「cell control」に関連した英語例文の一覧と使い方(103ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve the disadvantage of the suppression of the voltage fluctuation of a feeder by the serial connection of only a current control circuit 4 and a DC power accumulating circuit 5A having a cell structure of secondary batteries or electric double-layer capacitors in parallel to a rectifier 1, or the necessity of a high voltage for the circuit 5A, resulting in the larger size thereof, and poor facility efficiency.例文帳に追加

整流器１に並列に、電流制御回路４と、二次電池や電気二重層キャパシタのセル構成にされる直流電力蓄積回路５Ａのみの直列接続によって、き電線の電圧変動を抑制するのでは、回路５Ａに高い電圧を必要とし、その大型化を招くし設備効率で劣る。 - 特許庁

Each block Bi is provided with an erasion load decoding circuit 4 outputting positive voltage to a first drive line connected to a substrate region of a block selected at the time of erasion of data and a negative voltage decoding circuit 5 outputting negative voltage to a second drive line connected to a control gate of a memory cell of a block selected at the time of erasion of data.例文帳に追加

各ブロックＢｉ毎に、データ消去時に選択されたブロックの基板領域につながる第１の駆動線に正電圧を出力する消去負荷デコード回路４と、データ消去時に選択されたブロックのメモリセルの制御ゲートにつながる第２の駆動線に負電圧を出力する負電圧デコード回路５とが設けられる。 - 特許庁

To provide a method for producing a cell sample which can simply be produced in a series of processes from a preliminary treatment process for extracting and purifying a nucleic acid to a process for detecting a nucleic acid amplification reaction and an amplified product, can be stored for a long period, and can be used for process accuracy control, in nucleic acid analysis such as gene expression amount inspection.例文帳に追加

遺伝子発現量検査等の核酸解析において、核酸を抽出・精製する前処理工程から、核酸増幅反応及び増幅産物の検出工程までの一連の工程において、簡便に製造することができ、長期保存も可能であり、さらに工程精度管理に用いることができる細胞試料の製造方法の提供。 - 特許庁

If an RCM (risk control matrix) from a user terminal apparatus 2 is received by a communication interface 24 of a document data check apparatus 1, a document data check section 15 reads a message for users related with adaptation representation which is in agreement with each word of the RCM or a representation in each clause, in adaptation representation on a single cell rule database 13 memorized by a memory device 12.例文帳に追加

文書データチェック装置１の通信インタフェース２４によりユーザ端末装置２からのＲＣＭ（リスクコントロールマトリックス）が受信されると、文書データチェック部１５は、記憶装置１２に記憶される単セルルールデータベース１３上の適合表現のうち、ＲＣＭの各単語や各文節中の表現と一致する適合表現と関連付けられるユーザ向けメッセージを読出す。 - 特許庁

When a shift to an idle stop operation is discriminated, a fuel gas is supplied to a fuel electrode in a state that an oxidant gas supplying passage 10a is shut down, and an output is taken out from a fuel cell stack 1 to conduct the control of the shift to the idle stop operation where a depletion treatment of the oxidant gas in the oxidant electrode is conducted.例文帳に追加

アイドルストップ運転への移行が判定された場合、酸化剤ガス供給流路１０ａを遮断した状態で、燃料極に燃料ガスの供給を行い、燃料電池スタック１から出力を取り出すことによって、酸化剤極における酸化剤ガスの消費処理を行うアイドルストップ移行制御を行う。 - 特許庁

In the transfer of sewage to the aeration tank 1, the sedimentation tank 2 and the cell membrane treatment tank 3, 24 hr is set to one cycle to repeat temporal and quantitative control so as not to exceed the limit of the treatment capacity of the respective tanks 1, 2, 3 to make it possible to continuously treat excessive sludge without withdrawing the same over a long period of time.例文帳に追加

そして、それら曝気槽１、沈澱槽２及び細胞膜処理槽３への汚水移送については、２４時間を１サイクルとして、それら各槽１，２，３の処理能力の限界を超えないように時間的及び量的な制御を繰り返すことにより、余剰汚泥を長期間抜き取りせずに継続して処理できるようにする。 - 特許庁

The fuel cell system includes the fuel cells equipped with cells of fuel cells, and a power generation control part partially circulating reaction gas in power generation areas of the cells of fuel cells, and carrying out partial power generation of carrying out power generation in the portions at the starting of power generation of the fuel cells, and when there is a possibility of the fuel cells being frozen.例文帳に追加

燃料電池システムであって、燃料電池セルを備える燃料電池と、燃料電池の発電開始時であって、燃料電池が凍結している可能性がある場合において、燃料電池セルの発電領域のうち、部分的に反応ガスを流通させ、当部分で発電を行わせる部分発電を行う発電制御部と、を備える。 - 特許庁

A control circuit that controls access to a memory cell according to an inputted command, a transfer mode setting circuit that holds a transfer mode, the address pin to which an address is inputted and outputted in a first transfer mode and data is inputted and outputted in a second transfer mode, and a switching circuit that switches a connection destination of the address pin according to transfer modes, are provided.例文帳に追加

入力されたコマンドに応じてメモリセルに対するアクセスを制御する制御回路と、転送モードを保持する転送モード設定回路と、第１の転送モード時にアドレスが入出力され、第２の転送モード時にデータが入出力されるアドレスピンと、転送モードに応じてアドレスピンの接続先を切り替える切り替え回路とを有する。 - 特許庁

The system is provided with a power generating system 1 generating power with the use of natural energy, an auxiliary power supply system 2 supplementing and stabilizing a short-term power generation volume for the hour and the date, and a fuel cell system 6 supplementing and stabilizing a long-term power generation volume by the season or by the year, and a control system 10 totally controlling each system.例文帳に追加

自然エネルギーを利用して発電を行う発電システム１と、その時間単位あるいは日単位の短期の発電量を補いかつ安定化するための補助電源システム２と、季節単位あるいは年間を通しての長期の発電量を補いかつ安定化するための燃料電池システム６と、それら各システムを統合的に制御する制御システム１０とを具備する。 - 特許庁

The memory has a plurality of memory cell transistors each comprising a gate insulation film 2 electrically conducting owing to a tunnel effect, a floating gate electrode 21 on the gate insulation film 2, an inter-electrode insulation film 11 formed on the floating gate electrode 21 having a positive charge layer at the layer side of the lower half of a film thickness, and a control gate electrode 24 on the insulation film 11.例文帳に追加

トンネル効果で電気伝導するゲート絶縁膜２と、このゲート絶縁膜２上の浮遊ゲート電極２１と、この浮遊ゲート電極２１上に配置され、膜厚の半分よりも下層側に正電荷層を有する電極間絶縁膜１１と、この電極間絶縁膜１１上の制御ゲート電極２４とを備えるメモリセルトランジスタを複数個配置する。 - 特許庁

To provide paste composition to fully achieve requested BSF effect without decreasing the amount of application, even when thinning a p-type silicon semiconductor board, and to control deformation of the p-type silicon semiconductor board after baking and a solar cell equipped with an impurities layer or an electrode layer formed with the composition.例文帳に追加

ｐ型シリコン半導体基板を薄くした場合でも、塗布量を減らさないで、所望のＢＳＦ効果を十分達成することができ、かつ焼成後のｐ型シリコン半導体基板の変形を抑制することが可能なペースト組成物と、その組成物を用いて形成された不純物層または電極層を備えた太陽電池を提供することである。 - 特許庁

In the case the fuel cell power generation system stops operation, when a combustion catalyst 30 is heated to an optimum temperature for combustion by a reforming burner 2 in starting up, a system control device 4 instructs to open a steam shut-off valve 23 and steam is supplied into the reformer 1 as a purge gas.例文帳に追加

燃料電池発電システムが停止した場合を想定すると、起動中の改質器用バーナ２により燃焼触媒３０が燃焼に際し最適な温度まで上昇すると、システム制御装置４は、蒸気遮断弁２３を開栓するよう指示し、蒸気がパージガスとして改質器１内に供給される。 - 特許庁

This method for regenerating plant cells comprises infiltrating a DNA encoding a cell cycle control protein and a DNA encoding a selectable marker and an Ac element adjacent to a useful gene into a protoplast, culturing the infiltrated protoplast on a solid culture medium to provide microcallus and culturing the microcallus for regenerating shoot and root.例文帳に追加

細胞周期制御蛋白をコードするＤＮＡおよび選択可能マーカーをコードするＤＮＡならびに有益遺伝子に隣接するＡｃ要素をプロトプラストに浸透させ、該浸透プロトプラストを固体培地上で培養してミクロカルスを得、次いで、苗条および根の再生のための該ミクロカルスを培養する。 - 特許庁

The amplifier circuit is controlled by control circuitry in the nonvolatile memory device so that each sense amplifier circuit sources a first current level during the pre-charge cycle of a memory read operation, and a second current level being greater than the first current level during the memory cell sense operation.例文帳に追加

本センスアンプ回路は、非揮発性メモリ装置における制御回路によって制御され、従って各センスアンプ回路はメモリ読取動作のプレチャージサイクル期間中に第一電流レベルを供給し、且つメモリセル検知動作期間中に第一電流レベルよりもより大きな第二電流レベルを供給する。 - 特許庁

In the write operation of the NAND-type flash memory, a row decoder applies a first voltage lower than a voltage applied to a control gate of other memory cells of a NAND string to a control gate of a first memory cell adjacent to a drain side selection gate transistor in NAND strings to cut off an area between the other memory cells of the NAND strings and the drain side selection gate transistor.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの書き込み動作時において、ロウデコーダは、ＮＡＮＤストリングのうちドレイン側選択ゲートトランジスタに隣接する第１のメモリセルの制御ゲートに、ＮＡＮＤストリングの他のメモリセルの制御ゲートに印加される電圧よりも低くい第１の電圧を、前記ＮＡＮＤストリングの他のメモリセルと前記ドレイン側選択ゲートトランジスタとの間をカットオフするように、印加する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes: a plurality of first wiring and second wiring intersecting each other; a memory cell array including the plurality of memory cells connected to each intersection part of the plurality of first wiring and second wiring; and a first wiring control circuit and second wiring control circuit for respectively selecting the first wiring and second wiring to supply voltage and current required for a reset operation or set operation of the memory cells.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、互いに交差する複数の第１配線及び第２配線、これら複数の第１配線及び第２配線の各交差部に接続された複数のメモリセルからなるメモリセルアレイと、前記第１配線及び第２配線をそれぞれ選択し、前記メモリセルのリセット動作又はセット動作に必要な電圧又は電流を供給する第１配線制御回路及び第２配線制御回路とを備える。 - 特許庁

The refreshing control circuit 30 divides the memory area of a memory cell array 11 into a plurality of submemory areas beforehand, and executes a control to refresh information for a submemory area only in which the information to be refreshed is held in a use state when the information is refreshed among the submemory areas, and not to refresh the information for the submemory area in which information refreshing is unnecessary in a nonuse state.例文帳に追加

リフレッシュ制御回路３０は、メモリセルアレイ１１のメモリ領域を複数のサブメモリ領域にあらかじめ区分しておき、それらのサブメモリ領域のうち情報のリフレッシュを行う際に使用状態にあって当該リフレッシュを必要とする情報が保持されているサブメモリ領域のみに対して情報のリフレッシュを行い、不使用状態にあってリフレッシュを必要としないサブメモリ領域についてはリフレッシュを行わない、という制御を実行する。 - 特許庁

This is a DNA fragment for a protein-expressing plasmid prepared for genetic transformation of an object cell where a coding area in an optional protein expressing gene is incorporated between the promotor functioning in cells and the terminator and a control sequence for controlling the expression level of the gene is inserted between the promotor and the gene to control the expression by controlling the transcription of messenger RNA.例文帳に追加

対象となる細胞の形質転換を目的として作製されるタンパク発現プラスミドＤＮＡ断片であって、対象となる細胞中で機能するプロモータとターミネータとの間に任意のタンパク発現遺伝子のコーディング領域が組み込まれ、前記プロモータと前記遺伝子との間にメッセンジャＲＮＡの転写量の制御によって遺伝子の発現量が制御される制御配列が挿入されたタンパク発現プラスミドまたはＤＮＡ断片とする。 - 特許庁

The memory cell includes: a first control gate electrode CG1; a first interpoly insulation film IPD1 formed on the first control gate electrode CG1; floating gate electrodes FG formed on the first interpoly insulation film IPD1; a second interpoly insulation film IPD2 formed on the floating gate electrodes FG; and a second contact gate electrode CG2 formed on the second interpoly insulation film IPD2.例文帳に追加

メモリセルは、第１コントロールゲート電極ＣＧ１と、第１コントロールゲートＣＧ１電極上に形成された第１インターポリ絶縁膜ＩＰＤ１と、第１インターポリ絶縁膜ＩＰＤ１上に形成されたフローティングゲート電極ＦＧと、フローティングゲート電極ＦＧ上に形成された第２インターポリ絶縁膜ＩＰＤ２と、第２インターポリ絶縁膜ＩＰＤ２上に形成された第２コンタクトゲート電極ＣＧ２と、を有する。 - 特許庁

There are provided: a modification promoter which is formed by deleting one part of the area of a wild type promoter and has an improved cell-type specificity; an expression vector having an exogenous gene bonded under the expression control of the modification promoter; and a method of inducing expression of exogenous gene in a specific small group of cells by expression control with a modification promoter.例文帳に追加

野生型プロモータの領域の一部を欠失させて成る修飾プロモータであって、野生型のプロモータに較べて外来性遺伝子の発現誘導における細胞型特異性が向上した、前記修飾プロモータ、修飾プロモータの発現制御下に結合した外来性遺伝子を有する発現ベクター、及び、修飾プロモータによる発現制御によって外来性遺伝子を特定の細胞小集団で発現させる方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the nonvolatile memory cell comprises the steps of: forming a tunnel oxide film, a floating gate electrode, a dielectric film, and a control gate electrode; forming a source and drain region by processing a source/drain ion implantation; forming an oxide layer on the source and drain region by selectively processing oxidation; and forming a spacer on the both sides of the floating gate electrode and the control gate electrode.例文帳に追加

半導体基板上部にトンネル酸化膜、フローティングゲート電極、誘電体膜及びコントロールゲート電極を形成する段階と、ソース／ドレインイオン注入工程を行ってソース及びドレイン領域を形成する段階と、選択的酸化工程を行って前記ソース及びドレイン領域上に酸化層を形成する段階と、前記フローティングゲート電極及びコントロールゲート電極の両側面にスペーサを形成する段階とを含んでなる。 - 特許庁

A charging state to the battery 21 chargeable by the solar cell 16 and a generator 19 is detected by a charging state detecting sensor 29, and charging of the battery 21 by the generator 19 is controlled by a generator operation control means 30 in response to a detecting result detected by the charging state detecting sensor 29 so that the charging state detected by the charging state detecting sensor 29 becomes less than 100%.例文帳に追加

ソーラーセル１６および発電機１９による充電を可能としたバッテリ２１にの充電状態が充電状態検出センサ２９で検出され、充電状態検出センサ２９で検出された充電状態が１００％未満となるようにして発電機１９によるバッテリ２１の充電が、充電状態検出センサ２９で検出された検出結果に応じて発電機作動制御手段３０によって制御される。 - 特許庁

The flash memory device includes: a memory cell array having memory cells arrayed on word lines and bit lines; a voltage generating circuit constituted so as to generate a program voltage to be applied to a selected word line; a program voltage controller constituted so as to variably control a start level of the program voltage to be applied to remaining pages of each word line by a programming characteristic of the first page of each word line.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置はワードラインとビットラインに配列されたメモリセルを有するメモリセルアレイと、選択されたワードラインに印加されるプログラム電圧を発生するよう構成される電圧発生回路と、各ワードラインの一番目のページのプログラム特性により、各ワードラインの残りのページに適用されるプログラム電圧の開始レベルを可変制御するよう構成されるプログラム電圧制御器を含む。 - 特許庁

The NAND flash memory device includes: a cell array including a plurality of pages; a page buffer storing program data of the plurality of pages; a data storage circuit providing program verification data to the page buffer; and a control unit programming the plurality of pages without program verification operation and performing a program verification operation on the plurality of pages by using the program verification data.例文帳に追加

本発明によるＮＡＮＤフラッシュメモリ装置は、複数のページを有するセルアレイと、前記複数のページのプログラムデータを格納するページバッファと、プログラム検証データを前記ページバッファに提供するためのデータ格納回路と、プログラム検証動作なしに前記複数のページをプログラムし、前記プログラム検証データを用いて前記複数のページに対するプログラム検証動作を行うための制御ユニッと、を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor storage device comprises the steps of forming a floating gate formed via a tunnel oxide film on a semiconductor substrate between a source region and a drain region formed on the substrate in a laminated structure of a first conductive film and a second conductive film, and constituting a memory cell having a control gate formed on the floating gate via the interlayer capacitive film.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたソース領域とドレイン領域との間の前記半導体基板上にトンネル酸化膜を介して形成されたフローティングゲートが第１導電膜と第２導電膜より積層構造に形成され、前記フローティングゲート上に層間容量膜を介して形成されたコントロールゲートとを備えたメモリセルより構成される半導体記憶装置により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

The present invention relates to a cellular communication system and a method for a handover in the cellular communication system which includes at least one base station (BTS) per each cell, the base station being controlled by a base station controller (BSC) which controls one or more base stations, and the base station controller, with the base stations under its control, forms a base station system.例文帳に追加

本発明は、各セル当たり少なくとも１つのベースステーション(BTS)を備え、該ベースステーションは、１つ以上のベースステーションを制御するベースステーションコントローラ(BSC)により制御され、そして該ベースステーションコントローラは、その制御下にあるベースステーションと共にベースステーションシステム(BSS)を形成するセルラー通信システム及びこのセルラー通信システムにおいてハンドオーバーを行う方法に関する。 - 特許庁

The integrated circuit comprising a switching device which is a switching device connected to at least one line pair to which dual rail signals are applicable, can be controlled by the signal applied to a control terminal and can be used for transmitting the dual rail signals (applied to the line pair) to the further line pair and a memory cell which is connected to a supply potential connection by the controllable switch.例文帳に追加

本発明は、デュアルレール信号が印加され得る少なくとも１つのラインペアに接続されたスイッチングデバイスであって、制御端子に印加された信号によって制御され得、かつ、（ラインペアに印加された）デュアルレール信号をさらなるラインペアに伝送するために用いられ得る、スイッチングデバイスと、さらなるラインペアに接続され得るメモリセルであって、制御可能スイッチにより供給電位接続に接続される、メモリセルとを特徴とする集積回路を提示する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory cell has a plurality of floating gate type transistor T2, T3 which are controlled by a common control gate CG and connected in parallel, wherein the floating gate type transistors T2, T3 and a selecting transistor T1 are linearly arranged on a semiconductor substrate and the drains of the floating gate type transistors T2, T3 are each connected by a metal wiring 22.例文帳に追加

共通のコントロールゲートＣＧで制御されるとともに、互いに並列接続された複数のフローティングゲート型トランジスタＴ２、Ｔ３を有し、複数のフローティングゲート型トランジスタＴ２、Ｔ３と選択トランジスタＴ１とが半導体基板上で直線状に配列されたものであって、複数のフローティングゲート型トランジスタＴ２、Ｔ３の各ドレインが直線状のメタル配線２２で接続される。 - 特許庁

To provide a power converter having a simple control circuit in which the lifetime of an electrolytic capacitor is judged correctly even when the DC voltage varies like a solar cell or a voltage being applied to the electrolytic capacitor is varying through use of a DC voltage conversion circuit for varying a chopper voltage thereby utilizing the durability of an apparatus effectively as much as possible, and to provide a power supply system employing it.例文帳に追加

太陽電池のような直流電圧が変る場合や、チョッパ電圧を変動させる直流電圧変換回路を使用して、電解コンデンサへの印加電圧が変化している場合でも、電解コンデンサの寿命時期を正しく判定し、機器の耐久力を極力有効に活用し、なおかつそれらを制御する回路の構成がシンプルな電力変換装置及びそれを用いた電力供給システムを提供すること。 - 特許庁