「etching processes」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

That is, processes from processing of the conductive film to the etching by using the semiconductor etching gas are continuously performed in the same chamber and the etching by using the semiconductor etching gas is performed before removing the etching mask.例文帳に追加

すなわち、導電膜の加工から半導体エッチング用のガスで行うエッチングまでを同一チャンバー内で連続して行い、半導体エッチング用のガスで行うエッチングはエッチングマスクを除去する前に行う。 - 特許庁

A coating process is added between the first and the second etching processes, and thereby the side-etching can be prevented even when not performing a plurality of etching processes, and consequently the layer 21 having a desired shape can be formed in a small number of processes.例文帳に追加

第１エッチング処理工程および第２エッチング処理工程との間に、被覆処理工程を設けることによって、エッチング処理工程を複数回行わなくても、サイドエッチを防止することができ、所望の形状の被処理層２１を、少ない工程数で形成することができる。 - 特許庁

To efficiently perform processes to a semiconductor substrate, such as dry etching, and cleaning for removing foreign materials after the processes.例文帳に追加

半導体基板に対するドライエッチング等の加工、および加工後の異物除去のための洗浄を効率よく実現する。 - 特許庁

To provide an etching mask forming method which can reduce the number of processes and readily simplifies the processes.例文帳に追加

プロセス数の低減が可能であり、プロセスの単純化が容易なエッチングマスク形成方法を提供する。 - 特許庁

Vertical nano circuits (100 and 300) are manufactured by such known standard processes as Damascene, wet etching, and reactive etching.例文帳に追加

縦型ナノ回路(100,300)は、Damascene、ウェットエッチング、反応性エッチング等の標準的な既知のプロセスを用いて作製される。 - 特許庁

In one embodiment, the process gas is utilized in both the first and second etching processes.例文帳に追加

一実施形態において、処理ガスを第１及び第２のエッチングステップの両方で利用する。 - 特許庁

The method does not include a resist forming process or an etching process, and therefore the processes are simplified.例文帳に追加

この方法では、レジストの形成工程やエッチング工程がないため、工程が簡素化される。 - 特許庁

To reduce processes of photolithography for forming an etching resist.例文帳に追加

本発明は、エッチングレジストを形成するためのフォトリソグラフィの工程を減らすことを目的とする。 - 特許庁

To provide an inorganic material surface etching method by which the number of processes is reduced and fine processing is carried out.例文帳に追加

工程数を少なくでき微細な加工も可能な、無機表面エッチング方法を提供すること。 - 特許庁

Masking and etching processes are carried out with a bit-line layer 50.例文帳に追加

マスキングおよびエッチング工程がビット線層５０に対して実行される。 - 特許庁

In another embodiment, the first and second etching processes are performed in the same processing chamber.例文帳に追加

他の実施形態において、第１及び第２のエッチングステップは、同じ処理チャンバで実施される。 - 特許庁

This patterning method includes at least three steps of etching processes, in which a fluorine-containing gas is used for etching at a first step, a chlorine-containing gas is used for etching at a second step, and a bromine-containing gas is used for etching at a third step.例文帳に追加

このパターニング法は、少なくとも３段階のエッチングプロセスを含み、第一の段階ではフッ素を含むガスが、第二の段階では塩素を含むガスが、第三の段階では臭素を含むガスがエッチングのために使用される。 - 特許庁

The method relates to wafer processing utilizing multilayer processing procedure including one or more measuring processes, one or more poly-etching (P-E) processes and one or more metal gate etching processes, and the multilayer/multi-input/multi-output (MLMIMO) model and library.例文帳に追加

本発明は、1つ以上の測定処理、1つ以上のポリエッチング(P-E)処理及び1つ以上の金属ゲートエッチング処理を有する多層処理手順並びに多層/多入力/多出力(MLMIMO)モデル及びライブラリを用いてウエハを処理する方法を供する。 - 特許庁

After other processes, the second insulating film 16 is etched on the fuse layer 12 in a first etching process selectively for the etching stopper film 14 to expose a surface of the etching stopper film 14.例文帳に追加

他の工程を経た後、第１のエッチング工程として、ヒューズ層１２上で、第２の絶縁膜１６をエッチングストッパー膜１４に対して選択的にエッチングすることにより、エッチングストッパー膜１４の表面を露出させる。 - 特許庁

Even if a plurality of etching treatment processes are not carried out, the side etching can be prevented by effecting the coating treatment process between the first etching treatment process and the second etching treatment process, so that a plurality of processed layers can be formed in a desired shape by a smaller number of man-hours.例文帳に追加

第１エッチング処理工程と第２エッチング処理工程との間に、被覆処理工程を設けることによって、エッチング処理工程を複数回行わなくても、サイドエッチを防止することができ、少ない工数で、複数の被処理層を所望の形状に形成することができる。 - 特許庁

A process for applying plasma etching treatment to the hydrogen storage alloy powder is provided during processes for producing the hydrogen storage alloy electrode.例文帳に追加

水素吸蔵合金電極の製造工程中に、水素吸蔵合金粉末にプラズマによるエッチング処理を施す工程を設ける。 - 特許庁

The method further includes applying the assigned bias voltage to an electrostatic chuck before initiation of one of the at least one etching processes.例文帳に追加

方法は、更に、少なくとも一つのエッチングプロセスの一つの開始前に、割り当てバイアス電圧を静電チャックに印加するステップを含む。 - 特許庁

To reutilize wastewater of an etching process and wastewater of an alkali process in the processes by inexpensive equipment.例文帳に追加

本発明は、エッチング工程排水及びアルカリ系工程排水を安価な設備で工程内で再利用することを課題とする。 - 特許庁

By combining etching treatment in the above processes, size of the hemispherical crystal grain 6 in an HSG silicon crystal grain is controlled to be small.例文帳に追加

このように、エッチング処理を組み合わせることにより、ＨＳＧシリコン結晶粒における半球状の結晶粒６のサイズを小さく制御する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device, an etching stop layer is provided selectively between the layers of a multilayer circuit in consideration of degassing impurities during its continuous manufacturing processes.例文帳に追加

連続する製造過程中に不純物のガス抜けを考慮して多層回路の層間にエッチング阻止層が選択的に提供される。 - 特許庁

Preferably, at least either of alkali treatment and acid treatment processes is provided as a pretreatment process for the plasma etching treatment.例文帳に追加

好ましくは、前記プラズマによるエッチング処理の前処理工程として、アルカリ処理および酸処理の少なくとも一方の処理工程を設ける。 - 特許庁

TWO PROCESSES OF TRENCH ETCHING FOR FORMING COMPLETELY INTEGRATED THERMAL INK JET PRINT HEAD例文帳に追加

完全に一体化されたサーマル・インクジェットプリントヘッドを形成するための２段階のトレンチエッチング - 特許庁

Through these dry etching processes, a vapor deposition surface of a negative electrode 107 corresponding to the layer 103 was exposed.例文帳に追加

これらのドライエッチング工程で、ｎ型半導体層１０３に対する負電極１０７の蒸着面が露出された。 - 特許庁

Here, no cleaning or drying processes are performed, since in the case it is dry-etching, and no water mark occurs.例文帳に追加

この場合、ドライエッチングであるので、洗浄工程及び乾燥工程は行わず、したがってウォータマークが発生することはない。 - 特許庁

Then, the protective film 33 is removed after forming a copper film through lithography and etching processes.例文帳に追加

その後、リソグラフィ工程およびエッチング工程を経て銅膜を形成した後に保護膜３３を除去する。 - 特許庁

In those respective processors 14, 16 and 18, a plurality of processes are executed in the same etching chambers 15a.例文帳に追加

各処理装置１４、１６、１８では、同一のエッチングチャンバ１５ａ内で複数の工程が実施される。 - 特許庁

To provide a forming method of a conductive film useful as a charge preventing film having etching resistance which is adaptive to semiconductor processes.例文帳に追加

半導体プロセスに適応し得るエッチング耐性を有する帯電防止膜として有用な導電性膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an oscillator to be manufactured in photolithographic and dry etching processes with its natural frequency having less dispersion.例文帳に追加

フォトリソグラフィ及びドライエッチング行程により製造され、固有振動数のばらつきを低減できる振動子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for controlling a temperature of a semiconductor wafer during reactive ion etching and similar processes.例文帳に追加

反応性イオンエッチング及び同様な加工中半導体ウェーハの温度を制御する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide an etching treatment device capable of reducing the number of treatment processes, and capable of reducing a facility cost, compared with the case of forming a photomask pattern.例文帳に追加

フォトマスクパターンを形成する場合と比較し、処理工程が少なく且つ設備コストも低廉なエッチング処理装置を提案する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for monitoring of plasma etching and deposition processes having a non-extended light source.例文帳に追加

非分散光源を備えるプラズマエッチングまたは堆積プロセスのモニタリング方法および装置を提供する。 - 特許庁

Here again, no cleaning or drying processes are used since it is dry-etching, causing no watermarks.例文帳に追加

この場合も、ドライエッチングであるので、洗浄工程及び乾燥工程は行わず、したがってウォータマークが発生することはない。 - 特許庁

To provide an etching method capable of working one member to a structure having a step with fewer processes.例文帳に追加

少ない工程で一つの部材を段差のある構造に加工することが可能なエッチング加工方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor package having a small environmental load for remarkably saving reducing the number of processes such as etching and plating, etc.例文帳に追加

エッチング、メッキといった工程を大幅に削減することができ、環境負荷の小さな半導体パッケージの製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent induction of etching damages in a semiconductor substrate as much as possible, without increasing the number of processes.例文帳に追加

工程数の増加をともなわないで半導体基板へのエッチングダメージの導入を極力防止する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a low resistance metal wiring, consisting of only wet-type film forming process with few etching processes.例文帳に追加

湿式成膜プロセスのみから成ってエッチングプロセスが少なく低抵抗な金属配線の製造方法を提供する。 - 特許庁

Conductor layers on the front and rear are thinned until a fine pattern can be formed by etching and polishing processes.例文帳に追加

次に，エッチング工程および研磨工程により，表裏面の導体層をファインパターンが形成できるまで薄くする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a diffraction optical element permitting to improve an optical efficiency by reducing the number of dry etching processes, and lessening the occurrences of concave parts and pillars as far as possible even when registration accuracy among each dry etching processes does not satisfy a required level.例文帳に追加

ドライエッチング加工工程数を少なく、且つ、各ドライエッチング加工工程間での位置合わせ精度が要求されるレベルに満たない場合であっても、できるだけ凹部や柱の発生を少なくして、光効率を上げることができる回折光学素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The device 112 controls the depositing processes of the devices 101, 102, and the etching processes of the devices 104, 105 so that the film thickness of the semiconductor layer is the predetermined thickness.例文帳に追加

制御装置１１２は、半導体層の膜厚が所定の厚さになるように、堆積装置１０１、１０２による堆積処理、又はエッチング装置１０４、１０５によるエッチング処理を制御する。 - 特許庁

The magnetic field can protect the wafer from seasoning processes designed to remove unwanted films from the chamber surface because seasoning processes generally rely on etching by charged particles.例文帳に追加

また、シーズニング・プロセスは、通常は帯電粒子によるエッチングに依拠しているので、磁場により、チャンバ表面から望ましくない膜を除去するようになされたシーズニング・プロセスからウェハを遮蔽することができる。 - 特許庁

To provide a method for forming a plurality of thin-film elements, in which the number of mask master making processes of the process as a whole and of the etching processes can be reduced.例文帳に追加

工程全体のマスクマスター作製及びエッチング工程の数を削減することができる複数の薄膜素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

This method can manufacture the light diffusing plate at a lower cost, in simpler processes and in a shorter period of time as compared with a method by photolithographic etching which needs many processes.例文帳に追加

多くの工程を必要とするフォトリソエッチングによる方法に比べて、コストがかからず、簡単なプロセスで短時間に光拡散板を製作することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which has a small number of patterns on intermediate wiring layers and can be manufactured through small numbers of lithographic processes and etching processes, and a method of manufacturing the device.例文帳に追加

中間配線層のパターン数、リソグラフィ工程数及びエッチング工程数が少ない半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Processes for forming the ridge stripe structure (9) includes a first etching process for dry-etching a second conductive type second clad layer 7 leaving a prescribed thickness, and a second etching process for wet-etching and removing the second conductive type second clad layer 7 having the prescribed thickness to a second conductive type etching stop layer 6.例文帳に追加

リッジストライプ構造（９）を形成する工程は、ドライエッチングにより、第２導電型の第２クラッド層７を所定の厚さ残してエッチングする第１のエッチング工程と、ウエットエッチングにより、所定の厚さ残した第２導電型の第２クラッド層７を第２導電型のエッチングストップ層６までエッチングして除去する第２のエッチング工程とを有する。 - 特許庁

This etching method of an acceleration cavity includes processes of: (I) immersing the acceleration cavity in an etchant in a vessel; and (II) etching the acceleration cavity in a state where the pressure in the vessel is increased.例文帳に追加

（I）容器内のエッチング液に加速空胴を浸漬する工程、及び、（II）前記容器内を加圧した状態で前記加速空胴をエッチングする工程を包含する。 - 特許庁