「etching processes」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

After the deposition, sputter etching is performed by using a low bias, the thickness of the overhung part (111) is reduced and a seam generated in subsequent important processes is avoided.例文帳に追加

堆積後、低バイアスを用いてスパッタエッチングが行なわれ、オーバハング部分（111）の暑さを減少し、続く重点プロセスにいて生じるシームを避ける。 - 特許庁

In copper deposition processes, a sputter etching process 162 of deposited copper whose deposition is carried out in a same sputter chamber is performed following a sputter deposition process 160 of copper.例文帳に追加

同じスパッタチャンバ内で実行される堆積された銅のスパッタエッチング１６２が、銅のスパッタ堆積１６０の後に続いて実行される。 - 特許庁

Then, in the processes 5 to 6, a first orifice plate 35 is stuck on the partitions 34, and a first mask film 37 for etching is formed on the orifice plate 35, and jet nozzles 38 are made in the orifice plate 35 by etching.例文帳に追加

そして工程５及び工程６において、先ず、第１のオリフィス板材３５を隔壁３４の上に貼設し、この上にエッチング用第１マスク膜３７を形成し、エッチングを行って吐出ノズル３８を穿設する。 - 特許庁

To prevent resist breakdown to obtain anisotropic patterns, without fail on etching-target films and to control the sizes of the patterns, in etching processes in which resist patterns formed of resist material for exposing to an ArF excimer laser are used.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザ感光用のレジスト材からなるレジストパターンを用いるエッチング工程において、レジスト倒れを防止して被エッチング膜に異方性形状を確実に得ると共に、パターン寸法を制御できるようにする。 - 特許庁

This texture forming method has processes (P2, P3) for introducing a treatment gas into a vacuum treatment chamber and etching the surface of a silicon-based workpiece by a dry etching method to form a texture.例文帳に追加

本発明は、真空処理槽内に処理ガスを導入し、ドライエッチング法によってシリコン系処理対象物の表面をエッチングしてテクスチャーを形成する工程（Ｐ２、Ｐ３）を有するテクスチャー形成方法である。 - 特許庁

Otherwise a sequence of processes as follows is executed: (a) etching of the ITO film 4 under a resist pattern prior to post baking→(b) extension of the resist pattern by the post baking→(c) etching of the metal film 5 under the resist pattern after the post- baking.例文帳に追加

または、(a)ポストベーク前のレジストパターンの下でのＩＴＯ膜４のエッチング→ (b)ポストベークによるレジストパターンの拡大→ (c)ポストベーク後のレジストパターンの下での金属膜５のエッチング、という一連の工程を行なう。 - 特許庁

Two-stage self-aligned contact etching process of different conditions for etching processes is performed, and a contact hole bottom is etched completely, by making the loss of the upper section of the insulating membrane spacer minimized.例文帳に追加

本発明は食刻工程の条件が異なる２つの段階の自己整合的なコンタクト食刻工程を行ない、絶縁膜スペーサ上部の損失を最少化させてコンタクトホール底部を完全に食刻した。 - 特許庁

The processes add a fluorine- containing compound such as CHF_3 to the chlorine/oxygen-based plasma for etching of the PZT layer and add nitrogen to improve sidewall profiles when etching Ir layers (350/330).例文帳に追加

エッチングプロセスは、ＰＺＴ層(240)のエッチングのために、塩素／酸素系のプラズマにＣＨＦ_３のようなふっ素含有化合物を加え、かつＩｒ層（350／330）をエッチングするときに、側壁プロファイルを改善するために窒素を加える。 - 特許庁

To provide the contact formation method of a semiconductor device that two-stage self-aligned contact etching process of different conditions of etching processes is performed, to form a contact hole having stable characteristics.例文帳に追加

食刻工程の条件が異なる２つの段階の自己整合的なコンタクト食刻工程を行ない、安定的な特性を有するコンタクトホールを形成する半導体素子のコンタクト形成方法を提供する。 - 特許庁

Since processes such as film formation, CVD, etching, planarization, cleaning and so forth can be conducted directly by only switching the gas, majority of processes can be performed under atmospheric pressure, thus enabling efficient processes.例文帳に追加

また、略々大気圧動作としガス流によるプロセス空間等の隔離を行うことでロードロックが不必要となり、直接成膜・ＣＶＤ・エッチング・平坦化・洗浄等のプロセスがガスの切り替えだけで可能なことから大半のプロセスを大気圧で行え、効率的なプロセスが可能となる。 - 特許庁

When the patterning of a multi-layer film, composed of a metal film 5 and an amorphous ITO film 4 which covers the metal film 5, is performed, a sequence of processes is executed as follows: (a) etching of the ITO film 4→(b) sufficient etching of the metal film 5→(c) etching to remove overhang part from the metal film 5 of the ITO film 4.例文帳に追加

金属膜５と、これを覆うアモルファスＩＴＯ膜４とからなる多層膜をパターニングするにあたり、(a)ＩＴＯ膜４のエッチング→(b)金属膜５の充分なエッチング→(c)ＩＴＯ膜４の金属膜５パターンからのひさし部分を除去するためのエッチング、という一連の工程を行なう。 - 特許庁

The cutting process of the wiring 90 for short-circuiting and the formation process of the data lines 6 are performed collectively by dry etching, thus reducing manufacturing processes.例文帳に追加

この短絡用配線９０の切断工程とデータ線６の形成工程とをドライエッチングにより一括して行うことにより、製造工程を削減する。 - 特許庁

To provide an element isolation film forming method for a semiconductor device, in which two times of wet etching processes are applied to recover damages duet to a CMP process.例文帳に追加

２次に亘るウェットエッチング工程により、ＣＭＰ工程により発生する損傷を回復される半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The main magnetic pole layer 12 is formed through a series of patterning processes using a buffer layer 15 slow in etching speed or a nonmagnetic layer 13 as a stopper layer.例文帳に追加

エッチング速度の遅いバッファ層１５や非磁性層１３をストッパ層として使用した一連のパターニング工程を経て主磁極層１２を形成する。 - 特許庁

To provide a mask blank and a photomask suitable for processes (such as a resist coating method, an etching method and a cleaning method) in a large mask for an FDP (flat panel display).例文帳に追加

ＦＰＤ用大型マスクにおけるプロセス（レジスト塗布方法やエッチング方法、洗浄方法等）に適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。 - 特許庁

To prevent the formation of a pin hole at carrying out etching, to reduce the number of processes, and to reduce generation of the silicon nodule of a contact hole in an NPN-type transistor.例文帳に追加

ＮＰＮ型トランジスタにおいて、エッチング時のピンホールの形成を防ぎ、且つ工程数を削減でき、且つコンタクトホールのシリコンノジュールの発生を低減する。 - 特許庁

In the method and the apparatus for the etching manufacturing processes of a panel, the panel is installed in a sealed work tank while the panel is being erected vertically.例文帳に追加

パネルのエッチング製作プロセスの方法及びその装置であり、それはパネルが垂直直立を呈する状態で、密封された作業タンク中に設置される。 - 特許庁

By combining etching treatment in the above processes, size of the hemispherical crystal grain 6 in an HSG silicon crystal grain is controlled to be small.例文帳に追加

このように、エッチング処理を組み合わせることにより、ＨＳＧシリコン結晶粒における半球状の結晶粒６のサイズを小さく制御する。 - 特許庁

Next, a diffraction structure having an eight step stair structure is manufactured by repeating patterning and etching processes in the region A2 in the same way.例文帳に追加

続いて、領域Ａ２について同様にパターニング及びエッチングの工程を繰り返すことにより、８段の階段構造を有する回折構造を作製する。 - 特許庁

To provide a method for completely removing a color photoresist by using first and second plasma etching processes.例文帳に追加

本発明はカラー・フォトレジストを第１次、第２チァプルラズマエシング及び湿式クリーニングを利用して完全にとり除くカラー・フォトレジストの除去方法に関するのである。 - 特許庁

Then, in first and second etching processes, the first and second electrode layers 15, 17 are subjected to etching of division patterns 16, 18 along a division line L for dividing the laminate 10 into a plurality of electronic components.例文帳に追加

そして、第１及び第２のエッチング工程において、積層体１０を複数の電子部品に分割するための分割線Ｌに沿った分割パターン１６，１８のエッチングを第１の電極層１５と第２の電極層１７とに行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor with a stable characteristic by suppressing the dispersion of etching amount of a lower layer semiconductor film in dry-etching a metallic film to form source-drain electrodes without increasing the number of manufacturing processes.例文帳に追加

製造工程数の増加なく、ソース・ドレイン電極形成のための金属膜のドライエッチングに際して、下層の半導体膜の削れ量のばらつきを抑え特性の安定した薄膜トランジスタを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To realize an etching method, where a hard mask is used, wherein the hard mask is formed of a material which is high in adhesion with respect to an electrode material and does not have complicated formation and removal processes through a simple process and whose selection ratio of etching to the electrode material is high.例文帳に追加

電極材料に対し密着性が高く、かつ電極材料に対しエッチング選択比が高く、しかも形成および除去の工程が複雑でない材料をハードマスクに用いたエッチング方法を実現する。 - 特許庁

When CF_4 gas is added to the treatment gas (b), the amount of deposition of the deposit 310 at the mask opening when all processes of etching treatment are completed is reduced.例文帳に追加

処理ガスにＣＦ_４ガスを添加した場合（ｂ），エッチング処理の全工程が完了した時点でのマスク開口部における付着物３１０の堆積量は少ない。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the reliability of manufacturing processes can be ensured even when wet etching is performed, and bonding strength between a substrate and a chip is enhanced, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ウェットエッチングを行っても、製造工程の信頼性が確保でき、基板とチップの接合強度を高めた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method for forming an inclined structure to a machined plate which is a key point in manufacturing a micromachine, in a short time at a low cost with fewer processes.例文帳に追加

マイクロ・マシーン製造上の鍵となる被加工プレートに対する傾斜構造を少ない工程数で、短時間かつ低コストで形成可能なプラズマエッチング技術を提供する。 - 特許庁

To ensure that processes such as etching and the like are property performed without dropping a metal plate used in a printed wiring board in carrying and variously processing the metal plate on a roller.例文帳に追加

配線基板に用いる金属板をローラ上を搬送しつつ各種の処理を施す際に、金属板が脱落することなく確実にエッチング等の処理を適正に行う。 - 特許庁

To provide a processing method and a processing apparatus that perform processes from removal of a damage layer of a substrate formed during slicing to texture formation step together in a lump through dry etching.例文帳に追加

スライス時に生じる基板のダメージ層の除去からテクスチャー形成工程を一括してドライエッチングにより処理する処理方法及び処理装置を提供する。 - 特許庁

The first mask has a well defined thickness that is defined by deposition and which is not affected by the etching processes used to define the mask.例文帳に追加

第１のマスクは適切に画定された厚さを有し、この厚さは蒸着によって画定され、マスクを画定するのに使用されるエッチングプロセスの影響を受けない。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a fuse and a capacitor while minimizing photographic and etching processes provided with the fuse and a MIM capacitor and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

ヒューズとＭＩＭキャパシタを備え、写真及びエッチング工程を最小化しながらヒューズとキャパシタを備える半導体素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Thus etching or the like for a high step part, which is performed in a conventional method, is unnecessary, and the movable structure body is accurately manufactured with simple manufacturing processes.例文帳に追加

これにより、従来の高段差部へのエッチング等を行う必要がなくなり、簡便な製造プロセスにより精度良く可動構造体を製造することができる。 - 特許庁

To provide a TFT array substrate of a high aperture capable of being produced through a little processes and further preventing inter-terminal leak caused by remaining ITO etching.例文帳に追加

従来よりも少ない工程数で製造でき、さらにＩＴＯエッチング残による端子間リークを防止することが可能な高開口率のＴＦＴアレイ基板を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has less number of processes such as film formation and etching, can control each process easily, and reliably and electrically join members.例文帳に追加

成膜、エッチング等の工程数が少なく、各工程のコントロールが容易で、部材間の電気的接合が確実な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In order to correct an error in a profile parameter, the above-mentioned procedure is supplied to a track/stepper and an etcher to control lithography and etching processes.例文帳に追加

プロフィール・パラメータのエラーを補正するために上述した手法をトラック／ステッパおよびエッチャに供給してリソグラフィおよびエッチングのプロセスを制御することができる。 - 特許庁

To improve productivity by sharing a masking film in processes of anodization, heating press, and etching in a production of copper clad laminate using an aluminum plate.例文帳に追加

アルミニウム板を用いた銅張積層板の製造において、マスキングフィルムを陽極酸化処理、加熱プレス、エッチングの工程で共用することにより生産性を向上させる。 - 特許庁

Since the second wet etching can be performed without forming the fresh photoresist layer, the one member can be worked to the structure having the step with the fewer processes.例文帳に追加

新たなフォトレジスト層を形成することなく第２のエッチングを行うことができるから、少ない工程で、一つの部材を段差のある構造に加工することが可能となる。 - 特許庁

A granular mask is formed by the alkali metal and etching is performed by the halogen plasma 3 simultaneously, so that no processes for forming the mask are required separately for improving ease of manufacturing.例文帳に追加

アルカリ金属による粒子状のマスクの形成と、ハロゲンプラズマ３によるエッチングとが同時に行われるから、マスクを形成する工程を別途必要とせず容易である。 - 特許庁

The device, method and system for monitoring operation of one or more mass flow controllers which supply such processes as deposition, etching and others with gases are provided.例文帳に追加

堆積、エッチング、およびその他の製造工程に気体を供給する１つまたは複数の質量流量コントローラの動作を監視する装置、方法、およびシステムが記載される。 - 特許庁

To ensure etching selectivity for a dielectric thin film used for a semiconductor device and to prevent the disused part of the deposited film from contaminating the production line of the following processes.例文帳に追加

半導体装置に用いる誘電体薄膜のエッチング選択性を確保すると共に、成膜後の不要部分が後工程の製造ラインを汚染しないにようする。 - 特許庁

The etching method forms a resist layer on the substrate by using the photolithography method, uses the resist layer as a mask, removes at least part of the substrate in its thickness direction by the dry etching method and processes the substrate to have a prescribed pattern.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、基材上にフォトリソグラフィー法によりレジスト層を形成し、このレジスト層をマスクとして用いて、基材の厚さ方向の少なくとも一部をドライエッチング法により除去して、所定のパターンに加工する方法である。 - 特許庁

In an electrode film removal process, a wet etching method whose required time is short is used so that a predetermined time as a whole can be made shorter than a case of carrying out both electrode film removal and the semiconductor layer removal processes by using the dry etching method.例文帳に追加

電極膜除去の工程では所要時間の短いウエットエッチング法を用いているので、電極膜除去と半導体層除去の両工程をドライエッチング法で行う方法に比べると、全体としての所要時間が短い。 - 特許庁

To reduce the number of processes in a method for manufacturing a semiconductor device by forming a contact hole through simultaneous etching of a laminated film of an inorganic insulating film and an organic resin film made of different materials which have different film thicknesses with a single etching.例文帳に追加

半導体装置の作製方法において、材料及び膜厚の異なる積層膜（無機絶縁膜と有機樹脂膜の積層膜）を同時に一回のエッチングによりコンタクトホールを開口することで、工程数を低減させることを課題とする。 - 特許庁

To decrease the number of etching processes and to avoid the occurrence of etching damage when a suitable threshold voltage is actualized by adjusting an effective work function of a complementary transistor employing a high dielectric constant film with respect to a semiconductor device and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、高誘電率膜を用いた相補型トランジスタの実効仕事関数を調整して適切なしきい値電圧を実現する際に、エッチング工程数を低減するとともに、エッチングダメージの発生を回避する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device that can reduce shape defects of a contact hole by more securely performing the formation of the contact hole in such a shape that a conductive layer is easily formed, especially, dry etching after wet etching without greatly increasing processes.例文帳に追加

工程を大幅に増加させずに導電層を形成しやすい形状のコンタクトホールの形成、特にウェットエッチング後にドライエッチングをより確実に行うことによってコンタクトホールの形状不良を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can easily form T-type patterns in different degrees of apertures to remarkably reduce the manufacturing processes with the single process of reactive ion etching with a kind of BCB film and a kind of the etching gas, by utilizing the property that the etching characteristic of benzocyclobutene film for reactive ion etching changes isotropically and anisotropically depending on execution of hardening process with the Ar plasma.例文帳に追加

Ａｒプラズマによる硬化処理の有無により反応性イオンエッチングに対するベンゾシクロブテン膜のエッチング特性が異方的、等方的と変わる性質を利用し、ＢＣＢ膜一種、エッチングガス一種で、一度の反応性イオンエッチングでＴ型の開口度の異なるパタンを簡易に形成でき、製造工程の大幅な短縮を図ることができるＴ型ゲート電極有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁