「diffusion potential」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To realize a structure that derives the potential of the upper electrode to a diffusion layer, in a dielectric memory having a solid stacked-type structure.例文帳に追加

立体スタック型構造を有する誘電体メモリにおいて、上部電極の電位を拡散層へ引き出す構造を実現することを目的とする。 - 特許庁

To provide a fixed potential electrolytic gas sensor where the resistance in a section where a lead wire comes into contact with each electrode on a gas diffusion film is reduced for stabilization.例文帳に追加

ガス拡散膜上の各電極にリード線が接触する部分の抵抗を小さくし安定させた定電位電解型ガスセンサを提供する。 - 特許庁

A CMOS image sensor has a plurality of unit charges including a photodiode, a memory part, a floating diffusion region, a first transfer gate for controlling the potential of an TRX barrier and the potential of the memory part and transferring charges from the photodiode to the memory part, and a second transfer gate for transferring the charges from the memory part to the floating diffusion region.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサは、フォトダイオードと、メモリ部と、浮遊拡散領域と、ＴＲＸバリアの電位およびメモリ部の電位を制御して、フォトダイオードからメモリ部に電荷を転送する第１転送ゲートと、メモリ部から浮遊拡散領域に電荷を転送する第２転送ゲートを備える複数の単位電荷を有する。 - 特許庁

In the region between an end of the N type impurity diffusion region 5 and an end of a field oxide film 2, a P type impurity diffusion region 4 is formed including an interfacial potential generation part below a bird's beak part 2a.例文帳に追加

また、Ｎ型不純物拡散領域５の端部とフィールド酸化膜２の端部との間の領域において、バーズビーク部２ａの下側の界面準位発生部を含むようにＰ型不純物拡散領域４を形成する。 - 特許庁

In the first diffusion region 102, a power supply potential VSS is supplied via wiring 112 of a first wiring layer and wiring 108 provided in a second wiring layer so as to have some overlaps with the second diffusion region 104.例文帳に追加

第１の拡散領域１０２には第１の配線層の配線１１２と、第２の拡散領域１０４と重なりを有するように第２の配線層に設けられた配線１０８とを介して、電源電位ＶＳＳが給電される。 - 特許庁

The light diffusion film has a light diffusion layer on one surface of a transparent sheet-like substrate and has a rear face layer on the other surface, wherein the light diffusion layer and/or the rear face layer has a half life of charge potential measured by a half-life measuring method determined by JIS L1094, of <5 min.例文帳に追加

透明なシート状基材の一方の面に光拡散層、他方の面に背面層を有する光拡散フィルムであって、ＪＩＳ・Ｌ１０９４に定める半減期測定法により測定した帯電電位の半減期が５分未満である光拡散層および／または背面層を有する光拡散フィルムを提供する。 - 特許庁

The position identification mark is formed in a convex-concave shape in the side face portion (side part) of a linear pattern 11 for substrate potential supply which is formed using a diffusion layer.例文帳に追加

本発明の位置識別マークは、拡散層で形成される直線状の基板電位供給用パターン１１の側面部（辺側）に、凹凸形状を設けて形成される。 - 特許庁

A transfer transistor and a reset transistor are turned ON to reset accumulated charges in a photodiode and the potential of a floating diffusion portion, and the photodiode begins to be exposed (timing T12).例文帳に追加

転送トランジスタとリセットトランジスタをオンにして、フォトダイオードの蓄積電荷とフローティングディフュージョンの電位とをリセットし、フォトダイオードへの露光を開始する（タイミングＴ１２）。 - 特許庁

The source 205, where the junction has been formed, is protected from the alloy spike owing to the barrier metal 206, while in the p-type diffusion layer 301 contact resistance can be reduced because the barrier metal has been removed, to stabilize the electric potential of the p-type diffusion layer 301.例文帳に追加

接合が形成されているソース２０５はバリアメタル２０６によりアロイスパイクが抑制され、Ｐ型拡散層３０１ではバリアメタルが除去されているためコンタクト抵抗を下げることができ、Ｐ型拡散層３０１の電位が安定化される。 - 特許庁

To easily enlarge the dynamic range of an output signal in a charge detecting device receiving a signal charge in a stray diffusion region formed on a semiconductor substrate 20 and outputting the output signal corresponding to the potential VFD of the stray diffusion region 22.例文帳に追加

半導体基板２０上に形成された浮遊拡散領域２２に信号電荷を受けて、その浮遊拡散領域２２の電位ＶＦＤに応じた出力信号を出力する電荷検出装置において、簡単に、出力信号のダイナミックレンジを広げること。 - 特許庁

That is, when a signal charge is transferred from the impurity diffusion region for electric charge storage to the charge detection part, a potential barrier is not generated between both thereof and complete transfer is realized.例文帳に追加

即ち、電荷蓄積用不純物拡散領域から電荷検出部に信号電荷を転送するときに、両者の間に電位の障壁は生じず、完全転送を実現できる。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy thin film which has an electrode potential equal to that of an ITO (indium-tin-oxide) film, has no diffusion of silicon, has low specific resistance, and has excellent heat resistance.例文帳に追加

ＩＴＯ膜と同程度の電極電位を有し、シリコンが拡散することなく、比抵抗が低く、耐熱性に優れたアルミニウム合金薄膜を提供することを目的とする。 - 特許庁

Since the P-type semiconductor diffusion region 160 is provided, no potential barrier is provided on the way from the surface of silicon substrate 110 to the P-type well region 120.例文帳に追加

このＰ型半導体拡散領域１６０を設けたことにより、シリコン基板１１０の表面からＰ型ウエル領域１２０に至る間の中途位置でポテンシャルバリアをもたないものとなる。 - 特許庁

The capacitor electrode comprising the diffusion layer formed on the semiconductor substrate and the common electrode 11 which is set to the fixed potential are arranged under the signal line and the shield is provided to prevent the occurrence of the cross-talk.例文帳に追加

信号線下に半導体基板上に形成された拡散層からなる容量電極と、固定電位とされた共通電極を配置し、シールドを施しクロストークの発生を防ぐ。 - 特許庁

A sensitivity of the target function is drawn out (step S23), a double well type potential f(ϕ) is drawn out, and reaction diffusion equation is solved by a finite volume method (step S24).例文帳に追加

そして、目標関数の感度を導出し（ステップＳ２３）、また二重井戸型ポテンシャルｆ（φ）を導出して、反応拡散方程式を有限体積法により解く（ステップＳ２４）。 - 特許庁

The high concentration ohmic diffusion zone 9 for a base and the gate electrode 15 are connected to an input terminal 29 and kept in the same potential through a base wiring 25 or a gate electrode wiring 27.例文帳に追加

ベース用高濃度オーミック拡散層９とゲート電極１５はベース配線２５又はゲート電極配線２７を介して入力端子２９に接続され、同電位にされている。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element that is not required to connect capacitance to a power source voltage while reducing an afterimage by increasing a potential of floating diffusion using the capacitance.例文帳に追加

容量を利用してフローティングディフュージョンのポテンシャルを持ち上げて残像を低減しつつ、前記容量を電源電圧に対して接続しなくてすむ固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

It is also provided with a peripheral electrode 5 which is formed on the entire peripheral area of the surface of the semiconductor substrate in a manner to enclose the diffusion layer and the functional electrode, and which is at the same potential as the rear electrode.例文帳に追加

拡散層及び機能電極を包囲するように、半導体基板の表面周辺全域に形成された、裏面電極と同電位の周辺電極５を有する。 - 特許庁

A gate electrode terminal of the first MOS capacitance is equivalently connected to a diffusion layer side terminal (terminal opposite to the gate electrode terminal) of the second MOS capacitance, and a potential difference generating element 16 for generating potential difference, based on the current flowing, is connected between the diffusion layer side terminal of the first MOS capacitance and the gate electrode terminal of the second MOS capacitance.例文帳に追加

第１のＭＯＳ容量のゲート電極端子と、第２のＭＯＳ容量の拡散層側端子（ゲート電極端子とは反対の端子）が等価的に接続され、第１のＭＯＳ容量の拡散層側端子と第２のＭＯＳ容量のゲート電極端子の間に、電流が流れることにより電位差を発生する電位差発生素子１６が接続される。 - 特許庁

A potential slope provided at a position adjacent to floating diffusion in the horizontal charge transfer path and having a declining potential for transferring the electric charge in the path to the floating diffusion is formed by additional ion implantation, to sequentially get from a low concentration to a high concentration after a first layer electric charge transfer electrode is formed, thereby performing ion implantation with good controllability.例文帳に追加

水平電荷転送路中のフローティングディフュージョンと隣接する位置に設けられ、水平電荷転送路中の電荷をフローティングディフュージョンに転送するための下り勾配のポテンシャルを有するポテンシャル傾斜部を、第１層電荷転送電極の形成後に、低濃度から順次高濃度となるように追加イオン注入によって形成するようにし、制御性よくイオン注入を行う。 - 特許庁

The active region R1' includes an N-type first diffusion region 48 serving as a source or drain of a transistor, and a P-type second diffusion region 71 having a higher impurity concentration than the P-type semiconductor 52 and supplying a potential to the P-type semiconductor 52.例文帳に追加

アクティブ領域Ｒ１’には、トランジスタのソース又はドレインとなるＮ型の第１の拡散領域４８と、Ｐ型の半導体５２よりも不純物濃度が高く、Ｐ型の半導体５２に電位を供給するためのＰ型の第２の拡散領域７１とが形成されている。 - 特許庁

Since an electric potential of the N- epi-layer 2 of the ineffective region can be made equal to that of the P+ diffusion layer 3, even when electrons are injected into the element formation region by the back electromotive force of the load of the inductance L, supplying of the electrons from the P+ diffusion layer 3 to the ineffective region is restrained.例文帳に追加

無効領域のＮ−エピ層２とＰ＋拡散層３を同電位にすることができるため、インダクタンスＬの負荷の逆起電力により素子形成領域に電子が注入された場合であっても、Ｐ＋拡散層３から無効領域への電子の供給を抑止できる。 - 特許庁

Therefore, in the island regions 8 and 9 constituting the small signal 2, the substrate 4 and the first epitaxial layer 5 are substantially demarcated by the n-type embedded diffusion regions 29 on which a power-supply potential is applied.例文帳に追加

そのことで、小信号部２を構成する島領域８、９では、実質、電源電位が印加されたＮ型の埋込拡散領域２９で、基板４と第１のエピタキシャル層５とが区分される。 - 特許庁

By global shuttering, whereby image sensing is performed simultaneously in all the pixels, a potential commensurate with the amount of light incident on a buried diode PD is held in an N-type floating diffusion region FD.例文帳に追加

全画素同時に撮像動作を行うグローバルシャッター方式で動作することによって、埋込型フォトダイオードＰＤへの入射光に応じたポテンシャルをＮ型浮遊拡散層ＦＤに保持する。 - 特許庁

The raw material formed by forging are subjected to a high-concentration carburizing treatment of ≥1.1% in carbon potential in forming the hard carbide layer on the surface of the raw material, and is then subjected to a diffusion coating treatment.例文帳に追加

鍛造成形した素材の表面に硬質炭化物層を形成するにあたり、上記素材にカーボンポテンシャルが１．１％以上の高濃度浸炭処理を行い、次いで拡散浸透処理を行う。 - 特許庁

In addition, the potential barrier has dopant formed by high-energy ion implantation, and also has dopant formed by ion implantation or diffusion during the epitaxial growth of p-type epitaxial layer.例文帳に追加

また、前記ポテンシャル障壁は、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記Ｐ型エピタキシャル層のエピタキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。 - 特許庁

A predetermined timing pulse ϕOG is supplied to a horizontal output gate part 6, the potential of a floating diffusion area 7 is supplied deep via a coupling capacitance, and a range of signal charge processing is expanded large.例文帳に追加

水平出力ゲート部６に所定のタイミングのパルスφOGを与え、カップリング容量を介してフローティングディフュージョン領域７の電位を深くし、信号電荷取り扱い範囲を大幅に拡大させる。 - 特許庁

The reset transistor comprises a floating diffusion region for detecting charges, a junction region for discharging the charges, a gate for controlling transfer of charges from the floating diffusion region to the junction region by receiving a reset signal, and a potential well integrated with the lower portion of the gate.例文帳に追加

本発明のリセットトランジスタは、電荷を検出するフローティング拡散領域と、電荷を排出する接合領域と、リセット信号の制御を受けて、前記フローティング拡散領域から前記接合領域への電荷転送を制御するゲートと、該ゲートの下部に統合された電位井戸とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

Similarly, a p-type well potential power supply region 110 connected with a VSS wiring 106, for example, impurity concentration of a high concentration p-type impurity diffusion layer which constitutes the region 110 is made higher than that of a source/drain region 103 formed of the high concentration p-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small.例文帳に追加

同様に、ＶＳＳ配線１０６に接続されるＰ型ウエル電位給電領域１１０を、例えばそれを構成する高濃度Ｐ型不純物拡散層の不純物濃度を、高濃度Ｐ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０３よりも高くし、抵抗値を小さくする。 - 特許庁

In an n-type well potential power supply region 109 connected with a VDD wiring 105, for example, impurity concentration of a high concentration n-type impurity diffusion layer 112 which constitutes the region 109 is made higher than that of a source/drain region 104 formed of the high concentration n-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small.例文帳に追加

ＶＤＤ配線１０５に接続されるＮ型ウエル電位給電領域１０９を、例えばそれを構成する高濃度Ｎ型不純物拡散層１１２の不純物濃度を、高濃度Ｎ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０４よりも高くし、抵抗値を小さくする。 - 特許庁

This is because holes generated due to an inter-band tunnel effect are attracted to the word gate by negative potential on the junction end portion of a right diffusion region 42 and further accumulated under a target control gate 62.例文帳に追加

これは、右側の拡散領域４２の接合端部でバンド間トンネル効果により発生するホールが負の電位によってワードゲートの方に引き寄せられ、目標制御ゲート６２の下に更に蓄積されるからである。 - 特許庁

The bit line parasitic capacitance Ck1 is the parasitic capacitance formed between the bit line BL and low voltage power supply (ground potential), and consists of a capacitance between adjacent bit lines and a diffusion layer capacitance of memory cell transistors.例文帳に追加

ビット線寄生容量Ｃｋ１は、ビット線ＢＬと低電位側電源（接地電位）の間に形成される寄生容量であり、隣接ビット線間の容量やメモリセルトランジスタの拡散層容量などから構成される。 - 特許庁

This can reduce the distance between the transfer gate electrode 123 and a point of the photoelectric conversion part 110 at which the potential is highest, and thereby improving the efficiency of transmitting charges to the floating diffusion region 131.例文帳に追加

これにより、光電変換部１１０で電位が最も高い地点とトランスファーゲート電極１２３との間の距離が小さくなるため、フローティング拡散領域１３１への電荷伝送効率が向上することができる。 - 特許庁

A pixel 10 includes a photodiode, a floating diffusion (FD), a transfer switch for transferring electric charge of the photodiode to the FD, and an amplification transistor for outputting a signal corresponding to the potential of the FD to a signal line 109.例文帳に追加

画素１０は、フォトダイオードと、フローティングディフュージョン（ＦＤ）と、フォトダイオードの電荷をＦＤに転送する転送スイッチと、ＦＤの電位に応じた信号を信号線１０９に出力する増幅トランジスタとを含む。 - 特許庁

And a potential varied linearly or natural logarithmically by the embedded type photo diode PD is transmitted to a N type suspended diffusion layer FD and outputted as an image signal through MOS transistors T3, T4.例文帳に追加

そして、埋込型フォトダイオードＰＤで線形的又は自然対数的に変化したポテンシャルをＮ型浮遊拡散層ＦＤに転送し、ＭＯＳトランジスタＴ３，Ｔ４を通じて映像信号として出力する。 - 特許庁

On the other hand, p^+ diffusion regions P1, P2 are formed on two places of regions interposing the gate electrode 3 on the surface of the n-well NW1 in a plan view, while they are connected to a ground potential wiring GND commonly.例文帳に追加

また、平面視でＮウエルＮＷ１の表面におけるゲート電極３を挟む２ヶ所の領域に、夫々ｐ^＋拡散領域Ｐ１及びＰ２を形成し、これを接地電位配線ＧＮＤに共通接続する。 - 特許庁

At low temperatures, lithium ions on the surfaces of the negative electrode consumed by the slight short-circuiting are not sufficiently replenished by diffusion of lithium ions from the interior of the negative electrode, and as a result, the potential of the negative electrode rises and the voltage of the battery is lowered.例文帳に追加

低温では微短絡により消費される負極表面のリチウムイオンが、負極内部からのリチウムイオンの拡散では充分に補充されなくなる結果、負極の電位が上昇して、電池電圧は低下する。 - 特許庁

When analyzing charge distribution or potential distribution of a material to which charged particle beam or electromagnetic wave is projected, movement of charged particles is tracked by combining a Monte Carlo method and a method for resolving a diffusion equation of charged particles.例文帳に追加

荷電粒子線または電磁波が照射された物質における電荷分布またはポテンシャル分布を解析するに当たり、モンテカルロ法と荷電粒子の拡散方程式を解く方法とを組み合わせて荷電粒子の運動を追跡する。 - 特許庁

To prevent blooming of the readout gate section of a solid-state image pickup device, in which an impurity region for potential barrier is formed in the deep portion of a photodiode section, by suppressing the influence of thermal diffusion in the impurity region on the adjacent readout gate section.例文帳に追加

フォトダイオード部の深部にポテンシャルバリア用の不純物領域を形成する固体撮像装置において、不純物領域の熱拡散が隣接する読み出しゲート部に及ぶことを抑制し、この部分のブルーミングを防止する。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises the floating gate 5, a source diffusion layer 2 which is capacitive-coupled with the floating gate 5 and controls the potential of the floating gate 5, and the control gate 7 so disposed as to be opposite to the floating gate 5.例文帳に追加

この半導体メモリは、浮遊ゲート５と、浮遊ゲート５と容量結合され、浮遊ゲート５の電位を制御ゲートするためのソース拡散層２と、浮遊ゲート５と対向するように配置された制御ゲート７とを備えている。 - 特許庁

The method also comprises the step of extracting the grain boundary fault from a potential and carrier density obtained from the capacity-voltage measurement, and a current-voltage measurement by using a depletion layer approximation at the boundary, drift diffusion equation and thermo-ionic emission equation.例文帳に追加

容量-電圧測定から得られたポテンシャルとキャリア密度、および、電流-電圧測定から、粒界での空乏層近似とドリフト拡散方程式とサーモアイオニックエミッション方程式を用いて、粒界欠陥を抽出する。 - 特許庁

While an entropy variation in each of the charging states is calculated based on the open circuit voltage at the plurality of temperatures measured in each of the charging states, a chemical diffusion coefficient in each of the charging states is calculated based on the balanced potential of the secondary battery measured in each of the charging states and the potential change of the secondary battery.例文帳に追加

各充電状態におけるエントロピー変化量を、各充電状態において測定した複数の温度における開回路電圧に基づいて算出すると共に、各充電状態における化学拡散係数を、各充電状態において測定した二次電池の平衡電位と、二次電池の電位変化とに基づいて算出する。 - 特許庁

On the outer periphery of isolated semiconductor elements constituting a low potential reference circuit LV and a high potential reference circuit HV, an n-type guard ring 42c, and the like, are formed, and a deep n-type diffusion region 42b having the same conductivity type as that of the n-type guard ring buried layer 42c is formed on the buried insulating film 2b side of an active layer 2c.例文帳に追加

低電位基準回路部ＬＶおよび高電位基準回路部ＨＶを構成する絶縁分離された半導体素子の外周に、ｎ型ガードリング４２ｃ等を形成すると共に、活性層２ｃの埋込絶縁膜２ｂ側にｎ型ガードリング埋込層４２ｃ等と同じ導電型の深いｎ型拡散領域４２ｂ等を形成する。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer for a solid polymer fuel cell which is uniform and superior in water repellency without applying a calcining treatment at a high temperature, and capable of suppressing cell resistance when used for a fuel cell, and suppressing lowering of cell potential.例文帳に追加

高温での焼成処理を施すことなく、均一かつ撥水性に優れ、且つ、燃料電池に使用した際にセル抵抗を抑え、セル電位の低下を抑制することができる固体高分子形燃料電池用ガス拡散層を提供する。 - 特許庁

A source electrode 26 is in contact with the source area 15, a body contact area 16 and the drift area 14 within the source trench 5, and it forms lower hetero-junction of junction barrier than the diffusion potential of the body diode 32 between the drift area 14 and it.例文帳に追加

ソース電極２６は、ソーストレンチ５内において、ソース領域１５、ボディコンタクト領域１６およびドリフト領域１４に接し、ドリフト領域１４との間に、ボディダイオード３２の拡散電位よりも低い接合障壁のヘテロ接合を形成している。 - 特許庁