「diffusion potential」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The potential of the floating diffusion 14 at that time is acquired by a readout circuit 25.例文帳に追加

そのときのフローティングディフュージョン１４の電位を読み出し回路２５により取得する。 - 特許庁

The potential of the floating diffusion layer 14 at this time is acquired through a readout circuit 25.例文帳に追加

そのときのフローティングディフュージョン１４の電位を読み出し回路２５により取得する。 - 特許庁

Then, the carbon potential in the carburizing chamber is reduced to the second carbon potential lower than the first carbon potential by the carbon potential adjusting mechanism, and the second carbon potential is maintained for the predetermined time to allow the workpiece to be subjected to diffusion treatment.例文帳に追加

また、カーボンポテンシャル調節機構によって、浸炭室のカーボンポテンシャルを第一のカーボンポテンシャルよりも低い第二のカーボンポテンシャルに低下させ、第二のカーボンポテンシャルを所定の時間保持した状態で、被処理体に拡散処理を行う。 - 特許庁

A fourth source-drain diffusion layer 22B is electrically connected to a second diffusion layer 27 and has the same potential as that of the second well 52 and that of the second diffusion layer 27.例文帳に追加

第４のソース・ドレイン拡散層２２Ｂは、第２の拡散層２７と電気的に接続され且つ第２のウェル５２及び第２の拡散層２７と同電位である。 - 特許庁

A voltage source 11a applies a potential higher than that of an n^+ diffusion layer 41c to the p^+ diffusion layer 43c of the cell to be driven.例文帳に追加

電圧源１１ａは、駆動対象のセル中のＰ^＋拡散層４３ｃに対して、Ｎ^＋拡散層４１ｃよりも高い電位を与える。 - 特許庁

The gate electrodes 4, drain diffusion layer 5, and source diffusion layer 6 of the transistor are connected to a word line 9, bit line 8, and fixed potential line, respectively.例文帳に追加

トランジスタのゲート電極４はワード線９に、ドレイン拡散層５はビット線８に、ソース拡散層６は固定電位線にそれぞれ接続される。 - 特許庁

A second source-drain diffusion layer 21B is electrically connected to a third source-drain diffusion layer 22A, and has the same potential as that of the first well 51.例文帳に追加

第２のソース・ドレイン拡散層２１Ｂは、第３のソース・ドレイン拡散層２２Ａと電気的に接続され且つ第１のウェル５１と同電位である。 - 特許庁

Potential is supplied to a diffusion layer via a contact by using a cell which has the diffusion layer, a contact provided in almost perpendicular direction of the diffusion layer inside a wiring layer A different from the diffusion layer, and vertical wiring which passes through an intermediate layer between the diffusion layer and the wiring layer (a) and connects the diffusion layer and the contact.例文帳に追加

拡散層、拡散層と異なる配線層Ａ内であって拡散層の略鉛直方向に設けられた接点、及び、拡散層及び配線層ａの間の中間層を貫通し、拡散層と接点とを接続する垂直配線を備えるセルを用いて、拡散層に対して接点を介して電位を供給する。 - 特許庁

To suppress a potential difference after a floating diffusion part, where a plurality of photoelectric converting elements are connected, is reset, and to prevent picture quality from being deteriorated owing to the potential difference.例文帳に追加

複数の光電変換素子が接続されたフローティングディフュージョン部のリセット後の電位差を抑制し、それに起因する画質劣化を防止できるようにする。 - 特許庁

To provide a highly integrated semiconductor device, and its fabricating method, in which the identical potential can be applied to a well in units of potential being applied to an impurity diffusion layer and the well potential can be stabilized.例文帳に追加

不純物拡散層へ電位を与える単位で、ウエルへ同一電位を与えることができ、ウエル電位を安定化し、高集積化された半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus that stabilizes the potential of a floating diffusion region and has a low noise characteristics.例文帳に追加

フローティングディフュージョン領域の電位を安定させ、低ノイズ特性を有する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

Formation of a mask can be facilitated by employing an identical pattern in the diffusion layer constituting the source potential connection transistor and in the diffusion layer of a memory cell transistor.例文帳に追加

また、ソース電位接続トランジスタを構成する拡散層の形状をメモリセルトランジスタの拡散層の形状と同一パターンにすることで、マスク作成の容易化を実現できる。 - 特許庁

Then, a noise signal is outputted, and then the potential held in the N-type floating diffusion region FD is transferred to an N-type floating diffusion region FD1 so that an image signal is outputted.例文帳に追加

そして、ノイズ信号を出力した後、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤに保持したポテンシャルをＮ型浮遊拡散層ＦＤ１に転送し、画像信号を出力する。 - 特許庁

To enable reduction of a layout area in a CMOS circuit having a source diffusion layer and a well region having the same potential as the diffusion layer.例文帳に追加

本発明は、ソース拡散層がウェル領域の電位と同電位になるＣＭＯＳ回路において、レイアウト面積を減少できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

A second diffusion region 104 for supplying a substrate or well potential is provided separately from a first diffusion region 102 for forming a source of a transistor.例文帳に追加

トランジスタのソースを形成する第１の拡散領域１０２と分離して、基板またはウェル電位を給電するための第２の拡散領域１０４を設けている。 - 特許庁

Other ends of the photoelectric conversion part (1) and floating diffusion part (3) are connected to a P well at a pixel part, but the P well is supplied with a potential (a) lower than the GND potential.例文帳に追加

その光電変換部（１）及びフローティングディフュージョン部（３）の他端は画素部のＰウェルに接続されるが、そのＰウェルにＧＮＤ電位より低い電位ａを供給する。 - 特許庁

A potential class extraction part 5 operates potential class extraction by applying a method such as known EM algorithm or deterministic annealing EM algorithm to the diffusion approximation matrix A".例文帳に追加

潜在クラス抽出部５は、前記離散化近似行列A''に既知のEMアルゴリズムや確定的アニーリングEMアルゴリズムなどの手法を適用して潜在クラス抽出を行う。 - 特許庁

A p^- diffusion layer 11 and a p^+ diffusion layer 12 contacting it are formed right below the high-potential wiring 9 in contact with an n drain buffer layer 10 to lower electric field intensity of an insulating film 44a that the high-potential wiring 9 crosses.例文帳に追加

高電位配線９の直下にｎドレインバッファ層１０と接してｐ^-拡散層１１とこれに接するｐ^+拡散層１２を形成することで、高電位配線９が横切る絶縁膜４４ａの電界強度を低下できる。 - 特許庁

A control voltage VT whose potential is higher than the potentials of the p^+ diffusion regions 2 and 3 is applied to the n well 1.例文帳に追加

ｎウェル１に，ｐ^+ 拡散領域２，３の電位より高電位な制御電圧ＶＴが印加されるようにする。 - 特許庁

The power supply potential is fed to the source node of the MIS transistor by using two layers of the diffusion layer and the wiring layer.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタのソースノードに給電される電源電位が拡散層と配線層の２層を用いて行われる。 - 特許庁

The n-type diffusion area 12 and the p-type diffusion area 17 correspond to body contact areas for setting the back gate potential levels of the PMOS transistor and the NMOS transistor.例文帳に追加

Ｎ型拡散領域１２及びＰ型拡散領域１７はＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタのバックゲート電位設定用に設けられたボディコンタクト領域に相当する。 - 特許庁

A first output amplifier 20 whose input terminal is connected to the floating diffusion 16 impedance-converts the potential fluctuation of the floating diffusion 16 and generates output signals Y(t).例文帳に追加

第１の出力アンプ２０は、その入力端子がフローティングディフュージョン１６に接続され、フローティングディフュージョン１６の電位変動をインピーダンス変換して出力信号Ｙ(t)を生成する。 - 特許庁

The gate electrode 32 of the transfer part 1 and the stray diffusion region 22 of the signal charge accumulation part 7 are capacitive coupled, so that the electrostatic potential of the stray diffusion region 22 becomes deep.例文帳に追加

転送部１のゲート電極３２と信号電荷蓄積部７の浮遊拡散領域２２とが、この浮遊拡散領域２２の静電ポテンシャルが深くなるように容量結合している。 - 特許庁

Consequently, it is possible to make the channel potential of a horizontal CCD register shallower than the reset potential of the floating diffusion while maintaining the handling charge amount of the image sensing part and the accumulation part.例文帳に追加

これにより、撮像部及び蓄積部の取扱電荷量を維持したまま、水平ＣＣＤレジスタのチャネル電位を、フローティングディフュージョンのリセット電位より浅くすることができる。 - 特許庁

To promote microfabrication of a semiconductor device in which the potential of a source diffusion layer is made equal with that of a well region (semiconductor wafer).例文帳に追加

ソース拡散層とウェル領域（半導体基板）との電位を同電位とする半導体装置の微細化を促進させる。 - 特許庁

The readout circuit 116 includes a floating diffusion FD electrically connected to the photoelectric conversion layer, a reset transistor 204 which resets a potential of the FD to a reset potential, and an output transistor 205 which outputs a signal corresponding to the potential of the FD.例文帳に追加

読出し回路１１６は、光電変換層と電気的に接続されたフローティングディフュージョンＦＤと、ＦＤの電位をリセット電位にリセットするリセットトランジスタ２０４と、ＦＤの電位に応じた信号を出力する出力トランジスタ２０５とを含む。 - 特許庁

Then a transfer transistor 12 is turned off to hold the floating diffusion layer 14 at reset potential and this state is maintained for a specified time.例文帳に追加

次いで転送トランジスタ１２をオフにして、フローティングディフュージョン１４をリセット電位にし、その状態を所定の時間だけ保持する。 - 特許庁

Next, a transfer register 12 is turned off, the floating diffusion 14 is set to a reset potential and a state is maintained by a predetermined time interval.例文帳に追加

次いで転送トランジスタ１２をオフにして、フローティングディフュージョン１４をリセット電位にし、その状態を所定の時間だけ保持する。 - 特許庁

The N-type guard band diffusion layer NGB1 is connected to the power supply potential of a random logic region 2 by sufficient low resistance wiring.例文帳に追加

Ｎ型ガードバンド拡散層ＮＧＢ１は、十分な低抵抗の配線により、ランダムロジック領域２の電源電位と接続される。 - 特許庁

Thus, the N-type well 25 will always be at the same potential as the N-type diffusion layer 26, without having to connect metal wiring 45 to the N-type well 25.例文帳に追加

このため、Ｎウエル２５に金属配線４５を接続しなくても、Ｎウエル２５はＮ拡散層２６と常に同電位となる。 - 特許庁

The electron potential energy of the lower-part diode impurity layer 41 in an initial state is higher than that of the floating diffusion layer 43.例文帳に追加

下部ダイオード不純物層４１の初期状態における電子ポテンシャルエネルギーは、浮遊拡散層４３の電子ポテンシャルエネルギーよりも高い。 - 特許庁

By electrically connecting the transfer gate TG2 to an N-type floating diffusion region FD1, a potential is changed in accordance with the amount of photogenerated charge transferred to the N-type floating diffusion region FD1.例文帳に追加

この転送ゲートＴＧ２が、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤ１と電気的に接続されることによって、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤ１に転送される光電荷量に応じてポテンシャルが変化する。 - 特許庁

An N-well 2 is formed on the surface of a P-type silicon substrate 1, and an N^+-diffusion area 3 (N-well potential control electrode) and P^+-diffusion area 4 (anode) are formed on the surface of the N-well.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の表面にＮウエル２を形成し、Ｎウエル２の表面にＮ^＋拡散領域３（Ｎウエル電位制御用電極）及びＰ^＋拡散領域４（アノード）を形成する。 - 特許庁

To solve the problem wherein transfer efficiency from a horizontal CCD register to the floating diffusion deteriorates in a CCD solid-state imaging element since the reset potential of the floating diffusion becomes shallow when the driving voltage is lowered for the output part.例文帳に追加

ＣＣＤ固体撮像素子において、出力部の駆動電圧を下げると、フローティングディフュージョンのリセット電位が浅くなり、水平ＣＣＤレジスタからフローティングディフュージョンへの転送効率が劣化する。 - 特許庁

An n+diffusion region 14 to which a high potential is to be applied is formed in the n-type semiconductor region 3 and is electrically connected with the n-diffusion region 5 by wiring 20 having a resistor R.例文帳に追加

ｎ-型半導体領域３の領域には、高電位が印加されるｎ+拡散領域１４が形成され、抵抗Ｒを有する配線２０によってｎ-拡散領域５と電気的に接続されている。 - 特許庁

The charge transfer transistor has first and second diffusion regions, a gate for controlling charge transfer from the first diffusion region to the second diffusion region by a control signal, and a potential well integrated with the lower portion of the gate wherein the first diffusion region is a pinned photodiode.例文帳に追加

本発明の電荷転送トランジスタは、第１の拡散領域及び第２の拡散領域と、制御信号により、前記第１の拡散領域から第２の拡散領域への電荷転送を制御するゲートと、該ゲートの下部に統合された電位井戸とを備え、前記第１の拡散領域がピンドフォトダイオードであることを特徴とする。 - 特許庁

The amplifier for charge transfer devices comprises a floating diffusion section 22 for accumulating signal charges; and an amplification circuit for outputting a signal, corresponding to the change in the potential of the floating diffusion section 22, and the floating diffusion section 22 is connected to a gate 24 in one transistor which is included in the amplifying circuit via a diffusion-preventing film 34.例文帳に追加

信号電荷を蓄積するフローティングディフュージョン部２２と、フローティングディフュージョン部２２の電位変化に応じた信号を出力する増幅回路と、を備え、フローティングディフュージョン部２２が、増幅回路に含まれる１つのトランジスタのゲート電極２４に、拡散防止膜３４を介して接続されている。 - 特許庁

In a P channel MOS transistor having a P+ type source diffusion layer 22 and an N well region 12 both having an identical potential, for example, the source diffusion layer 22 and an N+ type substrate diffusion layer 23 of a diffusion region different in type from the layer 22 are formed on a surface of the N well region 12 at a location corresponding to the source region.例文帳に追加

たとえば、Ｐ^+ 型ソース拡散層２２とＮウェル領域１２とが同電位になるＰチャネルＭＯＳトランジスタにおいては、Ｎウェル領域１２の表面部のソース領域に対応する部位に、ソース拡散層２２と、ソース拡散層２２とは異種拡散領域となるＮ^+ 型基板拡散層２３とを形成する。 - 特許庁

A pixel 4 has a floating diffusion FD for receiving charges from a photodiode PD, an amplifier transistor AMP for output of signals according to the voltage potential of the floating diffusion FD, a transfer switch TX for transferring the charges to the floating diffusion from the photodiode PD, a reset switch RES for resetting the voltage potential of the floating diffusion FD, and a selection switch SEL for selecting readout rows.例文帳に追加

画素４は、フォトダイオードＰＤからの電荷を受け取るフローティングディフュージョンＦＤと、フローティングディフュージョンＦＤの電位に応じた信号を出力する増幅トランジスタＡＭＰと、フォトダイオードＰＤから前記フローティングディフュージョンに電荷を転送する転送スイッチＴＸと、フローティングディフュージョンＦＤの電位をリセットするリセットスイッチＲＥＳと、読み出し行を選択するための選択スイッチＳＥＬとを有する。 - 特許庁

To provide an electrode modifying film which does not obstruct the diffusion of a measuring target substance to an electrode, can control the diffusion only of an impurity substance or can separate the measuring potential of the measuring target substance and the measuring potential of the impurity substance and has good adhesion.例文帳に追加

測定対象物質の電極上への拡散を阻害せず、夾雑物質のみの拡散を制御することのできる、或いは、測定対象物質の測定電位と夾雑物質の測定電位を分離させることのでき、かつ密着性の良い電極修飾膜を提供する。 - 特許庁

The first and second diodes share a first diffusion layer connected to the ground potential line, and the third and fourth diodes share a second diffusion layer which is connected to the power supply voltage line and has a different conductivity property from the first diffusion layer.例文帳に追加

第１および第２のダイオードは、接地電位線に接続された第１の拡散層を共有し、第３および第４のダイオードは、電源電圧線に接続された、第１の拡散層とは異種の導電性の第２の拡散層を共有している構成である。 - 特許庁

By doing this, a potential load becomes light, the potential of the transfer gate may be pushed up similarly to a charge generator 32 when the potential of the generator 32 is pushed up, and signal charges of the generator 32 can be prevented from leaking to a floating diffusion 38.例文帳に追加

これによりポテンシャル負荷が軽くなり、電荷生成部３２のポテンシャルが押し上げられたとき、転送ゲート部のポテンシャルが電荷生成部３２と同様に押し上げられるようになり、電荷生成部３２の信号電荷はフローティングディフュージョン３８へは漏れ出さなくなる。 - 特許庁

In the first wiring layer, reinforcing wiring 106 for preventing a potential drop in the second diffusion region 104 is provided in the overlaps of the second diffusion region 104 and the VSS wiring 108.例文帳に追加

第１の配線層において、第２の拡散領域１０４およびＶＳＳ配線１０８と重なる部分に、第２の拡散領域１０４における電位降下を防ぐための補強用配線１０６が設けられている。 - 特許庁

A potential difference between the negative electrode of the solid electrolyte secondary cell and the diffusion layer (g) is fixed so as to be equal to or larger than a potential difference between the negative and positive electrodes of the solid electrolyte secondary cell.例文帳に追加

固体電解質二次電池の負極に対する拡散層ｇの電位差は、固体電解質二次電池の負極に対する正極の電位差と同じか、またはそれ以上の電位差で固定されている。 - 特許庁

The ESD protection circuit 110 includes a bipolar transistor 121 comprising a first diffusion layer 115 of a first conductive type connected to a high potential power supply VDD, a second diffusion layer 114B of a second conductive type connected to a low potential power supply VSS, and a third diffusion layer 14A of the second conductive type connected to an input/output pad 101.例文帳に追加

本発明によるＥＳＤ保護回路１１０は、高電位電源ＶＤＤに接続される第１導電型の第１拡散層１１５と、低電位電源ＶＳＳに接続される第２導電型の第２拡散層１１４Ｂと、入出力パッド１０１に接続される第２導電型の第３拡散層１４Ａとによって形成されるバイポーラトランジスタ１２１を具備する。 - 特許庁