「backside」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

Assuming that an arithmetic average roughness of the backside and surfaces of the front plate 3 is Ra and that an average interval of indentation of the backside and surfaces of the front plate 3 is Sm, Ra/Sm is preferably ≤0.8.例文帳に追加

このとき、前面板３の裏面及び表面の算術平均粗さをＲａ、前面板３の裏面及び表面の凹凸の平均間隔Ｓｍとしたときに、Ｒａ／Ｓｍは、好ましくは０．８以下となっている。 - 特許庁

The stencil mask 10 has a backside layer 50 on the side where a semiconductor substrate is arranged, a surface layer 20 on the incident side of ionized atoms, and an intermediate layer 30 provided between the backside layer 50 and the surface layer 20.例文帳に追加

ステンシルマスク１０は、半導体基板が配置される側の裏面層５０と、イオン化原子が入射する側の表面層２０と、裏面層５０と表面層２０の間に設けられている中間層３０を備えている。 - 特許庁

The analyzing method comprises a process for acquiring the backside layout data of the semiconductor chip, a process for detecting a signal from a failure point, and a process specifying the failure point from the backside layout data and the detection position of the signal.例文帳に追加

半導体チップの裏面側レイアウトデータを得る工程と、不良箇所からの信号を検出する工程と、裏面側レイアウトデータと信号の検出位置とから不良箇所の特定を行う工程とを有する。 - 特許庁

This method is provided for evaluating backside damages given by damaging the back surface of a silicon wafer to add a gettering capability to the silicon wafer, and after the silicon wafer having backside damages is heat-treated, its dislocation density is measured.例文帳に追加

シリコンウェーハにゲッタリング能力を付加するために施されるバックサイドダメージを評価する方法であって、バックサイドダメージを有するシリコンウェーハに熱処理を施した後に、転位密度を測定するようにした。 - 特許庁

To provide a double-sided label which has print information on the surface and backside and is stuck on release paper to be offered, and has a good adhesive property to the release paper and has a highly stable printed surface on the backside.例文帳に追加

表面と裏面に印刷情報を有し、剥離紙上に貼着されて提供される両面ラベルであって、剥離紙との接着性が良好であり、裏側の印刷面の安定性が高いものを提供する。 - 特許庁

Furthermore, a conductor is arranged on the backside of the board inside the insulating case, so as to come into contact with a contact electrode formed on the backside of the board through a through- hole bored from above the surface of the board, and the board is thrusted and fixed by the above conductor.例文帳に追加

さらに、基板裏面に基板表面からのスルーホールにより形成された接触電極と接するように、絶縁ケース内部の基板裏面側に配置した導電体により、基板を押圧固定する。 - 特許庁

This label is composed of a lid sheet 7 in which a pressure sensitive adhesive layer 6 is formed on the backside of a sheet base material 5, and a synthetic-resin hinge film 11 in which an adhesive layer 10 is formed on the backside of a film base material 9.例文帳に追加

シート基材５の裏面側に粘着剤層６が形成された蓋シート７と、フィルム基材９の裏面側に接着剤層１０が形成された合成樹脂製のヒンジフィルム１１とからなる。 - 特許庁

To provide an inkjet recording material which can also be used for a postcard excellent in printer conveyability, scratch resistance of a front-side ink receiving layer, ink bleeding properties of a backside ink receiving layer, strength of a backside coated layer and writability.例文帳に追加

プリンター搬送性、表面のインク受理層の耐傷性、裏面のインク受理層のインク滲み性、裏面の塗層強度、及び筆記性が良好なハガキ用途でも使用可能なインクジェット用記録材料を提供する。 - 特許庁

To enhance a property of blocking steam, in a backside-protecting sheet for a solar cell module, arranged on the backside of a thin film-based solar cell module manufactured without using crystalline silicon, and including aluminum foil.例文帳に追加

結晶シリコンを用いないで製造された薄膜系太陽電池モジュールの裏面側に配置され、アルミニウム箔を備えた太陽電池モジュール用裏面保護シートにおいて、水蒸気を遮断する性質を高める。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for protecting the backside of a semiconductor substrate, reducing stress caused by a silicon nitride film on the backside, and preventing the semiconductor substrate from remarkably protrusively bending toward the front surface side.例文帳に追加

半導体基板の裏面を保護するとともに裏面のシリコン窒化膜に起因する応力を軽減し、半導体基板が表面側に大きく凸に反を防止した半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The substrate 2 has a hemispherical projection portion 13 formed on the backside 14 on the opposite side from the upper surface where the nitride semiconductor layers are formed by removing a processing deterioration layer on the backside 14.例文帳に追加

基板２において、窒化物半導体層が形成された表面と反対側の裏面１４には、裏面１４の加工変質層を除去することにより形成された半球状の凸部１３が形成される。 - 特許庁

After forming a linear groove 3 along a circumference on the outer periphery 2 of the backside of a semiconductor wafer 1; a dicing tape is pasted to the wafer backside, and the wafer is diced with a dicing blade.例文帳に追加

半導体ウェハー１の裏面の外周部２に、円周に沿った線状の溝部３を形成した後、前記半導体ウェハーの裏面にダイシングテープを貼り、前記半導体ウェハーをダイシングブレードによりダイシングする。 - 特許庁

The through electrode 12 is formed by forming an embedded electrode at a surface of a substrate which becomes a base of the element substrate 10, then thinning the substrate from the backside, and exposing the embedded electrode from the backside.例文帳に追加

貫通電極１２は、素子基板１０の基となる基板の表面に埋め込み電極を形成した後、その基板を裏面側から薄化し、埋め込み電極を裏面から露出させることで形成されている。 - 特許庁

In a hinge adjacent end 34A adjacent to the hinge section 36 of a panel support section 34 fixed on the backside of the door panel 20, an extended section 42 opposed to the backside of the door adjacent region 14 of the base material 12 is formed.例文帳に追加

ドアパネル２０の裏側に固定されたパネル支持部３４のヒンジ部３６に隣接したヒンジ隣接端部３４Ａに、基材１２のドア隣接部位１４の裏側に対向する延出部４２を形成する。 - 特許庁

Further, the method includes moving of a second brush of a second cleaning mechanism 39 to the backside of the semiconductor wafer W sucked and held to a wafer chuck table 7, and removing of the dust deposited on the backside of the semiconductor wafer W.例文帳に追加

また、ウエハチャックテーブル７に吸着保持した半導体ウエハＷの裏面に対して第２のクリーニング機構３９の第２のブラシを移動させ、半導体ウエハＷの裏面に付着した塵埃を除去する。 - 特許庁

To provide a backside-illuminated distance measuring sensor and a distance measuring device capable of detecting distance at high precision.例文帳に追加

高精度の距離検出を行うことが可能な裏面入射型測距センサ及び測距装置を提供する。 - 特許庁

On the backside of the mirror door 11, a plane discharge lamp 17 is attached for illumination of the washstand.例文帳に追加

この鏡扉１１の裏面には、洗面化粧台の照明として平面放電ランプ１７が取り付けられている。 - 特許庁

The surface of the element substrate of each light-emitting element 2 is bonded to the backside 3b of the substrate 3 by an adhesive layer 4.例文帳に追加

基板３の裏面３ｂに各発光素子２の素子基板の表面を接着層４で接着する。 - 特許庁

Since the area of the adhesion of the threads 4a-4c to the backside of the tile is large, the strength of the adhesion to the tile is high.例文帳に追加

糸条４ａ〜４ｃとタイル裏面との接着面積が大きく、このためタイルとの接着強度が高い。 - 特許庁

The inner diameter of the through-hole 40 is gets larger as approaching the backside B from the position X at which the sidewall C is refracted.例文帳に追加

貫通孔４０の内径は、側壁Ｃが屈折される位置Ｘから裏面Ｂに向かうほど大きい。 - 特許庁

To prevent the degradation of a manufacturing yield of a semiconductor device caused by a contaminant on the backside of a substrate to be processed.例文帳に追加

被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus evading the inconvenience of carrying out color printing on paper with a used backside.例文帳に追加

裏面使用済み用紙にカラー印字を行う不具合を回避することができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a device for producing a semiconductor which can prevent the backside of a shower plate from being smeared with dust particles during ventilation.例文帳に追加

ベント中にシャワープレート裏面側の異物粒子汚染を防止できる、半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

A first number is printed on the surface 11a of each card 11, and a second number is printed on the backside 11b.例文帳に追加

各カード１１の表面１１ａには第１の番号を印字し、裏面１１ｂには第２の番号を印字する。 - 特許庁

Next, a resist film is applied to the backside of the wafer 1, and a mask pattern is transferred thereto to form a grid-like resist pattern.例文帳に追加

ついで、ウェハ１の裏面にレジスト膜を塗布して、マスクパターンを転写して、格子状のレジストパターンを形成する。 - 特許庁

A back lock type lever 30 is rotation-freely held on an upper face releasing end 17 at the backside of the housing 10.例文帳に追加

バックロック型のレバー３０はハウジング１０の後方の上面解放端部１７に回動可能に保持される。 - 特許庁

To obtain the surface shape measuring data which is easily affected by contamination existing between the backside of substrate and the substrate placing surface.例文帳に追加

基板裏面と基板載置面間に介在する異物に影響され難い表面形状測定データを得ること。 - 特許庁

The backside of the wafer 10 with bumps is ground and the holding sheet 20 is peeled off from the surface of the wafer 10 with bumps.例文帳に追加

バンプ付ウェハ１０の裏面を研削し、バンプ付ウェハ１０の表面から保持シート２０を剥離させる。 - 特許庁

To provide a mold package with a structure that facilitates confirming whether solder is present on a lead backside, through simple manufacturing processes.例文帳に追加

リード裏面のはんだの有無を容易に確認できる構造のモールドパッケージの簡易な製造工程で提供する。 - 特許庁

To provide a PDP in which inter-line capacitance at the backside can be reduced, and manufacturing method for the same.例文帳に追加

背面側の線間容量が低減可能なＰＤＰ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

An exciter 3 bonded to a backside of a diaphragm 2 is suspended by a suspending member 6 in a vertical direction.例文帳に追加

振動板２の裏面側に接着したエキサイタ３を懸吊部材６によって鉛直方向へ吊り上げる。 - 特許庁

A hook made integrally with the front frame is provided at the backside of the upper edge side of the front frame, and the display panel is positioned.例文帳に追加

前枠の上辺側の裏側に前枠と一体で作成されたフックを設け、表示パネルを位置決めする。 - 特許庁

To provide a substrate processing method of preventing contamination of the backside of an EUV (Extreme Ultra-Violet) mask in manufacturing the EUV mask.例文帳に追加

ＥＵＶマスクを製造する際のＥＵＶマスク裏面の汚染を防止する基板処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a mold package of a structure that facilitates recognizing the presence of solder on the backside of a lead by using a simple manufacturing process.例文帳に追加

リード裏面のはんだの有無を容易に確認できる構造のモールドパッケージを簡易な製造工程で得る。 - 特許庁

A drain pipe 20 is provided to discharge water from the lower backside of the lowermost sandwich panel 10.例文帳に追加

最下段のサンドイッチパネル１０の下部の裏側から水を抜くために、水抜き用パイプ２０が設けられている。 - 特許庁

There is provided a semiconductor wafer having its notch formed out of a groove which is not passed through from its backside to its front surface.例文帳に追加

裏面から表面に達しない溝によりノッチ部が形成されている半導体ウェハを提供する。 - 特許庁

The adhesive layer 4 bonds the front surface of an element substrate of each light-emitting element 2 on the backside of the translucent substrate 3.例文帳に追加

接着層４は、透光基板３の裏面に各発光素子２の素子基板の表面を接着する。 - 特許庁

The arithmetic coefficient is selected so as to be smaller when the area resides toward the backside in the subscanning direction.例文帳に追加

この演算係数はエリアが副走査方向の後ろであるほど値が小さくなるように設定されている。 - 特許庁

Therefore, the surface of the wafer 10 with bumps can be supported without clearance so that the backside thereof can be flatly ground.例文帳に追加

従って、バンプ付ウェハ１０の表面を隙間なく支持して裏面を平坦に研削することができる。 - 特許庁

A blanket support board 31 includes a surface 31a which holds a blanket 36 and the surface 31b of the backside thereof.例文帳に追加

ブランケット保持板３１は、ブランケット３６を保持する表面３１ａと、その裏側の表面３１ｂとを有する。 - 特許庁

A backside 9 of the sound absorbing sheet member 1 is approximately flat, as neither the protrusion 5 nor the recess 7 is formed.例文帳に追加

吸音性シート部材１の裏面９には、凸部５および凹部７は形成されておらず、略平坦である。 - 特許庁

The anchor plate 2 is inserted into the through-hole 11; and the backside of the anchor plate 2 faces concrete 15.例文帳に追加

アンカープレート２が貫通孔１１内に挿入されてアンカープレート２の裏面がコンクリート１５と向き合っている。 - 特許庁

Connection terminals 5b, 5c are mounted on both end portions of the backside of the board body 5a of the protecting circuit board 5.例文帳に追加

保護回路基板５の基板本体５ａの裏面の両端部には、接続端子５ｂ，５ｃが実装されている。 - 特許庁

Each through-hole has a depth going from a main surface 321 of the reflection layer 32 down to a backside opposite to the main surface.例文帳に追加

貫通孔３２は、反射層３２の主面３２１から主面と反対側の裏面に至る深さを有する。 - 特許庁

When the surface layer 8 and backside layer 16 are molded by the double layer molding, the surface layer 8 is previously formed.例文帳に追加

二層成形によって表面層８と裏面層１６とを成形する際、表面層８を先に成形する。 - 特許庁