状態における厚さは、４０μｍ以下である。 - 特許庁

To provide a structure of a semiconductor laser which is easy to detect the final point of etching, in the case of working a width of an active layer of the emission end to a submicron size, and which can prevent mismeasurement, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

出射端部の活性層幅をサブミクロンサイズまで加工する際に、エッチングの終点検出が容易で、誤測定を防止できる、半導体レーザの構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The powder 40 is fixed to the copper foil 50 by irradiating laser beams L using nonoxidative gas as assist gas from the side of the mixed powder 40 for heating while they are scanned to form a first layer of the negative active material.例文帳に追加

そして、非酸化性ガスをアシストガスとしたレーザ光Ｌを混合粉体４０の側からスキャンしながら照射・加熱して銅箔５０に粉体４０を固着させ１層目の負極活物質４１ｂを形成する。 - 特許庁

To prevent characteristics from changing at the time of start and finish of cell formation, which is caused by the change of the amount of impurities in an active layer attendant on the change of desorbed gas in a continuous cell-formation by a plasma enhanced CVD.例文帳に追加

プラズマＣＶＤによるセル連続形成において、脱離ガスの変化に伴って活性層中の不純物量が変化し、セル形成開始時と終了時とで特性が変動するのを防止する。 - 特許庁