「crystallizing」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

In a reducing agent supply device 6, a detection signal S1 for exhaust temperature from an exhaust temperature sensor 9 is used to set supply quantity of urea water to the injection nozzle 5 to be above the lowest limit value of supply quantity to cool the inside of the injection nozzle 5 at temperature less than urea water crystallizing temperature with the detected exhaust temperature.例文帳に追加

排気温度センサ９からの排気温度の検出信号Ｓ_1を用いて、還元剤供給装置６は、上記検出した排気温度において噴射ノズル５内部を尿素水が結晶化する温度未満に冷却する供給量の下限値以上に設定し、その設定した供給量で噴射ノズル５に尿素水を供給する。 - 特許庁

This method for producing the mercaptotetrazole compound is characterized in that the mercaptotetrazole compound is produced by reacting an azide with an isothiocyanate compound in an aqueous solvent, extruding the objective compound from the reaction mixture with an organic solvent under a neutral to acidic condition, subjecting the resultant organic layer to an extraction operation with water under an alkali condition, and crystallizing the objective material from the obtained aqueous layer.例文帳に追加

アジ化化合物とイソチオシアネート化合物とを水性溶媒中で反応させ、次いで中性乃至酸性条件下、目的物を有機溶媒で抽出し、得られた有機層をアルカリ条件下、水による抽出操作に付し、得られた水層から目的物を晶析させることを特徴とするメルカプトテトラゾール化合物の製造方法。 - 特許庁

This composition is applied to a heat-resistant substrate, and the process to heat in the air, oxidating atmosphere, or in an atmosphere containing water vapor is repeated until the desired thickness is obtained, and the film is subjected to baking process at the crystallizing temp. or higher, at least during or after heating at the final stage.例文帳に追加

このＳＲＯ導電性薄膜形成用組成物を耐熱性基板に塗布し、空気中、酸化雰囲気中又は含水蒸気雰囲気中で加熱する工程を所望の厚さの膜が得られるまで繰り返し、少なくとも最終工程における加熱中或いは加熱後に膜を結晶化温度以上で焼成するＳＲＯ導電性薄膜の形成方法。 - 特許庁

Also, the manufacturing method of the spherical particles is characterised by being provided with a first process for obtaining spherical particles having amorphous phase as a main phase by cooling molten particles constituted of Si, Mg and O, and a second process for obtaining the spherical particles by crystallizing them by heating the spherical particles having the amorphous phase as main phase.例文帳に追加

また、ＳｉとＭｇ及びＯとからなる溶融粒子を冷却して非晶質相を主相とする球状粒子を得る第１工程と、該非晶質相を主相とする球状粒子を加熱することにより結晶化させて前記球状粒子を得る第２工程と、を備えたことを特徴とする球状粒子の製造方法である。 - 特許庁

This method for producing the highly pure optically active 1-aryl-1,3-propanediol acceptable as the medicine intermediate is characterized by de-esterifying an optically active 3-aryl-3-hydroxypropionate to obtain an optically active 3-aryl-3-hydroxypropionic acid, crystallizing the acid to obtain the highly pure acid, and then subjecting the highly pure acid to a reduction reaction, while highly controlling a side reaction.例文帳に追加

３−アリール−３−ヒドロキシプロピオン酸エステルを脱エステル化することにより光学活性３−アリール−３−ヒドロキシプロピオン酸とし、これを晶析により高純度化した後に、副反応を高度に制御した還元反応を行うことによって、医薬品中間体として許容しうる高純度な光学活性１−アリール−１，３−プロパンジオールを得る。 - 特許庁

The method for manufacturing the catalyst support carrier includes: mixing a catalyst support carrier 3a in an aqueous solution of water-soluble alkaline earth metal nitrate 4; crystallizing the alkaline earth metal nitrate 4 on a surface of the catalyst support carrier 3a; and circulating an SOx gas thereto to manufacture the catalyst support carrier 3 having the alkaline earth metal sulfate 5 adhering to its surface.例文帳に追加

水溶性のアルカリ土類金属硝酸塩４の水溶液に触媒担持担体３ａを混合し、アルカリ土類金属硝酸塩４を触媒担持担体３ａ表面に晶出させ、これにＳＯｘガスを流通させてアルカリ土類金属硫酸塩５がその表面に付着した触媒担持担体３を製造する触媒担持担体の製造方法である。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a process of forming an amorphous silicon layer 13 on a substrate such as a plastic substrate 11, a process of patterning the amorphous silicon layer 13 and forming a prescribed pattern to be a thin film transistor, and a process of crystallizing the patterned amorphous silicon layer 13 thereafter, and the semiconductor device provided with the thin film transistor is manufactured.例文帳に追加

プラスチック基板１１等の基板上にアモルファスシリコン層１３を形成する工程と、アモルファスシリコン層１３をパターニングして、薄膜トランジスタとなる所定のパターンを形成する工程と、その後、パターニングされたアモルファスシリコン層１３を結晶化する工程とを有して、薄膜トランジスタを有する半導体装置を製造する。 - 特許庁

In the method for crystallizing an amorphous semiconductor layer melt by irradiation of at least two successive radiation pulses, the time interval between the strength maximums of the two successive radiation pulses is equal to or lower than 1000 ns.例文帳に追加

非晶質半導体層を結晶化するための方法であって、半導体層の線状第１領域が放射パルスの照射によって融解され、半導体層の線状第１領域の照射が少なくとも２つの連続する放射パルスを含み、２つの連続する放射パルスの強度極大の間の時間間隔が１０００ｎｓ以下である。 - 特許庁

This method for producing the glycine, comprising crystallizing glycine crystals from an aqueous solution containing the glycine, is characterized by using water containing at least one polyvalent cation as a crystallization solvent in a concentration of at least 15μmol/L, when α-type glycine is crystallized, or by using water not containing the polyvalent cation as a crystallization solvent, when γ-type glycine is crystallized.例文帳に追加

グリシンを含有する水溶液からグリシンの結晶を晶析させるグリシンの製造方法において、α型グリシンを晶析させる場合には、晶析用溶媒として、少なくとも１種の多価カチオンを少なくとも１５μｍｏｌ／Ｌ含んでいる水を用い、γ型グリシンを晶析させる場合には、晶析用溶媒として、多価カチオンを含有しない水を用いる。 - 特許庁

At the time of crystallizing a thin semiconductor film with a laser beam, an array of a substantially single crystal grain having a large diameter and only containing a twin crystal grain boundary is created by generating a single growing crystal nucleus near the center of the optical axis of energy light by using a phase shifter, in which dot-pattern steps are arranged at fixed intervals and radially growing the crystal nucleus in the lateral direction.例文帳に追加

半導体薄膜のレーザ結晶化の際に、ドットパターン段差を一定間隔で配置した位相シフタを使い、エネルギ光の光軸の中心近傍に単一の成長性の結晶核を発生させ、放射状に横方向成長させることで、内部に双晶粒界のみを含む実質的に単一の大粒径結晶粒のアレイを作製する。 - 特許庁

A method for manufacturing a ferroelectric thin film comprises the steps of forming a seed layer containing an ultra-fine particle powder which contains a constituting element of the ferroelectric thin film, on the surface of a substrate for constituting a substrate prior to a formation of the ferroelectric thin film, forming the ferroelectric thin film on an upper surface of the seed layer, and crystallizing the thin film with the seed layer as a nucleus.例文帳に追加

強誘電体薄膜の形成に先立ち、下地を構成する基板表面に、前記強誘電体薄膜の構成元素を含む超微粒粉を含むシード層を形成し、このシード層の上層に、強誘電体薄膜を形成し、このシード層を核として結晶化を行うようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing an oxide single crystal having a non-stoichiometric melt composition comprises a step of crystallizing an oxide single crystal 17 while impressing a DC electric field of ≥50 (kV/m) or an AC electric field of ≥50 (kV/m) effective value while applying ≥1,000 (Oe) magnetic field to a melt 5 being a raw material of the oxide single crystal 17.例文帳に追加

非一致溶融組成を有する酸化物単結晶の製造方法において、酸化物単結晶１７の原料である融液５に対し、５０（ｋＶ／ｍ）以上の直流の電場、又は、実効値が５０（ｋＶ／ｍ）以上の交流の電場と、１０００（Ｏｅ）以上の磁場を印加しながら酸化物単結晶１７の結晶化を行う工程を有する。 - 特許庁

Using a polyester-amide substitution reaction, 0.0001-0.05 mole of an amino acid compound relative to 1 mole of a polylactic acid resin (calculated on the basis of a repeating unit) and 0.01-1 mole of an aliphatic or an aromatic carboxylic acid metal salt compound relative to 1 mole of the amino acid compound are kneaded under melting to give a polylactic acid ionomer resin excellent in crystallizing speed.例文帳に追加

ポリエステルーアミド置換反応を利用して、ポリ乳酸樹脂１モル（繰返し単位で計算）に対して、アミノ酸化合物０．０００１〜０．０５モル、アミノ酸化合物１モルに対して脂肪族又は芳香族カルボン酸金属塩化合物０．０１〜１モルを配合溶融混錬することにより結晶化速度の優れたポリ乳酸アイオノマー樹脂を得る。 - 特許庁

In the method for fabricating semiconductor device utilizing a crystalline silicon film obtained by crystallizing an amorphous silicon film formed on a substrate using a catalytic element, planarity on the surface of the crystalline silicon film is enhanced while decreasing the number of oxidation defects by thermally oxidizing the silicon film in a mixture gas of an oxidation species and a nonoxidation species.例文帳に追加

基板上に形成されたアモルファスシリコン膜を触媒元素により結晶化させて得られる結晶性シリコン膜を利用する半導体装置の作製方法において、該シリコン膜を酸化種と非酸化種の混合ガス中で熱酸化することによって、結晶性シリコン膜表面の平坦性を向上するとともに酸化欠陥数を低減する。 - 特許庁

The method of peeling a layer to be peeled off comprises the steps of forming an oxide layer containing metal, forming a layer to be peeled off having thin-film transistors and the like on the oxide layer, and crystallizing the oxide layer by heat-treating the oxide layer, thereby giving rise to the formation of crystal strain or crystal defects in the crystallized oxide layer.例文帳に追加

金属を有する酸化物層を形成し、酸化物層上に薄膜トランジスタ等を有する被剥離層を形成し、酸化物層に対して加熱処理を行うことにより、酸化物層を結晶化し、結晶化された酸化物層に、結晶歪み、又は格子欠陥を生じさせることにより、被剥離層を剥がす方法である。 - 特許庁

Orientation is produced in the molecular chain of the extruded molding material by the shearing force at the time of extrusion in the vicinity of the crystallizing temperature and a large number of crystal nuclei or fine crystals are produced while the inert gas is excluded and micro-air bubble nuclei are formed in the gaps between the crystal nuclei or fine crystals and grown to form a microcellular foam.例文帳に追加

押し出された成形材料には、結晶化温度の近傍における押し出し時の剪断力によって分子鎖に配向を生じ、結晶核あるいは微結晶が多数発生する一方不活性ガスが排除され、その隙間に高濃度で分布してミクロな気泡核を形成し、その気泡核の成長によりマイクロセルラーフォームが形成される。 - 特許庁

The method of manufacturing the reproduced all-solid battery includes a crystallization process of forming a reproduced solid electrolyte layer by crystallizing amorphous Li ion conductive sulfur glass by heating a solid electrolyte layer before reproduction which includes the amorphous Li ion conductive sulfur glass.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、アモルファス状のＬｉイオン伝導性硫化物ガラスを含む再生前固体電解質層を加熱することにより、上記アモルファス状のＬｉイオン伝導性硫化物ガラスを結晶化し、再生化固体電解質層を形成する結晶化工程を有することを特徴とする再生化全固体電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for collecting the inositol can collect the inositol by crystallizing the inositol contained in a liquid after being passed through an ion-exchange resin by a simple operation of removing betaine and other materials preventing the collection from waste molasses by the adsorption by the ion exchange resin when collecting the inositol from the waste molasses.例文帳に追加

本発明に係る方法は、廃糖蜜からイノシトールを回収する際、回収の妨げとなるベタインおよびその他の物質をイオン交換樹脂に吸着させることによって廃糖蜜から除去するという簡易な操作によって、イオン交換樹脂を通液させた後の液体に含まれるイノシトールを結晶化させ、回収することができる。 - 特許庁

The refining method comprises dissolving crude terephthalic acid in water at high temperature under pressure, oxidizing an impurity in the crude terephthalic acid with an oxygen-containing gas in the presence of a metal oxide catalyst, subsequently hydrogenating the treated impurity with a hydrogen-containing gas in the presence of a noble metal-based catalyst and crystallizing terephthalic acid by depressing pressure and carrying out solid-liquid separation of the crystal.例文帳に追加

本発明の解決手段は、粗テレフタルを加圧下高温とすることにより水に溶解させた後、金属酸化物触媒の存在下酸素含有ガスで酸化し、引き続いて貴金属系触媒の存在下水素含有ガスで水添し、圧力を降下させることにより晶析した後、固液分離することを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing the aminoimidazole carboxamide represented by formula (1) comprises a step for carrying out a decoloration treatment of an organic solvent solution of the aminoimidazole carboxamide represented by formula (1) by using a decolorizer and a step for crystallizing the aminoimidazole carboxamide represented by formula (1) by adding poor solvent to the solution obtained by the decoloration treatment, and carrying out solid-liquid separation of the resultant mixture.例文帳に追加

式（１）で表されるアミノイミダゾールカルボキサミドの有機溶媒溶液を、脱色剤を用いて脱色処理する工程と、脱色処理して得られた溶液に貧溶媒を添加して、式（１）で表されるアミノイミダゾールカルボキサミドを結晶化させ、固液分離する工程とを有する式（１）で表されるアミノイミダゾールカルボキシアミドの製造方法。 - 特許庁

The forming method of an alpha aluminum oxide layer, along with a manufacturing method of a memory element which utilizes the same, includes a first step for forming an amorphous aluminum oxide layer on a lower part film, a second step for forming a crystalline auxiliary layer on the amorphous aluminum oxide layer, and a third step for crystallizing the amorphous aluminum oxide layer.例文帳に追加

下部膜上に非晶質アルミニウム酸化物層を形成する第１ステップと、非晶質アルミニウム酸化物層上に結晶質補助層を形成する第２ステップと、非晶質アルミニウム酸化物層を結晶化する第３ステップと、を含むことを特徴とするアルファアルミニウム酸化物層の形成方法及びそれを利用したメモリ素子の製造方法である。 - 特許庁

Tin hydroxide particles which are deposited on a stirring process 12 and are recovered on a filtering process 14 and a washing process 16 are formed to a prescribed form on a forming process 18, are dried as it is on a drying process 20, thereafter, are subjected to heat treatment and are sintered under a non-reduction environment on a crystallizing process 22.例文帳に追加

攪拌工程１２において析出させられ且つ濾過工程１４および洗浄工程１６において回収された水酸化錫粒子は、成形工程１８において所定形状に成形されると、そのまま乾燥工程２０において乾燥させられた後に結晶化工程２２において非還元雰囲気中で熱処理されて焼結させられる。 - 特許庁

The production method comprises: a step (I) of at least partly crystallizing solid particles containing at least one zeolite from a synthesized mixture to produce a mixture (I) comprising at least the solid and at least one of the auxiliary; and a step (II) of concentrating the solid present in the mixture (I) by ultra-filtration to obtain a concentrated liquid and a permeation liquid.例文帳に追加

合成−混合物から少なくとも１種のゼオライトを含有する固体を少なくとも部分的に結晶化して、少なくとも前記の固体並びに少なくとも１種の助剤を有する混合物（Ｉ）を得る工程（Ｉ）、混合物（Ｉ）中に存在する固体を限外濾過により濃縮して、濃縮液と透過液とを得る工程（ＩＩ）を含む製造方法。 - 特許庁

The method comprises continuously introducing a mixture, obtained by mixing an alkaline extract of wastes containing the aluminum component and a silicic acid-enriched material or an alkali extract of wastes containing the silicic acid component and an aluminum-enriched material in a prescribed silica-alumina ratio, into a superconductive non-liquid type high magnetic force generation device, and crystallizing the mixture by exposing it to high magnetic force.例文帳に追加

アルミニウム成分を含有する廃棄物のアルカリ抽出液と珪酸富化材、もしくは珪酸成分を含有する廃棄物のアルカリ抽出液とアルミニウム富化材とを所定の珪礬比で混合したものを、超伝導非液体型高磁力発生装置内に連続的に導入し、強力磁力に曝して結晶化させる。 - 特許庁

To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film.例文帳に追加

Ｔａ_2 Ｏ_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜とＳｉ基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。 - 特許庁

The method includes a heat treatment wherein the electrode film 331a is irradiated with light from the opposite side from the ferroelectric film 32a and the light is selectively absorbed by the electrode film 331a to heat the electrode film 331a after the process of forming the electrode film 331a and the stage of crystallizing the ferroelectric film 32a.例文帳に追加

電極膜３３１ａを形成する処理及び強誘電体膜３２ａを結晶化させる工程よりも後に、電極膜３３１ａにおける強誘電体膜３２ａと反対側から光を照射するとともに、この光を電極膜３３１ａに選択的に吸収させて電極膜３３１ａを加熱する熱処理を含む。 - 特許庁

This method for producing the powder comprising polyester fiber aggregates is characterized by adding a specific hydroxy aromatic carboxylic acid compound to a solvent having a boiling point of ≥270°C, not or slightly dissolving the obtained polyester to give a dissolved compound or oligomer concentration of 10 to 25 g/100 ml converted into the polyester, and thermally polymerizing and crystallizing the produced polyester.例文帳に追加

特定のヒドロキシ芳香族カルボン酸化合物を、沸点が270℃以上で、得られるポリエステルが不溶性あるいは難溶性であり、且つ前記化合物と反応しない溶媒中に、該溶媒に溶解させる前記化合物もしくはそのオリゴマー濃度が得られるポリエステルに換算して10〜25（ｇ／100ml）となるように添加し、加熱重合結晶化させて、ポリエステル繊維凝集体よりなる粉体を得る。 - 特許庁

The method for powdering an inorganic oxide or inorganic hydroxide contains a thin film forming process where a thin film is formed on a centrifugal disk by spraying an inorganic solution dissolved in an acid, hydroxide or other solvent, a finely pulverizing process where the thin film is scattered by rotating the centrifugal disk at high speed to form minute liquid droplets, and a crystallizing process where thus formed minute liquid droplets are crystallized.例文帳に追加

酸、水酸又はその他の溶媒に溶解した無機物溶液を噴霧して薄膜を遠心盤上に生成させる薄膜生成工程、前記薄膜を遠心盤の高速回転により飛散させて、微細液滴化する細粒化工程、生成された微細液滴を結晶化する結晶化工程を含むことを特徴とする無機酸化物又は無機水酸化物の粉末化法とする。 - 特許庁

The thin metal oxide film element is produced through a step for forming a thin amorphous metal oxide film containing an excess of lead over the stoichiometric composition as a 2nd layer on a 1st layer, a step for etching the thin amorphous metal oxide film and a step for crystallizing the etched thin amorphous metal oxide film by heating.例文帳に追加

第一の層の上に、第二の層として化学量論組成よりも過剰の鉛を含有するアモルファス状金属酸化物薄膜を形成する工程、該アモルファス状金属酸化物薄膜をエッチングする工程、およびエッチングされたアモルファス状金属酸化物薄膜を加熱により結晶化する工程を含むことを特徴とする、金属酸化物薄膜素子の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing apparatus of a polycrystalline semiconductor film for crystallizing an amorphous semiconductor film formed on an insulated substrate by means of a beam anneal method has a local shield which can control the atmosphere of the surface of a substrate, which is subjected to beam irradiation in the periphery of laser beam, when laser beam is directed to an amorphous semiconductor film.例文帳に追加

絶縁基板上に形成された非晶質の半導体膜をビームアニール法によって結晶化する多結晶半導体膜の製造装置において、レーザービームを非晶質半導体膜に照射するときに、ビーム照射される基板の表面の雰囲気を制御できる局所シールドをレーザビーム周囲に備えていることを特徴とする多結晶半導体膜の製造装置。 - 特許庁

The crystalline polymorphous forms of rifaximin (INN) (rifaximin α and rifaximin β) and a poorly crystalline polymorphous form of rifaximin (rifaximin γ) are obtained by the following crystallization method: hot-dissolving raw material rifaximin in ethanol and crystallizing the resultant product by adding water thereto at a constant temperature, followed by finally drying thereof under controlled conditions until a specific water content is reached in the end product.例文帳に追加

原料リファキシミンをエタノールに熱溶解し、一定の温度での水添加による生成物の結晶化をさせ、最後に最終生成物中の正確な水分含量になるまでコントロールされた条件で乾燥されることで実施される結晶化方法で得られる、リファキシミン（ＩＮＮ）の結晶性多形体（リファキシミンαおよびリファキシミンβ）、および貧結晶性多形体（リファキシミンγ）。 - 特許庁

The purification method of Si, by forming a compound (solid phase) of an alkali metal and Si, and crystallizing Si out of a melt of the compound, at least includes a step of removing impurity through unidirectional solidification of the compound, and includes steps of Si crystallization and alkali metal reutilization by making use of vapor pressure difference of Na depending on the temperature of the alkali metal/Si melt.例文帳に追加

アルカリ金属とＳｉとの化合物（固相）の生成後にこの化合物の融液から晶出させることによるＳｉの精製方法であって、少なくとも、前記化合物の一方向凝固による不純物除去を含むことと、アルカリ金属Ｓｉ融液の温度によるＮａ蒸気圧差を利用したＳｉの晶出およびアルカリ金属の再利用の工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method of raising the energy band gap of an aluminum oxide layer includes a first step of forming an amorphous aluminum oxide layer on a bottom film, a second step of introducing hydrogen (H) or hydroxyl group (OH) into the amorphous aluminum oxide layer, and a third step of crystallizing the amorphous aluminum oxide layer with the introduced hydrogen or hydroxyl group.例文帳に追加

下部膜上に非晶質アルミニウム酸化物層を形成する第１ステップと、非晶質アルミニウム酸化物層内に水素（Ｈ）または水酸基（ＯＨ）を導入する第２ステップと、水素または水酸基が導入された非晶質アルミニウム酸化物層を結晶化させる第３ステップと、を含むことを特徴とするアルミニウム酸化物層のエネルギーバンドギャップを高める方法である。 - 特許庁

In the method of producing the patterned crystallized glass article 10, amorphous glass bodies in which the difference of linear expansion coefficient at a temperature of 30 to 380°C between crystalline glass small bodies and the crystalline glass made by crystallizing the crystalline glass bodies is 10×10^-7/K or less are filled into a refractory container, are heated, are fused to one another and deposit crystals to form the patterned crystallized glass article.例文帳に追加

模様入り結晶化ガラス物品１０の製造方法は、結晶性ガラス小体と、結晶性ガラス体が結晶化した後の結晶化ガラスとの３０〜３８０℃における線膨張係数差が１０×１０^−７／Ｋ以下である非晶質ガラス体を、耐火性容器に充填して加熱し、互いに融着させつつ結晶析出させ、模様入り結晶化ガラス物品を成形する。 - 特許庁

The method for manufacturing a thin film transistor comprises a step for providing a substrate 100, depositing an amorphous silicon layer 114 on the substrate 100, adjusting the threshold voltage of the thin film transistor 101 by bringing a plasma in contact with the amorphous silicon layer 114, and converting the amorphous silicon layer 114 into a polycrystalline silicon layer 114 through a crystallizing process.例文帳に追加

基板１００を提供することと、前記基板１００の上に非晶質シリコン層１１４を堆積することと、プラズマを前記非晶質シリコン層１１４と接触させることによって、前記薄膜トランジスタ１０１の閾値電圧を調整することと、結晶工程を行い、前記非晶質シリコン層１１４を多結晶シリコン層１１４に変換することを含む。 - 特許庁

To simplify the production line by suppressing an increase in plant and concurrently restrain the thermal energy consumption in the production line as low as possible, in a production line for manufacturing a container from a metal strip covered with a crystalline thermoplastic resin layer, when an apparatus for non-crystallizing the thermoplastic resin layer is installed.例文帳に追加

結晶性の熱可塑性樹脂層で被覆された金属薄板から缶体を製造するための製造ラインに対し、その途中で缶体の熱可塑性樹脂層を非晶質化するための装置を設置するに際して、設備の増加を抑えることで製造ラインの簡素化を図ると共に、製造ラインで消費する熱エネルギーの消費量をできる限り抑えられるようにする。 - 特許庁

A process of manufacturing the semiconductor device 10t includes an oxygen plasma irradiation process of subjecting a silicon film 1s to become an active layer of a field-effect transistor 30n to oxygen plasma irradiation OP after crystallizing the silicon film 1s, and a surface oxide removal process of removing surface oxide 1r formed on the silicon film 1s in the oxygen plasma irradiation process.例文帳に追加

半導体装置１０ｔの製造工程では、電界効果型トランジスタ３０ｎの能動層となるシリコン膜１ｓを結晶化させた後、シリコン膜１ｓに酸素プラズマ照射ＯＰを行う酸素プラズマ照射工程と、酸素プラズマ照射工程によりシリコン膜１ｓに形成された表面酸化物１ｒを除去する表面酸化物除去工程とを行う。 - 特許庁

In crystallizing the amorphous silicon layer by utilizing a SGS method, through the selective irradiation of the laser beam, uniform low concentration diffusion control of the metal catalyst is enabled, and the size of the crystal grain and the position and direction where the crystal grows is regulated to improve the element characteristics, consequently the method for manufacturing the thin film transistor in which a uniform value is obtained is provided.例文帳に追加

ＳＧＳ法を利用して非晶質シリコーン層を結晶化することにおいて、レーザービームの選択的な照射を介して金属触媒の均一な低濃度拡散制御を可能なようにして、結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節して素子特性を向上させて、均一な値を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する利点がある。 - 特許庁

The method for producing a ceramic film comprises a step for preparing an article being treated 100 where a substrate is coated with a material containing a composite oxide, and a step for holding the article being treated 100 in a chamber 200 and heat treating it under a specified pressure in treating gas pressurized to 2 atm or above and containing at least an oxidative gas thus crystallizing the material.例文帳に追加

セラミックスの製造方法は、複合酸化物を含む原材料体が基体に塗布された被処理体１００を準備すること、被処理体１００をチャンバ２００内に保持し、２気圧以上に加圧され、かつ少なくとも酸化性ガスを含む処理ガス中において所定圧力で熱処理することにより、原材料体を結晶化させること、を含む。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor device which uses a laser crystallizing method capable of preventing a grain boundary from being formed in a channel forming region of a TFT, preventing the mobility of a TFT from being markedly decreased by the grain boundary, and preventing a decrease in on-current and an increase in off-current, and to provide a semiconductor device formed by using the forming method.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

The layer 14 is cured by crystallizing crystals in the proton conductor 15, a power generation part 3 in which the electrolyte layer 14 and the electrodes 10, 11 are closely integrated is formed, and also a power generation structure 18 with the power generation part 13 and the spacer 5 assembled therein, then, the unit cell is manufactured by holding the power generation structure 18 between separators 4a, 4b.例文帳に追加

そして、プロトン伝導体１５中に結晶を析出させて電解質層１４を硬化して、電解質層１４と、電極１０，１１とが密接して一体化した発電部３を形成すると同時に、該発電部３と環状スペーサ５とが組み付けた発電構造体１８を形成し、この発電構造体１８をセパレータ４ａ，４ｂで挟持して単位電池２を製造するようにした。 - 特許庁

One of the semiconductor manufacturing methods comprises, heating an amorphous silicon film partly doped with platinum, crystallizing the amorphous silicon film, forming a crystalline silicon film, forming a gettering sink on the crystalline silicon film, gettering the platinum from the crystalline silicon film by heating the crystalline silicon film and the gettering sink, and removing the gettering sink.例文帳に追加

本発明の半導体装置の作製方法の一は、一部に白金が添加された非晶質珪素膜を加熱し、非晶質珪素膜を結晶化させ、結晶性珪素膜を形成し、結晶性珪素膜上にゲッタリングシンクを形成し、結晶性珪素膜及びゲッタリングシンクを加熱することにより、白金を結晶性珪素膜からゲッタリングし、ゲッタリングシンクを除去するものである。 - 特許庁

The method of manufacturing the substrate for the semiconductor device comprises a process of forming a material film 204b having conductivity on the substrate 200; a process of forming an amorphous silicon film 1 on the substrate; and a process of forming the polysilicon film on the substrate by heating and crystallizing the amorphous silicon film by subjecting a material film to high frequency induction heating.例文帳に追加

半導体装置用基板の製造方法は、基板２００上に導電性を有する材料膜２０４ｂを形成する工程と、基板上にアモルファスシリコン膜１を形成する工程と、材料膜を高周波誘導加熱することによって、アモルファスシリコン膜を加熱して、アモルファスシリコン膜を結晶化して、基板上にポリシリコン膜を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the organic light emitting display comprises step for: manufacturing a polycrystalline silicon substrate by crystallizing an amorphous silicon substrate; obtaining a Raman spectrum graph by irradiating the polycrystalline silicon substrate with a laser beam; examining a degree of the crystallinity of the polycrystalline silicon substrate from a peak area of the Raman spectrum graph; and manufacturing a thin film transistor by using the polycrystalline silicon substrate.例文帳に追加

有機発光表示装置の製造方法は、非晶質シリコン基板を結晶化して多結晶シリコン基板を製造する段階と、多結晶シリコン基板にレーザーを照射してラマンスペクトルグラフを得る段階と、ラマンスペクトルグラフのピーク面積から多結晶シリコン基板の結晶化度を算出する段階と、多結晶シリコン基板を使用して薄膜トランジスタを製造する段階と、を含む。 - 特許庁

To provide a nonmagnetic spheroidal vanadium carbide-containing high manganese cast iron material having excellent mechanical properties such as wear resistance and toughness, and requiring no water toughening heat treatment which has been required for obtaining nonmagnetic high manganese steel (high manganese cast steel) by crystallizing out spheroidal vanadium carbides into an austenitic matrix, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

オーステナイト基地中に球状のバナジウム炭化物を晶出させることにより、耐摩耗性や靭性などの機械的特性に優れるとともに、非磁性であり、しかも、非磁性の高マンガン鋼（高マンガン鋳鋼）を得る際に必要とされた水靭熱処理を必要としない球状バナジウム炭化物含有高マンガン鋳鉄材料及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁