「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(124ページ目) - Weblio英語例文検索

A catalyst layer 14a is formed by forming many fine narrow pores 12 penetrating in the thickness direction inside a plate like or film like support 10 and supporting the catalytic active material on the inner peripheral surfaces of the narrow pores 12.例文帳に追加

板状またはフィルム状の担体１０の内部に、肉厚方向に貫通する多数の微細孔１２を形成し、この微細孔１２の内周面に触媒活性物質を担持させて触媒層１４ａを形成した。 - 特許庁

A light receiving chip 1A is composed of a semiconductor support substrate 10 and a semiconductor active layer 12 formed on one surface of the substrate 10 and arranged as confronting a light source, and is provided on the photovoltaic device.例文帳に追加

半導体支持基板１０と、この半導体支持基板１０の一の面側に設けられる半導体活性層１２とにより構成され、光源と対向配置される受光チップ１Ａを光起電力装置に設けた。 - 特許庁

At least either the cathode 1 or the anode 2 is equipped with a collector 2A and an active material layer 2B with an exposed part 21 of the former 2A electrically connected with the battery case 10 through a lead 16.例文帳に追加

正極１および負極２の少なくとも一方は集電体２Ａと活物質層２Ｂとを有し、集電体２Ａの露出部分２１はリード１６を介して電池ケース１０に電気的に接続されている。 - 特許庁

A VCSEL 10 has: a lower DBR(Distributed Bragg Reflector) 14 including a semiconductor oxidized layer 32 formed on a substrate 12 and whose constituent element is Al; an active region 16; and an upper DBR 18 processed on a post P.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０、基板１２上に形成され、Ａｌを構成元素とする半導体被酸化層３２を含む下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ポストＰに加工された上部ＤＢＲ１８とを備える。 - 特許庁

The cathode exposed region 21D has an insulating protective member 30 arranged on a winding laid just under the outermost winding of an anode active layer material 22B, at a position facing an end part 22B1 located at the outer peripheral side of the outermost winding.例文帳に追加

正極露出領域２１Ｄは、負極活物質層２２Ｂの巻回外周側の端部２２Ｂ１の１周内側の対向位置における外周側に、絶縁性の保護部材３０を有している。 - 特許庁

In the active matrix type display device, a protection film 8 which serves both for absorption of laser surplus power and for spilling prevention of conductor fragments is arranged on the upper layer side of a laser irradiation part for correcting a point defect.例文帳に追加

アクティブマトリクス型表示装置において、点欠陥を修正するためのレーザ照射部の上層側に、レーザ余剰パワー吸収用および導体破片の飛び散り防止用を兼ねた保護膜８を配置する。 - 特許庁

The active layer 8 is made from composition equation Ba_xZn_1-xO(0<x<0.55), and comprises a mixed crystal compound where ZnO is solidified in Ba component so that the band gap energy Ge is smaller than ZnO.例文帳に追加

活性層８は組成式Ｂａ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ＜０．５５）からなり、バンドギャップエネルギーＥｇがＺｎＯよりも小さくなるようにＢａ成分にＺｎＯを固溶させた混晶化合物で形成されている。 - 特許庁

The current collector 1 is formed by juxtaposing a plurality of metallic wires 110 at an interval, and the electrode lead-out part 11 exposed from the active material layer 2 is constituted of respective end parts (linear pieces) of the metallic wires 110.例文帳に追加

集電体1は、複数の金属線110を間隔をあけて並列することで形成されており、活物質層2から露出する電極取出し部11が金属線110の各端部（線状片）で構成されている。 - 特許庁

The active layer 14 is provided with a multiple quantum well (MQW) structure that has a periodic structure formed by repeating two kinds of InGaAlN layers whose band gap energy is different from each other and respective thickness is 10nm or less.例文帳に追加

活性層１４はバンドギャップエネルギーが異なり、それぞれの厚さが１０ｎｍ以下の２種類のＩｎＧａＡｌＮ層の繰り返しで構成される周期構造からなる多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。 - 特許庁

The positive electrode mixture layer 12 contains a powder form positive electrode active material, a powder form binder, and a powder form conductive agent, and has a through hole 12A formed by cohesive force of these powders.例文帳に追加

正極合剤層１２は、粒子状の正極活物質と、粒子状の結着剤と、粒子状の導電剤とを含んでおり、これら粉体の凝集力により形成された貫通孔１２Ａを有している。 - 特許庁

The semiconductor laser element has one support 2 on each side of a ridge 1 located above an active layer, and the support 2 is divided by a trench 3 formed along the short side of the ridge 1.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、活性層の上方に位置するリッジ１の両側方に１本ずつサポート２を有し、サポート２は、リッジ１の短手方向に沿って形成された溝部３によって分割されている構成とする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element of improved light emitting output and better electrostatic resistance, for expanded application range to various application products, using an active layer of a multiplex quantum well structure.例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性層を用い種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、発光出力がより向上し、静電耐圧が良好な窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The power storage device includes a negative electrode having a crystalline silicon film as a negative electrode active material on the surface of a current collector and containing conductive oxide on a surface layer section of the crystalline silicon film.例文帳に追加

集電体の表面に負極活物質として結晶性珪素膜が設けられ、前記結晶性珪素膜の表層部に導電性酸化物が含まれている負極を有する蓄電装置に関する。 - 特許庁

To attain compatibility between high internal quantum efficiency obtained by reduction in through dislocation density and high external quantum efficiency obtained by effective use of light emission of an active layer while using an inexpensive silicon substrate.例文帳に追加

安価なシリコン基板を用い、貫通転位密度の低減による内部量子効率の向上と、活性層の発光の有効活用による外部量子効率の向上と、を両立できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

The hollow capsule structure can be utilized widely in various fields such as a catalyst carrier, a support medium for carbon nanotubes growth, an active material, a conductive agent, a separating agent, a deodorant, a water-purifying agent, an adsorbent, a matter for forming an emitter layer for a display, and a filter.例文帳に追加

触媒担持体、カーボンナノチューブ成長用支持体、活物質、導電剤、分離剤、脱臭剤、浄水剤、吸着剤、ディスプレイ用エミッタ層形成用物質、フィルターなど様々な分野で広く利用できる。 - 特許庁

Laser beams L using non-oxidizing gas as assist gas are scanned from the side of the mixed powder 40 and irradiated to heat and fix the powder 40 to the copper foil 50 and the first layer of the negative active material 41b is formed.例文帳に追加

そして、非酸化性ガスをアシストガスとしたレーザ光Ｌを混合粉体４０の側からスキャンしながら照射・加熱して銅箔５０に粉体４０を固着させ１層目の負極活物質４１ｂを形成する。 - 特許庁

The positive electrode 21 contains the positive electrode active material that has a covered layer composed of oxides containing Ni or Mn in complex oxide particles of which the average composition is expressed by Li_(1+w)Co_(1-x-y)Bi_xM_yO_(2-z).例文帳に追加

正極２１は、平均組成がＬｉ_(1+w) Ｃｏ_(1-x-y) Ｂｉ_x Ｍ_y Ｏ_(2-z) で表される複合酸化物粒子にＮｉまたはＭｎを含む酸化物よりなる被覆層が設けられた正極活物質を含んでいる。 - 特許庁

The surface of the positive electrode collector at least on a side toward the positive electrode active substance layer is made from a material, containing 1 mass% of an element (for example platinum) having a work function of 4.5 or more.例文帳に追加

ここで、前記正極集電体のうち少なくとも前記正極活物質層側の表面は、仕事関数４．５以上の元素（例えば白金）を１質量％以上含む材料により構成されている。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate for which a short-circuit between adjacent pull-out wires formed in the same layer is surely detected by a simple configuration when the pull-out wires are formed in each of the plurality of layers.例文帳に追加

引出配線が複数の層のそれぞれに形成された場合において、同じ層に形成された隣接する引出配線間の短絡を簡易な構成で確実に検出することができるアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

A matrix which is solid at room temperature, and in which a substance such as an acrylic acid polymer, which generates viscosity with water, is dispersed at least in the vicinity of the surface layer of a matrix particle containing a polyglycerin fatty acid ester and the active component.例文帳に追加

ポリグリセリン脂肪酸エステルと薬効成分とを含むマトリックス粒子の少なくとも表層近傍に、アクリル酸系重合体などの水で粘性を生じる物質が分散している、常温で固体のマトリックス。 - 特許庁

To provide a production method of a semiconductor light-emitting element, which can enhance the proportion of incorporated In in a step of growing an active layer containing In on a GaN substrate, having a semipolar plane as main surface.例文帳に追加

半極性面を主面とするＧａＮ基板上にＩｎを含む活性層を成長させる際に、Ｉｎが取り込まれる割合を高めることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The positive electrode active material layer 7 comprises cobalt, lithium and an additive containing at least one kind selected from a group of manganese, iron, copper, titanium, molybdenum, tungsten, chromium, vanadium, niobium, tantalum, zinc, aluminum, gallium, indium, tin and lead.例文帳に追加

正極活物質層７は、マンガン、鉄、銅、チタン、モリブデン、タングステン、クロム、バナジウム、ニオブ、タンタル、亜鉛、アルミニウム、ガリウム、インジウム、錫および鉛からなる群より選ばれた少なくとも一種を含む添加物と、コバルトと、リチウムとを含む。 - 特許庁

To provide a lithium ion secondary battery which includes an electrode plate where conductive material distribution inside a cathode composite layer is made uniform and binding material does not cover the active substance.例文帳に追加

正極合材層の内部での導電材の分布の均一化が図られているとともに，結着材が活物質を覆っていない電極板を有するリチウムイオン二次電池およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the semiconductor device, a cathode ohmic electrode 108 is formed, as a Schottky diode, on the active layer 103 of a Gunn diode GD having an epitaxial structure exhibiting diode characteristics of negative resistance.例文帳に追加

この半導体装置は、負性抵抗を有するダイオード特性を持つエピタキシャル構造からなるガンダイオードＧＤの活性層１０３上にショットキー電極としてカソードオーミック電極１０８が形成されている。 - 特許庁

Silanol groups photochemically reacting with liquid crystal molecules 50a are reduced by making a silane compound react with OH parts existing on the surface of the alignment layer 16 of the silanol groups to be reaction active sites.例文帳に追加

反応活性サイトとなるシラノール基のうち配向膜１６の表面に存在するＯＨ部分にシラン化合物を反応させておくことによって、液晶分子５０ａと光化学反応するシラノール基を低減する。 - 特許庁

The quantum wires 13 are formed at positions corresponding respectively to the V-shaped grooves 22, and a laser active layer area which has a limited length corresponding to the stripe width of the laser light to be oscillated is provided to them respectively.例文帳に追加

複数の量子細線13はＶ溝22のそれぞれに対応した位置に形成されて、個々にそれぞれ、発振させるべきレーザ光のストライプ巾に対応する有限長のレーザ活性層領域を構成する。 - 特許庁

In such constitution, an annular channel region is formed on a Si layer 5 in an active region, for example, in a square or rectangular shape, and the channel width of the MOSFET diode is efficiently widened.例文帳に追加

このような構成であれば、例えば正方形或いは長方形のアクティブ領域のＳｉ層５に、環状のチャネル領域を形成することができ、ＭＯＳＦＥＴダイオードのチャネル幅を効率良く広げることができる。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor device 20 has a source electrode 31 and a drain electrode 32 configured such that a current flows between the two electrodes through an active layer 25 in an on-state, a gate electrode 33, and a reverse-surface electrode 34.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体装置２０は、オン状態で能動層２５を介して相互間に電流が流れるソース電極３１およびドレイン電極３２と、ゲート電極３３と、裏面電極３４とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element, having small threshold current, high differential efficiency and satisfactory characteristics, by reducing electrons that overflow an electronic barrier to confine electrons in an active layer.例文帳に追加

活性層内に電子を閉じ込めるための電子障壁を越えてオーバーフローする電子を低減することで、しきい電流が小さく、微分効率の高い、良好な特性を備える半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The core layer 93 is formed principally of a resin composition containing cyclic olefin-based resin, the material varying in refractive index by irradiation with an active energy light beam or electron beam (or further heating).例文帳に追加

コア層９３は、環状オレフィン系樹脂を含む樹脂組成物を主材料とし、かつ活性エネルギー光線または電子線の照射（またはさらに加熱すること）により屈折率が変化する材料で構成されている。 - 特許庁

To provide a capacity recovery method for a lithium ion secondary battery that efficiently recovers battery capacity (discharge capacity) having decreased owing to insertion of Li to a non-opposite part of a negative electrode active material layer.例文帳に追加

負極活物質層の非対向部にＬｉが挿入されたことにより低下した電池容量（放電容量）を効率よく回復することができる、リチウムイオン二次電池の容量回復方法を提供する。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor device 20 has a source electrode 31 and a drain electrode 32 configured such that a current flows between the two electrodes through an active layer 25 in an on-state, a gate electrode 33, and a reverse-surface electrode 34.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体装置２０は、オン状態で２つの電極間で能動層２５を介して電流が流れるソース電極３１およびドレイン電極３２と、ゲート電極３３と、裏面電極３４とを備える。 - 特許庁

To provide a lithium secondary battery and its manufacturing method, where the lithium secondary battery has a low internal resistance and is formed by using a positive electrode with a positive electrode active substance layer which has appropriate composition that is made of an aqueous paste.例文帳に追加

水系ペーストを用いて形成するのに適した組成の正極活物質層を有する正極を用いて構築され、かつ内部抵抗の低いリチウム二次電池およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An active layer 300 comprising polycrystalline silicon that is formed on an insulating substrate is formed of a first MILC crystallization region and a second MILC crystallization region by carrying out an MILC method with different temperatures.例文帳に追加

絶縁基板上に形成される多結晶シリコンからなる活性層３００を、異なる温度のＭＩＬＣ法を実行することで第１ＭＩＬＣ結晶化領域及び第２ＭＩＬＣ結晶化領域により形成する。 - 特許庁

A lithium secondary battery comprises a noaqueous electrolyte and an electrode body 1 obtained by winding positive and negative electrode plates 2, 3 formed by coating an electrode active material layer on each collector-substrate surface, via a separator 4.例文帳に追加

集電基板表面に電極活物質層を形成してなる正負各電極板２・３をセパレータ４を介して捲回してなる電極体１を備え、非水電解液を用いたリチウム二次電池である。 - 特許庁

A volume of Co contained in the lithium transition metal complex oxide of the cathode active material layer is preferred to be 10 to 40 wt.% of the total volume of transition metal contained in the complex oxide.例文帳に追加

正極活物質層におけるリチウム遷移金属複合酸化物に含まれるＣｏの量は、該複合酸化物に含まれる遷移金属の総量に対して１０〜４０重量％であることが好ましい。 - 特許庁

In the switching element constituted of the gate electrode, an active layer, a source electrode and the drain electrode, one side of a part which is overlapped with the drain electrode in one side of the gate electrode is constituted in a shape bent inside.例文帳に追加

ゲート電極とアクティブ層とソース電極及びドレーン電極で構成されるスイッチング素子において、ゲート電極の一辺の中上記ドレーン電極と重なる部分の一辺を内側に折れた形状で構成する。 - 特許庁

The stent has a layer formed of a composition including a physiologically active substance, a biodegradable polymer, and a plasticizer on at least a part of the surface of a stent body and is held in the lumen in a living body.例文帳に追加

ステント本体の表面の少なくとも一部に、生理活性物質と生分解性ポリマーと可塑剤とを含む組成物から形成される層を有する生体内の管腔に留置することを特徴とするステントである。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate can reduce dispersion of an In composition in an active layer by using a GaN substrate having dispersion of an off-angle in a substrate surface; and a manufacturing method of the epitaxial substrate.例文帳に追加

基板面内にオフ角のばらつきを有するＧａＮ基板を使用して、活性層におけるＩｎ組成のばらつきを低減することができるエピタキシャル基板、及びエピタキシャル基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Total loss is increased by increasing only the waveguide loss, a high-order quantum level is stimulated to expand the gain spectrum width of an active layer to 200 nm, thus providing the wide-band variable-wavelength semiconductor laser.例文帳に追加

導波路損失のみを高めることで全損失を大きくして、高次の量子準位を励起させることで、活性層の利得スペクトル幅を２００ｎｍまで広げて、広帯域の波長可変半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide an anode for a nonaqueous electrolyte secondary battery in which a channel capable of circulating nonaqueous electrolytic solution is formed necessarily and sufficiently in an active material layer, and overvoltage of initial charging can be lowered.例文帳に追加

非水電解液の流通が可能な経路が活物質層内に必要且つ十分に形成され、初期充電の過電圧を低くすることが可能な非水電解液二次電池用負極を提供すること。 - 特許庁

The selective placement of the region containing the metal element allows whisker to be generated effectively in the active material layer formed on the current collector, and also allows the generation region to be controlled.例文帳に追加

該金属元素を含む領域を選択的に配置することで、集電体上に形成される活物質層においてウィスカーを効果的に発生させることができ、また、その発生領域を制御することが可能となる。 - 特許庁

The electrode for a power storage device is provided by selectively placing a region containing a metal element serving as a catalyst on a current collector and then forming an active material layer, and a power storage device including the electrode is provided.例文帳に追加

集電体上に、触媒として機能する金属元素を含む領域を選択的に配置した後、活物質層を形成した蓄電装置用電極およびこれを用いた蓄電装置を提供する。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting element comprises: an n-type nitride semiconductor 104; a p-type nitride semiconductor 106; and an active layer disposed between the n-type nitride semiconductor 104 and the p-type nitride semiconductor 106.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体１０４と、ｐ型窒化物半導体１０６と、ｎ型窒化物半導体１０４とｐ型窒化物半導体１０６との間に配置される活性層と、を備える。 - 特許庁

The gyro has a ring resonance type semiconductor laser where lights circumferentially transmit mutually reversely to each other, terminals detecting beat signal and a ring shape active layer.例文帳に追加

本発明に係るジャイロは、互いに逆回りの周回状に光が伝搬するリング共振器型半導体レーザーを有し、ビート信号を検出する端子を有し、かつ、リング状の活性層を有することを特徴とする。 - 特許庁