「at AR」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

At a demonstration for reporters on Oct. 24, the AR put away a tray of dishes, put a shirt into a washing machine and swept the floor. 例文帳に追加

10月24日の記者向けの実演では，ARは食器を乗せたトレーを片付け，洗濯機の中にシャツを入れ，床を掃除した。 - 浜島書店 Catch a Wave

In etching the SiOC based low permittivity film using a C_4F_8/Ar/ N_2 based mixture gas, flow rate ratio of Ar is set at 80% or above.例文帳に追加

Ｃ_４Ｆ_８／Ａｒ／Ｎ_２系混合ガスを用いてＳｉＯＣ系低誘電率膜をエッチングする場合、Ａｒの流量比を８０％以上とする。 - 特許庁

Such an etching treatment was carried out by supplying Ar gas and Cl2 gas at 0.04 Torr vacuum and high-frequency power of 0.44 W/cm2.例文帳に追加

本エッチング処理は、真空度０.0４Torr、高周波電力0.44W/cm^2 成る条件下で、ArガスとＣl_2ガスを供給することにより実施した。 - 特許庁

Fluorine-containing polyimide is particularly preferable, obtained by imidizing a polyimide precursor formed by a reaction of compounds shown by general formulas 1 and 2, wherein at least one of Ar^1 and Ar^2 has a -CF_3 group.例文帳に追加

式（１）及び（２）中、Ａｒ^１、Ａｒ^２の少なくとも一方が−ＣＦ_３基を有している。 - 特許庁

[Wherein, Ar is a quadrivalent group having at least one aromatic ring; Ar_1 is a bivalent group; and X is O, S, C(CH_3)_2, C(CF_3)_2, CH_2, CO or a direct bond].例文帳に追加

（式中、Arは少なくとも１つの芳香環を有する４価の基であり、Ar_1は２価の基であり、ＸはO、S、C(CH_3)_2、C(CF_3)_2、CH_2、CO又は直接結合である。） - 特許庁

There is provided a phosphine sulfide compound represented by general formula (I), wherein Ar^1 to Ar^3 each independently represents an aromatic group which may have a substituent, and at least one of Ar^1 to Ar^3 represents a condensed polycyclic aromatic group having seven or more double bonds.例文帳に追加

下記一般式（Ｉ）で表されるホスフィンスルフィド化合物式中、Ａｒ^１〜Ａｒ^３は各々独立して置換基を有しても良い芳香族基であり、Ａｒ^１〜Ａｒ^３のすくなくとも１つ以上は二重結合数が７個以上の縮合多環芳香族基である。 - 特許庁

The internal layer is composed of at least one material having a relative elongation at break Ar at 20°C in excess of 6%.例文帳に追加

内層は相対破断点伸びＡｒが２０℃で６％以上の少なくとも一つの材料からなる。 - 特許庁

The method for producing a biaryl compound represented by formula (2): Ar-Ar (wherein Ar represents an aromatic group that may have a substituent), comprises a step wherein a compound represented by formula (1) Ar-Cl (wherein Ar is as defined above), is coupled in the presence of an amine compound that has at least two tertiary amino groups in each molecule, a copper metal and a copper salt.例文帳に追加

分子内に少なくとも２つの三級アミノ基を含むアミン化合物、金属銅及び銅塩の存在下、式（１） Ａｒ−Ｃｌ （１）（式（１）中、Ａｒは置換基を有していてもよい芳香族基を表す。）で示されるアリールクロライド化合物をカップリングさせる工程を含むことを特徴とする式（２） Ａｒ−Ａｒ （２）（式（２）中、Ａｒは前記と同義である。）で示されるビアリール化合物の製造方法。 - 特許庁

At the time of diagnosing equipment, variate data is actually measured to form AR models.例文帳に追加

機器を診断するとき、実際に変量データを計測し、ＡＲモデルを立てる。 - 特許庁

As the etching gas at this time, a mixture gas of SF_6, CHF_3 and Ar is used.例文帳に追加

このときのエッチングガスには、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３及びＡｒの混合ガスを用いる。 - 特許庁

Before completing the blowing, a deoxidizing agent is preferably added at 0.1 kg/ton of molten metal in terms of Al.例文帳に追加

Arの吹き込み終了以前に脱酸剤を溶湯１ｔ当たり、Alで0.1kg／ｔ以下添加とするとよい。 - 特許庁

Ar and at least one of Y_1 and Y_2 may join together to form a ring.例文帳に追加

ＡｒとＹ_１及びＹ_２の少なくとも一つが結合して環を形成してもよい。 - 特許庁

To provide a method for measuring water vapor permeability rates of samples, which can measure the permeability rate at which water vapor passes through the sample, without affected by Ar being left in or leaked from a vacuum room used for analyses, Ar being sealed in a gas room and passing through the sample or Ar being contained in the sample.例文帳に追加

分析を行う真空室に残留又は漏洩したＡｒ、ガス室に封入され試料を透過したＡｒ、あるいは、試料に含まれていたＡｒの影響を受けることなく試料を透過する水蒸気の透過速度を測定し得る、試料の水蒸気透過速度測定方法を提供する。 - 特許庁

At that time, if the AR marker in the real image is a signboard or a mark for emergency, warning or the like, the AR object is transparently displayed, and a real image corresponding to the AR object is copied to be superposedly displayed on the forefront face of the real image.例文帳に追加

このとき、現実画像中におけるＡＲマーカが、緊急用や警告などを示す看板や標識である場合等には、ＡＲオブジェクトを透明表示するとともに、ＡＲオブジェクトに対応する現実画像をコピーして、現実画像の最前面に重畳表示する。 - 特許庁

Therein, the antireflection layer 12 is formed according to a sputtering method, the low refractive index layer is formed at an Ar introduction pressure of 2 to 5 Pa and the high refractive index layer is formed at an Ar introduction pressure of 5 to 10 Pa.例文帳に追加

なお、反射防止層１２は、スパッタリング法により形成され、低屈折率層は、アルゴンの導入圧が２〜５Ｐａで形成され、高屈折率層は、アルゴンの導入圧が５〜１０Ｐａで形成される。 - 特許庁

The extract comprises at least one flavonoid chosen from the group consisting of apigenin, dihydrokaemferol, dihydroquercetin, dihydro-ar-turmerone and ar-turmerone.例文帳に追加

抽出物は、アピゲニン、ジヒドロケンフェロール、ジヒドロクェルセチン、ジヒドロ−ａｒ−ターメロン及びａｒ−ターメロンからなる群から選択される少なくとも１種のフラボノイドを含んでいる。 - 特許庁

A chalcogen compound semiconductor film 23 is half etched with an etching gas mixed with Cl_2 and Ar at a specified mix ratio, and then etched with only Ar.例文帳に追加

エッチングガスにＣｌ_２とＡｒを特定の比率で混合したガスを用いて、カルコゲン化合物半導体膜２３を途中までエッチングし、その後、Ａｒのみを用いてカルコゲン化合物半導体膜２３をエッチング処理する。 - 特許庁

The area ratio AR of the region above the reference line as the border and the area of the region below the reference line is calculated from the areas At and Ab thus calculated.例文帳に追加

こうして算出された面積Ａｔと面積Ａｂとから、基準線を境にした上側の領域の面積と下側の領域の面積との面積比ARを算出する。 - 特許庁

A chalcogen compound semiconductor film 23 is half-etched by using an etching gas mixed with Cl_2 and Ar at a specific mix ratio, and then the chalcogen compound semiconductor film 23 is etched using only Ar.例文帳に追加

エッチングガスにＣｌ_２とＡｒを特定の比率で混合したガスを用いて、カルコゲン化合物半導体膜２３を途中までエッチングし、その後、Ａｒのみを用いてカルコゲン化合物半導体膜２３をエッチング処理する。 - 特許庁

While a P-channel type MISFET is covered by a mask layer RM, ion (at least one of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr is included) is implanted into an N-type source region and an N-type drain region of N-channel type MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

While a p-channel MISFET is covered with a mask layer RM, ion (including at least a kind of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr) is implanted to the n-type source region and n-type drain region of n-channel MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

When a bend occurs in the first area (Ar(1)), a film in a peripheral zone (Z) around the cut line (9) is subjected to tension, and occurrence of any bend at the cut line (9) can be suppressed.例文帳に追加

第１領域(Ar(1))に屈曲が生じると、カットライン(9)の周囲の周辺ゾーン(Z)のフィルムに張りが出るためカットライン(9)で屈曲が生じるのを抑制することができる。 - 特許庁

The etching is performed in such a manner that a gaseous mixture of Ar, Cr_4 and O_2 in which the mixing ratio of Ar is ≥70% is introduced into the chamber under a gaseous pressure of ≤26 Pa, and the side face temperature of the work is held at 50 to 250°C.例文帳に追加

チャンバー内にはＡｒ混合比７０％以上のＡｒ，ＣＦ_４，Ｏ_２の混合ガスをガス圧２６Ｐａ以下で導入し、被加工物の側面温度を５０℃以上２５０℃以下に保ってエッチングを行う。 - 特許庁

A PDP has, as a protection membrane 8, a structure in which at least one kind of rare gas atoms selected from He, Ne, Ar, Kr, Xe, and Rn is dispersed in the range of 10 ppm to 1,000 ppm against MgO that becomes a base material.例文帳に追加

本実施の形態におけるPDPは保護膜８として、母材となるMgOに対し、He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rnから選択された少なくとも1種類の希ガス原子を10ppm〜1000ppmの範囲で分散させた構造とする。 - 特許庁

(2) In the continuous casting method of steel, Al killed steel having no added Ca is casted using the immersing nozzle at an average descending flow speed of the molten steel within the range from 1.0 to 2.5 m/s in the immersed nozzle while blowing Ar gas into the molten steel existing in the immersed nozzle.例文帳に追加

(2)前記の浸漬ノズルを用い、浸漬ノズル内における溶鋼の平均下降流速を1.0〜2.5m/sとし、浸漬ノズル内の溶鋼にArガスを吹き込みながら、Ca非添加のAlキルド鋼を鋳造する鋼の連続鋳造方法である。 - 特許庁

For example, an Ar ion laser at the wavelength λ=334 nm or a He-Cd laser at the wavelength λ=325 nm is used.例文帳に追加

例えば、波長λ＝３３４ｎｍのＡｒイオンレーザーやλ＝３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザーを使用する。 - 特許庁

The aluminum compound is represented by general formula (1) (wherein Ar is a phenyl group or a naphthyl group containing at least one halogen-substituted group or a 2,4,6-tri-substituted phenyl group containing t-butyl groups at least at the 2,6-positions).例文帳に追加

下記一般式（１）（式中、Arは、少なくとも１個のハロゲン置換基を有するフェニル基若しくはナフチル基、又は少なくとも２，６−位にｔ−ブチル基を有する２，４，６−トリ置換フェニル基を示す。）で表されるアルミニウム化合物。 - 特許庁

Preferably, the rare gas contains at least one of krypton (Kr), argon (Ar) and xenon (Xe).例文帳に追加

好ましくは、希ガスとして、クリプトン（Ｋｒ）、アルゴン（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ）の少なくとも何れか１つを含有する。 - 特許庁

As for the Ar/F laser used in the laser beam, the energy density of the laser beam is set at 0.07 J/cm^2/Puls or more.例文帳に追加

レーザー光線がＡｒ・Ｆレーザーである場合に於いて、前記レーザー光線のエネルギー密度を０．０７Ｊ／ｃｍ２／Ｐｕｌｓ以上に設定する。 - 特許庁

Then, annealing is performed at 400-700 °C in nitrogen, gas containing nitrogen such as NH_3, and inert gas such as Ar and He.例文帳に追加

その後、窒素、ＮＨ_3など窒素を含むガスやＡｒ、Ｈｅなど不活性ガス中にて４００〜７００℃にて熱処理を行う。 - 特許庁

The completed molded body is inserted in a C-shaped container and sintered at 1,400°C in Ar atmosphere for 10 hours by using the electric furnace.例文帳に追加

できた成形体をＣ型の容器に入れ、電気炉を用いてＡｒ雰囲気中で１４００℃にて１０時間焼結を行う。 - 特許庁

The peroxide-functional organopolysiloxane (P) comprises at least one of a unit represented by formula (I): Y_aR_bSiO_4-a-b/2.例文帳に追加

一般式（Ｉ）Ｙ_ａＲ_ｂＳｉＯ_４_−_ａ_−_ｂ／２ （Ｉ）の単位を少なくとも１つ有するペルオキシド官能性オルガノポリシロキサン（Ｐ）。 - 特許庁

At least one kind of surfactant is a polycyclic aromatic compound expressed by formula: R_1-Ar-X_1M_1 (wherein Ar denotes a condensed ring, R_1 an alkyl group and X_1M_1 a hydrophilic group).例文帳に追加

Ｒ_1−Ａｒ−Ｘ_1Ｍ_1 一般式（１）（一般式（１）において、Ａｒは縮合環を表し、Ｒ_1のアルキル基を表し、Ｘ_1Ｍ_1は親水基を表す。） - 特許庁

Ar, He or Xe is preferably employed as the inert gas and dummy heating is performed for 30-480 min at a temperature of 850-1,050°C.例文帳に追加

好ましくは、不活性ガスとして、Ａｒ、Ｈｅ、またはＸｅを用い、８５０〜１０５０℃の温度で、３０〜４８０分間空焼きを行う。 - 特許庁

This nanocarbon dispersant contains at least one kind of compound represented by following formula (1) and polyvinylpyrrolidone: Ar-X-Y-Z formula (1).例文帳に追加

下記式（１）で表される化合物の少なくとも一種及びポリビニルピロリドンを含有するナノカーボン分散剤。 - 特許庁

The surface of the high-permittivity insulating film 103 is subjected to surface treatment through the use of plasma of a mixed gas of Cl2 and Ar mixed at a mixing ratio 1:1.例文帳に追加

そして、Ｃｌ_2／Ａｒ＝１／１混合ガスによるプラズマで高誘電率絶縁膜１０３の表面処理を行なう。 - 特許庁

The capturing device 5 is arranged at the top of the inspection area, and captures and moves a cylindrical element 9 put in the inspection ar ea to a predetermined height position.例文帳に追加

捕捉装置５は、検査エリアの頂部に配置され、検査エリアに入る筒状エレメント９を捕捉し、所定の高さ位置まで移動させる。 - 特許庁

At the time, it is preferable that the inert gas is any one of Ar, He, N_2, vaporized H_2O gas or a mixed gas of them.例文帳に追加

このとき、不活性ガスをＡｒ、Ｈｅ、Ｎ_2および気化したＨ_2Ｏガス或いはこれらの混合ガスであると好適となる。 - 特許庁

He gas is mixed with at least one gas selected from among Ne, Ar, Kr, Xe and Rn to form a sputter-gas mixture.例文帳に追加

Ｈｅガスと、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、ＸｅおよびＲｎから選択される少なくとも１つのガスとを混合してスパッタリングガス混合物を得る。 - 特許庁

The inside of the air bubble recovering part S is at constant positive pressure by Ar gas which is supplied from a gas supplying part 31.例文帳に追加

気泡回収部Ｓ内は、ガス供給部３１から供給されるＡｒガスによって、一定の正圧である。 - 特許庁

The atmospheric gas may further contain at least one kind of gas selected from the group comprising Ne, Ar, Kr, Xe and Rn.例文帳に追加

雰囲気ガスは、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、ＸｅおよびＲｎからなる群より選ばれた少なくとも一種のガスをさらに含有してもよい。 - 特許庁

At this time, it is prevented that the reaction vessel 11 is strongly affected by the surrounding temperature, because an air layer AR acts as a buffer.例文帳に追加

この際、空気層ＡＲがバッファとなって反応容器１１が周囲温度の強い作用を受けることを防止している。 - 特許庁

At this time, electric charges of the substrate 12 to be treated can be removed, and the inert gases are preferably Ar, He, N_2, and vaporized H_2O gas or a mixed gas thereof.例文帳に追加

このとき、不活性ガスをＡｒ、Ｈｅ、Ｎ_２および気化したＨ_２Ｏガス或いはこれらの混合ガスであると好適となる。 - 特許庁

The new halogen-containing poly(diphenylacetylene) derivative has a structure represented by the formula(1)( wherein, Ar is a halogenated phenyl group; R is H or at least one group selected from OH, silyl and siloxy; and n is an integer of ≥10 ).例文帳に追加

上記ハロゲン含有ポリ（ジフェニルアセチレン）誘導体は下記式（１）で表される構造を有するものである。 - 特許庁

At that time, the impurity for channel stop injection is not stopped inside the SOI layer 3, which corresponds to the active region AR.例文帳に追加

このとき、活性領域ＡＲに対応するＳＯＩ層３内では、チャネルストップ注入の不純物は停止しない。 - 特許庁