「dielectric function」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Power source circuits 7 which constitute the switching power sources with the magnetic dielectric elements 6 are formed on a silicon chip 3 where an IC function circuit 2 is formed.例文帳に追加

ＩＣのパッケージ４をフェライト材質として、このパッケージ内面に磁気誘電素子６を形成し、ＩＣ機能回路部２が形成されているシリコンチップ３上に磁気誘導素子６とでスイッチング電源を構成する電源回路部７を形成する。 - 特許庁

To provide ceramic electronic parts and its manufacturing method for improving the continuity of an internal electrode layer while suppressing the lowering of the adhesiveness between a dielectric layer and the internal electrode layer and the deterioration of a function of the internal electrode layer.例文帳に追加

誘電体層と内部電極層との密着性の低下及び内部電極層の機能劣化を抑制しつつ、内部電極層の連続性の向上が図られたセラミック電子部品及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor includes a control electrode containing at least a gate dielectric layer SiO on a semiconductor P-channel layer SiGe, wherein the gate dielectric layer SiO has a defect level E_t, which decreases exponentially as function of energy, from the band edges of the adjacent layer (being the semiconductor P-channel layer SiGe, or optionally a capping layer Si) toward the center of the band gap of the layer.例文帳に追加

半導体Ｐチャネル層ＳｉＧｅの上の、少なくともゲート誘電体層ＳｉＯを含む制御電極とを含む半導体であって、ゲート誘電体層ＳｉＯは、隣り合う層（半導体Ｐチャネル層ＳｉＧｅまたは任意的にキャップ層Ｓｉ）のバンドの端部から、この層のバンドギャップの中央に向かって、エネルギの関数として指数関数的に減少する欠陥レベルＥ_ｔを有する。 - 特許庁

To provide a plasma discharge reactor with a heating function which can effectively treat components in a gas gathered on the surface of a dielectric and a metal electrode, for example when a PM-containing waste gas is treated, a PM adhering to the surface of a dielectric and a metal electrode can be effectively removed and a large amount of gas can be industrially profitably treated.例文帳に追加

誘電体や金属電極表面に集まったガス中の成分を効率よくプラズマ放電反応で処理することができ、例えばＰＭ含有排ガスを処理する場合には、誘電体や金属電極表面に付着するＰＭを効率よく除去することができ、大容量のガスを工業的に有利に処理することができる加熱機能付プラズマ放電反応器を提供する。 - 特許庁

To provide a high frequency circuit for an active integrated antenna, on the dielectric board of which a conductive film is formed and which is provided with a circuit section comprising a transmission line or the like, capable of efficiently enhancing its function while ensuring the transparency.例文帳に追加

誘電体基板に導電膜を形成して伝送線路等で構成された回路部を備える高周波回路において、透明性を確保しつつ効率よく機能を発揮する能動集積アンテナ用高周波回路を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning solution for lithography, the liquid having excellent corrosion suppression function in relation to an ILD (interlayer dielectric) material and excellent removal performance in relation to a resist film and a bottom antireflection coating film, and to provide a method for forming a wiring line by using the cleaning solution for lithography.例文帳に追加

ＩＬＤ材料に対する腐食抑制機能に優れ、かつ、レジスト膜及び下層反射防止膜の除去性能にも優れたリソグラフィー用洗浄液、及びこのリソグラフィー用洗浄液を用いた配線形成方法を提供する。 - 特許庁

A dielectric layer 161 is provided between a conductor circuit 58 on the lower surface of an interlayer resin insulating layer 150 and a conductor circuit 159 on the upper surface thereof wherein the conductor circuits 58 and 159 function as counter electrodes thus constituting a capacitor.例文帳に追加

層間樹脂絶縁層１５０の下面の導体回路５８と上面の導体回路１５９との間に誘電体層１６１が設けられ、導体回路５８，１５９が対向電極として機能することでコンデンサが構成されている。 - 特許庁

To suppress low the amount of variation of threshold voltage by suppressing variation of a work function when adopting a high dielectric gate insulating film and a metal gate electrode, and hence restrain the increase of a gate leak current for preventing reliability from being lowered.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜やメタルゲート電極を採用する場合に、仕事関数の変動を抑えて閾値電圧の変動量を低く抑えることができるようにし、ゲートリーク電流の増大を抑えて、信頼性の低下を招かないようにする。 - 特許庁

A capacitor has an electrode based on an n-type semiconductor of which the work function is 5.0 eV or more, preferably, 5.5 eV or more, provided in contact with one face of a dielectric and having nitrogen and at least one of indium, tin or zinc.例文帳に追加

誘電体の一つの面に接して設けられた、インジウム、錫あるいは亜鉛の少なくとも一つと窒素とを有する仕事関数が５．０電子ボルト以上、好ましくは５．５電子ボルト以上のｎ型半導体による電極を有するキャパシタである。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element in which an image persistence phenomenon due to ionic impurities is corrected, as the liquid crystal display element having a liquid crystal composition with negative dielectric anisotropy and a liquid crystal alignment layer with a nearly vertically aligning function.例文帳に追加

負の誘電率異方性を持つ液晶組成物と略垂直配向機能を持つ液晶配向膜とを有する液晶表示素子において、イオン性不純物による焼付き現象改善した液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

An optical function element 40 has a layered structure wherein at least two kinds of dielectric layers having refractive indices different from one another are alternately layered and the refractive indices are made to be variable by voltage applied to electrode layers provided to both surfaces of the layered structure.例文帳に追加

互いに異なる屈折率を有する少なくとも２種類の誘電体層が交互に積層された積層構造を有し、この積層構造の両面に設けられた電極層への印加電圧によって屈折率可変に構成されている光機能素子４０。 - 特許庁

To decrease the number of etching processes and to avoid the occurrence of etching damage when a suitable threshold voltage is actualized by adjusting an effective work function of a complementary transistor employing a high dielectric constant film with respect to a semiconductor device and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、高誘電率膜を用いた相補型トランジスタの実効仕事関数を調整して適切なしきい値電圧を実現する際に、エッチング工程数を低減するとともに、エッチングダメージの発生を回避する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device which can prevent a formed film from containing nitrogen while keeping the function of a low-dielectric-constant film and suppress the content of nitrogen to such a degree that it does not affect the bridging reaction of resist.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜の機能を維持しつつ、形成膜中に窒素を含まないようにし、或いはレジストの架橋反応に影響を与えない程度に窒素含有量を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

In the function circuit portion and the line converter, the upside and the underside electrodes 30a and 30b of the dielectric substrate 3 where the strip conductor 50 is formed are conducted by the through hole, so that a suspended line is formed by the strip conductor 50 and the upper and lower conductor boards 1 and 2.例文帳に追加

機能回路部および線路変換部では、ストリップ導体５０が形成されている誘電体基板３の上下面電極３０ａ，３０ｂはスルーホールにより導通されることで、ストリップ導体５０と上下導体板１，２とでサスペンデッドラインが形成される。 - 特許庁

To improve desorption property and repeatability and to detect the category of a specimen gas and concentration thereof simultaneously by using relative interaction (physical adsorption) of an adsorption molecule to an insulating layer and the function of detecting dielectric property thereof.例文帳に追加

絶縁体層への吸着分子の比較的弱い相互作用（物理吸着）と誘電性を検出する機能を利用することにより、脱離性や繰り返し性を向上させることと、検体ガスの種類とその濃度を同時的に検出する事を可能にする。 - 特許庁

The radio wave absorber 10 comprises a dielectric 15 having one side on which a radio wave absorbing surface 12 exhibiting a phase regulating function is formed and the opposite side on which a radio wave reflecting surface 14 is formed.例文帳に追加

誘電体１５を有し、該誘電体１５の一方の表面には位相調整機能を有する電波吸収面１２が形成され、電波吸収面１２とは反対側の誘電体１５表面には電波反射面１４が形成されている電波吸収体１０。 - 特許庁

To provide a method for forming a boron nitride film by which film quality is improved by suppressing an impurity, adhesiveness to a substrate is improved, and further, characteristics of a specific dielectric constant, a metal spread preventing function and mechanical strength are balanced at a high level.例文帳に追加

不純物を抑制して膜質を向上させると共に、基板に対する密着性を向上させ、更には比誘電率、金属拡散防止機能及び機械的強度の特性について、高いレベルでバランスをとった窒化ホウ素膜を成膜可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

The extending direction of the slot 3 is same as a normal direction of a substrate end surface of the dielectric substrate 1 which becomes an antenna opening portion 5, and the two hyperbolic tangent function curves for configuring the tapered portion 4a are asymmetry about a center axis of the slot 3.例文帳に追加

スロット３の伸長方向は、アンテナ開口部５となる誘電体基板１の基板端面の法線方向と同一方向であり、かつ、テーパー部４ａを構成する２本の双曲線正接関数曲線は、スロット３の中心軸に関して非対称となっている。 - 特許庁

A switching circuit constituting a circuit system is consider to function to excite an isolated electromagnetic wave, and a low-impedance-loss line which has much less characteristic impedance than a signal transmission line and has relatively large loss nearby a dielectric is used for a power distribution circuit connected to the switching circuit.例文帳に追加

回路システムを構成するスイッチング回路の機能を孤立電磁波の励起作用とし、前記スイッチング回路に接続される電源分配回路に、特性インピーダンスが信号伝送用線路に比べて充分低く誘電体近傍での損失が比較的大きい低インピーダンス損失線路を使用する。 - 特許庁

This invention provides the metal compound which is a p-type metal having a work function of about 4.75-5.3 eV, preferably about 5 eV and comprises MO_xN_y stable to heat on the gate stack comprising the high-k dielectric and an interface layer, and a method for manufacturing the MO_xN_y metal compound.例文帳に追加

仕事関数が約４．７５から約５．３、好ましくは約５ｅＶであるｐ型金属であり、高ｋ誘電体とインタフェース層とを含むゲート・スタック上で熱に対して安定なＭＯ_ｘＮ_ｙを含む金属化合物、およびこのＭＯ_ｘＮ_ｙ金属化合物を製作する方法が提供される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, including an MISFET that contains a gate insulating film of high dielectric constant, capable of controlling a threshold voltage to a shallow value with ease, based on the relation between the work function of a metal gate material and that of the semiconductor substrate, and to provide a manufacturing method for the device.例文帳に追加

高誘電率膜のゲート絶縁膜を含むＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置に関し、メタルゲート材料の仕事関数と半導体基板の仕事関数との間の関係によって閾値電圧を容易且つ浅い値に制御しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

On a high dielectric constant gate insulation film 5, a first gate electrode layer 6 containing a metal having a work function capable of controlling the threshold voltage of a transistor is deposited, and a second gate electrode layer 7, composed of a material being machined easily in the vertical direction by dry etching, is deposited on the first gate electrode layer 6.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜５上に、トランジスタの閾値電圧を制御できる仕事関数を有する、金属を含む第１ゲート電極層６を堆積し、第１ゲート電極層６上にドライエッチングで垂直に加工し易い材料からなる第２ゲート電極層７を堆積する。 - 特許庁

To obtain a desired work function by especially suppressing a reaction between a high dielectric constant material and a gate electrode material, which causes a fermi level pinning phenomenon, and to increase uniformity and yield in a CMOS transistor structure employing a full silicide gate or a metal gate.例文帳に追加

フルシリサイドゲート又はメタルゲートを用いたＣＭＯＳトランジスタ構造であって、特にフェルミ・レベル・ピニング現象の原因となる高誘電率材料とゲート電極材料との反応を抑制して所望の仕事関数を得られるようにし、且つ均一性及び歩留まりを高くできるようにする。 - 特許庁

The method for adjusting a work function of a silicide gate electrode includes steps of providing at least one semiconductor material containing lanthanide, Si, and G or SiGe and a layer including metal on a gate dielectric substance and converting the layer into a silicide gate electrode.例文帳に追加

本発明のシリサイド化されたゲート電極の仕事関数の調節方法は、少なくとも１つのランタニドと、Ｓｉ、Ｇ、またはＳｉＧｅを含む半導体材料と、金属を含む層をゲート誘電体上に設けるステップと、前記層をシリサイド化されたゲート電極に変換するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a base material on which patterns are formed which can reduce surface reflection without forming any dielectric film and prevent a pickup function from decreasing and its metal mold, an optical pickup device, an electron beam lithography, a base material drawn thereon by the method, and an electron beam lithographic device.例文帳に追加

本発明は、誘電体膜を形成することなく表面反射の低減を図ることができ、ピックアップ機能の低下を防止することのできる被描画基材、その金型、光ピックアップ装置、電子ビーム描画方法、その方法にて描画された基材、及び電子ビーム描画装置を提供する。 - 特許庁

A laminate body 12 is prepared that is formed by laminating a plurality of valve action metal foils 14 and 15 that function as a positive electrode and in which an oxide film 18 that functions as a dielectric body is provided on a surface, through gaps g1 to g6.例文帳に追加

陽極として機能する複数の弁作用金属箔１４，１５であって、誘電体として機能する酸化膜１８が表面上に設けられている複数の弁作用金属箔１４，１５が、隙間ｇ１〜ｇ６を介して積み重ねられてなる積層体１２を準備する。 - 特許庁

At the time of providing, for example, hole sections 15 in marker forming parts outside the patterns 14, the hole sections 15 function as the markers of the dielectric printed sheets when the paste 13 is printed in such patterns that are designed to prevent the paste 13 from being printed.例文帳に追加

また、誘電体パターン１４の外側の、マーカー形成部分に、例えば孔部１５を設ける等、誘電体ペースト１３が印刷されないように設計された印刷パターンで、誘電体ペースト１３を印刷することにより、この孔部１５が、誘電体印刷シートのマーカーとして機能する。 - 特許庁

A plurality of valve action metal foils 14 and 15 that function as a positive electrode and of which an oxide film 18 that functions as a dielectric body is formed on the surface are laminated through gaps g1 to g6, and a welded laminate body 12 is prepared.例文帳に追加

陽極として機能する複数の弁作用金属箔１４，１５であって、誘電体として機能する酸化膜１８が表面上に設けられている複数の弁作用金属箔１４，１５が、隙間ｇ１〜ｇ６を介して積み重ねられると共に、溶接されてなる積層体１２を準備する。 - 特許庁

An optical disk of the multiple layer structure equipped with a first recording layer 12 having the functions of optical reflection and transmission, and a second recording layer 15 having only an optical reflection function, is provided with a transparent dielectric layer 13 disposed adjacent to the first recording layer 12 and imparting a multiplex interference effect against an irradiating light beam.例文帳に追加

光の反射および透過機能を有する第１記録層１２と、光の反射機能のみを有する第２記録層１５とを備えた多層構造の光ディスクにおいて、上記第１記録層１２と隣接して配置され、照射される光線に対して多重干渉効果を与える透明誘電体層１３を備える。 - 特許庁

Thus, the insulating film forming apparatus 1 can easily form, in short time, the nitrided hafnium silicate film 76 which can function as high dielectric constant gate insulating film by performing the deposition treatment of the hafnium fine particles 73 onto the substrate 70 and the irradiation treatment with the active particles 74 composed of nitrogen plasma onto the substrate 70.例文帳に追加

この結果絶縁膜形成装置１は、基板７０へのハフニウム微粒子７３の堆積処理及び窒素プラズマでなる活性粒子７４の照射処理を行うことにより、高誘電率ゲート絶縁膜として機能し得る窒化ハフニウムシリケート膜７６を短時間で容易に形成することができる。 - 特許庁

To provide the improved polyester-based film for a capacitor which complies with the demands for the size reduction, weight reduction, and cost reduction of electronic equipment, gives an packaging function to a dielectric polyester film without increasing the size and weight of an armor, and has superior adhesive strength based upon thermal adhesive resin.例文帳に追加

電子機器の小型化、軽量化およびコストダウンの要求を満足し、外装の寸法および重量を増大させることなく誘電体のポリエステルフィルムに外装機能を付与し、熱接着性樹脂による優れた密着性を有し、かつ、改善されたブロッキング特性を有するコンデンサー用ポリエステル系フィルムを提供する。 - 特許庁

The optical function element includes a light emitting element 12 as a light source, a dielectric substrate 14 having an optical waveguide 20 formed, and a light receiving element 16 which converts light into electricity, wherein light from the light emitting element 12 is modulated with an external electric signal and the modulated light is output in the form of an electric signal through the light receiving element 16.例文帳に追加

光源としての発光素子１２と、光導波路２０が形成された誘電体基板１４と、光を電気に変換する受光素子１６と、を備えて、発光素子１２からの光を外部電気信号によって変調し、その変調された光を受光素子１６により電気信号として出力する。 - 特許庁

A switching circuit constituting a circuit system is considered to function to excite an isolated electromagnetic wave, and a low-impedance-loss line which has much less characteristic impedance than a signal transmission line and has relatively large dielectric loss of an insulating material constituting the line is used for a power distribution circuit connected to the switching circuit.例文帳に追加

回路システムを構成するスイッチング回路の機能を孤立電磁波の励起作用とし、前記スイッチング回路に接続される電源分配回路に、特性インピーダンスが信号伝送用線路に比べて充分低く、線路を構成する絶縁材料の誘電体損失が比較的大きい低インピーダンス損失線路を使用する。 - 特許庁

Thus, the insulation film forming apparatus 1 can form the nitrided hafnium silicate film 76 that can function as a high dielectric constant gate insulation film easily in a short time by performing a process of depositing the hafnium fine particles 73 on the substrate 70 and a process of emitting the active particles 74 consisting of a nitrogen plasma thereto.例文帳に追加

この結果絶縁膜形成装置１は、基板７０へのハフニウム微粒子７３の堆積処理及び窒素プラズマでなる活性粒子７４の照射処理を行うことにより、高誘電率ゲート絶縁膜として機能し得る窒化ハフニウムシリケート膜７６を短時間で容易に形成することができる。 - 特許庁

When a plurality of stacked ceramic substrates 13a to 13g are sintered to form the ceramic package 13, a counter electrode 20 is formed with the ceramic substrate 13g interposed and then the ceramic substrate 13g is enabled to function as a dielectric, so that the capacitor 21 is incorporated in the ceramic package 13.例文帳に追加

積層した複数のセラミック基板１３ａ〜１３ｇを焼結してセラミックパッケージ１３を形成する際に、セラミック基板１３ｇを挟むように対向電極２０を形成しておくことによりセラミック基板１３ｇを誘電体として機能させるようにしたので、セラミックパッケージ１３にコンデンサ２１を内蔵することができる。 - 特許庁

The optical disk having the multilayered structure provided with a first reflective layer 12 having reflecting and transmitting functions of light and a second reflective layer 15 having only the reflecting function of light is provided with a transparent dielectric layer 13 which is arranged to be adjacent to the first reflective layer 12 and which gives multiplex interference effect to a light beam irradiating the layer 13.例文帳に追加

光の反射および透過機能を有する第１反射層１２と、光の反射機能のみを有する第２反射層１５とを備えた多層構造の光ディスクにおいて、上記第１反射層１２と隣接して配置され、照射される光線に対して多重干渉効果を与える透明誘電体層１３を備える。 - 特許庁

To provide a capacitor element having the prescribed capacitance in a laminated composite device in which one or more circuit element patterns are formed on the surfaces of dielectric layers, and the circuit element patterns formed on the circuit element layers are interconnected to constitute an electronic circuit which displays a prescribed function.例文帳に追加

各回路素子層は、誘電体層の表面に、１或いは複数の回路素子パターンを形成してなり、複数の回路素子層に形成された複数の回路素子パターンが互いに接続されて、所定の機能を発揮すべき電子回路を構成している積層型複合デバイスにおいて、所期のキャパシタンスを得ることが出来るコンデンサ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a plasmon excitation sensor which allows an analyte in a specimen to be more efficiently coupled therewith by providing a porous dielectric layer having a function as a flow path on a surface thereof and allows high-sensitivity measurement by the synergistic effect of this efficient coupling and an improved electric field enhancement effect, and to provide a detection method employing the plasmon excitation sensor.例文帳に追加

本発明は、プラズモン励起センサ表面上に流路としての機能を有する多孔質誘電体層を設けることにより、検体中のアナライトをより効率的にセンサに結合させることができ、さらに、向上した電場増強効果との相乗効果によって高感度な測定を可能とする、プラズモン励起センサおよびこれを用いた検出方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The magnetic sensor includes a first metal layer 8 made of Ti or Ti-based material disposed on a semiconductor circuit 1 via a dielectric film 4, a second metal layer 9 made of Cu or Cu-based material disposed on the first metal layer 8, and the magnetic material 11 with a magnetic amplification function disposed on the second metal layer 9.例文帳に追加

本発明の磁気センサは、半導体回路１上に絶縁膜４を介して設けられたＴｉ又はＴｉ系材料からなる第１の金属層８と、この第１の金属層８上に設けられたＣｕ又はＣｕ系材料からなる第２金属層９と、この第２の金属層９上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体１１とを備えている。 - 特許庁

A Lewis base molecule 14 having a positive dielectric constant anisotropy or a dipole moment in the direction of a long axis is arranged like a pendant by means of a metallic ion 3 functioning as Lewis acid against a linear or membranous standard molecule 2 having a conjugated system and exhibiting conductivity, and an electric field is applied to change conformation so that a functional molecular device 1 expressing a function.例文帳に追加

共役系を有し、導電性を示す線状又は膜状の基軸分子２に対して、ルイス酸として働き得る金属イオン３を介して、正の誘電率異方性を有するか、又は分子の長軸方向に双極子モーメントを有するルイス塩基分子１４をペンダント状に配置して、電界の印加によってコンフォメーションが変化して機能を発現する機能性分子素子１を形成する。 - 特許庁