「etching processes」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, in first and second etching processes, the first and second electrode layers 15, 17 are subjected to etching of division patterns 16, 18 along a division line L for dividing the laminate 10 into a plurality of electronic components.例文帳に追加

そして、第１及び第２のエッチング工程において、積層体１０を複数の電子部品に分割するための分割線Ｌに沿った分割パターン１６，１８のエッチングを第１の電極層１５と第２の電極層１７とに行う。 - 特許庁

To provide a plasma etching apparatus and a plasma processing method, for uniform etching processes from the central part in a wafer plane to edge part, by solving the problem of degradation in rate in a wafer edge part.例文帳に追加

ウェハエッジ部でのレートの低下を解消し、ウェハ面内の中心部からエッジ部にわたって均一なエッチング加工を可能にするプラズマエッチング装置及び、プラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

Then, in the processes 5 to 6, a first orifice plate 35 is stuck on the partitions 34, and a first mask film 37 for etching is formed on the orifice plate 35, and jet nozzles 38 are made in the orifice plate 35 by etching.例文帳に追加

そして工程５及び工程６において、先ず、第１のオリフィス板材３５を隔壁３４の上に貼設し、この上にエッチング用第１マスク膜３７を形成し、エッチングを行って吐出ノズル３８を穿設する。 - 特許庁

To realize an etching method, where a hard mask is used, wherein the hard mask is formed of a material which is high in adhesion with respect to an electrode material and does not have complicated formation and removal processes through a simple process and whose selection ratio of etching to the electrode material is high.例文帳に追加

電極材料に対し密着性が高く、かつ電極材料に対しエッチング選択比が高く、しかも形成および除去の工程が複雑でない材料をハードマスクに用いたエッチング方法を実現する。 - 特許庁

Two-stage self-aligned contact etching process of different conditions for etching processes is performed, and a contact hole bottom is etched completely, by making the loss of the upper section of the insulating membrane spacer minimized.例文帳に追加

本発明は食刻工程の条件が異なる２つの段階の自己整合的なコンタクト食刻工程を行ない、絶縁膜スペーサ上部の損失を最少化させてコンタクトホール底部を完全に食刻した。 - 特許庁

This texture forming method has processes (P2, P3) for introducing a treatment gas into a vacuum treatment chamber and etching the surface of a silicon-based workpiece by a dry etching method to form a texture.例文帳に追加

本発明は、真空処理槽内に処理ガスを導入し、ドライエッチング法によってシリコン系処理対象物の表面をエッチングしてテクスチャーを形成する工程（Ｐ２、Ｐ３）を有するテクスチャー形成方法である。 - 特許庁

Since processes such as film formation, CVD, etching, planarization, cleaning and so forth can be conducted directly by only switching the gas, majority of processes can be performed under atmospheric pressure, thus enabling efficient processes.例文帳に追加

また、略々大気圧動作としガス流によるプロセス空間等の隔離を行うことでロードロックが不必要となり、直接成膜・ＣＶＤ・エッチング・平坦化・洗浄等のプロセスがガスの切り替えだけで可能なことから大半のプロセスを大気圧で行え、効率的なプロセスが可能となる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a sensor of semiconductor structure at a low cost capable of preventing trouble such as insufficient etching or over etching in etching of a sacrificial layer and dispensing with complicated processes in a semiconductor sensor manufacturing process.例文帳に追加

半導体センサ製造工程において、犠牲層エッチング時の問題である、エッチング不足、もしくは過剰エッチングを防止すること、並びに複雑なプロセスを必要とせず、低コストで半導体構造を用いたセンサを製造すること。 - 特許庁

When the patterning of a multi-layer film, composed of a metal film 5 and an amorphous ITO film 4 which covers the metal film 5, is performed, a sequence of processes is executed as follows: (a) etching of the ITO film 4→(b) sufficient etching of the metal film 5→(c) etching to remove overhang part from the metal film 5 of the ITO film 4.例文帳に追加

金属膜５と、これを覆うアモルファスＩＴＯ膜４とからなる多層膜をパターニングするにあたり、(a)ＩＴＯ膜４のエッチング→(b)金属膜５の充分なエッチング→(c)ＩＴＯ膜４の金属膜５パターンからのひさし部分を除去するためのエッチング、という一連の工程を行なう。 - 特許庁

In producing processes for the electrode substrate including a patterning process for the transparent conductive film after etching treatment for a transparent conductive laminate, the transparent conductive film is crystallized after an etching treatment, instead of before the etching treatment.例文帳に追加

透明導電積層体をエッチング処理して該透明導電膜をパターニングする工程を含む電極基板の製造方法において、エッチング処理以前は透明導電膜を結晶化させず、エッチング処理後に透明導電膜を結晶化させる。 - 特許庁

To prevent resist breakdown to obtain anisotropic patterns, without fail on etching-target films and to control the sizes of the patterns, in etching processes in which resist patterns formed of resist material for exposing to an ArF excimer laser are used.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザ感光用のレジスト材からなるレジストパターンを用いるエッチング工程において、レジスト倒れを防止して被エッチング膜に異方性形状を確実に得ると共に、パターン寸法を制御できるようにする。 - 特許庁

To reduce the number of processes in a method for manufacturing a semiconductor device by forming a contact hole through simultaneous etching of a laminated film of an inorganic insulating film and an organic resin film made of different materials which have different film thicknesses with a single etching.例文帳に追加

半導体装置の作製方法において、材料及び膜厚の異なる積層膜（無機絶縁膜と有機樹脂膜の積層膜）を同時に一回のエッチングによりコンタクトホールを開口することで、工程数を低減させることを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor with a stable characteristic by suppressing the dispersion of etching amount of a lower layer semiconductor film in dry-etching a metallic film to form source-drain electrodes without increasing the number of manufacturing processes.例文帳に追加

製造工程数の増加なく、ソース・ドレイン電極形成のための金属膜のドライエッチングに際して、下層の半導体膜の削れ量のばらつきを抑え特性の安定した薄膜トランジスタを製造する方法を提供する。 - 特許庁

The etching method forms a resist layer on the substrate by using the photolithography method, uses the resist layer as a mask, removes at least part of the substrate in its thickness direction by the dry etching method and processes the substrate to have a prescribed pattern.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、基材上にフォトリソグラフィー法によりレジスト層を形成し、このレジスト層をマスクとして用いて、基材の厚さ方向の少なくとも一部をドライエッチング法により除去して、所定のパターンに加工する方法である。 - 特許庁

To manufacture a wiring structure that uses an interlayer film of an insulating organic material with less processes, without using an etching mask or etching stopper layer in an interlayer film work, nor affected by a reactive product generated through plasma processing.例文帳に追加

層間膜加工におけるエッチングマスクやエッチングストッパ層を用いることなく、また、プラズマ処理により生成する反応生成物の悪影響を受けることなく、絶縁性を有する有機材料による層間膜を用いた配線構造をより少ない工程で製造できるようにする。 - 特許庁

To decrease the number of etching processes and to avoid the occurrence of etching damage when a suitable threshold voltage is actualized by adjusting an effective work function of a complementary transistor employing a high dielectric constant film with respect to a semiconductor device and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、高誘電率膜を用いた相補型トランジスタの実効仕事関数を調整して適切なしきい値電圧を実現する際に、エッチング工程数を低減するとともに、エッチングダメージの発生を回避する。 - 特許庁

The pattern forming method is carried out by irradiating a work coated with a resist with exposure light through a mask in a plurality of shots, developing and etching the work and inspecting the formed pattern, wherein the method includes a step of inspecting the mask after the exposure and development processes and before the etching process.例文帳に追加

レジストが塗布されたワークにマスクを介して露光光を照射して複数ショット露光し現像処理し、エッチング処理を行った後、形成されたパターンの検査を行うパターン形成方法において、露光・現像処理後であって、エッチング処理の前にマスクを検査する工程を設ける。 - 特許庁

In an electrode film removal process, a wet etching method whose required time is short is used so that a predetermined time as a whole can be made shorter than a case of carrying out both electrode film removal and the semiconductor layer removal processes by using the dry etching method.例文帳に追加

電極膜除去の工程では所要時間の短いウエットエッチング法を用いているので、電極膜除去と半導体層除去の両工程をドライエッチング法で行う方法に比べると、全体としての所要時間が短い。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device that can reduce shape defects of a contact hole by more securely performing the formation of the contact hole in such a shape that a conductive layer is easily formed, especially, dry etching after wet etching without greatly increasing processes.例文帳に追加

工程を大幅に増加させずに導電層を形成しやすい形状のコンタクトホールの形成、特にウェットエッチング後にドライエッチングをより確実に行うことによってコンタクトホールの形状不良を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Otherwise a sequence of processes as follows is executed: (a) etching of the ITO film 4 under a resist pattern prior to post baking→(b) extension of the resist pattern by the post baking→(c) etching of the metal film 5 under the resist pattern after the post- baking.例文帳に追加

または、(a)ポストベーク前のレジストパターンの下でのＩＴＯ膜４のエッチング→ (b)ポストベークによるレジストパターンの拡大→ (c)ポストベーク後のレジストパターンの下での金属膜５のエッチング、という一連の工程を行なう。 - 特許庁

Individual management devices 20a, 20b and 20c arranged in those processors 14, 16 and 18 capture the residual amounts of the reaction products in the etching chambers 15a, and properly decide the execution order of the plurality of processes to be executed in the respective etching chambers 15a based on the grasped residual amounts.例文帳に追加

各処理装置１４、１６、１８に設けられた個別管理装置２０ａ、２０ｂ、２０ｃがエッチングチャンバ１５ａ内の反応生成物の残留量を把握し、この把握した残留量に基づいて、それぞれのエッチングチャンバ１５ａ内で実施する複数の工程の実施順序を適切に決定する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: preparing the semiconductor wafer; forming an etching groove by patterning the compound semiconductor epitaxial layer using an etching mask; and bonding the compound semiconductor epitaxial film, obtained by etching the peeling layer and peeling the compound semiconductor epitaxial layer, onto the substrate.例文帳に追加

また、半導体装置の製造方法は、前記半導体ウェハを用意する工程と、エッチングマスクにより、化合物半導体エピタキシャル層をパターニングし、エッチング溝を形成する工程と、剥離層をエッチングし、化合物半導体エピタキシャル層を剥離することによって得られた化合物半導体エピタキシャルフィルムを基板上にボンディングする工程とを有するものである。 - 特許庁

Wet etching is performed upon the highly insulated thin layer at a room temperature in a mixed liquid of hydrofluoric acid, perchloric acid, other perhalogenated element acid, and the like such that an etching rate of the layer becomes ≥10 Å/min, at the same time, an etching rate of silicon oxide, USG or polysilicon becomes ≤10 Å/min all and a selection ratio becomes appropriate for needs of respective processes.例文帳に追加

弗化水素酸と過塩素酸やその他の過ハロゲン族元素酸の混合液により、室温下で高絶縁性薄層に対してウェットエッチングを行い、該層のエッチング率が10Å／min以上になるようにし、同時に酸化シリコンやUSG，或いはポリシリコン等のエッチング率が皆10Å／min以下であり且つ選択比は各工程の必要に適した比率となるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor devices by which harmful effects due to residues of deteriorated layer formed in a metal film during a wet etching process on subsequent processes and on device characteristics can be reduced, and high-quality semiconductor devices can be stably manufactured when it has a process for wet etching the metal film and a process for dry etching the metal film afterward.例文帳に追加

金属膜をウエットエッチングする工程と、この後、この金属膜をドライエッチングする工程を有する場合において、ウエットエッチング工程において金属膜に形成された変質層の残渣に起因する以後の工程に与える悪影響及びデバイス特性に与える悪影響を軽減することができ、良質な半導体装置を安定的に製造することのできる半導体装置の製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a finely-processed metallic product, which efficiently processes a metal so as to acquire superior properties with high accuracy by using a binary fluid etching technique of simultaneously spraying both of an etching liquid and a gas from the same nozzle to spray the etching liquid in a mist form, and to provide the finely-processed metallic product made by the manufacturing method.例文帳に追加

金属の微細加工を、同一ノズルからエッチング液と気体の双方を同時に噴射し、エッチング液が霧状に噴射される２流体エッチングにより行う方法において、加工特性が高く、効率よく高精度に行うことのできる金属微細加工製品の製造方法およびその製造方法により作られた金属微細加工製品を提供する。 - 特許庁

A method of forming the through holes comprises processes of (a) forming a resist pattern on the insulation film by photolithography, (b) forming the through holes by dry-etching the insulation film according to the resist pattern, (c) removing the resist pattern by dry-etching, and (d) removing a polymer residue in the through holes by dry-etching.例文帳に追加

（ａ）フォトリソグラフィーにより絶縁膜上にレジストパターンを形成する工程と、（ｂ）レジストパターンに基づいて絶縁膜をドライエッチングすることによりスルーホールを形成する工程と、（ｃ）ドライエッチングによりレジストパターンを除去する工程と、（ｄ）ドライエッチングによりスルーホール内のポリマー残留物を除去する工程とを含むスルーホールの形成方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

An etching profile in a superior tapered shape can be obtained without undercutting nor projection phenomenon by wet-etching an Mo/AlNd double film or an Mo/Al/Mo triple film as gate and source/drain wiring materials in a single process, and a dry etching process is excluded to make processes smooth for improved productivity, thereby lowering manufacturing costs.例文帳に追加

ゲート及びソース／ドレイン配線材料であるＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜またはＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ三重膜を単一工程でウェットエッチングして、アンダーカット及び突出現象なしに優秀なテーパ状のエッチングプロファイルを収得でき、ドライエッチング工程を排除することによって、工程を円滑にして生産性を向上させ、生産コストを低減できる。 - 特許庁

A granular mask is formed by the alkali metal and etching is performed by the halogen plasma 3 simultaneously, so that no processes for forming the mask are required separately for improving ease of manufacturing.例文帳に追加

アルカリ金属による粒子状のマスクの形成と、ハロゲンプラズマ３によるエッチングとが同時に行われるから、マスクを形成する工程を別途必要とせず容易である。 - 特許庁

Since the second wet etching can be performed without forming the fresh photoresist layer, the one member can be worked to the structure having the step with the fewer processes.例文帳に追加

新たなフォトレジスト層を形成することなく第２のエッチングを行うことができるから、少ない工程で、一つの部材を段差のある構造に加工することが可能となる。 - 特許庁

Next, a diffraction structure having an eight step stair structure is manufactured by repeating patterning and etching processes in the region A2 in the same way.例文帳に追加

続いて、領域Ａ２について同様にパターニング及びエッチングの工程を繰り返すことにより、８段の階段構造を有する回折構造を作製する。 - 特許庁

To improve productivity by sharing a masking film in processes of anodization, heating press, and etching in a production of copper clad laminate using an aluminum plate.例文帳に追加

アルミニウム板を用いた銅張積層板の製造において、マスキングフィルムを陽極酸化処理、加熱プレス、エッチングの工程で共用することにより生産性を向上させる。 - 特許庁

To perform mass spectrometry of a gas used in manufacturing processes of thin films for semiconductors and electronic components such as CVD and etching without damages to an apparatus.例文帳に追加

この発明は、ＣＶＤ、エッチングなどの半導体、電子部品用薄膜加工プロセスで使用されるガスの質量分析を、装置に損傷を与えずに行うことを目的としたものである。 - 特許庁

The via hole can be formed with a feature of a single mask, a protective layer, a bond pad, or other feature of the substrate which functions as a hard mask when a photomask is removed between the etching processes.例文帳に追加

ビアホールは、単一マスク、保護層、ボンドパッド、もしくは、エッチングプロセスの間にフォトマスクが除去される場合にハードマスクとして機能する、基板のその他のフィーチャで形成され得る。 - 特許庁

The semiconductor substrate quality evaluating method includes processes of etching a semiconductor substrate surface and of detecting a bright point on the etched substrate surface using a foreign substance inspection device.例文帳に追加

半導体基板表面をエッチングする工程と、異物検査装置により前記エッチングした基板表面における輝点を検出する工程とを含む半導体基板の品質評価方法。 - 特許庁

In the method and the apparatus for the etching manufacturing processes of a panel, the panel is installed in a sealed work tank while the panel is being erected vertically.例文帳に追加

パネルのエッチング製作プロセスの方法及びその装置であり、それはパネルが垂直直立を呈する状態で、密封された作業タンク中に設置される。 - 特許庁

To provide a multilevel gradation mask that can be manufactured in relatively simple processes with relatively easy designing of transmittance and without requiring a plurality of etching techniques.例文帳に追加

本発明は、透過率の設計が比較的容易であり、複数のエッチング技術を要することなく、比較的簡便な工程で製造可能な多階調の階調マスクを提供することを主目的とする。 - 特許庁

The diffraction optical element having cyclic step shape is manufactured by repeating a series of processes for exposing and developing a base plate 1 coated with a resist 2 by using a mask so as to form a resist pattern, and for etching it.例文帳に追加

マスクを用いてレジスト２が塗布された基板１を露光，現像してレジストパターンを形成し，エッチングする一連のプロセスを繰り返して，周期的な階段形状を有する回折光学素子を製造する。 - 特許庁

To provide a thin film piezoelectric resonator production method which has high process margin, and hence can employ easy processes and achieve a reduction in production costs in the production of the thin film piezoelectric resonator by a wet etching method.例文帳に追加

ウエットエッチング法により薄膜圧電共振器を製造するにあたり、プロセス余裕度が高く、そのため工程が容易であり、製造コストの低廉化を図ることができる薄膜圧電共振器の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a fuse and a capacitor while minimizing photographic and etching processes provided with the fuse and a MIM capacitor and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

ヒューズとＭＩＭキャパシタを備え、写真及びエッチング工程を最小化しながらヒューズとキャパシタを備える半導体素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for treating a large-area substrate using hollow cathode plasma, which can execute processes such as ashing, cleaning and etching by using plasma to a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate.例文帳に追加

半導体ウエハ、またはガラス基板などのような基板に対して、プラズマを利用してアッシング、洗浄、エッチングなどのプロセスを実行することができるホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理方法を提供する。 - 特許庁

Thus etching or the like for a high step part, which is performed in a conventional method, is unnecessary, and the movable structure body is accurately manufactured with simple manufacturing processes.例文帳に追加

これにより、従来の高段差部へのエッチング等を行う必要がなくなり、簡便な製造プロセスにより精度良く可動構造体を製造することができる。 - 特許庁

To provide members having high purity, excellent thermal shock resistance and high mechanical strength for excellent jigs for thermal treating for producing semiconductors or members of etching apparatuses of producing processes of semiconductors or liquid crystals or others.例文帳に追加

高純度で、耐熱衝撃性に優れ、機械的強度もあり、優れた半導体製造用熱処理用冶具や半導体・液晶製造工程のエッチング装置用部材等の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device containing a base layer and an emitter layer, in which the number of times of photolithography and etching processes is small at the time of creating the base layer.例文帳に追加

ベース層を作成するときのフォトリソグラフィおよびエッチング工程の回数が少ない、ベース層とエミッタ層とを含む半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁

Further, the laser printing region (tapered face 7) is formed with ease on the support substrate 1 without requiring as in prior art complicated processes such as mask formation, oxide film etching, mask removal, and wafer cleaning or the like.例文帳に追加

また、従来のように、マスク形成、酸化膜エッチング、マスク除去及びウエーハ洗浄など複雑な工程を必要とせずに、支持基板１に容易にレーザー印字領域（テーパ面７）を形成することができる。 - 特許庁

The nitride film obtained by the method has an etching-resistant property and high conformality, and an excellent barrier layer can be provided without changing the structure and processes of a conventional semiconductor device.例文帳に追加

この方法によって得られた窒化膜は、耐エッチング性を有し、高いコンフォーマリティを有し、従来の半導体デバイスの構造およびプロセスを変更することなく、優れたバリア層を提供することができる。 - 特許庁