「distributed feedback」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The distributed feedback semiconductor laser device is formed of a laminate which is formed of a plurality of semiconductor layers, and is provided with a resonator (optical waveguide) 30 including a MQW active layer 14.例文帳に追加

本発明に係る分布帰還型半導体レーザ装置は、複数の半導体層からなる積層体により構成され、ＭＱＷ活性層１４を含む共振器（光導波路）３０を備えている。 - 特許庁

To provide the method of forming a diffraction grating which can reduce a defect in the pattern of the diffraction grating without strongly pushing a mold to a resin body, and the method of manufacturing a distributed feedback semiconductor laser.例文帳に追加

モールドを樹脂体に強く押し付けなくとも回折格子のパターン欠陥を低減できる回折格子の形成方法および分布帰還型半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method for a diffraction grating that can control the depth of a recessed portion with high precision and a manufacturing method for a distributed feedback semiconductor laser that can suppress variance in laser characteristics.例文帳に追加

凹部の深さを高精度に制御することが可能な回折格子の形成方法、及び、レーザ特性のばらつきを抑制することが可能な分布帰還型半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

Upon the receipt of distributed electronic mails, the electronic mail classification distribution apparatus 1 creates feedback learning information and stores the information to a database 13 and makes classification criteria of the information on the basis of a prescribed algorithm.例文帳に追加

電子メール分類配信装置１は、電子メールの配信を受けるとフィードバック学習情報を作成してデータベース１３に格納すると共に、所定のアルゴリズムに基づきその分類判断を行う。 - 特許庁

In this distributed feedback type semiconductor laser element whose resonator length is 500μm or more, the length of a region where an InGaAsP diffraction grating 15 is formed is 50% of the resonator length or more.例文帳に追加

共振器長が５００μｍ以上の分布帰還型半導体レーザ素子は、ＩｎＧａＡｓＰ回折格子１５が形成される領域の長さが共振器長の５０％以上であある。 - 特許庁

To provide a formation technique of a quantum wire capable of demonstrating a superior shape and sufficient characteristics in a distributed feedback semiconductor laser and the like with respect to a formation process of a quantum wire formed on a grating substrate.例文帳に追加

グレーティング基板上に形成される量子細線の形成方法として、分布帰還半導体レーザ等に応用するに十分な形状、特性を発揮し得る量子細線の形成手法を提供する。 - 特許庁

To provide a complex coupling type distributed feedback semiconductor laser element which is superior in single-mode properties and which is not liable to bring about disorders of single-mode properties, such as a multi-mode oscillation, a mode hopping or the like, even in the case of injecting a high current.例文帳に追加

単一モード性に優れ、高電流注入下でも、多モード発振やモードホッピング等の単一モード性の乱れ現象の起こり難い複素結合型の分布帰還型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To improve the performance of a whole semiconductor light emitting device in a semiconductor light emitting device containing DFBLD (distributed feedback laser diode) by uniformizing characteristics of each DFBLD and to miniaturize the device.例文帳に追加

半導体発光装置に関し、ＤＦＢＬＤを含む半導体発光装置に於いて、個々のＤＦＢＬＤの特性が均一となるようにして半導体発光装置全体の性能を向上させ、しかも、小型化しようとする。 - 特許庁

Asymmetric coating is applied to the gain-coupled distributed feedback semiconductor laser; wherein a front end surface 13 for emitting laser light is covered with a coating with low reflectivity, and a rear end surface 15 is covered with a coating with high reflectivity.例文帳に追加

利得結合型分布帰還型半導体レーザにおいて、レーザ光を放出する前端面１３には低反射率のコーティングが施され、後端面１５には高反射率のコーティングが施された非対称コーティングが行われている。 - 特許庁

To provide a distributed feedback semiconductor laser allowed to be manufactured at high yield by using easy manufacturing processes, capable of realizing stable single vertical mode oscillation even when a large current is injected and having high slope efficiency.例文帳に追加

容易な製造プロセスを用いて歩留まり良く製造可能であって、大電流注入時においても安定した単一縦モード発振を実現でき、高いスロープ効率を有する分布帰還型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a distributed feedback semiconductor laser element comprising an active layer and a diffraction grating formed thereon in a multilayer structure provided on an n-type semiconductor substrate and having low threshold current and element resistance.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上に設けられた積層構造内に活性層及び活性層上に設けられた回折格子を有し、しきい値電流及び素子抵抗の双方が小さい分布帰還型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To realize a distributed feedback semiconductor laser in which the single mode oscillation yield is enhanced regardless of etching by regulating the height of grating through epitaxial growth thereby regulating the diffraction efficiency.例文帳に追加

分布帰還型半導体レーザに関するもので、特にグレーティングの高さを結晶成長により調整することで回折効率を調整して、エッチングによらず単一モード発振歩留まりの向上を実現した半導体レーザ装置を実現する。 - 特許庁

To provide a variable wavelength laser light generating device equipped with an integrated variable wavelength laser device where TDA-DFB elements (Tunable Distributed Amplification-Distributed Feedback Laser) are arranged in an array, the device being characterized in that the TDA-DFB elements can be preheated, system constitution is simple, and control is easy.例文帳に追加

アレイ状にＴＤＡ−ＤＦＢ素子（Ｔｕｎａｂｌｅ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ａｍｐｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ−Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ Ｌａｓｅｒ）が配置された集積波長可変レーザ装置を備えた波長可変レーザ光発生装置であって、ＴＤＡ−ＤＦＢ素子の予備加熱が可能で、しかも、システム構成が簡単で且つ制御が容易な装置を提供すること。 - 特許庁

A distributed constant feedback path portion BM, which branches from the main path LM in a such a way that both ends of the main capacitor 83 are short-circuited, functions to form trap poles for each end of low frequency side and the high frequency side of the passband.例文帳に追加

分布定数帰還経路部ＢＭは、主コンデンサ８３の両端を短絡する形で主経路ＬＭから分岐して設けられ、通過帯域の低周波側端と高周波側端とのそれぞれにトラップ極を形成する機能を果たす。 - 特許庁

In the distributed feedback semiconductor laser, a diffraction grating in a resonator has a λ/4 phase shift area 2 which shifts the phase of light by 1/4 wavelength and an active layer 4 is provided in the area except on the λ/4 phase shift area.例文帳に追加

共振器内部の回折格子に光の位相を１／４波長変化させるλ／４位相シフト領域２を有し、λ／４位相シフト領域上を除く領域に活性層４が設けられている分布帰還型半導体レーザとする。 - 特許庁

To provide a distributed feedback semiconductor laser, having a structure that improves the planarity of crystal layer growth in the upper layer of a diffraction grating, and further, improves the reliability of an element by reducing the density of crystal defects.例文帳に追加

回折格子層の上層における結晶層成長の平坦性の向上と、結晶欠陥密度の低減を図ることにより、素子信頼性の向上を図ることを可能とする構造を備える分布帰還型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a sampled grating distributed feedback variable wavelength semiconductor laser connected to a sampled grating Bragg reflector, which has a comparatively simple structure, advantages for production and mass production, as well as an variable optical range of wavelength and superiority in optical output efficiency.例文帳に追加

比較的単純な構造を有し、製作及び量産に有利であるうえ、光帯域波長可変が可能で出力光効率に優れた、抽出格子ブラッグ反射器に結合された抽出格子分布帰還波長可変半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The optical integrated element 100 is obtained by integrating a DFB (distributed feedback) semiconductor laser 1 and an EA (electroabsorption optical) type modulator 2 on a single semiconductor substrate 10 in such a manner that a width Wa of the former optical waveguide is smaller than that Wb of the latter optical waveguide.例文帳に追加

光集積素子１００は、ＤＦＢ半導体レーザ１とＥＡ型変調器２とが単一の半導体基板１０に集積されたものであり、前者の光導波路の幅Ｗａが後者の光導波路の幅Ｗｂよりも大きくされている。 - 特許庁

The optical integrated element 100 is obtained by integrating a DFB (distributed feedback) semiconductor laser 1 and an EA (electroabsorption optical) type modulator 2 on a single semiconductor substrate 10 in such a manner that a width Wa of the former optical waveguide is smaller than that Wb of the latter optical waveguide.例文帳に追加

光集積素子１００は、ＤＦＢ半導体レーザ１とＥＡ型変調器２とが単一の半導体基板１０に集積されたものであり、前者の光導波路の幅Ｗａが後者の光導波路の幅Ｗｂよりも小さくされている。 - 特許庁

A stripe mask 32 having mask widths set for the regions, respectively, according to the etching rates determined, respectively, for the SCH-MQ active layer of a DFB (distributed feedback) laser region 10A and for the SCH-MQW absorption layer (active layer) of an EA optical modulator region 10B.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ領域１０ＡのＳＣＨ−ＭＱＷ活性層、及びＥＡ光変調器領域１０ＢのＳＣＨ−ＭＱＷ吸収層（活性層）のそれぞれのエッチングレートに基づいて、各領域でマスク幅が設定されたストライプマスク３２を使用する。 - 特許庁

The optical transmission device is provided with a semicondudor waveguide region in which a first optical feedback means 108 of a distributed reflection type, a light emitting region and a light absorbing region are integrated, and a second optical feedback means 106 which faces an end surface facing the first optical feedback means 108 in the semiconductor waveguide region and is a different body from the semiconductor waveguide region.例文帳に追加

本願発明は、分布反射型の第１の光帰還手段と発光領域と光吸収領域とを少なくとも集積化されて有する半導体導波路領域と、当該半導体導波路領域の前記第１の光帰還手段に対向する端面に対向して前記半導体導波路領域と別体の第２の光帰還手段とを少なくとも有し、前記光吸収領域において光変調がなされる光伝送装置を、光信号用光源として少なくとも有する光伝送システムである。 - 特許庁

The distributed feedback type semiconductor laser element has at least an n-conductivity type clad layer 3, an active layer 5 and a p-conductivity type clad layer 12 on a semiconductor substrate 1, and has the diffraction-grating structure 10 composed of an n-conductivity type diffraction grating layer 8 in the clad layer 12.例文帳に追加

分布帰還型半導体レーザ素子は、半導体基板１上に少なくともｎ導電型のクラッド層３と活性層５とｐ導電型のクラッド層１２とを有し、ｐ導電型のクラッド層１２中にｎ導電型の回折格子層８からなる回折格子構造１０を備えている。 - 特許庁

The crystal surface at the side surface of the diffraction grating provided to the distributed feedback semiconductor laser using an InP substrate 1 having the plane (100), as the main plane is formed of the crystal plane inclined in any direction of the [01-1] direction and [011-] direction from the plane (100).例文帳に追加

（１００）面を主面とするＩｎＰ基板１を用いた分布帰還型半導体レーザに設ける回折格子の側面の結晶面を（１００）面から〔０１−１〕方向或いは〔０１１−〕方向のいずれかの方向に傾斜した結晶面、即ち、「Ｂ面」で構成する。 - 特許庁

A passive grating waveguide is installed additionally on the back of a symmetric λ/4 distributed feedback semiconductor laser, which comprises a λ/4 phase shift structure in a part of a diffraction grating, its backward reflectance is effectively set increased, its forward output is enhanced, and dispersion the side-mode suppression ratio is reduced.例文帳に追加

回折格子の一部にλ／４位相シフト構造を有する対称λ／４分布帰還型半導体レーザの後方にパッシブグレーティング導波路を付設し、後方反射率を実効的に大きくして前方出力を向上すると共に、サイドモード抑圧比のばらつきを小さくする。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit comprises a plurality of clock trees 5-1 to 5-4 to which a first clock signal 16 is distributed; and a phase comparator circuit 8 for detecting a phase difference of a plurality of feedback clock signals 19-1 to 19-4 which are output from the plurality of clock trees 5-1 to 5-4, respectively, with respect to a reference clock signal 18.例文帳に追加

第１クロック信号１６が分配される複数のクロックツリー５−１〜５−４と、複数のクロックツリー５−１〜５−４からそれぞれ出力される複数のフィードバッククロック信号１９−１〜１９−４のリファレンスクロック信号１８との位相差を検出する位相比較回路８とを備えている。 - 特許庁

To suppress variation in the luminous intensity distribution for realizing a narrow spectrum line width, and to suppress increase of the spectrum linewidth due to hole burning at high output, in a distributed feedback type semiconductor laser device, where a low reflectance film and a high reflectance film are respectively formed on the output plane and the rear end plane of a resonator.例文帳に追加

共振器の出射面に低反射率膜が、後端面に高反射率膜が夫々形成された分布帰還型半導体レーザ素子において、光強度分布の変化を抑制して狭いスペクトル線幅を実現し、また、高出力下でのホールバーニングによるスペクトル線幅の増大を抑制する。 - 特許庁

To provide a distributed feedback semiconductor laser element which stably oscillates in the oscillation wavelength longer than the peak wavelength of the optical gain distribution of an active layer, shows a large sub-mode suppression ratio (SMSR), assures good single mode property of vertical mode even when amount of de-tuning is large, and also assures higher resistance for reflected returning beam.例文帳に追加

活性層の光利得分布のピーク波長より長い発振波長で安定して発振し、大きな副モード抑圧比（ＳＭＳＲ）を示し、かつデチューニング量が大きくても縦モードの単一モード性が良好で、反射戻り光耐性が高い分布帰還型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The apparatus for waveform shaping of signal light is equipped with a distributed feedback (DFB) laser 2 having a stop band defined as a wavelength range enabling laser to be oscillated, and with a drive circuit to supply a driving current to the DFB laser to induce laser oscillation of the DFB laser at a first wavelength in the stop band.例文帳に追加

本発明による信号光の波形整形のための装置は、レーザ発振可能な波長の範囲として定義される阻止帯域を有する分布帰還（ＤＦＢ）レーザ２と、ＤＦＢレーザが阻止帯域に含まれる第１の波長でレーザ発振するようにＤＦＢレーザに駆動電流を供給する駆動回路とを備えている。 - 特許庁

An AC voltage outputted from the piezoelectric transformer 4 is distributed by at least two resistors R13, 14, and a resistance pressure voltage dividing circuit 5 which steps down the AC voltage to be outputted is provided to return the AC voltage outputted by the resistance voltage dividing circuit 5 to an oscillation circuit 2 through a feedback circuit 9.例文帳に追加

圧電トランス４から出力された交流電圧を少なくとも二つの抵抗Ｒ１３，１４によって分圧することにより前記交流電圧を降圧して出力する抵抗分圧回路５を設けておき，該抵抗分圧回路５によって出力された前記交流電圧を帰還回路９を通じて発振回路２に帰還させる。 - 特許庁

The distributed feedback semiconductor laser device is provided with an active layer 23 to join carriers again, clad layers 24 and 26 as a p-type semiconductor layer for supplying a hole to the active layer 23, a buffer layer 22 as an n-type semiconductor layer for supplying an electron to the active layer 23, a diffraction lattice layer 25 formed in the p-type semiconductor layer, and so on.例文帳に追加

分布帰還型半導体レーザ素子は、キャリア再結合を行う活性層２３と、活性層２３へホールを供給するｐ型半導体層であるクラッド層２４，２６層と、活性層２３へ電子を供給するｎ型半導体層であるバッファ層２２と、ｐ型半導体層の中に形成された回折格子層２５などで構成される。 - 特許庁

To provide a quantum well structure capable of improving performance of characteristics to obtain the quantum well structure having a crystal with a large In composition thicker than conventional ones as a quantum well layer, an optical confinement type quantum well structure, semiconductor laser, distributed feedback semiconductor laser, a spectrograph and a manufacturing method of the quantum well structure.例文帳に追加

本発明は、従来より厚みの厚いＩｎ組成の大きな結晶を量子井戸層とした量子井戸構造を実現した、特性の高性能化を図ることができる量子井戸構造、光閉じ込め型量子井戸構造、半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the mesa formation step S15, width of the active layer is determined so that the difference between the oscillation wavelength of the distributed feedback type semiconductor laser element which depends on the width of the active layer in a direction crossing the predetermined direction and the period of the grating, and the gain peak wavelength of the active layer obtained at the measurement step falls within a predetermined range.例文帳に追加

メサ形成工程Ｓ１５において、所定方向と交差する方向における活性層の幅及び回折格子の周期に依存する、当該分布帰還型半導体レーザ素子の発振波長と、測定工程において得られる活性層の利得ピーク波長との差が所定の範囲内となるように、活性層の幅を決定する。 - 特許庁

A device for shaping waveform of signal light is provided with a distributed feedback(DFB) laser 2 having a blocking band that is defined as the range of wavelengths which can be oscillated from the laser 2, and a driving circuit 4 which supplies a driving current to the laser 2 so that the laser 2 may oscillate at a first wavelength contained in the blocking band.例文帳に追加

本発明による信号光の波形整形のための装置は、レーザ発振可能な波長の範囲として定義される阻止帯域を有する分布帰還（ＤＦＢ）レーザ２と、ＤＦＢレーザが阻止帯域に含まれる第１の波長でレーザ発振するようにＤＦＢレーザに駆動電流を供給する駆動回路とを備えている。 - 特許庁

A distributed feedback variable wavelength semiconductor laser is provided with a cladding layer, an active layer that is formed on the cladding layer, a light guide layer that is formed on the active layer, a liquid crystal layer that is formed on the light guide layer, an electrode for semiconductor laser or injecting current to the active layer, and an electrode for liquid crystal for applying an electric field to a liquid crystal layer.例文帳に追加

分布帰還型の波長可変半導体レーザにおいて、クラッド層と、このクラッド層の上に形成された活性層と、この活性層の上に形成された光ガイド層と、この光ガイド層の上に形成された液晶層と、活性層に電流を注入する半導体レーザ用電極と、液晶層に電界を印加する液晶用電極とを設ける。 - 特許庁

The distributed feedback semiconductor laser device 50 is a ridge waveguide type and comprises an n-GaAs substrate 52 and a multilayered structure, which consists of an n-AlGaAs clad layer 54, InGaAs/GaAs quantum well structure layer 56, a GaInNAs absorption layer 58 formed with diffraction grating, p-AlGaAs clad layer 60, and a GaInNAs absorption layer, which are deposited in this order on the n-GaAs substrate 52.例文帳に追加

本分布帰還型半導体レーザ素子５０は、リッジ導波路型であって、ｎ−ＧａＡｓ基板５２と、ｎ−ＧａＡｓ基板５２上に、順次、成膜された、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５４、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子井戸構造層５６、回折格子５７が形成されているＧａＩｎＮＡｓ吸収層５８、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層６０、及びＧａＡｓキャップ層６２の積層構造とを備えている。 - 特許庁