| 意味 | 例文 |
data cellの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3557件
For example, writing to the phase change memory is carried out not by overwriting data, but by erasing an object memory cell temporarily and then performing the program operation.例文帳に追加
例えば、相変化メモリへの書き込みは、データの上書きを行うのではなく、一旦、対象となるメモリセルを消去状態とした後、プログラムを行う。 - 特許庁
To provide a table data processor capable of adding/deleting a table cell with much easier operation.例文帳に追加
本発明の課題は、より簡単な操作によって、表セルを追加・削除することを可能とする表データ処理装置、及び記憶媒体を提供することである。 - 特許庁
In this method, the end face 861 of the honeycomb structure is imaged by a camera part, and the positional information of the cell 88 is calculated by the imaged image data.例文帳に追加
ハニカム構造体の端面861をカメラ部により撮像し、それにより得られた画像データによりセル88の位置情報を算出する方法である。 - 特許庁
In two memory blocks of memory blocks MB0-MBm, word lines are each driven to a selected state, and memory cell data is latched by a corresponding sense amplifier band.例文帳に追加
メモリブロックMB0−MBmのうちの2つのメモリブロックにおいてそれぞれワード線を選択状態に駆動し、対応のセンスアンプ帯によりメモリセルデータをラッチする。 - 特許庁
Each of the solar cell panels 1 transmits the identification information and state information indicative of its operational state via the data logger 3 to the centralized management device 4.例文帳に追加
各太陽電池パネル1は、識別情報と動作状態を示す状態情報とをデータロガー3を介して集中管理装置4に送信する。 - 特許庁
The dummy memory cell in which the dummy access transistor ATRd is turned on is activated, and electrically coupled between a data bus/DB and a ground voltage VSS.例文帳に追加
ダミーアクセストランジスタATRdがオンされたダミーメモリセルは、活性化されて、データバス/DBおよび接地電圧VSSの間に電気的に結合される。 - 特許庁
To attain high speed reading in by preventing data reading from being impossible at the time of composing an SRAM(static random access memory) circuit by a four-transistor memory cell.例文帳に追加
4TrメモリセルでSRAM回路を構成時に、データの読み出し不能を未然に防止し、高速な読み出しを可能にしたSRAM回路の提供。 - 特許庁
A twin cell (TW1, TW2) comprises memory cells (MCA1, MCA2, MCB1, MCB2) which store complementary tune data and two twin cells store the same tune information.例文帳に追加
ツインセル(TW1、TW2)は、互いに相補なチューンデータを格納するメモリセル(MCA1,MCA2,MCB1,MCB2)で構成され、2つのツインセルが同一チューン情報を格納する。 - 特許庁
This design method for a semiconductor integrated circuit includes steps of: (A) creating a delay library for statistical STA; (B) creating layout data; and (C) calculating the delay value of an object cell.例文帳に追加
(A)統計STA用の遅延ライブラリを作成するステップと、(B)レイアウトデータを作成するステップと、(C)対象セルの遅延値を算出するステップとを有する。 - 特許庁
Next, a row line is made high voltage, a data input circuit is made high voltage, and electrons are injected to the floating gate of a cell selected by a row line, column line 5.例文帳に追加
次に、行線を高電圧、データ入力回路を高電圧にし、行線、列線5により選択されたセルの浮遊ゲートへの電子の注入を行なう。 - 特許庁
A voltage generation circuit generates the same voltage as voltage supplied to a row line of a memory cell MC selected in reading data.例文帳に追加
電圧生成回路は、閾値電圧のベリファイ時に、データの読み出し時に選択されたメモリセルMCの行線に供給される電圧と同一の電圧を生成する。 - 特許庁
Total length of a data bus can be reduced by contriving the arrangement of a memory cell array arranged around a central region CEN of chips.例文帳に追加
チップの中央領域CENの周囲に配置されるメモリアレイの配置を工夫することによりデータバスの総延長を低減させることができる。 - 特許庁
To provide a simple and low cost flashing device and an optical data recording circuit operating with efficiency and reliability, for a camera using a single battery cell.例文帳に追加
単一電池セルを用いるカメラで、単純で、低コストなフラッシュ装置及び、効率的に且つ信頼性を持って動作する、光データ記録回路を提供する。 - 特許庁
More severe operation conditions are made by reducing potential difference between bit lines by operating a voltage superimposing circuit when data is read out from the memory cell.例文帳に追加
メモリセルからデータを読み出す際に該電圧重畳回路を作動させることによりビット線間電位差を低下させより厳しい動作条件を作り出す。 - 特許庁
Next, a second area to which data from the Web site are outputted is dragged and dropped so as to associate it with a second cell of the screen like the spreadsheet.例文帳に追加
次に、Webサイトからのデータを出力するような第2の領域が、そのスプレッドシート的な画面の第2のセルに関連付けるためにドラッグ&ドロップされる。 - 特許庁
To provide a battery voltage detector capable of rapidly detecting cell voltage and transmitting data to a host control device in a short time.例文帳に追加
セル電圧を速やかに検出し、且つ上位の制御装置に短時間でデータを送信することができる電池電圧検出装置を提供する。 - 特許庁
To optimize the internal data readout timing by varying the electric potential of a dummy bit line at a high speed, independently of the structure of a memory cell array, in a semiconductor storage device.例文帳に追加
半導体記憶装置において、メモリセルアレイ構成にかかわらず、高速でダミービット線の電位を変化させて、内部データ読出タイミングを最適化する。 - 特許庁
The RL maximum data rate per AT is adjusted to reduce the loading in a designated area and result in rate shaping of the cell and/or sector.例文帳に追加
AT当たりのRL最大データレートは、指定されたエリアにおける負荷を低減するように調節され、セルおよび/またはセクタのレート形成を生じる。 - 特許庁
Also, a plurality of power source voltages required for writing multi-level data in a memory cell are realized by surface breakdown phenomenon of MOS transistors M2, M4.例文帳に追加
また、多値のデータをメモリセルに書き込むときに必要な複数の電源電圧をMOSトランジスタM2、M4の表面ブレークダウン現象によって実現する。 - 特許庁
To provide a storage device for correctly performing in a short time verification operation for detecting a memory cell whose data retention time is less than a predetermined period.例文帳に追加
データの保持時間が所定の長さに満たないメモリセルを検出するための検証動作を、短時間にて正確に行うことができる記憶装置の提供。 - 特許庁
A cell coordinate detection part 14 extracts a ruled line from the image data of a table format document stored in an image memory 12 and finds out the coordinate positions of respective cells.例文帳に追加
セル座標検出部14は画像メモリ12に読み込んだ表形式文書の画像データから罫線を抽出して、それぞれのセルの座標位置を求める。 - 特許庁
At the time, a polarity memory cell 11 stores polarity information indicating whether stored data has a logical value being inverse to the original logical value or not.例文帳に追加
この際、極性メモリセル11が、メモリセル10の記憶データが本来の論理値とは逆の論理値を有するか否かを示す極性情報を記憶する。 - 特許庁
To make the mobile set small in high speed data communication in the cell configuration method in a mobile communication system, the radio access system and the mobile set.例文帳に追加
移動通信システムにおけるセル構成法、無線アクセス方式及び移動機において、高速データ通信における移動機の小型化を図ることを目的とする。 - 特許庁
To provide a thin-film magnetic body storage device having a magnetic body memory cell which is independent of the level of storage data to be written and whose magnetic characteristics are symmetrical.例文帳に追加
書込まれる記憶データのレベルに依存せず磁気特性が対称な磁性体メモリセルを有する薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a dynamic balance inspection device for a tire capable of reducing the measurement errors, by preventing superimposition of a noise on data detected by a load cell.例文帳に追加
ロードセルで検出されたデータにノイズが重畳するのを防止して測定誤差を小さくすることができるタイヤ用ダイナミックバランス検査装置を提供する。 - 特許庁
The control circuit is configured to, in write operation, control the write operation in each of the memory strings such that data are sequentially written from the memory cell located closer to the second wiring.例文帳に追加
制御回路は、書き込み動作時に、メモリストリング中において、第2配線に近い側に位置するメモリセルから順に書込みを行なうように制御する。 - 特許庁
To provide a DRAM having a DRAM core circuit incorporating a ROM function by which desired fixed data stored in a chip can be written in a DRAM cell simply and at high speed.例文帳に追加
チップに内蔵された所望の固定データをDRAMセルに簡単かつ高速に書き込み可能なROM 機能内蔵DRAMコア回路を有するDRAMを提供する。 - 特許庁
To increase data reading speed and to reduce manufacturing cost by decreasing the number of wiring layers, in an MRAM device having an MTJ memory cell.例文帳に追加
MTJメモリセルを有するMRAMデバイスにおいて、データ読出動作の高速化および、配線層数の減少による製造コスト低減を図る。 - 特許庁
The method for analyzing cell types includes carrying out statistical processing of digital data detected by the method according to a method for cluster analysis, and depending on classes with the resultant dendrogram.例文帳に追加
細胞種の解析方法は上記の方法で検出した数値データをクラスタ解析法で統計処理し、得られたデンドログラムによる区分による。 - 特許庁
To provide a SRAM(static RAM) in which an error of a cell ratio based on dispersion of manufacturing is compensated, data holding operation is stable, and write-in operation and recovery operation are fast.例文帳に追加
製造ばらつきに基づくセルレシオの誤差を補償し、データ保持動作が安定で書込み動作及びリカバリー動作が早いSRAMを提供する。 - 特許庁
To provide a map address management method in which data can be reliably read or written even by a memory element having a large number of bits per a unit cell.例文帳に追加
単位セル当たりのビット数が大きいメモリ素子であってもデータの確実な読み込み・書き込みを可能にしたマップアドレス管理方法を提供する。 - 特許庁
Thereby, high voltage of 15 volt is applied to a control gate of a specified cell of the flash memory 1 by a frequency division time, sure data erasing can be realized.例文帳に追加
これより、フラッシュメモリ1の指定セルのコントロールゲートに対し15ボルトの高電圧が分周時間だけ印加され、確実なデータ消去を実現できる。 - 特許庁
A correlator 52 makes a correlation calculation for the data by using a specified spread code specified with cell information to generate a delay profile.例文帳に追加
コリレータ部52ではそのデータに対してセル情報から指定された特定の拡散符号を用いて相関計算を行い、ディレイプロファイルを作成する。 - 特許庁
These optical signal and liquid or gas are sent to a data receiving part 13 and a fuel cell 12 respectively through a second adapter 14a.例文帳に追加
それから光信号と液体もしくは気体は、第2のアダプター14aを介してデータ受信部13と燃料電池12とにそれぞれ送られる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device with a cell transistor reduced in off-leak current and having favorable data writing characteristics, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
オフリーク電流が少なく、且つ良好なデータ書き込み特性を有するセルトランジスタを備えた半導体装置およびその製造方を提供する。 - 特許庁
Data are read for the read circuit 32 with a plurality of memory cell units using the same bit line side select gate lines SGD<0> to SGD<3> in common as one unit for reading.例文帳に追加
同じビット線側セレクトゲート線SGD<0>〜SGD<3>を共通に用いている複数のメモリセルユニットを、1つの読み出し単位として、読み出し回路32にデータを読み出す。 - 特許庁
In the semiconductor memory device 100, when data is written in a memory cell 3, a first switch circuit 8 is turned ON while a second switch circuit 9 is turned OFF.例文帳に追加
半導体記憶装置100は、メモリセル3にデータを書き込む場合は、第1のスイッチ回路8がオンするとともに第2のスイッチ回路9がオフする。 - 特許庁
A cell and a parity bit sent through a data bus 12a are fed to a horizontal parity arithmetic section 50 via an input section 26, where a horizontal parity bit is calculated.例文帳に追加
データバス12aにより伝送されたセルおよびパリティビットは入力部26を経て水平パリティ演算部50に送られ、水平パリティビットが計算される。 - 特許庁
Interfering conditions of electric waves which can cause electric wave interference and/or EMI are expressed as digital cell mapping data to visualize the interfering conditions of electric waves.例文帳に追加
電波及び/または電磁波障害の原因となる電波の干渉状態をデジタル・セル・マッピングデータにして可視化したことを特徴とする電波マッピングとした。 - 特許庁
A cell becomes the cross points between all X electrodes and a Y electrode (2m-1 points) and n data electrodes and (2m-1)×n symbol of product pixels exist.例文帳に追加
1セルは、全てのX電極とY電極の間(2m−1箇所)とデータ電極(n本)の交点となり、(2m−1)×n個の画素が存在する。 - 特許庁
This semiconductor device uses structure in which an output terminal 40c of a switching element 40 is connected to a terminal 20b by which write-in of data of a memory element 20 is performed, as a memory cell.例文帳に追加
記憶素子20のデータ書き込みを行う端子20bにスイッチング素子40の出力端子40cを接続した構造をメモリセルとして用いる。 - 特許庁
In writing data in a memory cell 18i, a transistor M1i for selecting a first column and a transistor M2i for selecting a second column are activated simultaneously.例文帳に追加
メモリセル18iへのデータの書き込みにおいて、第1のカラム選択用トランジスタM1iと第2のカラム選択用トランジスタM2iとを同時に活性化する。 - 特許庁
A cell-phone handset comprising; means for receiving TV broadcasts and a means for recording that can record received TV broadcast data at a different compression rate depending on the on tent of the broadcast 例文帳に追加
TV放送受信手段と、受信TV放送データを放送内容に応じて圧縮率を変えて記録する記録手段を有する携帯電話機 - 特許庁
Thus, when the testing cell array is read out, when '1' is outputted for the output data of an expected value '0', the depression Tr existence is decided.例文帳に追加
このため、テスト用セルアレイを読み出した際、期待値"0"の出力データに対して"1"が出力されると、ディプレッションTrがあると判断する。 - 特許庁
To prevent the destruction of data of a cell sharing part already written due to power shutting-off or write-in error in a semiconductor memory device.例文帳に追加
半導体記憶装置において、電源断や書き込みエラーで既に書き込みを完了していたセル共有部分のデータが破壊されないようにすること。 - 特許庁
To keep an over discharge state for a long period, and to acquire the data for grasping a service life of a secondary battery cell in an over discharge area.例文帳に追加
長期間にわたる過放電状態の維持が可能で、過放電領域における二次電池セルの寿命を把握するためのデータを取得できる。 - 特許庁
Further, the proper grayscale data are derived to each liquid crystal panel from the compensation values and cell gap thickness, the I/V property of the transistor of the liquid crystal panel, and the like.例文帳に追加
さらに補正値とセルギャップの厚さ、液晶パネルのトランジスタのI/V特性などから個々の液晶パネルに適切な階調データを導き出す。 - 特許庁
The control circuit 20 performs write-in control for writing desired data in the memory cell 10 by varying a resistance value of the magnetic resistance element 11.例文帳に追加
制御回路20は、磁気抵抗素子11の抵抗値を変化させることによって、メモリセル10に所望のデータを書き込むための書き込み制御を行う。 - 特許庁
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