「data cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

SYSTEM FOR PARTICIPATING AUCTION USING CELL PHONE, OPERATION-RESEARCHING BASED ON LARGE AMOUNT OF LATEST AUCTION DATA ON SITE, TO INSTANTLY RESPONDING SOLELY TO MATCHED DATA, AND NETWORK AUCTION SYSTEM例文帳に追加

オークションに携帯電話等を利用して参加し、各オークション会場の大量の最新オークションデータを基にオペレーションリサーチし、マッチングしたデータだけを瞬時にレスポンスするシステム及びネット競売システム - 特許庁

To provide a semiconductor storage device with a configuration of shared bit lines between adjacent memory cell columns that prevents data from being wrongly written and read with a delay when the data are written and read.例文帳に追加

隣接するメモリセル列間でビット線を共有する構成とした場合において、データ書込およびデータ読出時における誤書込およびデータ読出遅延を防止する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A burst transfer means 3 burst- transfers data inputted through the data input means 2 for a region of a cell 6 corresponding to an address through the address input means 1.例文帳に追加

バースト転送手段３は、アドレス入力手段１を介して入力されたアドレスに対応するセル６の領域に対して、データ入力手段２を介して入力されたデータをバースト転送する。 - 特許庁

A conversion circuit 4-1 converts data comprising k bits (a natural number of 3 or more; k<=n) stored in the memory cell array to data comprising h bits (a natural number of 2 or more; k<=h), based on a conversion rule.例文帳に追加

変換回路４−１は、メモリセルアレイに記憶するｋビット（ｋ＜＝ｎで、３以上の自然数）からなるデータを、変換則に基づき、ｈビット（ｋ＜＝ｈで、２以上の自然数）のデータに変換する。 - 特許庁

When data is read from the memory cell M02 of a top array block to a bit line BL2, switch elements S1 and S101 are closed to store the data in the bit line BL102 of a bottom array block in the form of charges.例文帳に追加

トップアレイブロックのメモリセルＭ０２からビット線ＢＬ２にデータを読み出すとき、スイッチ素子Ｓ１とＳ１０１を閉じて、そのデータをボトムアレイブロックのビット線ＢＬ１０２に電荷の形で蓄えさせる。 - 特許庁

One part of a memory cell array 1 consisting of nonvolatile memory cells being electrically rewritable is decided as a initial setting data region 3 for storing initial setting data prescribing memory operation conditions.例文帳に追加

電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルからなるメモリセルアレイ１の一部が、メモリ動作条件を規定する初期設定データを記憶するため初期設定データ領域３として予め定められている。 - 特許庁

When pixels on the left side of a cell 36 are displayed in red, a voltage (alternating voltage) for particle removal is applied to a data electrode 32A and particles are moved to the periphery to expose the data electrode 32A.例文帳に追加

セル３６の左側の画素を赤表示する場合、データ電極３２Ａに粒子除去用電圧（交番電圧）を印加し、粒子を周囲へ移動させてデータ電極３２Ａを露出させる。 - 特許庁

The retransmission request cell transmitted to a first communication terminal 103 is transmitted to a retransmission packet generating section 125 and data transmitted next to the data denoted by the information are searched by the packet storage queue 123.例文帳に追加

第１の通信端末１０３へ送信された再送要求セルは再送パケット生成部１２５へ送られ、その情報が示すデータの次に送出されたデータがパケット保存キュー１２３で検索される。 - 特許庁

Then, whether the input of the trigger is made by voice or a trigger switch is discriminated (S3), and when the trigger input is made by a trigger switch, the data in an area recorded in a large cell size among the read image data of the two-dimensional code are decoded (S8).例文帳に追加

次に、トリガーの入力が音声かトリガースイッチか判別し（Ｓ３）、スイッチならば読み取った二次元コードの画像データの内で大きなセルサイズで記録された領域のデータをデコードする（Ｓ８）。 - 特許庁

In writing operation, by the low data holding power supply control circuit 150, the voltage for the low data holding power supply for the memory cell in a selective column is also controlled to be higher in the degree of 0.1 V than the ground level.例文帳に追加

また、書き込み動作時には、ローデータ保持電源制御回路１５０により、選択カラムにおけるメモリセルのローデータ保持電源の電圧を接地レベルよりも０．１Ｖ程度高い電圧に制御する。 - 特許庁

Such a free core system is realized that read-out of data can be performed for a memory cell in a core being not selected while write-in/erasion of data is performed for a selected core by a core selecting means.例文帳に追加

コア選択手段により選択されたコアに対してデータ書込み／消去を行っている間に、選択されていないコア内のメモリセルに対してデータ読出しを可能とするフリーコア方式を実現した。 - 特許庁

To provide a memory in which reverse bias retention can be prevented in which data is varied being caused by continuing of a reverse bias state at disturbance phenomenon in which data of a non-selection cell is disappeared and when on standby.例文帳に追加

非選択セルのデータが消えるディスターブ現象やスタンバイ時（待機時）に逆バイアス状態が続くことに起因してデータが変化する逆バイアスリテンションを防止することが可能なメモリを提供する。 - 特許庁

Thus, manual revision of station data is eliminated and human error in the station data is eliminated, then the cell/frame changeover processing unit can easily switch an existing network into a network employing the ATM for its backbone.例文帳に追加

従って、人為作業による局データの変更をなくし、局データ誤りなどの人為的ミスがなくなるので、既存のネットワークからＡＴＭをバックボーンとするネットワークに容易に切り替えることができる。 - 特許庁

Each magnetic memory cell (302) features at least one ferromagnetic data layer (304) of a first size, an intermediate layer (306) that contacts the data layer (304), and at least one ferromagnetic reference layer (308) of a second size.例文帳に追加

各磁気メモリセル(302)は、第１のサイズの少なくとも１つの強磁性データ層(304)と、データ層(304)に接触する中間層(306)と、第２のサイズの少なくとも１つの強磁性基準層(308)を提供する。 - 特許庁

A DDR memory is constituted of a data input circuit 9 for DDR only, a data input circuit 10 for SDR only, a word line control circuit 21, a bit line control circuit 22, and a memory cell array 23.例文帳に追加

ＤＤＲメモリは、ＤＤＲ専用データ入力回路９、ＳＤＲ専用データ入力回路１０、ワード線制御回路２１、ビット線制御回路２２、及び、メモリセルアレイ２３で構成される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device and a nonvolatile semiconductor memory system by which data can be prevented from being erroneously written when the data is written in a memory cell being close to a bit line in a NAND string.例文帳に追加

ＮＡＮＤストリング内のビット線に近いメモリセルにデータの書き込みを行う際に、誤書き込みを防止する不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶システムを提供する。 - 特許庁

A throttle opening and a learning correction amount corresponding to this opening are individually stored as one set of learning data (θ0, P0) to (θ3, P3) in a memory cell of a memory part, linear interpolation between each data is performed, to generate an approximate correction amount.例文帳に追加

スロットル開度と該開度に対応する学習補正量とを一組の学習データ（カ）〜（ケ）として個々にメモリ部のメモリセルに格納し、各データ間を直線補完して近似補正量を生成する。 - 特許庁

In the computer system, the cell boards are connected to each other by system fabric, memory data read by the first memory controller are compressed by a codec engine before the memory data are transmitted by the fabric agent chip.例文帳に追加

コンピュータシステムにおいて、セルボードは、システムファブリックにより相互接続され、第１のメモリコントローラによって読み出されるメモリデータは、ファブリックエージェントチップにより送信される前に、コーデックエンジンにより圧縮する。 - 特許庁

A layout designing means 7 designs the layout data while using the same name as the instance name and net name of a function block in the circuit data for a cell arranged on the top hierarchy and a net connected between cells.例文帳に追加

レイアウト設計手段７はトップ階層に配置するセルおよびセル間に接続するネットに回路データの機能ブロックのインスタンス名およびネット名と同一の名前を使用してレイアウトデータを設計する。 - 特許庁

To uniquely identify specific data and to select identification information that is easy for a user to understand in a table in which the position of a cell for storing the specific data fluctuates.例文帳に追加

特定のデータを格納するセルの位置が変動するテーブルにおいて、特定のデータを一意に同定することができると共に、ユーザに判りやすい識別情報を選択することを可能とする。 - 特許庁

Since data can be written or readout without switching the potential of the cell plate line between the ground potential and the power supply potential, data can be protected without requiring any flash operation.例文帳に追加

セルプレート線ＰＬの電位を接地電池と電源電位との間で切り換えなくてもデータの書き込みや読み出しが可能となり、リフレッシュ動作を行なわなくてもデータの破壊を防止することができる。 - 特許庁

Thus, by securing the memory current required for reading at verifying, the reliability of data reading is improved even for the memory cell S deteriorated by rewriting of data.例文帳に追加

それにより、読み出しに必要なメモリ電流をベリファイ動作において確保することにより、データ書き換えにより劣化したメモリセルＳであってもデータ読み出しの信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

Furthermore, by a low data holding power supply control circuit 150, controlling voltage for low data holding power supply for a memory cell is made higher in a degree of 0.1 V than the ground level, so that a current potential for an access transistor is lowered.例文帳に追加

さらに、ローデータ保持電源制御回路１５０により、メモリセルのローデータ保持電源の電圧を接地レベルよりも０．１Ｖ程度高い電圧に制御してアクセストランジスタの電流能力を落とす。 - 特許庁

A leak compensating circuit 4 controls the power source (memory cell power source VDDM1) of the memory cells 1 of non-selection columns during write-in of data and all columns during read-out of data at the VDD level.例文帳に追加

リーク補償回路４は、データの書き込み時における非選択のカラム、およびデータの読み出し時における全てのカラムのメモリセル１の電源（メモリセル電源ＶＤＤＭ１）を、ＶＤＤレベルに制御する。 - 特許庁

The intial value V0 of data is stored in the memory cell group of arbitrary M bits in storage areas B0 to B10 having a capacity of (N+1) multiple, e.g., 11 times larger, of the bit number M necessary for data storage.例文帳に追加

データの格納に必要なビット数Ｍの（Ｎ＋１）倍、たとえば１１倍の容量を有する格納領域Ｂ０〜Ｂ１０内で任意のＭビットのメモリセル群にデータの初期値Ｖ０を格納する。 - 特許庁

In the data structure concerned with the impact accuracy of one or more droplets discharged from a discharge head, the data has one or more hierarchical structures of Dot, Line, Cell and Grid depending on a discharge step from the discharge head.例文帳に追加

吐出ヘッドから吐出した１つ以上の液滴の着弾精度に関するデータの構造であって、そのデータが吐出ヘッドからの吐出工程に合わせた１つ以上の階層構造Ｄｏｔ，Ｌｉｎｅ，Ｃｅｌｌ，Ｇｒｉｄを有する。 - 特許庁

The level correction or AGC is performed by providing a cell in which the multi-level is decreased to, not only fixed pattern area, but also a part of a data area.例文帳に追加

固定パターン領域ではなく、データ領域の一部に多値レベルを落としたセルを設けることでレベル補正或いはＡＧＣを行う。 - 特許庁

The memory comprises a memory cell 1 connected to a bit line L for holding data, and a bipolar transistor 6 whose base is connected to the bit line.例文帳に追加

このメモリは、ビット線ＢＬに接続され、データを保持するメモリセル１と、ビット線ＢＬにベースが接続されたバイポーラトランジスタ６とを備えている。 - 特許庁

Each memory cell is caused to store multi-bit data and/or can be programmed one or more times without performing any erasing process.例文帳に追加

前記メモリセルはセル当たりマルチビットデータを記憶させる、及び/又は消去プロセスを行うことなく、1回以上のプログラミングを行うことができる。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic memory device that can read data at a high speed only by accessing a selected memory cell.例文帳に追加

選択メモリセルに対するアクセスのみでデータ読出動作を実行する薄膜磁性体記憶装置において、データ読出動作を高速化する。 - 特許庁

Thereby, data can be written in a memory cell by write-in operation of two times, and write-in speed of a memory can be substantially improved.例文帳に追加

これにより、２度の書き込み動作によってメモリセルに書き込みを行うことができ、メモリの書き込み速度を大幅に向上することができる。 - 特許庁

To prevent a data destruction of a non-selecting memory cell in a ferroelectric memory by fixing plate lines of other than non-selecting address to low level.例文帳に追加

強誘電体メモリにおいて、非選択アドレス以外のプレート線をローレベルに固定することにより非選択メモリセルのデータ破壊を防止する。 - 特許庁

METHOD OF SWITCHING MAGNETIZATION ORIENTATION OF FERROMAGNETIC FREE LAYER OF OUT-OF-PLANE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELL, MAGNETIC MEMORY SYSTEM, AND METHOD OF STORING DATA ELECTRONICALLY例文帳に追加

面外磁気トンネル接合セルの強磁性自由層の磁化方向を切換える方法、磁気メモリシステムおよびデータを電子的に記憶する方法 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a memory cell array, a plurality of work lines, a plurality of bit lines, a data line, a plurality of selector circuits, a precharge circuit, and a pull-down circuit.例文帳に追加

メモリセルアレイと、複数のワード線と、複数のビット線と、データ線と、複数のセレクタ回路と、プリチャージ回路と、プルダウン回路とを備えている。 - 特許庁

When data of a memory cell MC1 connected to the bit line /BLL is read, the folded pair of bit lines BLL and /BLL are made a floating state.例文帳に追加

ビット線／ＢＬＬに接続されたメモリセルＭＣ１のデータを読出するとき、折返しビット線対ＢＬＬおよび／ＢＬＬはフローティング状態となる。 - 特許庁

To improve operability when an information processing device such as a complex device employs address data stored in an information terminal such as a cell phone.例文帳に追加

複合機等の情報処理装置が、携帯電話等の情報端末に保存されるアドレスデータを使用する際の操作性をより向上させる。 - 特許庁

To simplify control of a data write-in current in a MRAM device formed by a magnetic memory cell having magnetic tunnel junction.例文帳に追加

磁気トンネル接合部を有する磁性体メモリセルによって形成されるＭＲＡＭデバイスにおいて、データ書込電流の制御を簡略化する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage having a circuit for adjusting a data write voltage to be applied to a memory cell.例文帳に追加

メモリセルに印加するデータ書込電圧の調整を行う回路を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The sense amplifier compares a voltage of the bitline with a reference voltage by means of the boosted voltage, and reads data from the memory cell.例文帳に追加

前記センスアンプは、前記昇圧電圧を用いて前記ビットラインの電圧と基準電圧とを比較し、前記メモリセルに保持されたデータを読み出す。 - 特許庁

And when data of the noticing cell Sx is read out, a word line WLx and a pass word line WLy are simultaneously selected by a test mode.例文帳に追加

そして、注目セルＳｘのデータを読み出す際には、テストモードにより、ワード線ＷＬｘと通過ワード線ＷＬｙとを同時に選択する。 - 特許庁

Each cell comprises a source, a receiver and optionally, a half-duplex relay to relay data transmitted by the source to the receiver.例文帳に追加

各セルは、ソースと、受信機とを備え、任意選択で、ソースによって送信されたデータを受信機に中継する半二重中継器を備える。 - 特許庁

According to the method, it is possible to accurately measure the resistance of the resistive memory element immediately after recording the data into the cell of the resistive memory element.例文帳に追加

前記方法によると、抵抗メモリ素子のセルにデータを記録した直後の抵抗メモリ素子の抵抗を正確に測定することができる。 - 特許庁

Data with an address for each unit cell added to its head from the battery pack 150 is received by the communication block 161 of the body 160.例文帳に追加

電池パック１５０から各単電池のアドレスが先頭に付加されたデータが本体１６０の通信ブロック１６１によって受信される。 - 特許庁

The centralized management device 4 identifies abnormal one of the solar cell panels 1 on the basis of the state data and outputs the identification information and the positional information.例文帳に追加

集中管理装置４は、状態データから異常な太陽電池パネル１を特定し、その識別情報と位置情報とを出力する。 - 特許庁

The MTJ memory cell includes a magnetic tunnel junction part MTJ having a resistance value varying with the level of stored data and an access transistor ATR.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルは、記憶データのデータレベルに応じて抵抗値が変化する磁気トンネル接合部ＭＴＪと、アクセストランジスタＡＴＲとを備える。 - 特許庁