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crystallizingを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 952



例文

This method for continuously crystallizing the tetrabromobisphenol A, characterized by separately and continuously supplying water and the methanol solution of the tetrabromobisphenol A into the first crystallization tank to obtain the slurry in which tetrabromobisphenol A is partially deposited, and then separately and continuously supplying the slurry and water into the second crystallization tank to substantially deposit the substantially whole amount of the tetrabromobisphenol A.例文帳に追加

テトラブロモビスフェノールAのメタノール溶液と水を別々に連続して第1晶析槽に供給し、テトラブロモビスフェノールAの一部が析出したスラリーを得、次いで該スラリーと水を別々に連続して第2晶析槽に供給し、テトラブロモビスフェノールAを実質的に全量析出させる。 - 特許庁

The method for producing a single crystal comprises the steps of preparing a pretreated product by melting a crystal raw material, and preparing ingot by melting and crystallizing the pretreated product, producing a crystal by heat-treating the ingot at a temperature of the melting point or lower, and after that, inspecting fluctuation of crystal axes of the crystal and screening the crystal.例文帳に追加

結晶の原料を融解して前処理品を作製し、前処理品を融解及び結晶化してインゴットを作製する工程、インゴットを融点以下で熱処理して結晶を生成する工程の後に結晶の結晶軸のばらつきを検査し、結晶の選別を行う。 - 特許庁

A method for forming a thin film comprises steps of forming an amorphous silicon film by using a chemical vapor phase epitaxy method (CVD), crystallizing the amorphous silicon film by a laser annealing method (ELA) in a predetermined atmosphere thereby forming a polycrystal silicon film and also forming an insulating film having a very thin film thickness.例文帳に追加

化学的気相成長(CVD)法を用いて非晶質シリコン膜を形成し、所定の雰囲気中でレーザアニール(ELA)法により非結晶シリコン膜を結晶化することによって、多結晶シリコン膜を形成すると同時に、非常に膜厚が小さい絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A beam of a high-output excimer laser is split into a laser beam 110 controlled by energy required for improving the quality of an amorphous silicon thin film and a laser beam 109 controlled by energy required for crystallizing the thin film, which are provided arranged lengthwise and irradiated onto a substrate 111, on which an amorphous silicon thin film has been prepared.例文帳に追加

高出力のエキシマレーザーのレーザー光を非晶質シリコン薄膜の改質に必要なエネルギーと結晶化に必要なエネルギーに制御された縦並びのレーザー光110,109に分離して非晶質シリコン薄膜が形成された基板111に照射する。 - 特許庁

例文

To provide a method for crystallizing the neck part of a synthetic resin bottle which curtails a heating time by the controlled diffusion of heat by a heating element, heats the neck part of a synthetic resin parison uniformly, and prevents the generation of deformation in the neck part of the bottle.例文帳に追加

発熱体による熱気が大気中に拡散しにくくて加熱時間が短くてすみ、また合成樹脂製パリソンの首部の加熱が一様に行われて、合成樹脂製瓶の首部に変形を生じることのない合成樹脂製瓶の首部結晶化方法を提供する。 - 特許庁


例文

To provide a mask for silicon crystallization, a silicon crystallizing method using it, and a display device, for improving characteristics in vertical direction and improving anisotropy in both horizontal direction and vertical direction, for minimizing the number of grain boundaries of the silicon which is crystallized.例文帳に追加

結晶化されたシリコンの結晶粒界の数を最小化するための、垂直方向に対する特性の向上はもとより水平方向及び垂直方向に対する異方性をも改善するシリコン結晶化用のマスク、これを用いたシリコン結晶化方法及び表示装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device with an electrode using a roughened- surface polycrystalline silicon film, a capacitor is installed through a dielectric film, in which the polycrystalline silicon film is laminated on an electrode in a film obtained by crystallizing amorphous silicon as the foundation film of the roughened-surface polycrystalline silicon film.例文帳に追加

粗面多結晶シリコン膜を用いた電極を有する半導体装置において、前記粗面多結晶シリコン膜の下地膜としてアモルファスシリコンを結晶化させた膜が用いられた電極に誘電体膜を介して多結晶シリコン膜が積層されたキャパシタを設ける。 - 特許庁

In more detail, a TFT is formed through the peeling from the inside of the oxide film layer and from the interface of both surfaces of the relevant oxide layer by forming an oxide layer including a relevant metal on such metal film and then crystallizing the relevant oxide layer with the heat treatment.例文帳に追加

詳しくは、金属膜上に当該金属を有する酸化物層が形成され、加熱処理を行うことにより当該酸化物層を結晶化させ、酸化物層の層内、又は当該酸化物層の両面の界面から剥離を行って得られたTFTを形成することを特徴とする。 - 特許庁

The arsenic-containing material treatment method comprises the steps of: adding the arsenic-containing material to the alkaline solution at pH10 to leach arsenic in the alkaline solution while oxidizing the arsenic-containing material; subjecting the arsenic-containing leachate to solid-liquid separation; and cooling and crystallizing an arsenic-containing leachate obtained by the solid-liquid separation to recover arsenic and the reusable alkaline solution.例文帳に追加

砒素含有物質をアルカリ溶液に加えてpH10以上にして酸化しながらアルカリ浸出した後に固液分離して得られた砒素を含む浸出液を冷却晶析することにより、砒素を回収するとともに、再利用可能なアルカリ液を回収する。 - 特許庁

例文

To provide a method for recovering a cyclohexyl fluorinated benzene derivative, making it possible to efficiently recover the cis-trans isomer mixture of the cyclohexyl fluorinated benzene derivative from a residual mother liquid which is obtained by treating the cis-trans isomer mixture of the cyclohexyl fluorinated benzene derivative with a metal alkoxide to isomerize the cis-isomer into the trans-isomer and then crystallizing the trans-isomer.例文帳に追加

シクロヘキシルフッ素置換ベンゼン誘導体のシス−トランス混合物を金属アルコキシドで処理し、混合物中のシス体をトランス体に異性化した後、晶析する際に生じる母液残さから、シクロヘキシルフッ素置換ベンゼン誘導体のシス−トランス混合物を効率良く回収する方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of efficiently distributing elements which promote the crystallization of amorphous silicon on the surface of an amorphous silicon film so as to stably crystallize amorphous silicon when a semiconductor device is manufactured by crystallizing an amorphous silicon film by the use of elements promoting the crystallization of amorphous silicon.例文帳に追加

非晶質珪素の結晶化を助長する元素を使って、非晶質膜珪素膜を結晶化させて半導体装置を作製するに際して、結晶化を好適に行える状態となるように前記元素を非晶質珪素膜の表面へ効率よく配することのできる半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing thin film transistor, the thin film transistor having a controlled threshold voltage can be obtained by preparing a substrate and forming the silicon target containing the impurity, and then, causing an amorphous silicon layer to deposit from the target by the physical vapor growth method and crystallizing the amorphous silicon layer.例文帳に追加

よって、薄膜トランジスタの製造方法では、基板を準備し、所定の不純物を含むシリコンターゲットを形成し、そのターゲットから物理的気相成長法によってアモルファスシリコン層を堆積し、そのアモルファスシリコン層を結晶化することによって、閾値電圧を制御した薄膜トランジスタを得ることができる。 - 特許庁

The method of manufacturing the solid electrolyte including the synthesizing step of reacting compounds of one or more kinds selected from phosphorous sulfide, germanium sulfide, silicon sulfide and boron sulfide with lithium sulfide to generate the amorphous solid electrolyte, and the crystallizing step of heating the amorphous solid electrolyte in a solvent to crystallize the electrolyte.例文帳に追加

硫化りん、硫化ゲルマニウム、硫化ケイ素、硫化ほう素から選択される1種以上の化合物と、硫化リチウムを反応させて非晶質の固体電解質を生成させる合成工程と、前記非晶質の固体電解質を溶媒中で加熱して結晶化させる結晶化工程を含む固体電解質の製造方法。 - 特許庁

In this protective tool, which is constituted of a coil-shaped molded product, formed by crystallizing crystalline thermoplastic resin and outer-packages the wiring, the piping or the like a polyethylene terephthalate is preferably used for the crystalline thermoplastic resin and strands constituting a coil of the coil-shaped molded product is an aggregate of one or more strand elements.例文帳に追加

結晶性熱可塑性樹脂を結晶化してなるコイル状成形品からなり、配線又は配管などに外装される保護具であり、結晶性熱可塑性樹脂がポリエチレンテレフタレートであることが好ましく、コイル状成形品のコイルを形成する素線は1本又は2本以上の素線要素の集合体である。 - 特許庁

There are provided a process of forming a film of the piezoelectric precursor on a lower electrode, a process of patterning the piezoelectric precursor film into a predetermined shape, a process of obtaining a piezoelectric film by crystallizing the patterned piezoelectric precursor film, and a process of forming an upper electrode onto the piezoelectric film.例文帳に追加

下部電極上に圧電体前駆体膜を成膜する工程と、前記圧電体前駆体膜を所定の形状にパターニングする工程と、前記パターニングされた圧電体前駆体膜を結晶化させ圧電体膜を得る工程と、前記圧電体膜上に上部電極を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

The glass formed body firmly integrated with glass particles is obtained by depositing inorganic powder on the surface of glass cullet formed by crushing the waste glass, such as colored bottles, putting such glass cullet into a molding flask of a prescribed shape and firing the glass cullet at 700 to 800°C, thereby crystallizing the glass cullet in spite of having gaps.例文帳に追加

色付き瓶などの廃ガラスを粉砕したガラスカレットの表面に無機質パウダーを付着させ、これを所定の形状の型枠内に入れて、700〜800℃で焼成することにより、隙間を有するにもかかわらず、結晶化することにより、ガラス粒が強固に一体化されてなるガラス成形体を得ることとした。 - 特許庁

This method for the production of succinic acid contains (1) a step to aerobically culture the microorganism, (2) a step to anaerobically produce a succinic acid salt, (3) a step to convert the succinic acid salt to succinic acid and (4) a step to recover succinic acid crystal and filtrate by crystallizing succinic acid and separating into solid and liquid.例文帳に追加

本発明のコハク酸の製造方法は、好気的に微生物を培養する工程(1)、嫌気的にコハク酸塩を生産する工程(2)、コハク酸塩をコハク酸に転化する工程(3)、コハク酸を結晶化して固液分離することにより、コハク酸の結晶および濾液を回収する工程(4)を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To contribute to enhancement in the performance of a photosensor substrate reducing manufacture costs of the photosensor substrate, enhancing productivity and expanding the range of material selection relating to heat resistance of a base material by providing techniques for imparting conductivity by crystallizing a membrane of a metal oxide at a low temperature of 200°C or lower.例文帳に追加

200℃以下という低温において、金属酸化物の薄膜を結晶化させて、導電性を付与することができる技術を提供し、光センサー基板の製造費用の低下、生産性の向上、基材の耐熱性に関する材料選択範囲の拡大による光センサー基板の性能の拡大に寄与する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an insulation layer 20 having first trenches 22a each serving as a starting point for crystallizing a semiconductor layer 26 into a single crystal and second trenches 22b each serving as a reference for alignment having a larger width than that of the first trench 22a, and a semiconductor layer 26 provided above the insulation layer 20.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体層26を単結晶化する際の起点となる第1溝部22aと、アライメントの際の照準となり、該第1溝部22aと比して大きい幅を有する第2溝部22bとが設けられた絶縁層20と、 前記絶縁層20の上方に設けられた半導体層26と、を含む。 - 特許庁

The method for crystallizing methionine comprises feeding carbon dioxide into an aqueous solution(1) containing a methionine metal salt in the presence of seed crystal to effect neutralizing crystallization, wherein the amount of the seed crystal is designed to be 0.5-2.5 wt.% of the whole methionine crystal obtained by deposition resulting from the crystallization followed by solid/liquid separation.例文帳に追加

メチオニンの金属塩を含む水溶液(1)に、種晶の存在下、炭酸ガスを供給して中和晶析するメチオニンの晶析方法であって、前記種晶の量が、晶析により析出し、固液分離して得られるメチオニン結晶全体の0.5〜2.5重量%であることを特徴とするメチオニンの晶析方法。 - 特許庁

Furthermore, since the partition part 34 having a plurality of recessed parts 34a and projected parts 34b is formed by crystallizing the wax by a crystallization process, the electrophoretic display medium 10 in which the deterioration of the display quality resulting from large deviation of charged particles is suppressed is easily manufactured.例文帳に追加

さらに、結晶化工程により、ワックスを結晶化させることにより、複数の凹部34aと凸部34bとを有する隔壁部34が形成されるので、帯電粒子の大きな片寄りに起因する表示品質の劣化を抑制した電気泳動表示媒体10を容易に製造することができる。 - 特許庁

To provide a polylactic acid resin composition capable of obtaining a polylactic acid of high stereocomplex crystal proportion by selective crystallization into stereocomplex crystal of poly-L-lactic acid and poly-D-lactic acid at a sufficiently high rate, and to provide a molded form obtained by melt-molding the composition and crystallizing it.例文帳に追加

ポリL乳酸とポリD乳酸とのステレオコンプレックス結晶を選択的に結晶化せしめ、その結晶化速度が十分に大きく、ステレオコンプレックス結晶比率の高いポリ乳酸を得ることを可能とするポリ乳酸樹脂組成物、並びにそれを溶融成形して結晶化せしめた成形体を提供すること。 - 特許庁

To provide a polylactic acid resin composition capable of selectively and quickly crystallizing the stereo complex crystals of a poly L-lactic acid with a poly D-lactic acid without using any metal salt as a nucleating agent, and obtaining a polylactic acid having a high stereo complex crystal ratio, and a molded product obtained by melting and molding the same.例文帳に追加

核剤として金属塩を用いることなく、ポリL乳酸とポリD乳酸とのステレオコンプレックス結晶を選択的に速く結晶化せしめ、ステレオコンプレックス結晶比率の高いポリ乳酸を得ることを可能とするポリ乳酸樹脂組成物、並びにそれを溶融成形して結晶化せしめた成形体を提供すること。 - 特許庁

A method of sample preparation for a matrix-assisted laser desorption/ionization mass spectrometry, comprises preparing solution of 2,5-dihydroxybenzoic acid of 40 mg/ml-saturated concentration as matrix solution, dispensing the matrix solution into an analysis object sample with using an inkjet mechanism, and crystallizing the 2,5-dihydroxybenzoic acid.例文帳に追加

マトリックス溶液として2,5−ジヒドロキシ安息香酸の40mg/ml〜飽和濃度溶液を用意し、前記マトリックス溶液を、インクジェット機構を用いて分析対象試料に分注し、前記2,5−ジヒドロキシ安息香酸を結晶化させることを含む、マトリックス支援レーザー脱離イオン化質量分析用サンプル調製法。 - 特許庁

To provide a PET resin composition having high productivity as a result of having high crystallizing rate, having high rigidity, excellent heat resistance and impact resistance as a result of satisfying high degree of crystallinity, and to provide a molded article produced by thermoforming a sheet comprising the resin composition, in particular a heat resistant container.例文帳に追加

高結晶化速度を有することにより高い生産性を有し、高い結晶化度を満足することにより高剛性、良好な耐熱性、良好な耐衝撃性とを有するPET樹脂組成物、殊にかかる樹脂組成物からなるシートを熱成形して製造される成形体、中でも耐熱容器を提供する。 - 特許庁

The method for producing the nano carbon composite 1 comprises changing (imidizing) a polyamic acid-based compound to a polyimide-based resin in a dispersion containing the polyamic acid-based compound and the nano carbon 2 and crystallizing the polyimide-based resin in at least a part of the surface of the nano carbon 2 by heating the dispersion containing the polyamic acid-based compound and the nano carbon 2.例文帳に追加

このナノカーボン複合体1は、ポリアミド酸系化合物とナノカーボン2とを含有する分散液を加熱することにより、この分散液中において、ポリアミド酸系化合物をポリイミド系樹脂に変化(イミド化)させるとともに、ナノカーボン2の表面の少なくとも一部において結晶化させることにより製造される。 - 特許庁

A water-miscible organic solvent, especially an organic solvent having60°C boiling point is used as the organic crystallizing agent and a polyhydric alcohol or its ether derivative, a nonionic surfactant or an anionic surfactant, a nonionic water-soluble polymer or an anionic water-soluble polymer can be used as the preferred one.例文帳に追加

有機晶出剤としては、水混和性有機溶媒、特に沸点が60℃以上の有機溶媒が使用され、好適なものとして、多価アルコール乃至そのエーテル誘導体、ノニオン系界面活性剤やアニオン系界面活性剤、ノニオン性水溶性高分子やアニオン性水溶性高分子も使用される。 - 特許庁

To provide a mouth part crystallizing device of a preform constituted so as not only to efficiently heat-treat the mouth part of the bottle molding preform comprising a thermoplastic polyester to sufficiently crystallize the same but also to correspond to the preform of every length without performing the replacement of parts and the adjustment of setting.例文帳に追加

熱可塑性ポリエステルからなるボトル成形用のプリフォームの口部を、効率よく加熱処理して十分な結晶化をさせることができ、また種々の長さのプリフォームに対しても部品交換やセッティング調整をすることなく対応することができるプリフォームの口部結晶化装置を提供すること。 - 特許庁

The method for producing the crystal of the 2'-(4'-ethylbenzyl)phenyl 5-thio-β-D-glucopyranoside comprises dissolving the 2'-(4'-ethylbenzyl)phenyl 5-thio-β-D-glucopyranoside in a mixed solvent of an organic solvent and water, crystallizing the compound, and drying the obtained crystal at65°C.例文帳に追加

上記の課題は、有機溶媒と水との混合溶媒に、2’−(4’−エチルベンジル)フェニル5−チオ−β−D−グルコピラノシドを溶解させた後、結晶化し、得られた結晶を65℃以上で乾燥させる2’−(4’−エチルベンジル)フェニル5−チオ−β−D−グルコピラノシドの結晶の製造方法などにより解決される。 - 特許庁

The method for producing the aromatic ether having both phenolic and alcoholic hydroxy groups involves the step of crystallizing and refining the corresponding raw aromatic ether using a solvent with a solubility parameter of 7.5-12.5.例文帳に追加

フェノール性水酸基およびアルコール性水酸基を有する芳香族エーテル類を製造する方法であって、原料芳香族エーテル類を、溶解度パラメーターが7.5〜12.5の溶媒を用いて晶析精製する工程を備えることを特徴とするフェノール性水酸基およびアルコール性水酸基を有する芳香族エーテル類の製造方法である。 - 特許庁

This PTT-POY is produced by crystallizing the fiber by heat- treating the fiber under a specific condition making the spinning condition proper, and using a special spinning method of winding the fiber at an extremely low tension, has an orientation, crystallinity and U% within specified ranges, and contains a specific amount of titanium oxide particles having a little amount of coagulated bodies.例文帳に追加

特定の条件にて繊維を熱処理して結晶化させ、紡糸条件を適正化し、極低張力にて巻き取る特殊な紡糸法を用いて製造した、特定の範囲内の配向性、結晶性、U%かつ、凝集体の少ない酸化チタン粒子を特定量含有しているPTT−POY。 - 特許庁

To provide a method for reducing the viscosity of MASKIT obtained by crystallizing a saccharide solution substantially without lowering the crystallization rate of the MASKIT, and to provide a method for producing saccharide crystals or saccharide powder containing the saccharide crystals by using the obtained MASKIT.例文帳に追加

糖質溶液を助晶して得られるマスキットの晶出率を実質的に低下させないで粘度を低減させる方法を提供することを第一の課題とし、得られたマスキットを用いて糖質結晶又はこれを含有する糖質粉末の製造方法を提供することを第二の課題とするものである。 - 特許庁

For example, in a setting operation (SET) to cause the phase transition element to be in a crystal state, a pulse of a voltage Vreset necessary for melting the element is applied to the phase transition element first, and then a pulse of a voltage Vset necessary for crystallizing the element to be lower than the Vreset is applied.例文帳に追加

例えば、相変化素子を結晶状態にするセット動作(SET)の際に、相変化素子に対して、始めに素子を溶融するために必要な電圧Vresetのパルスを印加後、続けて、Vresetよりも低く素子を結晶化するために必要な電圧Vsetのパルスを印加する。 - 特許庁

The molding device includes a preform-molding device for molding the synthetic resin-made preform, a preform discharge means for discharging the preform, a preform storage means, a crystallization means for heating and crystallizing an opening neck part of the preform, and a blow-molding means for blow-molding the preform into the vessel.例文帳に追加

合成樹脂製プリフォームを成形するためのプリフォーム成形手段、プリフォームを排出するためのプリフォーム排出手段、プリフォーム貯留手段、プリフォームの口頸部を加熱して結晶化するための結晶化手段及びプリフォームをブロー成形して容器せしめるブロー成形手段を具備する成形装置。 - 特許庁

The second irradiating means 200 irradiates a glass substrate 10 selectively with a second laser beam 210 which transmits the semiconductor thin film 20 more easily than the first laser beam 110 to heat the glass substrate 10 at a position corresponding to a region including the crystallizing region of the semiconductor thin film 20.例文帳に追加

第2照射手段200は、ガラス基板10に選択的に第1のレーザ光100よりも半導体薄膜20を透過し易い第2のレーザ光210を照射し、半導体薄膜20の結晶化予定領域を含む領域に対応する位置のガラス基板10を加熱する手段である。 - 特許庁

In a step of crystallizing a semiconductor layer by a laser beam, the laser beam reflected from the semiconductor layer is absorbed by a film permeable to the laser beam and a film absorbing it to suppress the irregular reflection of the laser beam in a laser irradiation chamber, thereby suppressing the production of metal substances constituting the irradiation chamber.例文帳に追加

半導体層をレーザー光によって結晶化する工程に於いて、半導体層より反射したレーザー光を、レーザー光に対して透過する膜と吸収する膜によって吸収し、レーザー光のレーザー照射室内での乱反射を抑制することで、照射室構成部材である金属物質の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a new lithium ionic liquid having no complicated problem that three or more kinds of ions are present as observed in a conventional system and no limitation in a composition range to be a liquid state at around room temperatures by using a thermodynamically stable lithium salt without crystallizing time-dependently as an ionic liquid.例文帳に追加

従来のように系内に3種以上のイオンが存在する複雑さの問題なく、室温付近で液体状態となる組成範囲が限定されず、熱力学的に安定で経時的に結晶化することのないリチウム塩自身をイオン性液体とする、新規なリチウムイオン性液体を提供する。 - 特許庁

This method for producing the optically active β-amino acid derivative is characterized by preferentially crystallizing either one of the optical isomer salts of a β-amino acid derivative secondary amine salt represented by the general formula (1) from the solution of the optical isomers mixture, thereby obtaining the crystals excessively containing the optical isomer salt.例文帳に追加

一般式(1)で表されるβ−アミノ酸誘導体第2アミン塩の光学異性体混合物溶液から、いずれか1つの光学異性体塩を優先的に結晶化させ、当該光学異性体塩を過剰に含む結晶を得ることを特徴とする光学活性β−アミノ酸誘導体の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for purifying triethylenediamine(TEDA) by evaporating TEDA, transferring the gas state TEDA into a liquid solvent and then continuously crystallizing from the solvent, enabling the re-circulation of at least a part of the used solvent into the purification method and also increasing the yield of the TEDA.例文帳に追加

トリエチレンジアミン(TEDA)を蒸発させかつガス状TEDAを液状溶剤中へ移行させ、かつ引き続きこれから晶出させ、並びに使用される溶剤の少なくとも一部を方法に再循環することを可能にし、かつTEDAの収率が増大させることも可能にするTEDAの精製方法。 - 特許庁

This hair wax product contains at least one kind of polyethylene glycol having waxlike hardness at room temperature in an amount of more than 20 wt% and at least one kind of additive (preferably, selected from a hydrophobic wax, a hydrophobic soft waxlike material, and a hydrophobic oil) for preventing the polyethylene glycol from crystallizing.例文帳に追加

20重量%より多い、少なくとも一種の室温でワックス状の固さを有するポリエチレングリコールと、少なくとも一種の、前記ポリエチレングリコールの結晶化を防ぐ添加物(好ましくは疎水性ワックス、疎水性軟ワックス状物質および疎水性オイルから選択されるもの)、とを含有する組成を持つヘアワックス製品。 - 特許庁

The method includes the steps of: forming an amorphous silicon layer on a semiconductor substrate that various elements for forming semiconductor devices are mounted on; and crystallizing first the amorphous silicon layer by means of the spike quick heat process and then forming it into an amorphous polysilicon layer having a small and uniform grain size.例文帳に追加

半導体素子を形成するためのいろいろの要素が設けられた半導体基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と、スパイク急速熱処理工程で非晶質シリコン層を先に結晶化させ、グレインサイズが小さく且つ均一な非晶質ポリシリコン層に形成する段階とを含む。 - 特許庁

In this semiconductor element housing package (wiring board) 1, wiring layers 3 are formed on and/or in an insulating substrate 2 composed of a glass ceramic prepared by scattering a ceramic filler having an aspect ratio of ≥4 and a degrees of orientation of50% in glass and/or a matrix prepared by crystallizing the glass.例文帳に追加

ガラスおよび/またはそれが結晶化したマトリックス中に、アスペクト比が4以上、かつ配向度が50%以上のセラミックフィラーを分散してなるガラスセラミックスからなる絶縁基板2の表面および/または内部に配線層3を形成してなる半導体素子収納用パッケージ(配線基板)1を作製する。 - 特許庁

A manufacturing method for a semiconductor device is provided with the process of forming the amorphous silicon on a gate insulating film, the process of introducing acceptor impurities to be the acceptors and crystal growth suppression impurities suppressing the growth of the crystal to the amorphous silicon and the process of crystallizing the amorphous silicon and forming p-type polycrystalline silicon.例文帳に追加

前記ゲート絶縁膜上にアモルファスシリコンを形成する工程と、前記アモルファスシリコンに、アクセプタとなるアクセプタ化不純物と、結晶粒の成長を抑制する結晶成長抑制不純物を導入する工程と、前記アモルファスシリコンを結晶化させ、前記p型多結晶シリコンを形成する工程とを含む。 - 特許庁

An inert gas in a supercritical state is mixed with and dissolved in a molding material containing a crystalline thermoplastic resin in an extruder 2 while melting the molding material and the resulting mixture is extruded from a die 4, of which the temperature is controlled to a temperature range higher than the crystallizing temperature of the molding material by 0.5-5°C, under atmospheric pressure.例文帳に追加

押出機2において、結晶性の熱可塑性樹脂を含む成形材料を溶融しつつ、その成形材料に超臨界状態の不活性ガスを混合溶解し、その後、成形材料の結晶化温度よりも0.5〜5℃高い温度範囲に温度制御されているダイ4から大気圧下に押し出す。 - 特許庁

In crystallizing an amorphous thin film (a-silicon thin film 2), the amorphous thin film is placed in an environment containing a catalyst for promoting crystallization (solution applied layer 3), and then laser light 21 from a laser light source 20 is cast on the amorphous thin film to introduce the catalyst obtained from the environment into the amorphous thin film.例文帳に追加

アモルファス薄膜(a−シリコン薄膜2)を結晶化させる際に、結晶化を助長する触媒が含まれる環境下(溶液塗布層3)に該アモルファス薄膜を置いて該アモルファス薄膜に、レーザ光源20から照射されたレーザ光21を照射して、前記環境から得られる触媒を前記アモルファス薄膜中に導入する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes a film depositing step of forming an amorphous silicon layer 3 on a substrate 1, a crystallizing step of polycrystallizig the formed layer 3, and a quick heat treating step of heat treating a polysilicon layer 4 by blowing heated gas to the layer 4.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、基板1上にアモルファスシリコン層3を形成する成膜工程と、形成したアモルファスシリコン層3を多結晶化させる結晶化工程と、ポリシリコン層4に対して加熱した気体を吹き付けて熱処理を行う急速熱処理工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This method for forming the semiconductor layer comprises steps of forming an amorphous silicon layer on a glass substrate 4, and thermally treating the amorphous silicon layer in a plasma atmosphere containing Ar which is an element having low reactivity to the amorphous silicon layer, thereby crystallizing at least a part of the amorphous silicon layer.例文帳に追加

この半導体層の形成方法は、ガラス基板4上に、非晶質シリコン層を形成する工程と、非晶質シリコン層との反応性が低い元素であるArを含むプラズマ雰囲気中で、非晶質シリコン層を熱処理することによって、非晶質シリコン層の少なくとも一部を結晶化する工程とを備えている。 - 特許庁

The orientation rate of a semiconductor film 104 is enhanced by adding a rare gas element, typically argon, into an amorphous semiconductor film 102 during or after formation thereof thereby crystallizing the amorphous semiconductor film, and strain existing in the crystallized semiconductor film 104 is relaxed as compared with that before crystallization.例文帳に追加

本発明は、非晶質半導体膜102の形成時、または形成後において膜中に希ガス元素、代表的にはアルゴンを含ませて結晶化させることによって半導体膜104の配向率を高め、且つ、結晶化前と比較して結晶化後の半導体膜104中に存在する歪みを緩和させる。 - 特許庁

On an oxide single crystal substrate with a perovskite structure, an amorphous film is formed by a vapor growth method at a temperature lower than the crystallization temperature, and subsequently a ferroelectric thin film with the perovskite structure is formed by crystallizing the amorphous film under heating at a temperature higher than the crystallization temperature.例文帳に追加

ペロブスカイト型構造を有する酸化物単結晶基板上に、気相成長法により、結晶化温度より低い温度でアモルファス膜を形成した後、このアモルファス膜を、結晶化温度より高い温度に加熱して結晶化させることにより、ペロブスカイト型構造を有する強誘電体薄膜とする。 - 特許庁

例文

The invention relates to the method for preparing the pravastatin sodium in a crystal state, comprises following steps, (a) preparing a solution containing pravastatin and sodium cation in a lower aliphatic alcohol (for example ethanol), (b) adding ethyl acetate to the solution, and (c) crystallizing the pravastatin sodium salt from the solution.例文帳に追加

結晶形態にあるプラバスタチンナトリウム塩の製造方法であって、以下の工程:a)低級脂肪族アルコール(例えばエタノール)中にプラバスタチンとナトリウム・カチオンを含有する溶液を用意し;b)上記溶液に酢酸エチルを添加し;c)上記溶液からプラバスタチンのナトリウム塩を結晶化させる、を含む方法。 - 特許庁




  
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