「cu」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The reflection layer is constituted of an alloy of Au and Cu and contains 50-99.9 atomic % Au and the heat radiating layer is also constituted of the alloy of Au and Cu and contains 0.1-99.9 atomic % Au.例文帳に追加

また、放熱層がＡｕとＣｕとの合金で構成されており、Ａｕ含有量を０．１〜９９．９原子％とする。 - 特許庁

In the semiconductor device manufacturing method, a Cu containing TiN layer which functions as a cap layer 130 (310) is formed by using a Cu containing Ti target, and Cu contained in the Cu containing TiN layer is diffused by heat treatment to an Al-Cu wiring 120 (320) located in an electrical connection part with the interlayer wiring 200.例文帳に追加

キャップ層１３０（３１０）として働くＣｕ含有ＴｉＮ層がＣｕ含有Ｔｉターゲットを用いて形成され、Ｃｕ含有ＴｉＮ層に含有されたＣｕを、熱処理により、層間配線２００との電気的接続部に位置するＡｌ−Ｃｕ配線１２０（３２０）に拡散させることを特徴とする半導体装置製造方法。 - 特許庁

In the nano crystal soft magnetic alloy which contains Cu element and in which crystal particles having an average particle size of 50 nm or less is partially present, a Cu segregation part where Cu element is segregated on a position deeper than 2 nm or more from the surface of the alloy and the maximum value of Cu concentration on the Cu segregation part is 6 atom.% or less.例文帳に追加

Ｃｕ元素を含み平均粒径が５０ｎｍ以下の結晶粒が少なくとも一部に存在するナノ結晶軟磁性合金において、前記合金の表面から２ｎｍよりも深い位置にＣｕ元素が偏析するＣｕ偏析部が存在し、前記Ｃｕ偏析部のＣｕ濃度の最大値が６原子％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

For example, when the width of Cu wiring 33W is about 0.9 to about 1.44 μm and the width Cu of wiring 43 and the diameter of the plug 43P is about 0.18 μm, two or more plugs 43P for electrically connecting the Cu wiring 33W and Cu wiring 43 to each other on the Cu wiring 33W are arranged.例文帳に追加

たとえば、Ｃｕ配線３３Ｗの幅が約０．９μｍ以上かつ約１．４４μｍ未満であり、Ｃｕ配線４３の幅およびプラグ４３Ｐの径が約０．１８μｍである場合において、Ｃｕ配線３３Ｗ上にてＣｕ配線３３ＷとＣｕ配線４３とを電気的に接続するプラグ４３Ｐを２個以上配置する。 - 特許庁

The addition element is such that the oxide forming free energy is smaller than Cu, the diffusion coefficient in Cu is larger than the self-diffusion coefficient of Cu, the percentage increase in electric resistance based on 1 at.% in Cu is not more than 5 μΩcm, and the activity coefficient γ in Cu satisfies a relationship represented by activity coefficient γ>1.例文帳に追加

この添加元素は、酸化物形成自由エネルギーがＣｕより小さく、Ｃｕ中における拡散係数がＣｕの自己拡散係数より大きく、Ｃｕ中における１ａｔ．％当たりの電気抵抗上昇率が５μΩ・ｃｍ以下であり、Ｃｕ中における活量係数γが、活量係数γ＞１の関係を満足する。 - 特許庁

In this electrode wire for electrically discharging machining, a Cu-Zn alloy layer 14 is provided on the outer periphery of a core material 11, and at least the surface layer of the core material 11 is provided with a Cu-Zn alloy intermediate layer formed of Cu-Zn alloy, the Zn concentration of which is higher than that of the Cu-Zn alloy constituting the Cu-Zn alloy layer 14.例文帳に追加

本発明に係るワイヤ放電加工用電極線は、心材１１の外周にＣｕ−Ｚｎ合金層１４を設けたものであり、心材１１の少なくとも表層に、Ｃｕ−Ｚｎ合金層１４を構成するＣｕ−Ｚｎ合金よりもＺｎ濃度の高いＣｕ−Ｚｎ合金からなるＣｕ−Ｚｎ合金中間層を設けたものである。 - 特許庁

Molten material mixing Cu or Cu alloy as the basic material, compound-forming element, such as Ti, and carbon and boron sources, are heated at the melting point or higher of the carbon-boron source and the above compound-formed elements and C and B of the carbon-boron source, are reacted to produce the carbide and the boride materials.例文帳に追加

母材となるCu又はCu合金と、Tiといった化合物形成元素と、炭素ホウ素源とが混合した溶湯を炭素ホウ素源の融点以上に加熱して、上記化合物形成元素と炭素ホウ素源のC及びBとを反応させて炭化物及びホウ化物を生成する。 - 特許庁

In the interconnection forming method for forming buried interconnects 7 by chemical mechanical polishing, a substance 4 that brings an effect of increasing the polishing rate is added at least to a Cu-based conductive material 3 to be polished and composed of Cu or a Cu alloy mainly composed of Cu, or to an abrasive 6.例文帳に追加

化学的機械的に研磨して埋込配線７を形成する際に、研磨されるＣｕまたはＣｕを主成分とするＣｕ合金からなるＣｕ系導電材料３或いは研磨剤６の少なくとも一方に研磨速度を向上させる効果をもたらす物質４を含有させる。 - 特許庁

The nonvolatile variable resistance memory device including Cu_2O may include a lower electrode 20, a first Cu compound layer 22 disposed on the lower electrode 20, a second Cu compound layer 24 disposed on the first Cu compound layer 22, and an upper electrode 26 disposed on the second Cu compound layer 24.例文帳に追加

下部電極２０と、下部電極２０上に形成された第１銅化合物層２２と、第１銅化合物２２上に形成された第２銅化合物層２４と、第２銅化合物２４上に形成された上部電極２６と、を備えるＣｕ_２Ｏを含む不揮発性可変抵抗メモリ素子である。 - 特許庁

The Pb-free bearing has a composition comprising 1 to 30 mass% Bi and 0.1 to 10 mass% hard material grains with an average grain size of 10 to 50 μm, and the balance Cu with inevitable impurities, and has a structure where a Bi phase having an average grain size smaller than that of the hard material grains is dispersed into a Cu matrix.例文帳に追加

Bi1〜30質量％及び平均粒径が10〜50μmの硬質物粒子0.1〜10質量％を含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなる組成を有し、前記硬質物粒子より平均粒径が小さいBi相がCuマトリックス中に分散する組織を有する。 - 特許庁

An alloy wire rod of a Cu-Ag alloy, a Cu-Nb alloy, a Cu-Fe alloy or a Cu-Cr alloy is wire-drawn to a final wire diameter ϕ of ≤0.1 mm, and, after that, heat treatment is performed to control its tensile strength to ≥450 MPa, elongation to ≥4%, and electric conductivity to ≥50% IACS.例文帳に追加

Ｃｕ−Ａｇ合金，Ｃｕ−Ｎｂ合金，Ｃｕ−Ｆｅ合金，Ｃｕ−Ｃｒ合金の合金線材を線径φ０．１ｍｍ以下の最終線径まで伸線した後、熱処理を施して引張強さ４５０ＭＰａ以上、伸び４％以上、導電率５０％ＩＡＣＳ以上にする。 - 特許庁

Then a barrier metal film 32 which is an upper wiring layer and a Cu film 33 (Cu dual damascene wiring) are formed so as to fill up the void 26, and the increase of the contact resistance between the plug of the Cu dual damascene wiring and the Cu wiring 31 is suppressed by increasing the contact area between the plug and wiring 31.例文帳に追加

この空隙２６を埋め込むように上層配線層であるバリアメタル膜３２およびＣｕ膜３３（Ｃｕデュアルダマシン配線）を形成し、このＣｕデュアルダマシン配線のプラグとＣｕ配線３１とのコンタクト面積を大きくし、コンタクト抵抗の増加を抑制する。 - 特許庁

The forming method of Cu wiring comprises a process for forming a Cu film on a wafer through plating, a process for applying anticorrosive treatment on the surface of the Cu film, and a process for annealing the Cu film after applying the anticorrosive treatment.例文帳に追加

本発明のＣｕ配線形成方法は、ウェハ上にＣｕ膜をめっきにより形成する工程と、前記めっきを行った後に、前記Ｃｕ膜の表面に防食剤処理を行う工程と、前記防食剤処理を行った後に、前記Ｃｕ膜をアニールする工程とを有する。 - 特許庁

On one surface of a semiconductor substrate 1; an interlayer dielectric 4A, an Al wiring layer 5, the interlayer dielectric 4B, a Cu wiring layer 9A, a dielectric layer 12A, a Cu grounding layer 13, the dielectric layer 12B, the Cu wiring layer 9B, the dielectric layer 12C, and the Cu wiring layer 9C are successively provided.例文帳に追加

半導体基板１の一面に層間絶縁膜４Ａ、Ａｌ配線層５、層間絶縁膜４Ｂ、Ｃｕ配線層９Ａ、誘電体層１２Ａ、Ｃｕ接地層１３、誘電体層１２Ｂ、Ｃｕ配線層９Ｂ、誘電体層１２Ｃ、Ｃｕ配線層９Ｃが、順に設けられる。 - 特許庁

A Cu film 8 of 100 nm thick is formed on TaN 7 by sputtering and a Cu film 9 of 500 nm thick is formed thereon.例文帳に追加

ＴａＮ７上に１００ｎｍ厚のＣｕ膜８をスパッタ成膜し、さらに電解メッキにより５００ｎｍ厚のＣｕ膜９を成膜する。 - 特許庁

The pipe bend may further comprises 0.005 to 0.1% V and/or one or more kinds of metals selected from 0.1 to 1.4% Cu, 0.1 to 1.2% Cr, 0.0005 to 0.006% Ca and 0.0001 to 0.003% Mg.例文帳に追加

さらに、Ｖ：0.005 〜0.1 ％および／またはCu：0.1 〜1.4 ％、Cr ：0.1 〜1.2 ％Ca：0.0005〜0.006 ％，Mg ：0.0001〜0.003 ％の1 種または２種以上を含有するものであってもよい。 - 特許庁

Sn-Zn-containing low melting point PB free solder is used instead of the Sn-Ag-Cu-containing Pb free solder to improve the impact resistance reliability of the solder connections at a low cost.例文帳に追加

Sn-Ag-Cu系はんだの代わりにSn-Zn系低融点Pbフリーはんだを用いることによって低コストで耐衝撃信頼性を向上させる。 - 特許庁

To make it possible to prevent an increase in wiring resistance caused by Cu-Al counter diffusion generated when Cu layer and Al-containing layer are connected.例文帳に追加

Ｃｕ層とＡｌ含有層とを接続する際に生じるＣｕ−Ａｌ相互拡散による配線抵抗上昇を防止できるようにする。 - 特許庁

Cu BASED CONDUCTOR COMPOSITION AND GLASS CERAMIC WIRING BOARD AS WELL AS ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

Ｃｕ系導体組成物、ガラスセラミック配線基板並びにその製法 - 特許庁

To provide a method for depositing a Cu film capable of depositing a CVD-Cu film having excellent surface property at a high film deposition rate.例文帳に追加

表面性状が良好なＣＶＤ−Ｃｕ膜を高い成膜速度で成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁

By the device structure, electromigration resistance of Cu can be improved without increasing Cu wiring resistance unnecessarily.例文帳に追加

本デバイス構造により、Ｃｕ配線抵抗を必要以上に上昇させることなく、Ｃｕのエレクトロマイグレーション耐性を上げることが可能となる。 - 特許庁

To form Cu wiring while suppressing generation of both voids and hillocks.例文帳に追加

ボイドとヒロックの発生の双方を抑制してＣｕ配線を形成する。 - 特許庁

A side of the Cu electrode layer 72 is in an inverted taper shape.例文帳に追加

このとき、Ｃｕ電極層７２の側面は逆テーパ形状である。 - 特許庁

The connection hole plug is provided with a Ta film 9(barrier metal), Cu film 10, and TaN film 21 whose film thickness is about 30 nm on the Cu film 10.例文帳に追加

接続孔プラグは、Ｔａ膜９（バリアメタル）、Ｃｕ膜１０、及びＣｕ膜１０上の膜厚約３０ｎｍのＴａＮ膜２１を有する。 - 特許庁

A protective film 16 preventing the diffusion of the Cu of Cu wiring, functioning as an etching stopper at the time of forming a via hole 23, and exhibiting a low dielectric constant is proposed as a protective film corresponding to the Cu wiring.例文帳に追加

Ｃｕ配線に対応した保護膜として、当該Ｃｕの拡散防止及びビア孔２３形成時のエッチングストッパーとしての機能を有し、しかも低誘電率を示す構造の保護膜１６を提案する。 - 特許庁

To provide a pickling treatment method for improving the color tone after pickling of a hot rolled steel sheet containg Cu ≥0.03% by mass.例文帳に追加

鋼材中の Cuの質量％が0.03% 以上なる普通鋼熱延鋼板の酸洗後の色調を改善する酸洗処理方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING RE-Ba-Cu-O-BASED OXIDE SUPERCONDUCTOR例文帳に追加

ＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体の作製方法 - 特許庁

HEAT-RESISTANT TINNED STRIP OF Cu-Zn ALLOY IN WHICH WHISKER IS SUPPRESSED例文帳に追加

ウィスカーが抑制されたＣｕ−Ｚｎ合金耐熱Ｓｎめっき条 - 特許庁

Further, a Cu plating thickness is made thicker than a skin depth of Cu by utilizing a skin effect, thereby suppressing the high frequency resistance component, and it is possible to die-bond in the Cu-Au-Si eutectic reaction even in the large-sized chip.例文帳に追加

また、表皮効果を利用してＣｕメッキ厚をＣｕの表皮深さよりも厚くすることで高周波抵抗成分を抑え、大きいサイズのチップであってもＣｕ−Ａｕ−Ｓｉ共晶反応でダイボンドできる。 - 特許庁

The steel bar moreover contains 0.10 to 2.5% Si and 0.25 to 2.0% Mn and suitably contains one or more kinds of Al, Ti, Ca, rare earth metals, V and Nb and/or one or more kinds of B, Cr, Cu, Ni and Mo.例文帳に追加

該鋼棒は、更にSi:0.10 〜2.5%とMn:0.25 〜2.0%を含み、適宜、Al、Ti、Ca、REM 、V 及びNb１種以上、及び／または、B 、Cr、Cu、Ni及びMoの１種以上を含有する。 - 特許庁

That trench is formed of a metal barrier film and filled with Cu thus forming an interconnect line.例文帳に追加

この溝にメタルバリア膜を設け、Ｃｕを充填し配線とする。 - 特許庁

The steel bar further contains 0.10 to 2.5% Si and 0.25 to 2.0% Mn and suitably contains one or more kinds of Al, Ti, Ca, rare earth metals, V and Nb and/or one or more kinds of B, Cr, Cu, Ni and Mo.例文帳に追加

該鋼棒は、更にSi:0.10 〜2.5%、Mn:0.25 〜2.0%を含み、適宜、Al、Ti、Ca、REM 、V 及びNbの１種以上、及び／または、B 、Cr、Cu、Ni及びMoの１種以上を含有する。 - 特許庁

After the operation response, the CU transmits the initialization direction to the S machine.例文帳に追加

ＣＵはこの動作応答を待って、初期化指示をＳ台へ送信する。 - 特許庁

To provide a film deposition method for Cu film by which the surface properties can be improved when a Cu film is deposited by a CVD process.例文帳に追加

ＣＶＤによりＣｕ膜を成膜するにあたり、表面性状を良好にすることができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁

A film deposition material consisting of a Cu complex is supplied to the surface of the Ru film thus cleaned, and a Cu film is formed by the CVD method.例文帳に追加

清浄化されたＲｕ膜表面にＣｕ錯体からなる成膜原料を供給してＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 - 特許庁

The Cu film is planarized by a CMP method until the insulating film out of the concave portion is exposed, and a Cu wiring structure having a low Mn density is formed.例文帳に追加

凹部外の絶縁膜が露出するまでＣｕ膜をＣＭＰ法により平坦化してＭｎ濃度の低いＣｕ配線構造を形成する。 - 特許庁

Further, the side parts and the lower part of the Cu wiring 10 which come into contact with the barrier metal are smaller in grain size than the center part of the Cu wiring 10.例文帳に追加

さらに、バリアメタルに接するＣｕ配線１０の側部及び下部のグレインサイズが、Ｃｕ配線１０の中央部のグレインサイズより小さい。 - 特許庁

Consequently, Cu can be prevented from being diffused from the wiring.例文帳に追加

これにより、配線からのＣｕの拡散を防止することが可能になる。 - 特許庁

To provide an electrode structure which can reduce the thickness of a Cu electrode which does not easily generate a crack, a void, and exfoliation in the Cu electrode even if the thickness of the Cu electrode is reduced, and is high in connection strength.例文帳に追加

Ｃｕ電極の厚みを薄くすることができ、しかもＣｕ電極の厚みを薄くしてもＣｕ電極にクラックやボイド、剥がれなどが生じにくく、接合強度の高い電極構造を提供する。 - 特許庁

In the process for forming the Cu film 3 or the Ag film 4, the Cu film 3 or the Ag film 4 is formed by electroplating.例文帳に追加

そして、Ｃｕ膜３またはＡｇ膜４を形成する工程では、Ｃｕ膜３またはＡｇ膜４を電解めっきによって形成している。 - 特許庁

Cu powder and Cr powder are mixed (step 1), and a Cu and Cr mixed powder compact is obtained (process 2) by pressing the mixed powder.例文帳に追加

Ｃｕ粉末とＣｒ粉末を混合し（工程１）、この混合粉末を加圧成形してＣｕ、Ｃｒ混合粉末成形体を得る（工程２）。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent diffusion of Cu from a Cu interconnection to a low dielectric constant material (Low-k material) and can prevent an increase in resistance of the Cu interconnection.例文帳に追加

Ｃｕ配線から低誘電率材料（Ｌｏｗ−ｋ材料）絶縁膜へのＣｕの拡散を防止することができるとともに、Ｃｕ配線の抵抗の増大を防止することができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To improve EM resistance while inhibiting leakage between wirings and a short circuit of a Cu wiring in a semiconductor device having Cu wirings and method of manufacturing the same.例文帳に追加

Ｃｕ配線を有する半導体装置とその製造方法において、配線間リーク及びショートを抑制し且つＥＭ耐性を向上する。 - 特許庁

When flexibility is emphasized in particular, a plate thickness of the Cu coating steel plate 20 including the Cu coating layer 12 is 0.02-2.00 mm.例文帳に追加

特にフレキシブル化を重視する場合は、Ｃｕ被覆鋼板２０のＣｕ被覆層１２を含む板厚は例えば０.０２〜２.００ｍｍである。 - 特許庁

To provide a Cu-W pipe with an extra fine diameter with outer diameter ≤0.5 mm, an electrical discharge machining electrode using the Cu-W pipe, and its manufacturing method.例文帳に追加

外径が０．５ｍｍ以下の極細径のＣｕ−Ｗパイプとそれを用いた放電加工電極とその製造方法とを提供すること。 - 特許庁