「crystallizing」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The molded product of the lactic acid resin composition is productively obtained by using, in the manufacturing method comprising crystallizing a lactic acid resin composition (D) constituted of a lactic acid resin (A), a crystal nucleating agent (B) and a crystallization auxiliary agent (C) on or after molding, a polymer comprised of a block copolymer of a polyethylene glycol unit with a polypropylene glycol unit particularly as the crystallization auxiliary agent (C).例文帳に追加

乳酸系樹脂（Ａ）、結晶核剤（Ｂ）、結晶化助剤（Ｃ）を構成成分とする乳酸系樹脂組成物（Ｄ）を成形時あるいは成形後に結晶化させる製造方法において、特に結晶化助剤（Ｃ）にポリエチレングリコールユニットとポリプロピレングリコールユニットとのブロック共重合体からなるポリマーを用いる事で、生産性良く該乳酸系樹脂組成物の成形体が得られる。 - 特許庁

A method for manufacturing a thin-film transistor at least includes a process for irradiating a semiconductor layer (103) on a substrate (101) with light (104) for crystallizing the semiconductor layer (103); and a process for performing a composite treatment of oxygen plasma treatment (107), hydrogen plasma treatment (108), and high-pressure vapor heat treatment (109) to the crystallized semiconductor layer (103).例文帳に追加

薄膜トランジスタの製造方法であって、基板（１０１）上の半導体層（１０３）に光照射（１０４）をおこない当該半導体層（１０３）の結晶化をおこなう工程と、結晶化後の半導体層（１０３）に酸素プラズマ処理（１０７）、水素プラズマ処理（１０８）および高圧水蒸気熱処理（１０９）の複合処理をおこなう工程を少なくとも有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for forming a semiconductor film on a substrate such as an active matrix substrate for image display is constituted by crystallizing an α-Si film by an ELA method and reducing a hydrogen content in the α-Si film prior to its formation into a p-Si film by an SLS method.例文帳に追加

画像表示装置用アクティブマトリクス基板等の基板上に半導体薄膜を形成する方法において、ａ−Ｓｉ膜をＳＬＳ法によりｐ−Ｓｉ化する際に、事前にＥＬＡ法で結晶化するとともに膜中の水素含有量を減少させておくことにより、アブレーションの発生を防止しつつ、ＳＬＳ法として十分に高いフルエンスでエネルギ照射が可能となる。 - 特許庁

This method for crystallizing the aliphatic polyester is characterized in that the aliphatic polyester prepolymer containing an organic sulfonic acid-based compound as a catalyst, having 2,000 to 100,000 weight-average molecular weight and containing ≥50% aliphatic hydroxycarboxylic acid unit is brought into contact with a liquid containing an acidic compound and not dissolving the aliphatic polyester prepolymer and crystallized.例文帳に追加

触媒として有機スルホン酸系化合物を含む、重量平均分子量が２，０００〜１００，０００である脂肪族ヒドロキシカルボン酸ユニット５０％以上含有する脂肪族ポリエステルプレポリマーを、酸性化合物を添加した、脂肪族ポリエステルプレポリマーを溶解しない液体と接触させる事により結晶化させる事を特徴とする、脂肪族ポリエステルの液中結晶化方法。 - 特許庁

This photocatalyst support porous gel is manufactured by making the porous gel or its precursor coexist with the titanium salt in the titanium salt aqueous solution and directly sticking/depositing the fine particle of the titania crystal to/on the surface and/or inside of the porous gel or its precursor by hydrolyzing the titanium salt aqueous solution in a hydrothermal condition or in normal pressure and/or crystallizing the titania crystal.例文帳に追加

チタンの塩の水溶液中にて多孔性ゲルあるいは多孔性ゲル前駆体を共存させ，水熱条件下あるいは常圧下の加熱による該溶液の加水分解及び／またはチタニア結晶の結晶化により，多孔性ゲルあるいは多孔性ゲル前駆体表面及び／または内部へのチタニア結晶微粒子の直接的な付着あるいは析出を行うことにより製造する。 - 特許庁

By a device and a method for crystallization, the phase shifter 1 is used for crystallizing an amorphous semiconductor film 11 so that the diameters of crystallized grains may become uniform by fixing the distance between the phase shifter 1 and the substrate 2 to be treated by disposing spacers 3 respectively at a plurality of places where no crystallized silicon 7 is produced between the shifter 1 and the substrate 2.例文帳に追加

本発明は、位相シフタ１と被処理基板２との間で、結晶化シリコン７が生成されない複数の箇所にそれぞれスペーサ３を配置して、位相シフタ１と被処理基板２との間の距離を一定にすることにより、非晶質な半導体膜１１を結晶化された粒径が揃うように結晶化処理を行う位相シフタを用いた結晶化装置及び結晶化方法である。 - 特許庁

To provide an organosilane compound crystallizing and forming a thin film by a simple method using a solution process, firmly adsorbing the resultant thin film on the surface of a substrate, preventing physical peeling and preparing the thin film having high orderliness (crystallinity), highly dense packing characteristics and excellent electroconductive characteristics and to provide a method for producing the compound.例文帳に追加

溶液プロセスを用いた簡便な方法により結晶化させて薄膜を形成できるとともに、得られた薄膜を基板表面に強固に吸着させて、物理的な剥がれを防止し、かつ、高い秩序性（結晶性）、高密パッキング特性、および優れた電気伝導特性を有する薄膜を作製可能な有機シラン化合物およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The production method of a polylactic acid resin material oriented in the predetermined direction comprises a step of preparing a polylactic acid resin material containing a polylactic acid resin and a metallic salt of a phosphorus compound represented by formula (I), wherein the polylactic acid resin is in the melt or fused state, and a step of crystallizing the polylactic acid resin material while adding a magnetic field in the predetermined direction.例文帳に追加

ポリ乳酸樹脂と、式（Ｉ）で表されるリン化合物の金属塩とを含有し、ポリ乳酸樹脂が溶解又は溶融状態にあるポリ乳酸樹脂材料を調製する工程、該ポリ乳酸樹脂材料を、これに一定方向の磁場を付与しながら結晶化させる工程とを含むことを特徴とする、所定方向に配向したポリ乳酸樹脂材料の製造方法。 - 特許庁

This dielectric porcelain composition contains at least a rare earth element (Ln), Al, M (M is Ca or/and Sr) and Ti as metal elements and is obtained by crystallizing so that the average particle size of crystals in the crystal phase consisting mainly of oxides of M and Ti is made larger than that of crystals in the crystal phase consisting mainly of oxides of Ln and Al.例文帳に追加

金属元素として少なくとも稀土類元素（Ｌｎ）、Ａｌ、Ｍ（ＭはＣａまたは／およびＳｒ）及びＴｉを含有し、結晶相としてＭおよびＴｉの酸化物からなる結晶相を主相とする結晶の平均粒径を、結晶相として稀土類元素（Ｌｎ）およびＡｌの酸化物からなる結晶相を主相とする結晶の平均粒径よりも大きくする。 - 特許庁

This method for producing an optically active α- hydroxycarboxylic acid is characterized by extracting the optically active α- hydroxycarboxylic acid contained in an aqueous solution after a hydrolysis of an optically active cyanohydrin with a solvent immiscible with water, then adding a hydrocarbon solvent to the extract liquid and crystallizing the optically active α-hydroxy carboxylic acid from the hydrocarbon solvent-containing extract liquid.例文帳に追加

光学活性シアノヒドリンの加水分解反応後の水溶液に含まれる光学活性α-ヒドロキシカルボン酸を、水に対して非混和性の溶媒で抽出し、次いで、抽出液に炭化水素溶媒を添加して、その炭化水素溶媒含有抽出液から光学活性α-ヒドロキシカルボン酸を晶析させることを特徴とする光学活性α-ヒドロキシカルボン酸の製造法。 - 特許庁

This method for producing the xylylene glycol by hydrolyzing the xylylene diacetate comprises subjecting the xylylene diacetate to the hydrolysis reaction in the presence of an acid catalyst, crystallizing the xylylene glycol by using an organic solvent to recover the xylylene glycol as a crystal, taking out a reaction intermediate from the organic solvent after recovering the xylylene glycol, and reusing the taken out reaction intermediate in the hydrolysis reaction of the xylylene diacetate.例文帳に追加

キシリレンジアセテートを加水分解してキシリレングリコールを製造する方法において、キシリレンジアセテートを酸触媒の存在下にて加水分解反応させた後、有機溶媒を用いてキシリレングリコールを結晶化させて結晶として回収すると共に、キシリレングリコールを回収した後の有機溶媒から反応中間体を取り出し、キシリレンジアセテートの加水分解反応に再利用する。 - 特許庁

The manufacturing method also includes steps of: forming a semiconductor layer 42 of a thin film transistor; forming a gate insulating film 2 on the semiconductor layer 42; forming an amorphous silicon layer 34A on the gate insulating films 2; and crystallizing the amorphous silicon layer by irradiating the amorphous silicon layer 34A with light to form a capacity electrode layer 34 made of polycrystalline silicon.例文帳に追加

薄膜トランジスタの半導体層４２を形成する工程と、半導体層４２上にゲート絶縁膜２を形成する工程と、ゲート絶縁膜２上に非晶質シリコン層３４Ａを形成する工程と、非晶質シリコン層３４Ａに光を照射してこのシリコン層を結晶化し、多結晶シリコンからなる容量電極層３４を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

This method comprises a step for forming an amorphous silicon layer on a substrate, a step for forming a gapping layer on the amorphous silicon layer, a step for forming a metal catalyst layer on the gapping layer, a step for selectively irradiating the metal catalyst layer with a laser beam to diffuse a metal catalyst, and a step for crystallizing the amorphous silicon layer.例文帳に追加

本発明の方法は基板上に非晶質シリコーン層を形成する段階、非晶質シリコーン層上にギャッピング層を形成する段階、ギャッピング層上に金属触媒層を形成する段階、金属触媒層にレーザービームを選択的に照射して金属触媒を拡散させる段階及び非晶質シリコーン層を結晶化する段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The crystallizing method of the polyester polymer comprises introducing a molten polyester polymer such as a polyethylene terephthalate into the liquid medium having a temperature of, for example, 100-190C°, higher than a Tg of the polyester polymer, and staying the molten polyester polymer in the liquid medium for a sufficient time to crystallize it under either a pressure equal to a vapor pressure of the liquid medium or higher than that.例文帳に追加

ポリエステルポリマーのＴｇより高い、例えば１００〜１９０℃の液体媒体温度の液体媒体中にポリエチレンテレフタレートのような溶融ポリエステルポリマーを導入し、溶融ポリエステルポリマーを、液体媒体の蒸気圧に等しいか又はそれ以上の圧力下で結晶化させるのに充分な時間、液体媒体中に滞留させることによる、ポリエステルポリマーの結晶化方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device and the semiconductor device manufactured by using the manufacturing method which use a laser crystallizing method capable of preventing a grain boundary from being formed in a channel formation area of a TFT and of preventing a movement degree of the TFT from being considerably lowered by the grain boundary, an ON current from being reduced or an OFF current from being increased.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

This method for easily producing the saccharide crystals or the saccharide powder containing the saccharide crystals comprises raising the temperature of MASKIT obtained by crystallizing a saccharide solution to largely lower the viscosity of the MASKIT substantially without lowering the crystallization rate, sending the MASKIT with a pump, stirring the MASKIT, and subjecting the MASKIT to a centrifugal treatment or a spray- drying treatment.例文帳に追加

糖質溶液を助晶して得られるマスキットを昇温させることにより、晶出率を実質的に低下させないで粘度を大幅に低減させ、このマスキットをポンプ送液、撹拌し、遠心分離または噴霧乾燥などの処理をすることで、糖質結晶又はこれを含有する糖質粉末の製造を容易に行う方法を提供することにより、上記の課題を解決する。 - 特許庁

The composite resin material is characterized in that by crystallizing a crystalline resin material by mixing with vapor-phase-grown carbon fibers being a laminate of carbon network layers in the form of a bottomless cup, the resin material around the carbon fibers are crystallized, and an internal network structure is formed from the carbon fibers and the crystallized resin material.例文帳に追加

本発明に係る複合樹脂材は、結晶性樹脂材料中に、底の無いカップ形状をなす炭素網層が積層した気相成長法による炭素繊維が混入され、結晶化処理されることにより、前記炭素繊維周囲の樹脂材料が結晶化され、該炭素繊維と結晶化した樹脂材料とにより内部に網目構造が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the crystalline semiconductor film includes (a) a step of forming an amorphous semiconductor film 104 on a substrate 101, (b) a step of giving a catalyst element 106 for expediting to crystallize the amorphous semiconductor film 104, and (c) a step of crystallizing the amorphous semiconductor film 104 by heating in an atmosphere containing Ar gas to obtain a crystalline semiconductor film 104b.例文帳に追加

本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、（ａ）基板１０１の上に非晶質半導体膜１０４を形成する工程と、（ｂ）非晶質半導体膜１０４に結晶化を促進する触媒元素１０６を付与する工程と、（ｃ）Ａｒガスを含む雰囲気下で加熱することによって非晶質半導体膜１０４を結晶化し、結晶質半導体膜１０４ｂを得る工程とを包含する。 - 特許庁

The method for manufacturing the transparent conductive film has the process of forming at least one undercoat layer on one surface or each of both surfaces of a transparent film base material, the process of forming the transparent conductive layer on the undercoat layer by a sputtering method, the process of etching the transparent conductive layer to keep patternized, and the process of annealing and crystallizing the patternized transparent conductive layer.例文帳に追加

透明なフィルム基材の片面または両面に、少なくとも１層のアンダーコート層を形成する工程、前記アンダーコート層上に、スパッタリング法により透明導電体層を形成する工程、前記透明導電体層を、エッチングしてパターン化する工程、および前記パターン化された透明導電体層をアニール化処理して結晶化させる工程を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for producing bisphenol A, comprising reacting acetone with phenol in the presence of a sulfonate type cation exchange resin partially modified with mercaptoamine to produce the bisphenol A, crystallizing the bisphenol A, decomposing the mother liquor of the crystallization process to produce phenol and isopropenylphenol, and then rebinding the recovered phenol to the recovered isopropenylphenol to produce bisphenol A, by which the selectivity of the isopropenylphenol into the bisphenol A is improved.例文帳に追加

アセトンとフェノールとを、メルカプトアミンで部分的に変性されたスルホン酸型陽イオン交換樹脂の存在下に反応させるビスフェノールＡの製造方法において、ビスフェノールＡを晶析させた後の母液をアルカリ分解してフェノールとイソプロペニルフェノールを生成させ、次いでこれを再結合させてビスフェノールＡを生成させるに際し、イソプロペニルフェノールのビスフェノールＡへの選択率を向上させる。 - 特許庁

The method of manufacturing the crystalline semiconductor film includes (a) a step of forming an amorphous semiconductor film 104 on a substrate 101, (b) a step of giving a catalyst element 106 for expediting to crystallize the amorphous semiconductor film 104, and (c) a step of crystallizing the amorphous semiconductor film 104 by heating in an atmosphere containing steam to obtain a crystalline semiconductor film 104b.例文帳に追加

本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、（ａ）基板１０１の上に非晶質半導体膜１０４を形成する工程と、（ｂ）非晶質半導体膜１０４に結晶化を促進する触媒元素１０６を付与する工程と、（ｃ）水蒸気を含む雰囲気下で加熱することによって非晶質半導体膜１０４を結晶化し、結晶質半導体膜１０４ｂを得る工程とを包含する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a step for forming a first film formed of a material having a higher conductance than that of silicon oxide on a substrate, a step for crystallizing the first film by heating, a step for reducing the thickness of the crystallized first film, and a step for forming a second film on the thinned first film is provided.例文帳に追加

基体上に酸化シリコンよりも高い誘電率を有する材料からなる第１の膜を形成する工程と、加熱して前記第１の膜を結晶化させる工程と、前記結晶化させた前記第１の膜の厚みを減らす工程と、前記厚みを減らした前記第１の膜の上に第２の膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ferroelectric thin film, capable of satisfactorily crystallizing an amorphous ferroelectric layer or its precursor layer, thereby enabling obtaining a ferroelectric thin film having an excellent ferroelectric characteristic, and further enabling exact control of the grain size of crystal, and to provide a piezoelectric element having a ferroelectric thin film obtained by this manufacturing method, and a ferroelectric memory.例文帳に追加

非晶質の強誘電体層またはその前駆体層を良好に結晶化し、これによって良好な強誘電体特性を有する強誘電体薄膜を得ることができ、さらには結晶粒径の精密な制御をも可能にする強誘電体薄膜の製造方法と、この製造方法によって得られた強誘電体薄膜を有する圧電素子、及び強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

The method contains a step in which a synthetic gel together with a zeolite precursor composition is applied in a porous system of a fine particle matrix material having predetermined porous structure and grain size and on a surface of the material a step in which the precursor composition is subjected to a crystallizing condition; and a step in which porous single crystals of zeolite are isolated by removing the matrix material.例文帳に追加

この方法は、 − 合成ゲルを、ゼオライト前駆体組成物と一緒に予め決められた多孔質構造および粒度を有する微粒子マトリックス材料の多孔質系の中におよび該材料の表面に適用し； − 前駆体組成物を結晶化条件に付し；および − 上記マトリックス材料を除くことによってゼオライトの多孔質単結晶を単離する各段階を包含している。 - 特許庁

The method for producing the high-purity aldehyde compound comprises converting a material contained as an impurity and slightly soluble in water into an aldehyde compound by treating the aldehyde compound with an acid, converting a carboxylic acid or a derivative thereof contained as an impurity into a water-soluble material by treating the product with an alkali, and crystallizing the objective aldehyde compound from an organic layer obtained by removing an aqueous layer.例文帳に追加

アルデヒド化合物を酸で処理し不純物として含まれる水に難溶性の物質をアルデヒド化合物に変換し、次いでアルカリで処理して不純物として含まれるカルボン酸もしくはその誘導体を水溶性物質に変換し、次いで水層を除去して得られる有機層より目的のアルデヒド化合物を結晶化させることなどを特徴とする高純度アルデヒド化合物の製造方法。 - 特許庁

This manufacturing method of the semiconductor closure body 7 composed of components same as the semiconductor, and closing a discharge opening formed on a bottom portion of a crucible for melting the semiconductor, comprises a first process for melting a semiconductor material 8 by the crucible or the like in advance and supplying the melt to a prescribed mold 1, and a second process for crystallizing the melt of the semiconductor.例文帳に追加

半導体を溶融する坩堝の底部に形成された排出口を閉栓する前記半導体と同成分からなる半導体栓体の製造方法であって、予め坩堝などにより半導体原料８を溶融させ、その融液を所定の型１へと供給する第一工程と、前記半導体の融液を結晶化させる第二工程と、を備えた半導体栓体７の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method comprises: an amorphous laminate formation step for forming an amorphous film of indium-based complex oxide containing indium and tetravalent metal on a long length of transparent film base material by sputtering; and a crystallization step for continuously transporting the long length of transparent film base material with the amorphous film formed thereon into a heating furnace, and crystallizing the amorphous film.例文帳に追加

本発明の製造方法は、インジウムと４価金属とを含有するインジウム系複合酸化物の非晶質膜が、スパッタ法により前記長尺状透明フィルム基材上に形成される非晶質積層体形成工程、および前記非晶質膜が形成された長尺状透明フィルム基材が、加熱炉内に連続的に搬送され、前記非晶質膜が結晶化される結晶化工程、を有する。 - 特許庁

A method for manufacturing the capacitor of the semiconductor element comprises a step of vapor depositing a Ta metal film 28 on a semiconductor substrate 20, a step of crystallizing the Ta metal film 28, a step of forming a lower electrode 30 by patterning a prescribed part of the film 28, a step of forming the TaON film on the electrode 30, a step of forming an upper electrode 34 on the TaON film 32.例文帳に追加

半導体基板20上にＴａ金属膜を蒸着するステップと、Ｔａ金属膜28を結晶化するステップと、Ｔａ金属膜28の所定部分をパターニングして、下部電極30を形成するステップと、下部電極30上にＴａＯＮ膜を形成するステップと、ＴａＯＮ膜32上に上部電極34を形成するステップとを含む半導体素子のキャパシタの製造方法及びこれにより製造される半導体素子のキャパシタ。 - 特許庁

In the crystallizing step, as carbon dioxide introduced into the hydrolysis reaction solution, carbon dioxide that is separated in a carbon dioxide separation section 15 from a reformed gas formed by steam reforming reaction in a steam reformation section 13 and carbon dioxide that is separated in an exhaust gas separation section 17 from a combustion exhaust gas generated by pure oxygen combustion in a hydrocarbon heating furnace 112 and a reformation reaction heating furnace 132 are used.例文帳に追加

晶析工程では、加水分解反応液に導入する二酸化炭素として、水蒸気改質部１３で水蒸気改質反応させて生成される改質ガスから二酸化炭素分離部１５で分離された二酸化炭素と、炭化水素加熱炉１１２および改質反応加熱炉１３２における純酸素燃焼で発生する燃焼排ガスから排ガス分離部１７で分離された二酸化炭素とを用いる。 - 特許庁

The interface between a lower capacitor and a capacitor insulating film is flattened by crystallizing amorphous SRO films 14 and 17 in continuous way by heat treatment, after forming an amorphous SRO film 14 as a lower capacitor electrode, a polycrystalline BST film 16 consisting of Ba(X)Sr(1- X)TiO (3) as a capacitor insulating film, and an amorphous SRO film 17 as an upper capacitor electrode.例文帳に追加

下部キャパシタ電極としての非晶質ＳＲＯ膜１４、キャパシタ絶縁膜としてＢａ（Ｘ）Ｓｒ（１−Ｘ）ＴｉＯ（３）からなる多結晶ＢＳＴ膜１６、上部キャパシタ電極としての非晶質ＳＲＯ膜１７を連続的に形成した後、熱処理により非晶質ＳＲＯ膜１４，１７を一括して結晶化する事により、下部キャパシタ電極とキャパシタ絶縁膜との界面を平担にする。 - 特許庁

The method for producing isomaltulose crystal from sucrose comprises a process for carrying out enzymatic conversion reaction from sucrose to isomaltulose under conditions of transferase α-glucosyltransferase being active and simultaneously crystallizing isomaltulose made in a supersaturated state by enzymatic reaction in a same reactor and a process for separating and recovering crystallized isomaltulose crystal from a reaction mother liquor.例文帳に追加

ショ糖からイソマルチュロース結晶を製造する方法において、 転移酵素α−グルコシルトランスフェラーゼが活性である条件下で、ショ糖からイソマルチュロースへの酵素的変換反応を行なうと同時に、酵素反応によって過飽和状態となったイソマルチュロースを同一反応槽内で晶析させる工程、および 晶析したイソマルチュロース結晶を反応母液から分離回収する工程、を含むことを特徴とするイソマルチュロース結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, in the device for crystallizing an amorphous semiconductor layer which includes a radiation pulse source, an irradiator prepared for melting a first linear region of the semiconductor layer by irradiating of radiation pulses, and radiation pulse source prepared for irradiating the semiconductor layer by the two successive radiation pulses, the time interval between the strength maximums of the two successive radiation pulses is equal to or lower than 1000 ns.例文帳に追加

そして非晶質半導体層を結晶化するための装置であって、放射パルス源と、放射パルスの照射によって半導体層の線状第１領域を融解できるように整えられた照射器とを有し、少なくとも２つの連続する放射パルスで半導体層を照射できるように放射パルス源が整えられており、２つの連続する放射パルスの強度極大の間の時間間隔が１０００ｎｓ以下である。 - 特許庁

The method for producing an organic pigment dispersion includes (1) a process for precipitating particles of an organic pigment by continuously mixing an organic pigment solution, obtained by dissolving at least the pigment in a good solvent of the pigment, and a poor solvent of the organic pigment in a flow type reactor having a representative diameter larger than 1 mm, and (2) a process for crystallizing the formed organic pigment particles.例文帳に追加

有機顔料分散物の製造方法であって、該製造方法が（１）該顔料の良溶媒に少なくとも顔料を溶解した有機顔料溶液と、該有機顔料の貧溶媒とを代表径が１ｍｍより大きいフロー式リアクター内で連続的に混合し、前記有機顔料の粒子を析出させる工程、及び、（２）生成した有機顔料粒子を結晶化させる工程、を含む、有機顔料分散物の製造方法。 - 特許庁

Alternatively, a method for manufacturing a power storage device includes steps of: forming an amorphous silicon film on the current collector; adding a catalyst element for accelerating crystallization of amorphous silicon on the surface of the amorphous silicon film; forming the crystalline silicon film by crystallizing the amorphous silicon film by heating the amorphous silicon film where the catalyst element is added; and using the crystalline silicon film as a negative electrode active material layer.例文帳に追加

あるいは、集電体上に、非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜の表面に、前記非晶質珪素の結晶化を促進する触媒元素を添加し、前記触媒元素が添加された非晶質珪素膜を加熱することにより、前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜を負極活物質層として用いる蓄電装置の作製方法に関する。 - 特許庁

This ballast repairing method for repairing ballast utilizing mud pumping formed by mixing fine-grained ballast and moisture, includes a process for providing a space adjoining the lower face of at least one sleeper, under the at least one sleeper on the ballast containing the mud pumping, and arranging a water-absorbing crystallizing material which absorbs moisture included in the mud pumping to produce crystal mineral, in the space.例文帳に追加

本発明は、細粒化されたバラストと水分とが混合することによって生成される噴泥を利用して道床を補修するための方法であり、噴泥を含む道床上における少なくとも１つのまくらぎの下に、該少なくとも１つのまくらぎの下面に隣接する空間を設け、その空間に、噴泥に含まれる水分を吸収し結晶鉱物を生成する水吸収結晶化材料を配置する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The laser crystallization method includes the steps of: forming the amorphous silicon semiconductor film on a substrate; forming a light absorptive agent film by applying a light absorption agent on the surface of the amorphous semiconductor film; and crystallizing the crystal silicon semiconductor film by irradiating a linear laser beam from a semiconductor light-emitting element to the light absorptive agent film and heating the amorphous semiconductor film with the scanning of the linear laser beam.例文帳に追加

レーザー結晶化法を基板上に非晶質シリコン半導体膜を形成する工程と、非晶質半導体膜の表面に光吸収剤を塗布して光吸収剤膜を形成する工程と、光吸収剤膜に半導体発光素子からの線状のレーザー光を照射すると共に、当該線状レーザー光の走査により非晶質シリコン半導体膜を加熱してこれを結晶シリコン半導体膜とする結晶化工程とから構成する。 - 特許庁

This method for producing the bisphenol-phenol compound adduct comprises (a) reacting a carbonyl compound with a theoretically excessive amount of a phenol compound in the presence of an acidic cation exchange resin as a catalyst to form the product mixture comprising the bisphenol, the unreacted phenol compound, the unreacted carbonyl compound and water and (b) crystallizing the bisphenol-phenol compound adduct from the product mixture in a crystallization apparatus.例文帳に追加

a)触媒としての酸性の陽イオン交換樹脂の存在下においてカルボニル化合物を理論過剰量のフェノール化合物と反応させて、ビスフェノール、未反応フェノール化合物、未反応カルボニル化合物及び水を含む生成物混合物を形成すること、及び b)結晶化装置において前記生成物混合物からビスフェノールとフェノール化合物の付加物を結晶化することを含むビスフェノールとフェノール化合物の付加物の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for crystallizing an aliphatic polyester in which easy and continuous crystallization can be achieved without causing problems such as fusion of the resin particles by bringing the aliphatic polyester into contact with an aqueous alkaline solution when it is crystallized, and subsequent solid phase polymerization makes it possible to efficiently produce a high-molecular weight aliphatic polyester with less discoloration, which has not been achievable by prior art techniques.例文帳に追加

脂肪族ポリエステルを結晶化する際、アルカリ性水溶液と接触させることにより、該樹脂の粒子同士の融着等の問題を生ずることなく容易に、連続的に結晶化することができ、さらに、その後、固相重合を行なうことにより、従来技術ではなし得なかった、より着色の少ない高分子量の脂肪族ポリエステルを効率よく製造することができる、脂肪族ポリエステルを結晶化する方法を提供する。 - 特許庁

In a measuring method of an X-ray diffraction pattern of the translin crystal, the translin crystal obtained using sodium formate as a precipitant is frozen in crystallizing solution containing polyalcohol, and X-ray diffraction data is collected in a frozen state.例文帳に追加

トランスリン結晶のＸ線回折像の測定方法、該結晶のＸ線回折像より得られる３次元構造座標、該構造座標を含むデータベース若しくは記録媒体、該構造座標を用いるトランスリンの機能を調節する能力を有する化合物の同定方法、該３次元構造座標を用いるトランスリンに潜在的に結合しうる化合物からなる化合物群の調製方法、及び、該３次元構造座標を用いるトランスリンの変異体の作製方法。 - 特許庁

The method for producing the metal oxide film includes a process for depositing the precursor substance for forming the metal oxide film on the substrate 10 and forming a precursor film subjected to the treatment for accelerating the crystallization of the precursor substance or containing a seed, and a process for forming the metal oxide film 12 by crystallizing the precursor film by subjecting it to plasma treatment.例文帳に追加

また、本発明は、金属酸化物膜を形成させるための前駆体物質を基材１０に付着させ、前記前駆体物質の結晶化を促進する処理が施された、またはシードを含む前駆体膜を形成する工程と、基材１０に付着した前駆体膜を、プラズマ処理することにより、前駆体膜を結晶化させ金属酸化物膜１２とする工程とを含む金属酸化物膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a ferroelectric memory element includes the stages of: forming a first electrode 31a on a substrate; forming a ferroelectric film 32a on the first electrode 31a; forming a second electrode 33a on the ferroelectric film 32a; crystallizing the ferroelectric film 32a; and patterning the first electrode 31a, ferroelectric film 32a and second electrode 33a.例文帳に追加

本発明の強誘電体メモリ素子の製造方法は、基板の上方に第１電極３１ａを形成する工程と、第１電極３１ａ上に強誘電体膜３２ａを形成する工程と、強誘電体膜３２ａ上に第２電極３３ａを形成する工程と、強誘電体膜３２ａを結晶化させる工程と、第１電極３１ａと強誘電体膜３２ａと第２電極３３ａとをパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

The silicon based thin film photoelectric converter comprises a one conductivity type layer 104, a crystal orientation control layer 116, a crystalline silicon based thin film photoelectric conversion layer 105 and a reverse conductivity type layer 106 laminated sequentially wherein the one conductivity type layer 104 is formed by crystallizing an amorphous silicon film, deposited by plasma CVD under temperature of 350°C, by pulse laser annealing.例文帳に追加

シリコン系薄膜光電変換装置は、順次積層された１導電型層１０４と、結晶配向性制御層１１６と、結晶質シリコン系薄膜光電変換層１０５と、逆導電型層１０６とを含み、その１導電型層１０４は、３５０℃以下の下地温度の下でプラズマＣＶＤ法によって堆積された非晶質シリコン膜がパルスレーザアニールによって結晶質化されたものであることを特徴としている。 - 特許庁

The method for manufacturing the thin film comprises a step of manufacturing a precursor film containing a metal element by the CVD method, a step of dipping the precursor film in an alkaline water solution in a container, a step of sealing the container, and a hydrothermal process step of crystallizing the precursor film in the sealed container by a hydrothermal process to form a metal oxide thin film on a substrate.例文帳に追加

本発明の薄膜作製方法は、基板上に、ＣＶＤ法により金属元素を含有する前駆体膜を作製する前駆体膜作製ステップと、前駆体膜を、容器内において、アルカリ性水溶液に浸漬する浸漬ステップと、容器を密閉する密閉ステップと、密閉された容器内において、水熱処理により前駆体膜を結晶化して、基板上に金属酸化物の薄膜を作製する水熱処理ステップとを含む。 - 特許庁

To provide a novel crystallization method for efficiently producing a bicalutamide crystal suitable for an active pharmaceutical ingredient, a bicalutamide crystal having a particle size distribution and a specific surface area suitable as an active pharmaceutical ingredient, i.e. a bicalutamide crystal whose form is prescribed, by simply crushing the bicalutamide crystal obtained in the crystallization method, and a method for crystallizing bicalutamide, which is economical and excellent in the quality stability, and can be carried out industrially practically.例文帳に追加

医薬原体として適切なビカルタミド結晶を効率的に製造するための新規な晶析方法を提供し、該晶析方法で得られたビカルタミド結晶を簡便に粉砕することにより、医薬原体として適切な粒度分布や比表面積を有するビカルタミド結晶を提供すること、すなわち形態を規定したビカルタミド結晶の提供、ならびに経済的であるとともに品質の安定性に優れ、かつ工業的に実用可能なビカルタミドの晶析方法の提供。 - 特許庁

To provide a new crystallization method for efficiently producing a bicalutamide crystal which is adequate as an active pharmaceutical ingredient and to provide the bicalutamide crystal having adequate particle size distribution and specific surface area as an active pharmaceutical ingredient, namely the bicalutamide crystal in which the shape is specified by simply pulverizing the bicalutamide crystal obtained in the crystallization method and to provide a method for crystallizing bicalutamide, being economical and excellent in stability of quality and industrially practical.例文帳に追加

医薬原体として適切なビカルタミド結晶を効率的に製造するための新規な晶析方法を提供し、該晶析方法で得られたビカルタミド結晶を簡便に粉砕することにより、医薬原体として適切な粒度分布や比表面積を有するビカルタミド結晶を提供すること、すなわち形態を規定したビカルタミド結晶の提供、ならびに経済的であるとともに品質の安定性に優れ、かつ工業的に実用可能なビカルタミドの晶析方法の提供。 - 特許庁