「diffusion potential」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The potential of the floating diffusion layer 14 at this time is acquired through a readout circuit 25.例文帳に追加

そのときのフローティングディフュージョン１４の電位を読み出し回路２５により取得する。 - 特許庁

The potential of the floating diffusion 14 at that time is acquired by a readout circuit 25.例文帳に追加

そのときのフローティングディフュージョン１４の電位を読み出し回路２５により取得する。 - 特許庁

Furthermore, the impurity concentration can be kept low with a diffusion potential kept low.例文帳に追加

また、不純物濃度を低く抑えることができ、拡散電位を低く抑えることができる。 - 特許庁

A p^- diffusion layer 11 and a p^+ diffusion layer 12 contacting it are formed right below the high-potential wiring 9 in contact with an n drain buffer layer 10 to lower electric field intensity of an insulating film 44a that the high-potential wiring 9 crosses.例文帳に追加

高電位配線９の直下にｎドレインバッファ層１０と接してｐ^-拡散層１１とこれに接するｐ^+拡散層１２を形成することで、高電位配線９が横切る絶縁膜４４ａの電界強度を低下できる。 - 特許庁

Then, the carbon potential in the carburizing chamber is reduced to the second carbon potential lower than the first carbon potential by the carbon potential adjusting mechanism, and the second carbon potential is maintained for the predetermined time to allow the workpiece to be subjected to diffusion treatment.例文帳に追加

また、カーボンポテンシャル調節機構によって、浸炭室のカーボンポテンシャルを第一のカーボンポテンシャルよりも低い第二のカーボンポテンシャルに低下させ、第二のカーボンポテンシャルを所定の時間保持した状態で、被処理体に拡散処理を行う。 - 特許庁

A fourth source-drain diffusion layer 22B is electrically connected to a second diffusion layer 27 and has the same potential as that of the second well 52 and that of the second diffusion layer 27.例文帳に追加

第４のソース・ドレイン拡散層２２Ｂは、第２の拡散層２７と電気的に接続され且つ第２のウェル５２及び第２の拡散層２７と同電位である。 - 特許庁

To provide a highly integrated semiconductor device, and its fabricating method, in which the identical potential can be applied to a well in units of potential being applied to an impurity diffusion layer and the well potential can be stabilized.例文帳に追加

不純物拡散層へ電位を与える単位で、ウエルへ同一電位を与えることができ、ウエル電位を安定化し、高集積化された半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Potential is supplied to a diffusion layer via a contact by using a cell which has the diffusion layer, a contact provided in almost perpendicular direction of the diffusion layer inside a wiring layer A different from the diffusion layer, and vertical wiring which passes through an intermediate layer between the diffusion layer and the wiring layer (a) and connects the diffusion layer and the contact.例文帳に追加

拡散層、拡散層と異なる配線層Ａ内であって拡散層の略鉛直方向に設けられた接点、及び、拡散層及び配線層ａの間の中間層を貫通し、拡散層と接点とを接続する垂直配線を備えるセルを用いて、拡散層に対して接点を介して電位を供給する。 - 特許庁

To realize a structure that derives the potential of the upper electrode to a diffusion layer, in a dielectric memory having a solid stacked-type structure.例文帳に追加

立体スタック型構造を有する誘電体メモリにおいて、上部電極の電位を拡散層へ引き出す構造を実現することを目的とする。 - 特許庁

To provide a fixed potential electrolytic gas sensor where the resistance in a section where a lead wire comes into contact with each electrode on a gas diffusion film is reduced for stabilization.例文帳に追加

ガス拡散膜上の各電極にリード線が接触する部分の抵抗を小さくし安定させた定電位電解型ガスセンサを提供する。 - 特許庁

The N-type guard band diffusion layer NGB1 is connected to the power supply potential of a random logic region 2 by sufficient low resistance wiring.例文帳に追加

Ｎ型ガードバンド拡散層ＮＧＢ１は、十分な低抵抗の配線により、ランダムロジック領域２の電源電位と接続される。 - 特許庁

To provide a method of erasing for a non-volatile semiconductor memory device, capable of comparatively lowering the potential of a diffusion region at erasing.例文帳に追加

消去時に拡散領域の電位を比較的低くすることが可能な不揮発性半導体記憶装置の消去方法を提供することである。 - 特許庁

Next, a transfer register 12 is turned off, the floating diffusion 14 is set to a reset potential and a state is maintained by a predetermined time interval.例文帳に追加

次いで転送トランジスタ１２をオフにして、フローティングディフュージョン１４をリセット電位にし、その状態を所定の時間だけ保持する。 - 特許庁

Thus, the N-type well 25 will always be at the same potential as the N-type diffusion layer 26, without having to connect metal wiring 45 to the N-type well 25.例文帳に追加

このため、Ｎウエル２５に金属配線４５を接続しなくても、Ｎウエル２５はＮ拡散層２６と常に同電位となる。 - 特許庁

Then a transfer transistor 12 is turned off to hold the floating diffusion layer 14 at reset potential and this state is maintained for a specified time.例文帳に追加

次いで転送トランジスタ１２をオフにして、フローティングディフュージョン１４をリセット電位にし、その状態を所定の時間だけ保持する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus that stabilizes the potential of a floating diffusion region and has a low noise characteristics.例文帳に追加

フローティングディフュージョン領域の電位を安定させ、低ノイズ特性を有する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

A control voltage VT whose potential is higher than the potentials of the p^+ diffusion regions 2 and 3 is applied to the n well 1.例文帳に追加

ｎウェル１に，ｐ^+ 拡散領域２，３の電位より高電位な制御電圧ＶＴが印加されるようにする。 - 特許庁

A P-type diffusion region 38 for supplying fixed potential to the p-type well 52 is arranged in the P-type well 52 in the predetermined region.例文帳に追加

Ｐ型ウエル５２に固定電位を供給するためのＰ型拡散領域３８が、前記所定領域においてＰ型ウエル５２中に配置される。 - 特許庁

To promote microfabrication of a semiconductor device in which the potential of a source diffusion layer is made equal with that of a well region (semiconductor wafer).例文帳に追加

ソース拡散層とウェル領域（半導体基板）との電位を同電位とする半導体装置の微細化を促進させる。 - 特許庁

The power supply potential is fed to the source node of the MIS transistor by using two layers of the diffusion layer and the wiring layer.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタのソースノードに給電される電源電位が拡散層と配線層の２層を用いて行われる。 - 特許庁

To provide an electrode modifying film which does not obstruct the diffusion of a measuring target substance to an electrode, can control the diffusion only of an impurity substance or can separate the measuring potential of the measuring target substance and the measuring potential of the impurity substance and has good adhesion.例文帳に追加

測定対象物質の電極上への拡散を阻害せず、夾雑物質のみの拡散を制御することのできる、或いは、測定対象物質の測定電位と夾雑物質の測定電位を分離させることのでき、かつ密着性の良い電極修飾膜を提供する。 - 特許庁

A first output amplifier 20 whose input terminal is connected to the floating diffusion 16 impedance-converts the potential fluctuation of the floating diffusion 16 and generates output signals Y(t).例文帳に追加

第１の出力アンプ２０は、その入力端子がフローティングディフュージョン１６に接続され、フローティングディフュージョン１６の電位変動をインピーダンス変換して出力信号Ｙ(t)を生成する。 - 特許庁

To enable reduction of a layout area in a CMOS circuit having a source diffusion layer and a well region having the same potential as the diffusion layer.例文帳に追加

本発明は、ソース拡散層がウェル領域の電位と同電位になるＣＭＯＳ回路において、レイアウト面積を減少できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

The gate electrodes 4, drain diffusion layer 5, and source diffusion layer 6 of the transistor are connected to a word line 9, bit line 8, and fixed potential line, respectively.例文帳に追加

トランジスタのゲート電極４はワード線９に、ドレイン拡散層５はビット線８に、ソース拡散層６は固定電位線にそれぞれ接続される。 - 特許庁

Formation of a mask can be facilitated by employing an identical pattern in the diffusion layer constituting the source potential connection transistor and in the diffusion layer of a memory cell transistor.例文帳に追加

また、ソース電位接続トランジスタを構成する拡散層の形状をメモリセルトランジスタの拡散層の形状と同一パターンにすることで、マスク作成の容易化を実現できる。 - 特許庁

An n+diffusion region 14 to which a high potential is to be applied is formed in the n-type semiconductor region 3 and is electrically connected with the n-diffusion region 5 by wiring 20 having a resistor R.例文帳に追加

ｎ-型半導体領域３の領域には、高電位が印加されるｎ+拡散領域１４が形成され、抵抗Ｒを有する配線２０によってｎ-拡散領域５と電気的に接続されている。 - 特許庁

In the region between an end of the N type impurity diffusion region 5 and an end of a field oxide film 2, a P type impurity diffusion region 4 is formed including an interfacial potential generation part below a bird's beak part 2a.例文帳に追加

また、Ｎ型不純物拡散領域５の端部とフィールド酸化膜２の端部との間の領域において、バーズビーク部２ａの下側の界面準位発生部を含むようにＰ型不純物拡散領域４を形成する。 - 特許庁

The n-type diffusion area 12 and the p-type diffusion area 17 correspond to body contact areas for setting the back gate potential levels of the PMOS transistor and the NMOS transistor.例文帳に追加

Ｎ型拡散領域１２及びＰ型拡散領域１７はＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタのバックゲート電位設定用に設けられたボディコンタクト領域に相当する。 - 特許庁

Then, a noise signal is outputted, and then the potential held in the N-type floating diffusion region FD is transferred to an N-type floating diffusion region FD1 so that an image signal is outputted.例文帳に追加

そして、ノイズ信号を出力した後、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤに保持したポテンシャルをＮ型浮遊拡散層ＦＤ１に転送し、画像信号を出力する。 - 特許庁

In the first diffusion region 102, a power supply potential VSS is supplied via wiring 112 of a first wiring layer and wiring 108 provided in a second wiring layer so as to have some overlaps with the second diffusion region 104.例文帳に追加

第１の拡散領域１０２には第１の配線層の配線１１２と、第２の拡散領域１０４と重なりを有するように第２の配線層に設けられた配線１０８とを介して、電源電位ＶＳＳが給電される。 - 特許庁

To solve the problem wherein transfer efficiency from a horizontal CCD register to the floating diffusion deteriorates in a CCD solid-state imaging element since the reset potential of the floating diffusion becomes shallow when the driving voltage is lowered for the output part.例文帳に追加

ＣＣＤ固体撮像素子において、出力部の駆動電圧を下げると、フローティングディフュージョンのリセット電位が浅くなり、水平ＣＣＤレジスタからフローティングディフュージョンへの転送効率が劣化する。 - 特許庁

In the first wiring layer, reinforcing wiring 106 for preventing a potential drop in the second diffusion region 104 is provided in the overlaps of the second diffusion region 104 and the VSS wiring 108.例文帳に追加

第１の配線層において、第２の拡散領域１０４およびＶＳＳ配線１０８と重なる部分に、第２の拡散領域１０４における電位降下を防ぐための補強用配線１０６が設けられている。 - 特許庁

The gate electrode 32 of the transfer part 1 and the stray diffusion region 22 of the signal charge accumulation part 7 are capacitive coupled, so that the electrostatic potential of the stray diffusion region 22 becomes deep.例文帳に追加

転送部１のゲート電極３２と信号電荷蓄積部７の浮遊拡散領域２２とが、この浮遊拡散領域２２の静電ポテンシャルが深くなるように容量結合している。 - 特許庁

By electrically connecting the transfer gate TG2 to an N-type floating diffusion region FD1, a potential is changed in accordance with the amount of photogenerated charge transferred to the N-type floating diffusion region FD1.例文帳に追加

この転送ゲートＴＧ２が、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤ１と電気的に接続されることによって、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤ１に転送される光電荷量に応じてポテンシャルが変化する。 - 特許庁

An N-well 2 is formed on the surface of a P-type silicon substrate 1, and an N^+-diffusion area 3 (N-well potential control electrode) and P^+-diffusion area 4 (anode) are formed on the surface of the N-well.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の表面にＮウエル２を形成し、Ｎウエル２の表面にＮ^＋拡散領域３（Ｎウエル電位制御用電極）及びＰ^＋拡散領域４（アノード）を形成する。 - 特許庁

A second diffusion region 104 for supplying a substrate or well potential is provided separately from a first diffusion region 102 for forming a source of a transistor.例文帳に追加

トランジスタのソースを形成する第１の拡散領域１０２と分離して、基板またはウェル電位を給電するための第２の拡散領域１０４を設けている。 - 特許庁

A second source-drain diffusion layer 21B is electrically connected to a third source-drain diffusion layer 22A, and has the same potential as that of the first well 51.例文帳に追加

第２のソース・ドレイン拡散層２１Ｂは、第３のソース・ドレイン拡散層２２Ａと電気的に接続され且つ第１のウェル５１と同電位である。 - 特許庁

A potential class extraction part 5 operates potential class extraction by applying a method such as known EM algorithm or deterministic annealing EM algorithm to the diffusion approximation matrix A".例文帳に追加

潜在クラス抽出部５は、前記離散化近似行列A''に既知のEMアルゴリズムや確定的アニーリングEMアルゴリズムなどの手法を適用して潜在クラス抽出を行う。 - 特許庁

Other ends of the photoelectric conversion part (1) and floating diffusion part (3) are connected to a P well at a pixel part, but the P well is supplied with a potential (a) lower than the GND potential.例文帳に追加

その光電変換部（１）及びフローティングディフュージョン部（３）の他端は画素部のＰウェルに接続されるが、そのＰウェルにＧＮＤ電位より低い電位ａを供給する。 - 特許庁

Consequently, it is possible to make the channel potential of a horizontal CCD register shallower than the reset potential of the floating diffusion while maintaining the handling charge amount of the image sensing part and the accumulation part.例文帳に追加

これにより、撮像部及び蓄積部の取扱電荷量を維持したまま、水平ＣＣＤレジスタのチャネル電位を、フローティングディフュージョンのリセット電位より浅くすることができる。 - 特許庁

To suppress a potential difference after a floating diffusion part, where a plurality of photoelectric converting elements are connected, is reset, and to prevent picture quality from being deteriorated owing to the potential difference.例文帳に追加

複数の光電変換素子が接続されたフローティングディフュージョン部のリセット後の電位差を抑制し、それに起因する画質劣化を防止できるようにする。 - 特許庁

A potential difference between the negative electrode of the solid electrolyte secondary cell and the diffusion layer (g) is fixed so as to be equal to or larger than a potential difference between the negative and positive electrodes of the solid electrolyte secondary cell.例文帳に追加

固体電解質二次電池の負極に対する拡散層ｇの電位差は、固体電解質二次電池の負極に対する正極の電位差と同じか、またはそれ以上の電位差で固定されている。 - 特許庁

The first and second diodes share a first diffusion layer connected to the ground potential line, and the third and fourth diodes share a second diffusion layer which is connected to the power supply voltage line and has a different conductivity property from the first diffusion layer.例文帳に追加

第１および第２のダイオードは、接地電位線に接続された第１の拡散層を共有し、第３および第４のダイオードは、電源電圧線に接続された、第１の拡散層とは異種の導電性の第２の拡散層を共有している構成である。 - 特許庁

The readout circuit 116 includes a floating diffusion FD electrically connected to the photoelectric conversion layer, a reset transistor 204 which resets a potential of the FD to a reset potential, and an output transistor 205 which outputs a signal corresponding to the potential of the FD.例文帳に追加

読出し回路１１６は、光電変換層と電気的に接続されたフローティングディフュージョンＦＤと、ＦＤの電位をリセット電位にリセットするリセットトランジスタ２０４と、ＦＤの電位に応じた信号を出力する出力トランジスタ２０５とを含む。 - 特許庁

By doing this, a potential load becomes light, the potential of the transfer gate may be pushed up similarly to a charge generator 32 when the potential of the generator 32 is pushed up, and signal charges of the generator 32 can be prevented from leaking to a floating diffusion 38.例文帳に追加

これによりポテンシャル負荷が軽くなり、電荷生成部３２のポテンシャルが押し上げられたとき、転送ゲート部のポテンシャルが電荷生成部３２と同様に押し上げられるようになり、電荷生成部３２の信号電荷はフローティングディフュージョン３８へは漏れ出さなくなる。 - 特許庁