「etching processes」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can easily form T-type patterns in different degrees of apertures to remarkably reduce the manufacturing processes with the single process of reactive ion etching with a kind of BCB film and a kind of the etching gas, by utilizing the property that the etching characteristic of benzocyclobutene film for reactive ion etching changes isotropically and anisotropically depending on execution of hardening process with the Ar plasma.例文帳に追加

Ａｒプラズマによる硬化処理の有無により反応性イオンエッチングに対するベンゾシクロブテン膜のエッチング特性が異方的、等方的と変わる性質を利用し、ＢＣＢ膜一種、エッチングガス一種で、一度の反応性イオンエッチングでＴ型の開口度の異なるパタンを簡易に形成でき、製造工程の大幅な短縮を図ることができるＴ型ゲート電極有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, a discrete track medium (DTM) and a patterned medium (PM), with which recording corresponding to the pattern formed with thermal imprinting is feasible, are manufactured without performing processes such as etching and ashing (that is, without preparing equipment for performing these processes), the magnetic disk with which high density recording is feasible is manufactured with simplicity and at a low cost.例文帳に追加

したがって、熱インプリントで形成されたパターンに応じた記録が可能なディスクリート・トラックメディア（ＤＴＭ）やパターンドメディア（ＰＭ）が、エッチングやアッシングなどの処理を行うことなく（すなわち、これらの処理を行うための設備を用意することなく）製造できるので、高密度記録が可能な磁気ディスクを簡易かつ低コストで製造することができる。 - 特許庁

For the method of manufacturing the semiconductor element, more specifically, a technique is disclosed in which a reflection preventing film containing silicon is formed, and then, coating of a hard mask layer and an etching processes are executed only once by performing an O_2 plasma process to simplify processes, thereby reducing time and cost.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、より詳しくはシリコンが含まれた反射防止膜を形成した後、Ｏ_２プラズマ工程を行なうことによりハードマスク層のコーティング及び食刻工程は１回のみ行なうようにして工程を単純化させ、時間及び費用を低減させる技術を示す。 - 特許庁

The manufacturing method of semiconductor device including a substrate to be processed having a conductive layer 28 which is mainly formed of platinum comprises a process for etching the conductive layer 28, and processes to generate plasma and to conduct the cleaning of the substrate to be processed to which an etching product 30 is adhered.例文帳に追加

プラチナを主体とする導電層２８を有する被処理基板を含む半導体装置の製造方法であって、前記導電層２８をエッチングする工程と、プラズマを発生させ、このプラズマ中のイオンによってエッチング生成物３０が付着した前記被処理基板をクリーニングする工程とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of (a) forming a resist film 17 selectively on a surface of the nitride film 16; and (b) etching the resist film 17 while etching the nitride film 16 using the resist film 17 as a mask to leave the nitride film 16 covered with the resist film 17 which is made thin and has its end surface retracted.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法は、（ａ）窒化膜１６の表面に選択的にレジスト膜１７を成膜する工程、（ｂ）レジスト膜１７をマスクとして窒化膜１６をエッチングすると同時にレジスト膜１７をもエッチングし、薄膜化され端面が退避されたレジスト膜１７に覆われた窒化膜１６を残す工程を備えて構成される。 - 特許庁

The method of manufacturing the photovoltaic device comprises processes of: forming a film having an anti-etching property on a silicon substrate; irradiating the film with laser light whose focus depth is adjusted to 10 μm or above to form a plurality of fine holes in the film to expose the surface of the base silicon substrate; and etching the surface of the silicon substrate.例文帳に追加

光起電力装置の製造方法は、シリコン基板上に耐エッチング性を有する膜を形成する工程と、焦点深度が１０μｍ以上に調整されたレーザ光を照射することにより上記膜に複数の微細孔を開けて下地のシリコン基板表面を露出する工程と、上記シリコン基板の表面をエッチングする工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing an increase in etching targets due to a high aspect ratio in forming a contact by means of an auto-alignment contact, overcoming a step by a hard mask used in auto-alignment contact etching, facilitating subsequent patterning, and simplifying processes.例文帳に追加

オートアライメントコンタクトを利用したコンタクト形成の際、高い縦横比によるエッチングターゲットの増加を防止でき、オートアライメントコンタクトエッチングに用いるハードマスクによる段差を克服し、後続のパターニングを容易に行い、かつ、処理を単純化させることができる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A cyclic pattern is formed (1-e) on the transparent material by using photoresist, etching processing is carried out (1-f), and an overcoat material is potted (1-g) to eliminate the need to remove the etching mask as compared with use of a metal plate, thereby easily forming a polarizing and diffracting element at low cost while decreasing processes.例文帳に追加

フォトレジストを利用して透明材料に周期的パターンを形成させ（１−ｅ）、エッチング処理を行い（１−ｆ）、オーバーコート材をボッティングする（１−ｇ）ことで、金属板を使用するときと比べて、エッチングマスクを除去する必要性を無くし、工程が少なくなり簡便、低コストで偏光回折素子を作成できる。 - 特許庁

The method includes processes of: (1) forming a single layer film of a translucent light shielding layer comprising one of metal-silicon oxide, metal-silicon nitride and metal-silicon oxynitride or forming a multilayer film of a transparent layer and a light shielding layer on a transparent substrate; and (2) selectively removing the single layer film or the multilayer film by dry etching using an etching gas containing chlorine atoms.例文帳に追加

１）透明基板上に金属−シリコンの酸化物、金属−シリコンの窒化物、金属−シリコンの酸化窒化物のいずれかからなる半透明遮光層の単層膜、もしくは透明層と遮光層からなる多層膜を形成し、２）単層膜、もしくは多層膜を塩素原子を含むエッチングガスを用いたドライエッチングにより選択的にエッチング除去する。 - 特許庁

A process for making oxidizing gas, containing oxygen into plasma and exposing a silicon material in the plasma gas, is provided as another process different from an etching process or a protective film depositing process; and then, a method wherein these processes are repeated sequentially is adopted, whereby an etching arriving surface can be very much smoothed, even when a complex silicon form having level differences is etched.例文帳に追加

酸素を含む酸化性ガスをプラズマ化してシリコン材に曝す工程を、エッチング工程や保護膜を堆積させる工程とは別個の工程として設けた上で、これらの工程を順次繰り返す方法を採用することにより、段差を有する複雑なシリコン成形体であっても、そのエッチング到達面を極めて平滑にすることができる。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device 100 comprises processes of forming a first interlayer insulating film 108 on a semiconductor wafer, providing a second etching stop film 110 on the first interlayer insulating film 108, and selectively forming two or more concaves on the first interlayer insulating film 108, making them penetrate through the second etching stop film 110.例文帳に追加

半導体装置１００の製造方法は、半導体ウェハ上に第１の層間絶縁膜１０８を形成し、第１の層間絶縁膜１０８上に第２のエッチング阻止膜１１０を形成し、第２のエッチング阻止膜１１０を貫通して複数の凹部を第１の層間絶縁膜１０８に選択的に形成する工程を含む。 - 特許庁

To provide a method and a device for plasma etching capable of controlling types or density of radical species and ion species existing in plasma, generating plasma suitable for processes, and switching plasma states by presence/absence of irradiation of light.例文帳に追加

プラズマ内に存在するラジカル種及びイオン種の種類又は密度を制御し、プロセスに対して適したプラズマを生成し、かつ、光の照射の有無によりプラズマ状態の切り換えをすることができるラズマエッチング方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor light-emitting device includes the processes of selectively etching a semiconductor layer structure, produced with nitride material-based; and of making the semiconductor layer structure include an aluminum-containing cladding region or an aluminum-containing light guide region.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子の製造方法は、窒化物材料系で製造された半導体層構造体を選択的にエッチングする工程と、アルミニウム含有クラッド領域またはアルミニウム含有導光領域を含ませる工程とを含む。 - 特許庁

The method includes steps of providing a semiconductor substrate on which a gate electrode pattern is formed, implementing many-time simultaneous vapor deposition and etching processes to form an interlayer dielectric film made up of multilayer HDP oxidized films so as to embed the gate electrode pattern.例文帳に追加

ゲート電極パターンが形成された半導体基板を提供する段階と、多数回の同時蒸着及びエッチング工程を行い、前記ゲート電極パターンが埋め込まれるように多層のＨＤＰ酸化膜からなる層間絶縁膜を形成する段階とを含む。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a bimetal which forms a discrimination mark without using etching without complicating manufacturing processes while restraining a blur of a discrimination mark in a heat treatment (aging) process for releasing from stress.例文帳に追加

バイメタルの製造工程を煩雑化させることなく、応力除去の熱処理（エージング）工程により識別マークが不鮮明になるのを抑制するとともに、エッチングを用いずに識別マークを形成することが可能なバイメタルの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an image sensor suitable for improving margins of succeeding processes by reducing leanings of boundary portions of etching as small as possible when an insulating film on a photodiode is etched, and to provide a photomask used in the method.例文帳に追加

フォトダイオード上の絶縁膜をエッチングするとき、エッチングの境界部分の傾斜を最大限小さくして、後続の工程マージンの向上に適切なイメージセンサの製造方法と、これに用いられるフォトマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a flexible base material having superior peeling strength, without using a metal vapor-deposited film with nickel and chromium possibly causing a migration as main components also without requiring two-time etching processes, and to provide a manufacturing method for the base material.例文帳に追加

マイグレーションの原因ともなり得るニッケルおよびクロムを主成分とする金属蒸着膜を用いることなく、また、２度のエッチング工程も必要となることなく、優れた剥離強度を有するフレキシブル基材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By using a semiconductor manufacturing apparatus having a purifying apparatus, a plurality of reaction chambers, a heating chamber, a laser apparatus, and an etching apparatus, processes from the formation of a ground film to the gettering of the catalyst element and the removal of a gettering layer are continuously carried out.例文帳に追加

洗浄装置、複数の反応室、加熱室、レーザー装置およびエッチング装置を有する半導体製造装置を用いることにより、下地膜形成から、当該触媒元素のゲッタリングおよびゲッタリング層の除去までを連続的に処理するものである。 - 特許庁

Inside of a chamber is cleaned with the processing using plasma containing hydrogen (step S1) and processes such as formation of trench and via-hole are conducted by etching to a wafer using the chamber having completed the cleaning process (steps S2, S3).例文帳に追加

チャンバ内を水素を含むプラズマを用いて処理することによってクリーニングし（ステップＳ１）、クリーニングされたチャンバを用い、ウェーハにエッチングによりトレンチやビアホールを形成する等の加工を行う（ステップＳ２，Ｓ３）。 - 特許庁

Adjacent buried-back films 42 and 43 after the patterning of the magnetic multilayer film 14 is deposited by a series of manufacturing processes comprising a deposition step of a first stage, a step for etching back the deposited film and a deposition step of a second stage.例文帳に追加

磁性多層膜１４のパターン加工後の隣接する埋め戻し膜４２，４３の堆積を，第１段階の堆積工程と，続けて堆積した膜をエッチバックする工程と，第２段階の堆積工程からなる一連の製造プロセスによって形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a capacitor preventing that an electrode support film may be removed and fall off or be contracted to lead a lower electrode to collapse even when solution etching is used to form the lower electrode of a crown structure, involving simple processes, and suppressing an increase of a process cost.例文帳に追加

クラウン構造の下部電極形成に溶液エッチングを用いても電極支持膜が剥離脱落したり、収縮して下部電極が倒壊することを抑制し、工程が簡略であり、プロセスコストの増大を抑えたキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching agent composition for a thin film having high permittivity to be used in manufacturing processes of a semiconductor device which uses a thin film having high permittivity, specifically, a semiconductor device which uses an extremely thin gate insulation film layer and a gate electrode which are essential to increase of integration and rapid operation of a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).例文帳に追加

高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）の高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜エッチング剤組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an organic porous film having ≤2.2 relative dielectric constant, with which processes of etching processing, cleaning liquid treatment, etc., are facilitated in an insulating film processing process of semiconductor device of advanced micronization and to obtain a composition for forming the organic porous film.例文帳に追加

より微細化が進む半導体デバイスの絶縁膜加工プロセスに対し、エッチング加工あるいは洗浄液処理等の工程が容易となる、比誘電率２．２以下の有機多孔化膜の製造方法および当該有機多孔化膜を形成できる組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electric circuit board where a metal foil-clad laminate is not used as a substrate and a process dispenses with an etching process and a resist process, thereby capable of shortening processes such as a conventional circuit board and saving resources and energy and further capable of simultaneously manufacturing a plated through hole.例文帳に追加

金属箔張積層板を基板として用いず、エッチング工程やレジストの除去工程を必要とせず、その結果、従来の配線基板などの工程の短縮化及び省資源省エネルギー化を図ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To achieve cost reduction while maintaining quality by reducing the number of processes by eliminating the necessity of any of a printing process of conductive paste or catalytic ink, a plating process, an etching process and a photolithographic process in manufacturing an electromagnetic shielding mesh.例文帳に追加

電磁波シールドメッシュを作製する際に、導電ペーストや触媒インキなどの印刷工程、めっき工程、エッチング工程、フォトリソ工程の何れの工程も不要として工程数を減らし、且つ品質を維持しつつ、低コスト化を図る。 - 特許庁

To provide a simple retrieval method and a device with high retrieval efficiency which can retrieve highly-pure Xe by functionally removing water, CO_2, FC and the like from waste gases from semiconductor production processes, such as the plasma etching, that contain low-concentration Xe.例文帳に追加

低濃度のＸｅが含まれるプラズマエッチング等の半導体製造プロセス排ガス中より、水分、ＣＯ_２およびＦＣ等を機能的に除去して高純度なＸｅを回収することが可能な、簡便で捕集効率の高い回収方法および回収装置を提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing the photoelectric conversion device 1 comprises processes of: joining silicon bases 4a to the element base 3, providing the photoelectric conversion elements 2 onto the element base 3; and forming the lenses 4 by etching the silicon bases 4a on the surface of the element base 3 opposite to its other surface where the photoelectric conversion elements 2 are provided.例文帳に追加

シリコン基体４ａと素子基体３とを接合する工程と、素子基体３に光電変換素子２を設ける工程と、シリコン基体４ａを光電変換素子２とは反対の面側においてエッチング加工し、レンズ４を形成する工程とを有する、光電変換装置の製造方法。 - 特許庁

The metallic foil 1 is manufactured by a method including at least such processes that resist ink is pattern- printed on a metallic sheet raw roll by rotary printing, a surface of the pattern- printed metallic foil sheet raw roll is processed by etching, and the resist ink is removed.例文帳に追加

こうした金属箔シート１は、金属箔シート原反上に、輪転印刷によってレジストインキをパターン印刷する工程と、パターン印刷された金属箔シート原反の表面をエッチング加工する工程と、レジストインキを除去する工程とを少なくとも有する方法で製造される。 - 特許庁

To manufacture a direct mastering substrate in which a stamper can be formed by etching through a smaller number of processes than before, in a short time, at low cost and with a high yield, and also to provide an method for manufacturing the stamper using the substrate.例文帳に追加

スタンパーをエッチングにより、従来より少ない工程数で短時間にかつ低コスト、高歩留まりで作製することができるダイレクトマスタリングの基板とその製造方法及び上記基板を使用したスタンパーの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same ensuring etching resistance for both hydrofluoric acid and phosphoric acid, and preventing withdrawal of an element isolating and insulating film due to the processes by hydrofluoric acid and phosphoric acid, and to provide a method for forming an oxynitrided silicon film used for the same device and method.例文帳に追加

フッ酸とリン酸両方に対してエッチング耐性があり、フッ酸やリン酸の処理による素子分離絶縁膜の後退を防止することができる半導体装置及びその製造方法と、それに用いる酸窒化シリコン膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a coupling ratio can be maintained higher than or equal to a specified value in the case of micronization, increase of the number of processes is restrained to a minimum, insulating resistance is increased, generation of electric field concentration is restrained and etching residue is not left, and a manufacturing method of the device.例文帳に追加

微細化されてもカップリング比を一定以上に保つことができ、かつ、工程数の増加を最小限に留め、より絶縁抵抗を向上し、電界集中の発生を抑制した、エッチング残渣が残らない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, in this patterning method for the insulating layer, by simplifying a conventional usual lithographic process, an etching process and a stripping process, the processes are simplified, process cost is reduced and process time is shortened.例文帳に追加

また、本発明による絶縁層のパターニング方法は、従来の通常的なリソグラフィ工程、エッチング工程及びストリッピング工程を単純化することによって、工程の単純化、工程コストの低減及び時間短縮の効果をもたらす。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device having a large margin in a manufacturing process, especially a contact etching process, by forming a high-quality semiconductor device without adding any mask processes.例文帳に追加

微細化のために浅く形成されたソース、ドレインはその後の工程で絶縁膜のエッチング、メタル配線の堆積、熱アニールが行われ、ソース、ドレイン領域に上部からダメージが加えられ、ソース、ドレインが機能不具合となる課題が生じる。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus which utilizes plasma and is adaptable to plasma etching, physical or chemical vapor deposition, photoresist stripping and the like to be used for semiconductor wafers, flat-panel displays, printed circuit boards, and a variety of thin-film work processes.例文帳に追加

半導体ウェーハ、平板画面、印刷回路基板及び多様な薄膜加工工程で使用されるプラズマエッチングと物理的または化学的蒸気蒸着法、フォトレジストストリッピング等に適用されるプラズマを利用した半導体製造装置を提供する 。 - 特許庁

To provide a print mask manufacturing method capable of suppressing significant disruption in a print pattern due to low removal performance of a print material from a through hole while avoiding the disruption in the shape of a through hole due to irradiation of laser for half-etching processes.例文帳に追加

ハーフエッチング加工用のレーザーを照射してしまうことによる貫通孔の形状の乱れを回避しつつ、貫通孔からの印刷材抜け性の悪さによる印刷パターンの著しい乱れを抑えることが可能な印刷マスク製造方法を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method, regions A1, A2, A3 of a diffraction optics 1 are divided successively into a circular and two annular regions in this order in the radial direction, and an eight step stair structure is manufactured in the region A1 by repeating patterning and etching processes.例文帳に追加

回折光学素子１を領域Ａ１、Ａ２、Ａ３はそれぞれ半径方向に円形及び円環形領域に３分割し、領域Ａ１においてパターニング及びエッチングの工程を繰り返すことにより領域Ａ１に８段の階段構造を製作する。 - 特許庁

To improve the takeout efficiency of light emitted from a luminous layer, and also to improve the external quantum efficiency of a light-emitting element by a gallium-nitride-based compound semiconductor without performing any complex processes, such as the formation of an irregular structure by dry etching and the removal of a substrate.例文帳に追加

ドライエッチングによる凹凸構造形成や基板除去等の複雑な工程を行うことなく、発光層で発光した光の取り出し効率を向上させ、窒化ガリウム系化合物半導体による発光素子の外部量子効率を向上させること。 - 特許庁

Processes for etching PZT and/or forming a ferroelectric capacitor with Ir/IrOx electrodes (350/355, 300/335) and PZT ferroelectric layer (340) use a titanium-containing hard mask (360), a chlorine/oxygen-based plasma, and a hot substrate, typically at about 350°C.例文帳に追加

PZTをエッチングし、かつ／または、Ｉｒ／ＩｒＯｘ電極（350／355，300／335）を備えた、強誘電体コンデンサー及びPZT強誘電体層(340)を形成するためのプロセスは、チタン含有ハードデスク(360)、塩素／酸素系プラズマ、通常約350℃のホット基板を使用する。 - 特許庁

The process of manufacturing such a high quality Al_xGa_yIn_zN wafer may include processes of lapping, mechanical polishing, and reducing internal stress of the wafer by thermal annealing or chemical etching for further enhancement of its surface quality.例文帳に追加

このような高品質Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。 - 特許庁

To obtain a liquid crystal display device whose array substrate wherein a thin film transistor including an etching preventing film is constituted can be fabricated by three mask processes and to obtain a method of fabricating the same.例文帳に追加

液晶表示装置用アレイ基板の製作において、エッチング防止膜を含む薄膜トランジスタが構成された液晶表示装置用アレイ基板を３マスク工程によって製作可能な液晶表示装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method for producing a master disk of an optical disk in which a land pre-pit(LPP) and its adjacent grooves have a shape not affecting reproduced signals when pits and grooves of different depths are formed on the same master disk by using plasma etching and ashing processes.例文帳に追加

プラズマエッチングとアッシングプロセスを用いて、深さが異なるピットとグルーブを同一原盤内に形成する際に、ランドブリピット(LPP)及びその隣接グルーブが再生信号に影響を与えることない形状の光ディスク原盤の製造方法を提供する。 - 特許庁

A first contact 45a which reaches an SOI layer 13 below an isolation insulation film 14 and a first contact 42a which reaches the top face of the active region 21 are formed by separate etching processes which each use a mask of a different pattern.例文帳に追加

分離絶縁膜１４の下のＳＯＩ層１３にまで達する第１のコンタクト４５ａと、活性領域２１の上面まで達する第１のコンタクト４２ａとを、それぞれ異なるパターンのマスクを用いた別々のエッチング工程により形成する。 - 特許庁

To provide a technique capable of reducing the four processes of a key open photo process, a key open etching process, a photoresist removing process, and a subsequent cleaning process; and reducing a TAT (Total Around Time) and a manufacturing cost by skipping a conventionally used key open process.例文帳に追加

従来用いられていたキーオープン工程を省略することによりキーオープンフォト工程、キーオープンエッチング工程、感光膜除去工程及び後続洗浄工程の４段階を縮小することができ、ＴＡＴ（Total Around Time）及び製造原価を低減させる技術を示す。 - 特許庁

In this production control system, preparation of lots and members (reticles) and scheduling are controlled by aiming at a set of, for instance, an exposure process (anterior process) and an etching process (posterior process) within a plurality of processes and manufacturing devices of a line.例文帳に追加

本生産管理システムでは、ラインの複数の工程及び製造装置のうち例えば露光工程（先行工程）とエッチング工程（後行工程）の組を対象として、ロット及び部材（レチクル）の配膳及びスケジューリングを制御する。 - 特許庁

In the sample producing method, a groove section 12 is formed by etching / removing the periphery of a region, including a prescribed test point 7 disposed on the surface of the semiconductor wafer 14 treated in prescribed processes in a semiconductor device production line, and the region including the prescribed test point 7 is made thin.例文帳に追加

半導体デバイス製造ラインで所定の処理を施した半導体ウエハ１４に対し、ウエハ表面に形成された所定の検査箇所７を含む領域の周辺部をエッチング除去して溝部１２を形成するとともに所定の検査箇所７を含む領域を薄片化する。 - 特許庁