「diffusion potential」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore, when the impurity region 132 is subjected to heat treatment process after ion implantation, the occurrence of potential decline in the readout gate section 140 is suppressed, and the blooming of the section 140 can be prevented so that the thermal diffusion in the impurity region 132 does not effect the gate section 140.例文帳に追加

したがって、Ｎ^- 型不純物領域１３２をイオン注入して熱工程にかける際に、熱拡散の影響が読み出しゲート部１４０に及ばないようにし、読み出しゲート部１４０のポテンシャル低下を抑制し、この部分のブルーミングを防止する。 - 特許庁

As the other means, the controller sets protection current to less than the diffusion limit current density of dissolved oxygen, so as to control protection current to the fixed one, and, by the partial formation of electrocoating, the electric potential in the surface part of the steel in contact with fresh water is reduced to -0.7 V(SHE) or lower.例文帳に追加

他の手段として、制御装置は、防食電流密度を溶存酸素の拡散限界電流密度未満に設定して防食電流を定電流制御し、エレクトロコーティングの部分的な形成によって、淡水と接触する鋼材表面部分の電位を-0.7V（SHE）以下に低下させる。 - 特許庁

To provide a more reliable high-stability crystal resonator that eliminates potential harmful effects caused by diffusion of brazing filler metal to excitation electrodes, has improved joining characteristics in joining a metal support and a crystal resonator plate by use of the brazing filler metal, and has improved aging characteristics.例文帳に追加

金属ろう材が励振電極へ拡散することの悪影響をなくし、金属ろう材を用いて金属サポートと水晶振動板を接合する際の接合性が良好で、エージング特性が良好なより信頼性の高い高安定向け水晶振動子を提供する。 - 特許庁

The controller sets protection current density to the diffusion limit current density of dissolved oxygen or higher, so as to control protection current, or controls protection current in such a manner that the electric potential in the surface part of the steel in contact with fresh water is initially reduced to -0.7 V (SHE) or lower.例文帳に追加

制御装置は、防食電流密度を溶存酸素の拡散限界電流密度以上に設定して防食電流を制御し、或いは、淡水と接触する鋼材表面部分の電位が初期的に-0.7V（SHE）以下に低下するように防食電流を制御する。 - 特許庁

In this surface acoustic wave element, an electrode 6 serving as an inter-digital transducer is formed on a piezoelectric substrate 1, and the electrode 6 includes the laminate structure of a conductive layer 2 made of metal, and an electronic diffusion suppressing layer 3 constituted of a semiconductor whose potential barrier should be formed on its interface with the conductive layer 2.例文帳に追加

本発明に係る弾性表面波素子は、圧電基板１上にインターディジタルトランスデューサとなる電極６が形成されており、該電極６は、金属からなる導電層２と、該導電層２との界面にポテンシャル障壁を形成すべき半導体からなる電子拡散抑制層３の積層構造を有している。 - 特許庁

In this controlled potential elecrolytic gas sensor using an electrolyte comprising a sulfuric acid solution, is provided with a gas diffusion electrode formed with a gold sintered body layer obtained by sintering gold grains of 4-16 m^2/g in specific surface area, on one face of a gas permeable membrane.例文帳に追加

定電位電解式ガスセンサは、硫酸水溶液よりなる電解液を用いる定電位電解式ガスセンサにおいて、ガス透過膜の一面に、比表面積が４〜１６ｍ^^2 ／ｇの金粒子を焼結して得られる金焼結体層が形成されてなるガス拡散電極を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor which has improved absorption of laser light, prevents diffusion of surplus laser light by absorption of the light in an undercoat layer, meets the need of reduction in diameter of writing light, and ensures the occurrence of few spot defects against charging potential in a wide range of a cylindrical support surface.例文帳に追加

電子写真感光体において、レーザー光の吸収を良くし、余剰となったレーザー光の吸収を下引き層に持たせて拡散を防止し、光書込み光径の小径化に対応し、円筒状支持体表面の広い範囲において、帯電電位に対して点欠陥の発生の少ない表面を提供する。 - 特許庁

In an n-channel type MOSFET 1, the front edge of a depletion layer does not reach up to a low-concentration drain diffusion region 5 when potential is applied among gate electrodes 15, and source electrodes 9 and a drain electrode 5 and a semiconductor substrate 1a and the depletion layer is expanded from the junction surfaces of the semiconductor substrate 1a and a well 3.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１において、ゲート電極１５、ソース電極９およびドレイン電極５と、半導体基板1ａとの間に電位を印加して、半導体基板1ａとウェル３との接合面から空乏層を拡張させたとき、この空乏層の先端縁が、低濃度ドレイン拡散領域４にまで到達しない。 - 特許庁

This magnetic substance is formed by making electrons movable between adjacent quantum dots and including the flat-band structure, in which energy diffusion of electrons hardly depends on wave number, in an electron energy band by locating the semiconductor quantum dots, with which the area of high energy potential is formed around the periphery and the electrons are contained, on grid points.例文帳に追加

格子点上に、周囲にエネルギーポテンシャルの高い領域が形成され電子が閉じ込められた半導体量子ドットを配置することにより、隣接した量子ドット間を電子が移動可能であり、電子のエネルギー分散が波数依存性をほとんど持たないフラットバンド構造が電子エネルギーバンドに含まれるようにすることにより磁性体が形成される。 - 特許庁

In this method of simulating a semiconductor device in which the semiconductor device having a two-or three-dimensional structure is divided into meshes and a physical equation, such as potential equation, carrier transportation equation, etc., is solved in each mesh, a drift current caused by an electric field and a diffusion current caused by a carrier density gradient are handled separately from each other.例文帳に追加

２次元構造または３次元構造の半導体デバイスをメッシュに分割し、各メッシュで電位方程式やキャリア輸送方程式等の物理方程式を解く、半導体デバイスシミュレーション方法において、電界に起因するドリフト電流と、キャリア密度勾配に起因する拡散電流とを、それぞれ別個に取り扱うことを特徴とする。 - 特許庁

It further comprises a plurality of transfer control elements Tr which are provided by a pair to a pair of adjoining photoelectric conversion regions, and change a potential barrier of optical generation charge transfer path between the storage well of a pair of photoelectric conversion regions and a corresponding floating diffusion region, to control transfer of optical generation charges.例文帳に追加

さらに隣り合う１組の光電変換領域毎に１組設けられ、１組の光電変換領域のそれぞれの蓄積ウェルと、対応するフローティングディフュージョン領域との間の光発生電荷転送経路の電位障壁を変化させ、光発生電荷の転送を制御する複数の転送制御素子Ｔｒとを有する。 - 特許庁

A potential barrier at the charge generation section of the thin-out row is lowered as compared with a case where the normal L level is applied, thus easily discharging unnecessary charge collected at the charge generation section of the thin-out row and overflowed into an adjacent row to the floating diffusion side, and hence reducing blooming to the unit pixel of an adjacent read row.例文帳に追加

間引き行の電荷生成部のポテンシャル障壁を、通常のＬレベルを印加する場合に比べて下げることで、間引き行の電荷生成部に溜まり、隣接行に溢れ出た不要電荷をフローティングディフュージョン側に排出され易い状態にすることができ、隣接する読出し行の単位画素へのブルーミングが減少する。 - 特許庁

Since diffusion of ions bearing charge/discharge of a solid state battery into an integrated circuit can be prevented by forming a protective film of the solid state battery into a multilayer structure and by providing a positive potential to one metal layer out of them, this system-in-package of the integrated circuit and the battery without causing characteristic deterioration or malfunction and this multilayer wiring board can be provided.例文帳に追加

固体電池の保護膜を多層構造として、その内の一層の金属層が正の電位を有することにより、固体電池の充放電を担うイオンの集積回路への拡散防止を行うことができるので、特性劣化や誤動作のない集積回路と電池のシステムインパッケージや多層配線基板を提供することができる。 - 特許庁

An SOI region obtained by laminating a semiconductor layer 5 on an insulating layer 103 and a bulk region where an underlayer is composed of only a substrate are provided on a same semiconductor substrate 101, and an impurity diffusion layer 91 for fixing a potential is provided in the semiconductor substrate 101 between a bulk transistor 10 formed in the bulk region and an SOI transistor 20 formed in the SOI region.例文帳に追加

絶縁層１０３上に半導体層５が積層されてなるＳＯＩ領域と、下地が基板のみからなるバルク領域とを同一の半導体基板１０１に備え、バルク領域に形成されたバルクトランジスタ１０と、ＳＯＩ領域に形成されたＳＯＩトランジスタ２０との間の半導体基板１０１に電位固定用の不純物拡散層９１を備える。 - 特許庁

Memory information can be written in a memory cell by selecting whether characteristics of transistors are made an enhancement type or a depression type by connecting a transistor through a connection hole in a contact window 39 and power source lines 37 for body potential in a contact window forming process near the final process in a diffusion process for a transistor group of a drive section.例文帳に追加

ドライブ部のトランジスタ群に対して、拡散工程の中の最終に近いコンタクト窓形成工程で、コンタクト窓３９における接続孔を通じたトランジスタとボディ電位用電源配線３７との接続によって、トランジスタの特性をエンハンスメント型にするかデプレッション型にするかを選択することにより、メモリセルへの記憶情報の書き込みを行うことを可能にする。 - 特許庁

By restraining rise of positive electrode potential through a fair treatment of relation between the proton diffusion coefficient and the particle diameter of the nickel hydroxide and diminishing of gradient of proton concentration in the particles at charging, oxygen generated by electrolysis of water that is a solvent of electrolyte solution can be restrained, and as a result, charging efficiency is to be kept high even at large current charging under high temperature environment.例文帳に追加

水酸化ニッケルのプロトン拡散係数とその粒子径との関係を適正化し、充電時における粒子内のプロトン濃度の勾配を小さくして正極電位の上昇を抑制することで、電解液の溶媒である水の電気分解によって生じる酸素の発生を抑制でき、その結果、高温環境下の大電流充電においても充電効率が良好なものとなる。 - 特許庁

When the potential difference between the anode electrode and the cathode electrode is 0 V, the output current value is measured, and the value obtained by dividing the output current value by the electrode area is used as the limiting current density to calculate the diffusion polarization.例文帳に追加

電解質部を介して互いに対向配置された、アノード極及びカソード極と、前記アノード極及びカソード極にそれぞれ設けられ電解質を含む触媒層を備えた1対のガス拡散電極と、を配置して膜−電極接合体とした燃料電池用電極の評価方法であって、アノード極とカソード極との電位差が0Vとなる時の出力電流値を測定し、該出力電流値を電極面積で除した値を、拡散分極を算出するための限界電流密度とする。 - 特許庁