「dZ」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Here, N (wt.%) is the content of the organic solvent, on the basis of the dielectric raw material, Ez (μm): the thickness of the electrode on the front plate, and Dz (μm): the thickness of the dielectric layer on the front plate.例文帳に追加

（式１）Ｎ＜（６．５×Ｄｚ＋５００）／Ｅｚ（Ｎ［重量％］：誘電体原料を基準とした有機溶剤の含有量、Ｅｚ［μｍ］：前面板の電極の厚さ、Ｄｚ［μｍ］：前面板の誘電体層の厚さ）。 - 特許庁

A condition D10 of measurement operation and a condition D20 of image pickup operation are recorded as output data together with appearance information DZ and DG acquired by the measurement and the two-dimensional image pickup of the three-dimensional shape of an object Q.例文帳に追加

対象物Ｑに対する３次元形状の測定および２次元撮影で得られた外観情報ＤＺ，ＤＧとともに、測定動作条件Ｄ１０および撮影動作条件Ｄ２０を出力データとして記録する。 - 特許庁

Foaming ratio of the foamed body is preferably 7-30 times and mean value of aspect ratio Dz/Dxy of air bubbles existing inside is preferably at least 1.1 and compression strength is preferably at least 2.0 kgf/cm2.例文帳に追加

発泡体の発泡倍率は好ましくは７〜３０倍であり、内在する気泡のアスペクト比Ｄｚ／Ｄｘｙの平均値は好ましくは１．１以上であり、圧縮強度は好ましくは２．０ｋｇｆ／ｃｍ^2 以上である。 - 特許庁

Further, the content of storage in a RAM for integrated control can be changed by acquiring or erasing special information according to the mode of operation of a presentation button in a secret increase/reduction possible period DZ (respective demonstration executing periods Da and Db).例文帳に追加

さらに、奥義増減可能時期ＤＺ（各デモ実行中Ｄａ,Ｄｂ）では、演出用ボタンの操作態様に応じて、特別情報を獲得及び消去することで、統括制御用ＲＡＭの記憶内容を変化可能にした。 - 特許庁

Transistors 4, 5 drive a pair of data lines DZ, DX to a predetermined potential level in response to potentials of the pair of bit lines BLZ, BLX, thereby transferring data of the pair of bit lines BLZ, BLX to a pair of data bus lines DBZ, DBX.例文帳に追加

該トランジスタ４，５は、ビット線対ＢＬＺ，ＢＬＸの電位に応じてデータ線対ＤＺ，ＤＸを所定電位に駆動することによりビット線対ＢＬＺ，ＢＬＸのデータをデータバス線対ＤＢＺ，ＤＢＸに伝達する。 - 特許庁

A face material is laminated on at least one face of a polyolefin resin foam sheet in which mean value of aspect ratios Dz/Dx of air bubbles existing inside is 1.1-5 and whose compression elasticity is 10 kgf/cm2 or larger.例文帳に追加

内在する気泡のアスペクト比Ｄｚ／Ｄｘｙの平均値が１．１〜５で、圧縮弾性率が１０ｋｇｆ／ｃｍ^2 以上であるポリオレフィン系樹脂発泡体シートの少なくとも片面に面材が積層されている。 - 特許庁

DZ layers 12a, 12b are formed on the surface and the rear surface of a silicon wafer 11 through a heat treatment of an appropriate temperature rise process; temperature retaining process; and temperature drop process under atmosphere for reducing gas, such as, hydrogen, inert gas, such as, argon.例文帳に追加

シリコンウェーハ１１では、水素のような還元性ガス、アルゴンのような希ガス等の雰囲気下の適宜な昇温プロセス、保持滞在プロセス、降温プロセスの熱処理を通し、その表裏面にＤＺ層１２ａ、１２ｂが形成される。 - 特許庁

This polyolefin-based resin foam has spindle-shaped foams 5a at the central part, 1.1-2.5 average value of aspect ratio Dz/Dxy of the internally existing foams, 7-30 times expansion ratio and ≥500 μm average value of Dxy.例文帳に追加

ポリオレフィン系樹脂発泡体は、中心部に紡錘形の気泡5aを有しており、内在する気泡のアスペクト比Ｄｚ／Ｄｘｙの平均値が１．１〜２．５で、発泡倍率が７〜３０倍で、Ｄｘｙの平均値が５００μｍ以上である。 - 特許庁

A silicon wafer 1 includes an oxygen precipitate layer 4, the depth of the DZ layer 5 from the surface of the wafer to the oxygen precipitate layer 4 is 2 to 10 μm and the oxygen precipitation density of the oxygen precipitate layer 4 is 5×10^7precipitates/cm^3 or more.例文帳に追加

酸素析出物層４を有するシリコンウェーハ１であって、該ウェーハの表面から酸素析出物層４に至るまでのＤＺ層５の深さを２〜10μｍ、かつ該酸素析出物層４の酸素析出物密度を５×10^７個／cm^３以上とする。 - 特許庁

After the backside of a primitive is located, the subtraction of an increment dZ from a depth value of the backside of the primitive shifts the backside of the primitive toward the viewpoint to edge the primitive inside, and the contoured primitive is drawn.例文帳に追加

プリミティブの裏面を検索すると、そのプリミティブの裏面のデプス値から増分値ｄＺを減算することにより、そのプリミティブの裏面を視点側にずらして、そのプリミティブの内側に輪郭を付加し、その輪郭を付加したプリミティブを描画する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method for a silicon wafer by RTP that can suppress slipping by forming a BMD at a high concentration in a bulk while forming a DZ layer by eliminating COP in a wafer surface layer.例文帳に追加

ウェーハ表層においては、ＣＯＰを消滅させてＤＺ層を形成すると同時に、バルク中においては、ＢＭＤを高密度で形成し、スリップの発生を抑制することができるＲＴＰによるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁

A difference "d" between the distance from the objective lens to the object to be inspected giving a maximum value of the change of the fluorescent intensity and the distance from the objective lens to the object to be inspected giving a minimum value of the change of the fluorescent intensity, is obtained, on the basis of the dI/dZ-Z curve.例文帳に追加

ｄＩ／ｄＺ−Ｚカーブから、蛍光強度変化の最大値を与える対物レンズと被検物の間の距離と、蛍光強度変化の最小値を与える対物レンズと被検物の間の距離との差ｄを求める。 - 特許庁

A mat floor material 1 consists of a foam body of polyolefin resin whose the average value of an aspect ratio Dz/Dxy of indwelling air bubbles is 1.1 or more, preferably 1.1 to 2.5, a foam magnification is 7 to 30 times, and compressive strength is 2 kgf/cm2 or more.例文帳に追加

畳床材は、内在する気泡のアスペクト比Ｄｚ／Ｄｘｙの平均値が１．１以上、好ましくは１．１〜２．５で、発泡倍率が７〜３０倍で、圧縮強度が２ｋｇｆ／ｃｍ^2 以上であるポリオレフィン系樹脂発泡体からなる。 - 特許庁

The shock absorbing material of the vehicle exterior trim member is made of a polyolefine system resin foaming body sheet of 0.05-0.5 g/cc in density, 1.1-5.0 in an average value of an aspect ratio Dz/Dxy of a cell inherently existing in a central layer and 5 mm or more in thickness.例文帳に追加

車輌外装部材の衝撃吸収材は、密度が０．０５〜０．５ｇ／ｃｃであり、中央層に内在するセルのアスペクト比Ｄｚ／Ｄｘｙの平均値が１．１〜５．０であり、厚みが５ｍｍ以上であるポリオレフィン系樹脂発泡体シートからなる。 - 特許庁

In this shape measuring device, a rotation error around a driving shaft in the X-direction of an optical cutting probe 22 is detected, based on a difference of each Y-coordinate of each center position of a reference sphere 31 determined by twice measuring processings performed separately at a prescribed interval dz in the Z-direction.例文帳に追加

Ｚ方向に所定の間隔ｄｚ離れて行われる２回の測定処理で求められる基準球３１の中心位置のＹ座標の差分に基づいて、光切断プローブ２２のＸ方向の駆動軸周りの回転誤差を検出する。 - 特許庁

To provide a method for heat treating at quickly rising/falling temperature for stably obtaining a wafer having little oxygen deposit therein while having the high concentration oxygen deposits to become a gettering source adjacent to a DZ formed in a sufficient thickness on the surface.例文帳に追加

表面には十分な厚さのＤＺが形成され、このＤＺに近接してゲッタリング源となる高密度の酸素析出物が生じ、かつ内部には酸素析出物が少ないウェーハを安定して得るための急速昇降温熱処理方法を提供する。 - 特許庁

Diodes Du-Dw and Dx-Dz that make up a converter circuit that converts an AC output of a magnet alternator into a DC output and supplies it to a battery and thyristors Thu-Thw are mounted on heat sinks Hu-Hw.例文帳に追加

磁石式交流発電機の交流出力を直流出力に変換してバッテリに供給するコンバータ回路を構成するダイオードＤｕないしＤｗ及びＤｘないしＤｚと、サイリスタＴhuないしＴhwとをヒートシンクＨｕないしＨｗに取り付ける。 - 特許庁

To provide a manufacturing method by which a silicon single crystal wafer having a DZ layer formed in the surface layer thereof, being excellent in device characteristics and sufficiently forming an oxygen deposit functioning as a gettering site in a bulk area can be manufactured at a low cost.例文帳に追加

ウエーハ表層にＤＺ層が形成されてデバイス特性が優れていると同時に、ゲッタリングサイトとして機能する酸素析出物をバルク領域内に十分に形成できるシリコン単結晶ウエーハを安価に製造することが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

In the developing device 40 of an electrophotographic printing machine, toner particles supplied from a mixing chamber 46 are moved by the toner donor roll 42 to the developing zone DZ to develop a latent image on the photosensitive surface 14 of a belt 12 as an image holding and carrying member.例文帳に追加

静電写真印刷機の現像装置４０において、トナードナーロール４２は、混合チャンバ４６から供給されるトナー粒子を現像領域ＤＺ内に移動させ、画像保持運搬部材であるベルト１２の感光表面１４の潜像を現像する。 - 特許庁

This shaker S is provided with a base 1 arranged in a predetermined position B, a table 2 arranged over the base 1, and actuators DX, DY, and DZ fixed to the base 1 and connected to the table 2 via the parts excepting the parts fixed to the base 1.例文帳に追加

加振装置Ｓは、所定位置Ｂに設置される基台１と、基台１を覆うように配置されたテーブル２と、基台１に固定されるとともに、基台１と固定された以外の部分をテーブル２に接続したアクチュエータＤＸ、ＤＹ、ＤＺとを備えている。 - 特許庁

Then, in the step of the next step S2, by applying isothermal annealing to the wafer in an oxygen-containing gas atmosphere then applying rapid heat reduction thereto, solid solution oxygen is injected to the surface layer part of the DZ (Denuded Zone) layer or silicon epitaxial layer of the wafer, and the concentration is adjusted.例文帳に追加

そして、次のステップＳ２の工程において、上記ウェーハを酸素含有ガス雰囲気中で等温熱処理しその後に急速降温を施すことによって、ウェーハのＤＺ層あるいはシリコンエピタキシャル層の表層部に固溶酸素の注入およびその濃度の調節を行う。 - 特許庁

When a door device 11 of the stopped car 1 is failed and the car is positioned at a zone DZ where the passenger can safely get off the car, a control panel 3 for performing operation control of the car feeds an instruction signal for shutting off feed of power to the door device so as to eliminate door-closing force.例文帳に追加

かごの運転制御を行う制御盤３が、停止したかご１のドア装置１１が故障し、該かごが乗客がかごから安全に降りられるゾーンＤＺにいる場合に、戸閉力を無くすようにドア装置１１への電力供給を遮断させる指令信号を送る。 - 特許庁

The polyolefinic resin composite foam is obtained by laminating a surface material consisting of an inorganic long fiber reinforced thermoplastic resin sheet on at least the single surface of a polyolefinic resin foam sheet containing cells of which the aspect ratio Dz/Dxy is 1.1-4.0 on an average and having an expansion ratio of 3-30 times.例文帳に追加

内在する気泡のアスペクト比Ｄｚ／Ｄｘｙの平均値が１．１〜４．０であり、かつ発泡倍率が３〜３０倍であるポリオレフィン系樹脂発泡体シートの少なくとも片面に、無機長繊維強化熱可塑性樹脂シートからなる面材が積層されている。 - 特許庁

Oxygen precipitate concentration profile from the upper surface to the lower surface of the wafer comprises: first and second peaks at predetermined first and second depths from the upper and lower surfaces of the wafer; DZ of the upper and lower surfaces of the wafer and the first and second peaks; and a concave region between the first and second peaks corresponding to the bulk region of the wafer.例文帳に追加

ウェーハの上面から下面に至る酸素析出物濃度プロファイルは、ウェーハの上下面から所定の第１及び第２深さで第１及び第２ピークと、ウェーハの上下面と第１及び第２ピークのそれぞれとのＤＺと、ウェーハのバルク領域に対応する第１及び第２ピーク間のコンケーブ領域を含む。 - 特許庁

To provide a process for producing a silicon wafer inexpensively in which a DZ layer of sufficient thickness is ensured in the region of a wafer surface layer and, at the same time, a sufficient amount of oxygen deposit functioning as a gettering site can be secured in a bulk region in the earlier stage of heat treatment of the device process.例文帳に追加

ウエーハ表層領域に十分な厚さのＤＺ層を確保すると同時に、デバイス工程の熱処理のより早い段階でゲッタリングサイトとして機能する酸素析出物がバルク領域内に十分な量を確保できるシリコンウエーハを安価に製造することのできる製造方法を提供する。 - 特許庁

A gap, provided between fixed electrodes Dx+, Dx-, Dy+, Dy-, Dz+ formed on the upper face of a board 1 and an electrode D formed on the lower flat face of a movable electrode 2, is formed by the thickness of soldering layers H1, H2 formed on the board 1, a conductive elastomer layer or a conductive adhesive material layer.例文帳に追加

基板１上面に形成された固定電極Ｄｘ＋，Ｄｘ−，Ｄｙ＋，Ｄｙ−，Ｄｚ＋と、可動電極板２の下平面に形成された電極Ｄとの間に設けられるギャップを、基板１上に形成した半田層H1, H2、導電性エラストマー層又は導電性接着材層の厚みにより形成している。 - 特許庁

The function of a distance relay is included in information control terminals 8 with a DZ, which are respectively provided to both ends of the electric line, as a reserve protecting device which detects the electricity amount of the plurality of terminals of the electric line and transmits it to the processing unit 3, and performs backup of a main protecting device.例文帳に追加

送電線の両端にそれぞれ設けられたＤＺ付情報制御端末８に後備保護装置として距離継電器の機能を包含させて送電線の前記複数の端子の電気量を検出して前記演算処理装置３に伝送すると共に主保護装置のバックアップを行う。 - 特許庁

The motor control device MC is composed of a battery power supply Brt, a main relay RYL0, a relay circuit RYLC, a voltage detector Ri, an actuator ACT, a drive changeover switch TSW, an electronic control unit ECU0 incorporating a control circuit CTR, a voltage dividing resistor Rd, a Zener diode Dz, a constant voltage circuit Reg, and a communication line ST.例文帳に追加

モータ制御装置ＭＣは、バッテリー電源ＢｒｔとメインリレーＲＹＬ０とリレー回路ＲＹＬＣと電圧検出部ＲｉとアクチュエータＡＣＴと駆動切換スイッチＴＳＷと制御回路ＣＴＲを内蔵する電子制御ユニットＥＣＵ０と分圧抵抗Ｒｄ及びツェナーダイオードＤｚと定電圧回路Ｒｅｇと通信ラインＳＴとから構成される。 - 特許庁

In this way, a player can select a game the player wants to play in the secret increase/reduction possible period DZ (the respective demonstration executing periods Da and Db), so that the player's requests can be appropriately reflected in the play while diversifying the presentation in the pattern variation game, and the amusement of the play can be satisfactorily enhanced by preventing the play from becoming routine.例文帳に追加

このため、奥義増減可能時期ＤＺ（各デモ実行中Ｄａ，Ｄｂ）では、遊技者の希望する遊技を遊技者に選択可能に構成することで、図柄変動ゲームの演出に変化を与えつつ、遊技者の希望も好適に反映させることができ、遊技のマンネリ化を抑制して遊技の興趣を十分に向上させることができる。 - 特許庁

The impedance Zn is calculated using a battery current I, a release voltage temporal change DVOC, a terminal voltage temporal change DVB, a current temporal change DIB and an impedance temporal change DZ (S6), when an impedance calculation condition is satisfied after starting a system, and a ratio Krz of the calculated impedance Zn to an initial impedance value Zi is calculated (S7).例文帳に追加

システム起動後、インピーダンス算出条件が成立するとき、バッテリ電流Ｉ、開放電圧時間変化量ＤＶＯＣ、端子電圧時間変化量ＤＶＢ、電流時間変化量ＤＩＢ、インピーダンス時間変化量ＤＺを用いてインピーダンスＺｎ算出し（Ｓ６）、算出したインピーダンスＺｎとインピーダンス初期値Ｚｉとの比Ｋｒｚを算出する（Ｓ７）。 - 特許庁

The silicon wafer has a high-oxygen-concentration region where a solid solution oxygen concentration is ≥0.7×10^18 atoms/cm^3 in a no-defect region (DZ layer) 12 including at least the device active region of the silicon wafer 10, and contains interstitial silicon 14 in the no-defect region 12 in a supersaturation state.例文帳に追加

本発明に係わるシリコンウェーハは、シリコンウェーハ１０の少なくともデバイス活性領域が含まれる無欠陥領域（ＤＺ層）１２内に固溶酸素濃度が０．７×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の高酸素濃度領域を有し、かつ、無欠陥領域１２内には、格子間シリコン１４が過飽和状態で含有されている。 - 特許庁

A numerical analysis system 100 for analyzing the physical characteristics of an object by using an analytic model composed of finite elements is provided with a function 1 for generating a more desirable analytic model and setting an arithmetic parameter on the basis of object information DZ, DG and D8 such as the measured values of the form, texture and physical quantity extracted from the object.例文帳に追加

有限要素からなる解析モデルを用いて対象物の物理特性を解析する数値解析システム１００において、対象物から抽出された形状、テクスチャ、物理量の測定値などの物体情報ＤＺ，ＤＧ，Ｄ８に基づいて、より好ましい解析モデルの生成および演算パラメータの設定を行う機能１を設ける。 - 特許庁

To provide a heat treatment method, which can prevent occurrence of slip dislocation and sufficiently eliminate grown-in defects in the vicinity of the surface even when a CZ silicon monocrystal wafer having a diameter of 300 mm or larger is mainly subjected to a high heat treatment, and an annealed wafer having a DZ layer in the wafer surface layer and containing high-density oxygen precipitates capable of achieving a high gettering effect in a bulk.例文帳に追加

主に直径が３００ｍｍ以上のＣＺシリコン単結晶ウェーハに高温熱処理を行なってもスリップ転位の発生を抑制し、表面近傍のGrown-in欠陥を十分に消滅させることのできる熱処理方法を提供し、及びウェーハ表層部にＤＺ層を有し、かつバルク中に高いゲッタリング効果が得られる高密度の酸素析出物を有するアニールウェーハを提供する。 - 特許庁