cell blockの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 828件
When repair is performed by a spare cell of an adjacent memory block for a defective cell of a self-block as this invention, a memory test time can be shortened by matching the cell data topology, and the complexity of a test program can be reduced.例文帳に追加
本発明のように自己ブロックの不良セルを隣接したメモリブロックのスペアセルでリペアーした場合セルデータトポロジーを合わせることでメモリテスト時間を短縮させることができテストプログラムの複雑度を減少させることができる。 - 特許庁
To reduce possibility of an electric shock of an operator who is engaged with connection work of connection components with respective terminals on a terminal block in the terminal block and a fuel cell system having the terminal block.例文帳に追加
端子台、および、この端子台を備える燃料電池システムにおいて、端子台における各端子に接続部品をそれぞれ接続する作業者の感電の可能性を低減する。 - 特許庁
Thus, cell voltages of battery cells 11 are not detected sequentially, but the block voltage of the block 12 can be detected in a lump so that data at each block 12 can be acquired.例文帳に追加
これにより、電池セル11のセル電圧を一つずつ検出するのではなくブロック12のブロック電圧を一括で検出できるので、ブロック12単位のデータを取得することが可能となる。 - 特許庁
Therefore, not only the memory block having the defective memory cell column but any of the memory cell columns in the other memory blocks is always relieved.例文帳に追加
このため、不良メモリセル列を有するメモリブロックだけでなく、他のメモリブロックにおけるメモリセル列のいずれかが常に救済される。 - 特許庁
This fuel cell device 600 contains a fuel cell block 402 having at least two constructions and making electrical reconstruction possible with a control module 606.例文帳に追加
燃料電池装置(600)は、制御モジュール(606)により少なくとも2つの構成で電気的に再構成可能な燃料電池ブロック(402)を含む。 - 特許庁
Thereby, a non-selection bit line (e.g. BL2) can be fixed to a ground potential while separating it from a non-selection cell (cell 2) in a memory block.例文帳に追加
これにより、非選択ビット線(たとえば、BL2)を、メモリブロック内の非選択セル(セル2)と切り離しながら接地電位で固定できる。 - 特許庁
In reading out information from a memory cell, only one memory cell in one local block is activated by a word line for reading out.例文帳に追加
メモリセルからの情報の読み出し時に、読み出し用ワード線により、一つのローカルブロック内の一つのメモリセルのみの活性化を行う。 - 特許庁
The semiconductor device is composed of an SRAM block including a memory cell array arranging memory cells MC composed of SRAM cells in a matrix and peripheral circuits, an FGT block, and a connection block electrically connecting the SRAM block and the FGT block.例文帳に追加
半導体装置は、SRAMセルからなるメモリセルMCが行列状に配列されるメモリセルアレイおよび周辺回路を含むSRAMブロックと、FGTブロックと、SRAMブロックとFGTブロックとを電気的に接続するための接続ブロックとから構成される。 - 特許庁
The integrated circuit apparatus has a memory cell array block 200 in which a plurality of memory cells MC are arranged.例文帳に追加
集積回路装置は、複数のメモリセルMCが配列されたメモリセルアレイブロック200を有する。 - 特許庁
Word lines WL0-WL7 are connected to a gate of each transistor T of the cell block MCB0.例文帳に追加
セルブロックMCB0の各トランジスタTのゲートにワード線WL0−WL7が接続される。 - 特許庁
The conductive piece assembly is connected with the cassette unit battery assembly and induces current to a cell block outer part.例文帳に追加
該導電片組は該カセット式単電池組と接続し、電池ブロック外部に電流を導引する。 - 特許庁
POLYMER, POLYARYLENE BLOCK COPOLYMER, POLYELECTROLYTE, POLYELECTROLYTE MEMBRANE, AND FUEL CELL例文帳に追加
ポリマー、ポリアリーレン系ブロック共重合体、高分子電解質、高分子電解質膜及び燃料電池 - 特許庁
The memory block MB includes a memory cell array MA, and a low address decoder RD for selecting a word line.例文帳に追加
メモリブロックMBは、メモリセルアレイMAと、ワード線の選択を行うローアドレスデコーダRDを含む。 - 特許庁
We lost all our food in cell block d, so we're gonna go look for more and whatever else we can find.例文帳に追加
D区画で食料を失ったから 何か他のものを探さないと とにかくどんなものでも - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
irofulven attaches to the cell's dna and may block cancer cell growth. 例文帳に追加
イロフルベンには細胞のdnaに結合する性質があり、がん細胞の増殖を阻止できる可能性がある。 - PDQ®がん用語辞書 英語版
Then, the judged result of each memory cell block is integrated, and the normality of the incorporated memory circuit is judged.例文帳に追加
各メモリセルブロックの判定結果を総合して、内蔵メモリ回路の正常性が判断される。 - 特許庁
Hard-block cells 110 are used for the design by restoring cell- placement information inside a hard block, which is otherwise conventionally treated as a black box.例文帳に追加
通常はブラックボックスとして取り扱われるハードブロックについて、その内部のセル配置情報を復元し、ハードブロックセル110として利用する。 - 特許庁
Information whether a defective part exists in a memory cell array belonging to the same block or not is programmed in the block discriminating part 131.例文帳に追加
ブロック判定部131に対して,同じブロックに属するメモリセルアレイに不良箇所が存在するか否かについての情報がプログラムされる。 - 特許庁
certain anticancer drugs bind to and block the formation or function of tubulins, which may block cell division. 例文帳に追加
一部の抗がん剤にはチューブリンに結合してその形成や機能を阻害する性質があり、それにより細胞分裂を阻止できる可能性がある。 - PDQ®がん用語辞書 英語版
A semiconductor device has at least one memory block each including many memory cells each storing data, and a block state confirmation cell storing information indicating that up to what number of data bits in the memory cell the data is written; and a controller reading the data bits stored in the block state confirmation cell from the memory block.例文帳に追加
本発明は、データをそれぞれ保存する多数のメモリセルと、メモリセルにデータの何番目のビットまで記入されているかに関する情報を保存するブロック状態確認セルとをそれぞれ備える少なくとも一つのメモリブロック;ブロック状態確認セルに保存されたビットのみ、メモリブロックからデータを読み取るコントローラを備える半導体装置である。 - 特許庁
A cell area A is divided into a plurality of blocks a01 to a25 and a base station 110 transmits block position information denoting a geographical position of each block and 25 block address information items to a mobile station M01 existing in a cell area A.例文帳に追加
セル領域Aを複数のブロックa01〜a25に分割し、基地局110からセル領域A内に存在する移動局M01に対して、個々のブロックの地理的位置を示すブロック位置情報と25個のブロック宛情報とを送信する。 - 特許庁
In a read-out circuit 10, when a transistor is in a off-state in the consequence of that read-out performed for memory transistors T01-T03 in a memory block cell block X, a switch S2 is turned on, and substrate bias voltage is applied to memory transistors T11-T13 of a memory cell block Y.例文帳に追加
読み出し回路10は、メモリセルブックXにおけるメモリトランジスタT01〜T03に対する読み出しを行った結果、トランジスタ・オフであったならば、スイッチS2をオンし、メモリセルブロックYのメモリトランジスタT11〜T13に基板バイアスを印加する。 - 特許庁
A plurality of clock terminals C1-C8 are provided in the neighborhood of its periphery inside the block cell 10 and are wired inside the block cell 10 to operate on the basis of the clock signal input from each clock terminals C1-C8.例文帳に追加
クロック端子C_1〜C_8をブロックセル10内でその周縁近傍に複数設け、各クロック端子C_1〜C_8から入力したクロック信号に基づいて動作するようにブロックセル10内を配線する。 - 特許庁
In a three dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory, a first block has a selected first cell unit including a memory cell to be read and a non-selected second cell unit not including a memory cell to be read.例文帳に追加
三次元積層不揮発性半導体メモリでは、第一ブロックは、リード対象となるメモリセルを含む選択された第一セルユニット及びリード対象となるメモリセルを含まない非選択の第二セルユニットを有する。 - 特許庁
A page buffer holds read data read from a memory cell block selected out of a plurality of memory cell blocks, and outputs held data successively.例文帳に追加
ページバッファは、複数のメモリセルブロックのうち選択されたメモリセルブロックから読み出される読み出しデータを保持し、保持したデータを順次出力する。 - 特許庁
Single cell 4 is accommodated in each cell room 3 of a mono- block battery case 1 that has a plurality of cells 3 divided by partitions 2.例文帳に追加
隔壁2で仕切って複数のセル室3を有するモノブロック電槽1の各セル室3には、1つのセル室3に1セル4を収容する。 - 特許庁
Voltage of each cell block, charge current flowing through a battery pack 1, the temperature of the cell block in a temperature measuring position, etc. are measured, and determination is made whether an update condition of internal resistance of each cell is satisfied or not based on measured results.例文帳に追加
各セルブロックの電圧、電池パック1に流れる充電電流、および温度測定位置のセルブロックの温度などの各種測定が行われ、測定結果に基づき各セルブロックの内部抵抗の更新条件を満足しているか否かが判断される。 - 特許庁
The apparatus 10 produces a cell block with concentrated cells that is embedded near the flat surface of a block to be cut off by a rapid and an effective method.例文帳に追加
装置10は、切断されるブロックの平面の近くに集中された細胞を有する包埋された細胞ブロックを迅速かつ効果的な方法で作る。 - 特許庁
Page buffers 100 read data of memory cells 42 in a block unit for each memory cell column in a block to be an object for detecting flag data and latch the data.例文帳に追加
フラグデータの検出を行う対象となるブロックにおいて、ページバッファ100がメモリセル列毎にブロック単位でメモリセル42のデータを読み出してラッチする。 - 特許庁
A memory device identifies a memory block including the sub-standard memory cell, determines a row address code, and applies the row address code to the memory block during refreshing.例文帳に追加
メモリ装置はサブスタンダードメモリセルを含むメモリブロックを識別し、ロウアドレスコードを決定してリフレッシュ動作の間にロウアドレスコードをメモリブロックに印加する。 - 特許庁
Block selection information RDATA which indicates necessity or needlessness of refresh in the block unit of a memory cell array is stored in latch means 20-1, 20-2.例文帳に追加
ラッチ手段20−1,20−2には、メモリセルアレイのブロック単位にリフレッシュの要、不要を示すブロック選択情報RBDATAが格納される。 - 特許庁
Unit cells 180 are arranged thereafter, and wirings 190 are arrange to conduct inter-unit-cell connection and to connect the input and output block 110 to a memory block 140 or the like.例文帳に追加
その後、ユニットセル180を配置し、ユニットセル間や入出力ブロック110とメモリブロック140等とを結ぶ配線190を配置する。 - 特許庁
At least one repeater cell is connected between a digital circuit block and an analog circuit block, and connection information of the overall circuit is created (step S14).例文帳に追加
デジタル回路ブロックとアナログ回路ブロックの間に少なくとも1つのリピータセルを接続し、全体回路の接続情報を作成する(ステップS14)。 - 特許庁
The index information includes the sequential data of the ahead digital data of the regarding block, the data value of the cell in the index information, and the presence of data variations in the block.例文帳に追加
インデックス情報には、当該ブロックの先頭デジタルデータのシーケンシャル番号、インデックス情報内セルのデータ値、当該ブロック内のデータ変化の有無が含まれる。 - 特許庁
Block selection information RBDATA indicating necessity/ unnecessity of refreshing for each block unit of a memory cell array is stored in latch means 20-1, 20-2.例文帳に追加
ラッチ手段20−1,20−2には、メモリセルアレイのブロック単位にリフレッシュの要、不要を示すブロック選択情報RBDATAが格納される。 - 特許庁
A memory array is divided into a plurality of cell array blocks, a bit line BL and a word line WL are continuously provided in a cell array block 11, and a memory cell is arranged at the intersection part.例文帳に追加
メモリセルアレイは複数のセルアレイブロックに分割され、その一つのセルアレイブロック11内ではビット線BLとワード線WLが連続的に配設され、その交差部にメモリセルが配置される。 - 特許庁
When three word lines are simultaneously activated from one cell array block, a redundancy cell to replace a defective memory cell connected to one of the three word lines is selected.例文帳に追加
一つのセルアレイブロックから三つのワードラインを共に活性化させる場合、前記三つのワードラインのいずれか一つに結合された不良メモリセルを代替するリダンダンシーセルを選択する。 - 特許庁
A cell insertion port 8 is formed on one side face of a case 1 of an electric equipment, and a cell housing part 9 is formed in a built-in block 3 in a state of faceing the cell insertion port 8.例文帳に追加
電気機器のケース1の一側面には電池挿入口8が形成され、内蔵ブロック3には電池挿入口8に臨むようにして電池収納部9が形成される。 - 特許庁
A block selection signal for selecting one of local blocks and an intra-block memory cell selection signal for selecting in common one of memory cells in a local block between local blocks is inputted to an AND circuit.例文帳に追加
そして、ローカルブロックの一つを選択するブロック選択信号と、ローカルブロック間で共通してローカルブロック内のメモリセルの一つを選択するブロック内メモリセル選択信号とをAND回路の入力とする。 - 特許庁
A flash memory device is provided with a plurality of memory cell blocks, an X decoder, and a plurality of block selecting part.例文帳に追加
フラッシュメモリ装置は、複数のメモリセルブロック、Xデコーダ及び複数のブロック選択部を備えてなる。 - 特許庁
The modularized solid oxide fuel cell block is composed mainly of at least one cassette unit battery assembly, an air chamber, a fuel chamber and a conductive piece assembly.例文帳に追加
主に少なくとも1個のカセット式単電池組、空気室、燃料室、導電片組を含む。 - 特許庁
Therefore, the leakage current characteristics of the dielectric film on each selected cell block can be easily inspected.例文帳に追加
したがって、各セルブロックに対する誘電膜の漏洩電流特性を容易に検査することができる。 - 特許庁
The gate line of each cell block edge has an overhang expanded in a direction perpendicular to a longitudinal axis.例文帳に追加
各セルブロックエッジのゲートラインは長手方向軸線に垂直な方向に拡張されたオーバーハングを有する。 - 特許庁
To provide a memory cell programming method for simultaneously programming many memory block groups, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加
多数のメモリブロックグループを同時にプログラミングするメモリセルプログラミング方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁
Also, the program current is made to flow forward a direction being parallel to the second resistive memory cell block.例文帳に追加
また、前記プログラム電流は前記第2抵抗型メモリセルブロックに平行な方向に向けて流れる。 - 特許庁
At a P4, a memory row below the twist part in the memory cell block is selected to inspect the memory cells.例文帳に追加
P4ではメモリサブブロック中のツイスト部の下側のメモリ行が選択されてメモリセルが検査される。 - 特許庁
The ECC block tests each memory unit (101) by using the entire number of ECC bits usable in an ECC cell.例文帳に追加
ECCブロックは、ECCセル内で使用可能なECCビットの全数を使用することによって各メモリユニット(101)をテストする。 - 特許庁
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
| Copyright ©2004-2026 Translational Research Informatics Center. All Rights Reserved. 財団法人先端医療振興財団 臨床研究情報センター |
JESC: Japanese-English Subtitle Corpus映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書のコンテンツは、特に明示されている場合を除いて、次のライセンスに従います: Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International (CC BY-SA 4.0) |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|

Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International (CC BY-SA 4.0)