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electron currentsの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 35



例文

a piece of equipment that transforms a picture into electric currents using electron flow, called electron camera 例文帳に追加

電子カメラという,電子による方法で映像を電流に変える装置 - EDR日英対訳辞書

To reduce ineffective currents when a constant current drive is performed in an electron source in which surface conduction type electron emitting elements are connected in a simple matrix.例文帳に追加

表面伝導型放出素子を単純マトリクス接続した電子源において、定電流駆動を行った際の無効電流を低減する。 - 特許庁

Both control parts for respectively controlling electron currents and hole currents are formed in two main electrodes to control currents in an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer composing super junction.例文帳に追加

二つの主電極の両方に電子とホールの制御部を設け、スーパージャンクションを構成するn形半導体層とp形半導体層における電流を制御する。 - 特許庁

To provide electron guns for a color cathode-ray tube capable of providing currents to a screen with high sensitivity relative to driving voltages and having little variations in chromaticity.例文帳に追加

駆動電圧に対して高感度でスクリーンへの電流を得ることができ、色度のバラツキのすくないカラー陰極線管用電子銃を得る。 - 特許庁

例文

Currents of sectored electrodes are different according to an eccentric state of the electron beam axis, and a deflector 3 is adjusted with the measured values.例文帳に追加

電子ビーム軸の偏心状態により、各分割電極の電流が異なり、その測定値により、偏向器3を調整する。 - 特許庁


例文

Positions of the probes can be specified with the use of information of irradiation positions of the electron beams at the time of measurement of the absorption currents in the probes.例文帳に追加

プローブにおける吸収電流を測定した時点での電子ビームの照射位置の情報を用いて、プローブの位置を特定することができる。 - 特許庁

To suppress dispersion of electron emission characteristic of emitter corns, and at the sametime, to uniforming emission currents emitted by the emitter corns.例文帳に追加

各エミッタコーンの電子放出特性のバラツキを抑制しつつ、各エミッタコーンから放出されるエミッション電流の均一化を図ること。 - 特許庁

Then, values of constant currents to be supplied from the circuit 41 to electron emitting elements of the panel 5 are controlled in accordance with this voltage Vb.例文帳に追加

この電圧Vbに応じて定電流源制御回路41から表示パネル6の電子放出素子へと供給される定電流の値を制御する。 - 特許庁

Absorption current measurement parts 4, 5 for the probes measure absorption currents generated at the probes 1, 2 in accordance with scanning of the electron beams.例文帳に追加

プローブ用吸収電流測定部4及び5は、電子ビームの走査に伴ってプローブ1及び2に生じる吸収電流を測定する。 - 特許庁

例文

Furthermore, the time for switching the currents is shortened by installing an aperture 801 in the irradiation route of the electron beam.例文帳に追加

また、電子ビームの照射経路中に絞り801を設けることにより、電流切り替え時間を短縮する。 - 特許庁

例文

To provide an image forming device in which ineffective currents flowing through pertinent electron emitting elements are reduced by holding electron emitting elements which are not selected in high resistance states at the time of driving a display panel while successively selecting multiple electron beam sources which are constituted of a plurality of electron emitting elements and to provide a driving method therefor.例文帳に追加

複数の電子放出素子により構成されるマルチ電子ビーム源を順次選択しながら駆動するに際して、選択していない電子放出素子を高抵抗化状態に保持することにより、当該電子放出素子に流れる無効電流を低減する画像形成装置及びその駆動方法の提供。 - 特許庁

The currents are amplified by respective preamplifiers 4, 8, a tunnel voltage corresponding to the tunnel current is outputted from a differential amplifier 7, and a secondary electron voltage corresponding to the secondary electron current is outputted from the differential amplifier 10.例文帳に追加

これらの電流はそれぞれプリアンプ4、8により増幅され、差動増幅器7からはトンネル電流に対応したトンネル電圧が出力され、差動増幅器10からは二次電子電流に対応した二次電子電圧が出力される。 - 特許庁

A position detecting element 121 is composed of ≥2 electrodes 13a and 13b which are insulated from each other, and signals based upon beam currents generated when an electron beam spot 18 impinges on the electrodes 13a and 13b are detected to detect the position of the electron beam spot 18.例文帳に追加

互いに絶縁された2つ以上の電極13a、13bから構成された位置検出素子12_1 を有し、電子ビームスポット18が電極13a、13bに当って得られるビーム電流に基づく信号を検出して、電子ビームスポット18の位置を検出する - 特許庁

If the point of incidence of the electron beam 3 on the wafer 5 deviates from a target position while the exciting currents of the deflectors R1 and R2 are determined so as to enable the electron beam 3 located out of the optical axis to pass through the center of the contrast aperture 4, the above deviation is corrected by the use of the above sensitivity.例文帳に追加

そして、軸外の電子線3がコントラストアパーチャ4の中心を通るように偏向器R1と偏向器R2の励磁電流を定めたときに、その電子線3がウエハ5に入射する位置が目標位置からずれた場合、そのずれを、前記感度を使用して補正する。 - 特許庁

The electron ray information reproducing method is characterized in that information is read by using the difference of an amount of electric currents in the information recording medium obtained by irradiating the information recording medium with information recorded thereon by changing the quality of the information recording medium with electron rays, or the difference of an amount of electrons.例文帳に追加

情報記録媒体を変質させることによって記録された情報を有する情報記録媒体に、電子線を照射することによって得られる、該情報記録媒体内電流量の差、或いは電子量の差を利用して、情報を読み出すことを特徴とする電子線情報再生方法。 - 特許庁

Where, EkR, EkG, and EkB are cut-off voltages for cathode currents in cathode-voltage modulation of the electron guns R, G, and B, respectively, and they have values that can be calculated by using the hole diameters of electron passing ports, plate thicknesses, and electrode intervals, of R, G, and B, respectively.例文帳に追加

ここでEk_R、Ek_G、Ek_BはそれぞれRGBの電子銃のカソード電圧変調時のカソード電流のカットオフ電圧であってRGBそれぞれの電子通過口の孔径、板厚、電極間隔を用いて算出できる値である。 - 特許庁

When a negative bias voltage is applied to the probe 1 by the bias power supply 6 and the distance between the probe 1 and the sample 3 is reduced, a tunnel current flows to the probe 1, and tunnel currents in opposite directions and a secondary electron current based on secondary electron emission flow to the sample 3.例文帳に追加

バイアス電源6により探針1に負のバイアス電圧を印加して探針1と試料3との距離を近づけると、探針1にはトンネル電流が流れ、試料3には、互いに逆向きのトンネル電流と、二次電子放出に基づく二次電子電流が流れる。 - 特許庁

Test signal adding circuits 55L and 55R add current detection signals into input signals to detect the relationship between the input signals and the beam currents in electron guns 31L and 31R.例文帳に追加

テスト信号追加回路55L.55Rは、入力信号と電子銃31L.31Rにおけるビーム電流との関係を検出するための電流検出用信号を入力信号中に追加する。 - 特許庁

Ferrite stacks 9, 10 prevent the deflectors 7, 8 from causing unintended magnetic actions on the electron beam by eddy currents occurring in the constituent metals of the lenses 1, 2 due to the effect of the AC magnetic fields generated by the deflectors 7, 8.例文帳に追加

フェライトスタック9、10は、偏向器7、8が発生する交流磁場の影響により、レンズ1、2を構成する金属に渦電流が発生して、電子線への意図せぬ磁気作用を生起することを防ぐ。 - 特許庁

To provide a field electron emission body capable of exposing a large number of carbon net ends to obtain more emission currents, and excellent in workability and productivity.例文帳に追加

多くの炭素網端を露出させることができて、より多くの放流電流を得ることができ、また、加工性や生産性にすぐれる電界電子放出体を提供する。 - 特許庁

A current-sensor array 4 has sensors for measuring the strengths of the electron beams (currents) in the portions other than the apertures.例文帳に追加

電流検出器アレイ4は、アパーチャアレイ3の上記開口以外の部分において電子ビームの強度(電流)を計測する電流検出器を有する。 - 特許庁

When the exciting currents of the reflectors R1 and R2 are changed while the above relation is kept unchanged, the sensitivity of the point of incidence of the electron beam 3 on the wafer 5 is obtained.例文帳に追加

そして、この関係を保って偏向器R1と偏向器R2の励磁電流を変化させたときの、電子線3のウエハ5への入射位置の感度を求める。 - 特許庁

To provide an electron beam lithography system, having a proper deflected magnetic field distribution by suppressing the occurrence of eddy currents and magnetic fields which reach a magnetic body due to a deflector to a minimum.例文帳に追加

偏向器による、渦電流の発生、磁性体への到達磁場を最小に抑え、良好な偏向磁場分布を有する電子線描画装置を実現する。 - 特許庁

To reduce luminance uneveness which is generated by a voltage drop generated to the currents from scanning circuits arranged on both sides in an electric field effect type display device that uses an MIM type electron discharging element.例文帳に追加

MIM型電子放出素子を用いた電界効果型表示装置で、両側の走査回路からの電流による電圧降下で生じる輝度むらを低減する。 - 特許庁

Magnetic field set up by passing constant currents modify the trajectories of electron beams in the vicinity of upper and lower sides of a picture frame of the color cathode-ray tube device, and thus distortions of upper and lower parts of a picture can be independently corrected easily.例文帳に追加

定電流を導通することで磁界が発生して、カラー陰極線管装置の上下画像枠近傍における電子ビームの軌道が修正され、画面歪を上下独立に容易に補正できる。 - 特許庁

Thereby, a total of beam currents given to a fluorescent substance at the same pixel position per unit time prevents the generation of a relative difference in the scanning time of each electron beam to scan each split screen so that the limit of the brightness saturation of the fluorescent substance is not exceeded.例文帳に追加

これにより、単位時間当たりに同一画素位置の蛍光体に与えられるビーム電流の総和が、その蛍光体の輝度飽和の限界を超えることのないよう、各分割画面を走査する各電子ビームの走査時刻に相対的な差が生じる。 - 特許庁

A plurality of point probes having sharp tips 1, 2, 3 and 4 access sample electrodes 5, 6, 7 and 8 respectively until contact currents saturate and contact with them securely, while observing through a scanning electron microscope, by the control of a point probe moving control circuit 18 by using point probe moving mechanisms 14, 15, 16 and 17.例文帳に追加

走査型電子顕微鏡で観察しながら、探針移動制御回路18による制御で、探針移動機構14、15、16、17により、鋭利な先端を有する複数の探針1、2、3、4を、それぞれ試料電極5、6、7、8に接触電流が飽和するまで接近させ、確実に接触させる。 - 特許庁

To largely keep a difference between drain currents in the state that electrons are stored in a charge storage section of a readout object and in the state that electrons are not stored in the charge storage section of the readout object by suppressing a deterioration of a current Ids between drain-source by the electron stored in the charge storage section which is not the readout object.例文帳に追加

読出し対象ではない電荷蓄積部に蓄積された電子によるドレイン−ソース間電流Idsの低下を抑制することで、読出し対象の電荷蓄積部に、電子が蓄積されている状態と蓄積されていない状態でのドレイン電流の差を大きく保つ。 - 特許庁

To provide a method for accurately and quickly calculating node potentials in a circuit network having inflow/outflow nodes of currents in wiring lines, and to provide a driving method for uniformizing voltages applied to an electron emitting element by using this method and a method for manufacturing an image forming apparatus having the element.例文帳に追加

配線中に電流の流出入節点を有する回路網における節点電位を精度良くかつ高速に計算する手法を提供し、この手法を用いて電子放出素子に印加される電圧を均一化する駆動方法および電子放出素子を有する画像形成装置の製造装置を提供する。 - 特許庁

A voltage setting circuit 111 decides a non-selection voltage Vns in response to a driving signal so that ineffective currents flowing in electron emitting elements being in semiselection states become minimum and makes a variable power source 112 output the decided non-selection voltage Vns.例文帳に追加

電圧設定回路111は、駆動信号に基づいて、半選択状態の電子放出素子に流れ込む無効電流が最少となるように非選択電圧Vnsを決定し、可変電源112に決定された非選択電圧Vnsを出力させる。 - 特許庁

This method is to adjust the multi-pole lenses of the electron spectrometer having a plurality of the multi-pole lenses attached to a transmission electron microscope, and optimum conditions are found by simulation using a parameter design method using the exciting currents of the multi-pole lenses as parameters in this lens adjusting method.例文帳に追加

透過型電子顕微鏡に付随している複数個の多重極子レンズを有する電子分光器の多重極子レンズを調整する方法であって、多重極子レンズの励磁電流をパラメータとしたパラメータ設計手法を用いたシミュレーションにより最適条件を求めるレンズ調整方法を提供する。 - 特許庁

The deflection of an electron beam caused by eddy currents generated by leakage magnetic fields from the electronic oven of the electron beam exposure system and the deflection of the beam caused by the influence of charge up by secondary electrons are reduced sufficiently by constituting a mobile guide 3 journaled by the static-pressure bearing 10 of a conductive material having a volume resistance of about 1E^-3 Ωcm or higher.例文帳に追加

静圧軸受10に軸支される可動ガイド3を略1E^−3Ω・cm以上の体積抵抗を有する導電性材料で構成することにより、電子ビーム露光装置の電子レンズからの漏れ磁場によって発生する渦電流によるビームの振れ、2次電子によるチャージアップの影響によるビームの振れを十分小さくする。 - 特許庁

To provide an electron beam exposure control method and system for use in a low-acceleration electron beam lithography system using electrostatic lenses, wherein shot beam shapes are drawn as varied as desired, drawing beam currents and convergence semiangles on the specimen surface are selected at the shot level, and an electrooptical system is provided for reducing resolution degradation due to the space charge effect.例文帳に追加

静電レンズを使用した低加速電子ビーム描画装置において、ショットビーム形状が任意に変えられる可変成形ビーム描画の機能と、描画時のビーム電流と試料面収束半角をショットレベルで選択できる機能と、空間電荷効果による解像性低下の影響を低減できる電子光学系を具えた電子ビーム露光制御方法とその装置を提供すること。 - 特許庁

A limit value calculating circuit 110 calculates limited impression voltages for every electron emitting elements by considering quantities of currents to be made flow through the respective cold cathodes elements by the circuit 108 and voltage drops due to wiring resistances and a voltage limiting circuit 109 limits respective voltages which are to be applied to plural wirings of a column direction based on the calculated limited voltages.例文帳に追加

制限値演算回路110は、V/I変換回路108によって各冷陰極素子に流すべき電流量と配線抵抗による電圧降下を考慮して各電子放出素子毎の制限印加電圧を算出し、電圧制限回路109は、算出された制限電圧に基づいて、複数の列方向配線に印加される各電圧を制限する。 - 特許庁

例文

The device 18 acquires a reference data that shows a relationship between reference functions using as a variable the substrate currents when the film 34 is irradiated with the first and second energy electron beams and film thickness in a reference sample, and calculates the film thickness of the thin film on the basis of the first and second substrate current values while taking the reference data into consideration.例文帳に追加

膜厚測定装置18は、標準試料において、第一のエネルギーの電子ビームを照射した場合の基板電流と第二のエネルギーの電子ビームを照射した場合の基板電流とを変数とする参照関数と膜厚との関係を示す参照データを取得し、参照データを考慮して第一の基板電流値と第二の基板電流値とに基づき測定対象の薄膜の膜厚を算出する。 - 特許庁

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