「etching processes」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A gate line including a gate, a channel layer present right above the gate, a gate pad present at the end of the gate line, a pixel electrode, and a source pad are demarcated by a series of etching processes.例文帳に追加

フォトレジストパターンをマスクとして、一連のエッチング工程によりゲートを含むゲート線、ゲートの真上にあるチャネル層、ゲート線端部にあるゲートパッド、画素電極及びソースパッドを画定する。 - 特許庁

To ensure that processes such as etching and the like are property performed without dropping a metal plate used in a printed wiring board in carrying and variously processing the metal plate on a roller.例文帳に追加

配線基板に用いる金属板をローラ上を搬送しつつ各種の処理を施す際に、金属板が脱落することなく確実にエッチング等の処理を適正に行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-quality semiconductor device by enabling to rapidly execute processes of removing an etching mask and forming a gate insulation film at a low cost.例文帳に追加

本発明は、エッチングマスクの除去とゲート絶縁膜の形成工程を低コスト且つ迅速に行うことができ、高品質の半導体装置を製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing an unnecessary etching groove at the upper end of a trench from being formed, hereby preventing any inconvenience from occurring in other processes, in a semiconductor element using an STI technique.例文帳に追加

ＳＴＩ技術を用いた素子において，トレンチ上端部の不要なエッチング溝の形成を防ぎ，他の工程に不具合を生じない半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The cutting process of the wiring 90 for short-circuiting and the formation process of the data lines 6 are performed collectively by dry etching, thus reducing manufacturing processes.例文帳に追加

この短絡用配線９０の切断工程とデータ線６の形成工程とをドライエッチングにより一括して行うことにより、製造工程を削減する。 - 特許庁

To prevent contamination of equipment in different manufacturing processes such as a conveyance carrier and a clean room by completely eliminating powered matters generated by chemical etching for the purpose of making a display panel thin.例文帳に追加

表示パネルの薄型化を目的とした化学エッチングにより生じる粉状物を完全に除去して、搬送キャリアやクリーンルームなど他の製造工程の設備に対する汚染を防ぐ。 - 特許庁

To provide a processing method and a processing apparatus that perform processes from removal of a damage layer of a substrate formed during slicing to texture formation step together in a lump through dry etching.例文帳に追加

スライス時に生じる基板のダメージ層の除去からテクスチャー形成工程を一括してドライエッチングにより処理する処理方法及び処理装置を提供する。 - 特許庁

The first mask has a well defined thickness that is defined by deposition and which is not affected by the etching processes used to define the mask.例文帳に追加

第１のマスクは適切に画定された厚さを有し、この厚さは蒸着によって画定され、マスクを画定するのに使用されるエッチングプロセスの影響を受けない。 - 特許庁

In addition, an increase in number of processes is suppressed by simultaneously forming the pattern 6a with other conductive layers 6a and 7, and in addition, the induction of etching damages in the substrate 1 can be prevented effectively at working of the conductive layers.例文帳に追加

また、導電性パターン６ｂを他の導電層６ａ，７と同時に形成して工程数の増大を抑制するとともに、層間絶縁膜５により、導電層加工時のエッチングダメージの基板側への導入が有効に防止される。 - 特許庁

A thin metallic film is formed on the upper surface of an aluminum substrate 4 by vapor deposition, printing, etc., and a wiring pattern 3 is formed from the metallic film in photolithography and etching processes.例文帳に追加

回路基板上に有機膜を形成し、ＲＩＥでパターン形成する工程において、耐ＲＩＥ性に優れている金属をＲＩＥレジストとして使用して、有機膜上にリフトオフ法によりＲＩＥレジストパターン形成する。 - 特許庁

To provide an element isolation film forming method for a semiconductor device, in which two times of wet etching processes are applied to recover damages duet to a CMP process.例文帳に追加

２次に亘るウェットエッチング工程により、ＣＭＰ工程により発生する損傷を回復される半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of processing in high speed without damaging a conductive layer formed on an object to be processed when applying processes of etching or washing to the object to be treated having the conductive layer like FPC and ITO glass.例文帳に追加

ＦＰＣ、ＩＴＯガラスなどの導電層を有する被処理体にエッチングや洗浄処理等の処理を行うにあたり、被処理体に形成された導電層にダメージを与えることがなく、高速度で処理を行えるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has less number of processes such as film formation and etching, can control each process easily, and reliably and electrically join members.例文帳に追加

成膜、エッチング等の工程数が少なく、各工程のコントロールが容易で、部材間の電気的接合が確実な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plurality of processes intended to suppress the errors of an etching process due to the asymmetry of a shape and a technique of designing the process.例文帳に追加

そこで本願にかかる発明の目的は形状の非対称性に起因するエッチング工程の誤差を抑制することを目的とした複数回のプロセス、およびプロセスの設計手法を提供すること。 - 特許庁

To provide a processing method for a processed layer capable of forming a plurality of layers in desired shapes by suppressing an increase in the number of processes as much as possible and preventing the progress of side etching.例文帳に追加

工程数の増加を可及的に抑制し、サイドエッチの進行を防止して、複数の被処理層を所望の形状に形成することができる被処理層の処理方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, if the light shielding wall 16 is formed at the same time in an etching process to form the light emitting portion 14, only the same number of processes as such case where the light shielding wall 16 is not provided is needed.例文帳に追加

また、この遮光壁１６を発光部１４を形成するためのエッチング工程において同時に形成すれば、遮光壁１６を設けない場合と同じ工程数で済む。 - 特許庁

To provide an etching solution for a conductor allowing excellent profiles to be obtained while minimizing manufacturing processes and costs, and to provide the manufacturing method of a thin film transistor display panel using the same.例文帳に追加

製造工程及び費用を最少化しながらも優れたプロファイルを得ることができる導電体用エッチング液及びこれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method has first and second thin film forming processes by sputter deposition and a simultaneous etching process for the first and second thin films and manufactures the thin films under the conditions to make the reflectivity of the second thin film higher than the reflectivity of the first thin film and to lower the resistance.例文帳に追加

スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method for forming an inclined structure to a machined plate which is a key point in manufacturing a micromachine, in a short time at a low cost with fewer processes.例文帳に追加

マイクロ・マシーン製造上の鍵となる被加工プレートに対する傾斜構造を少ない工程数で、短時間かつ低コストで形成可能なプラズマエッチング技術を提供する。 - 特許庁

When CF_4 gas is added to the treatment gas (b), the amount of deposition of the deposit 310 at the mask opening when all processes of etching treatment are completed is reduced.例文帳に追加

処理ガスにＣＦ_４ガスを添加した場合（ｂ），エッチング処理の全工程が完了した時点でのマスク開口部における付着物３１０の堆積量は少ない。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the reliability of manufacturing processes can be ensured even when wet etching is performed, and bonding strength between a substrate and a chip is enhanced, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ウェットエッチングを行っても、製造工程の信頼性が確保でき、基板とチップの接合強度を高めた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a semiconductor device that allows preventing occurrence of steps on an interlayer dielectric film due to the pattern difference in the underlying structure, by forming the interlayer dielectric film through many-time simultaneous vapor deposition and etching processes.例文帳に追加

多数回の同時蒸着及びエッチング工程によって層間絶縁膜を形成することにより、下部構造物のパターン差による層間絶縁膜の段差発生を防止することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In order to correct an error in a profile parameter, the above-mentioned procedure is supplied to a track/stepper and an etcher to control lithography and etching processes.例文帳に追加

プロフィール・パラメータのエラーを補正するために上述した手法をトラック／ステッパおよびエッチャに供給してリソグラフィおよびエッチングのプロセスを制御することができる。 - 特許庁

By injecting the chemical, the washing liquid or the gas to the lower part of the substrate for washing or etching the lower face of the substrate, processes for the upper face and the lower face of the substrate can be carried out at the same time.例文帳に追加

従って、基板の下部面を洗浄またはエッチングするために基板の下部で薬液、洗浄液、及びガスを噴射することで、基板の上部面と下部面に対する工程を同時に進行することができる。 - 特許庁

To provide a method for treating a layer to be treated, which suppresses an increase in the number of processes as few as possible, and forms a layer to be treated into a desired shape by removing part of the layer by etching.例文帳に追加

工程数の増加を可及的に抑制し、エッチングによって被処理層の一部を除去して、被処理層を所望の形状に形成することができる被処理層の処理方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture an optical element, in which unstable processes such as a developing process and an etching process or the like are eliminated, and hereby a fine pattern is formed employing only photoirradiation to ensure high stable reflection preventive function with high reproducibility.例文帳に追加

現像工程やエッチング工程等の不安定な工程を排除して、光照射のみで微細なパターンを形成し、再現性よく安定的に反射防止機能を有する光学素子を製造する。 - 特許庁

When the fluorine remains therein, the fluorine is so dissolved in a water by the rinsing of a cleaning process performed thereafter, etc., and is so changed into a hydrofluoric acid as to generate voids in after-processes by etching the porous low dielectric-constant film 3a.例文帳に追加

フッ素が残留すると、その後の洗浄工程の水洗などによりフッ素が水に溶解してフッ酸となり、多孔質低誘電率膜３ａをエッチングし、その後の工程でボイドが発生してしまう。 - 特許庁

To prevent the formation of a pin hole at carrying out etching, to reduce the number of processes, and to reduce generation of the silicon nodule of a contact hole in an NPN-type transistor.例文帳に追加

ＮＰＮ型トランジスタにおいて、エッチング時のピンホールの形成を防ぎ、且つ工程数を削減でき、且つコンタクトホールのシリコンノジュールの発生を低減する。 - 特許庁

Next, a part of the nitride film 202 including the part having the configuration of an eave is removed by etching treatment employing the second resist pattern as a mask, and thereafter, processes for forming the groove having the sectional configuration of a reverse-truncated shape and the reflecting surface are started.例文帳に追加

次に、第２のレジストパターンをマスクとして、エッチング処理により、庇形状部を含めた窒化膜202の一部を除去し、その後、断面逆台形形状の溝形成及び反射面の形成工程に入る。 - 特許庁

To enable preventing superfluous or insufficient etching without increasing the number of processes when different wiring layers under a flattened film are simultaneously opened, in a semiconductor using the flattened film.例文帳に追加

平坦化膜を用いた半導体装置において、平坦化膜下の異なる配線層を同時に開口する際に、工程を増加させることなく過剰な或いは過小なエッチングを防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayer ceramic capacitor that has reduced alignment precision required in a lamination process and dispenses with any special processes, such as etching processing, and to provide a method of manufacturing the multilayer ceramic capacitor.例文帳に追加

積層工程で要求される位置合わせ精度が緩く、かつ、エッチング処理などの特殊な工程を必要としない積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

By these processes, the formation of the inter-metal wiring abnormal film caused by etching a part of the metal wiring 101A when the inter-metal layer insulating film 104 is formed is prevented, to suppress the deterioration of the element characteristics.例文帳に追加

以上の工程を経ることで、金属層間絶縁膜１０４を形成する際に金属配線１０１Ａの一部がエッチングされてしまうことで金属配線間に異常膜が形成されるのを防ぎ、それにより素子特性の劣化を抑える。 - 特許庁

To suppress increasing of resistance between a metal wiring and a connection plug by preventing oxidizing of the metal wiring while dispensing with process control between processes as well as constraint on time between etching for forming a via hole and an ashing process.例文帳に追加

ビア孔形成のためのエッチングとアッシング工程との間の時間的制約、工程間処理制御を不要とし、かつ金属配線の酸化を防止して、金属配線と接続プラグとの間の抵抗の上昇を抑制すること。 - 特許庁

To appropriately control the temperature of a protective shield even in a plasma treatment device of, for instance, dry etching of a high aspect ratio or the like which processes a substrate by keeping the substrate at a relatively low temperature close to room temperature.例文帳に追加

室温近傍の比較的低い温度で基板を維持して加工する、例えば高アスペクト比のドライエッチング等のプラズマ処理装置でも、防護シールドの温度を適切に制御する。 - 特許庁

Thereafter, a gas having no relation with processes nor etching is introduced into the chamber 4 by using an inert gas of N2, Ar, He, etc., excited by means of a power source 9 for excitation installed to a gas introducing pipeline 8.例文帳に追加

その後、ガス導入配管８に設置された励起用電源９により励起されたＮ_２、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガスでプロセスおよびエッチングに関係のないガスをプロセスチャンバ４内に導入する。 - 特許庁

The electrode 28 is formed through two processes, a first process where an Al-Si thin film is formed on the semiconductor layer 23 and a second process, where the Al-Si thin film is partially removed by etching.例文帳に追加

電極２８は、半導体層２３上にＡｌ−Ｓｉから成る薄膜の成膜する工程と、該薄膜の一部分をエッチング処理によって除去する工程とによって構成される。 - 特許庁

With the chemical, the washing liquid or the gas injected to the lower part of the substrate for washing or etching the lower face of the substrate, processes for the upper face and the lower face of the substrate can be carried out at the same time.例文帳に追加

従って、基板の下部面を洗浄またはエッチングするために基板の下部で薬液、洗浄液、及びガスを噴射することで、基板の上部面と下部面に対する工程を同時に進行することができる。 - 特許庁

To provide a mask blank and a photomask suitable for processes (such as a resist coating method, an etching method and a cleaning method) in a large mask for an FDP (flat panel display).例文帳に追加

ＦＰＤ用大型マスクにおけるプロセス（レジスト塗布方法やエッチング方法、洗浄方法等）に適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。 - 特許庁

In these etching processes, the concentration of the additive in the next stage is set equal to 1.2-1.4 times that in a prestage and increment in current density is set in a range of 5-20 mA/cm^2 for the prestage.例文帳に追加

これらのエッチング工程においては、前段に対する次段の添加剤濃度を１．２〜１．４倍、電流密度の前段に対する増大分を５〜２０ｍＡ／ｃｍ^２の範囲に設定する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for and manufacturing line of plated and coated product, by which a conventional etching process becomes unnecessary, all processes can be automated, manufacturing cost is greatly reduced.例文帳に追加

従来のエッチング工程が不要となり、全工程を自動化し得、製造コストが大幅に低減化できるめっき塗装製品の製造方法及びめっき塗装製品の製造ラインの提供。 - 特許庁

To provide a TFT array substrate of a high aperture capable of being produced through a little processes and further preventing inter-terminal leak caused by remaining ITO etching.例文帳に追加

従来よりも少ない工程数で製造でき、さらにＩＴＯエッチング残による端子間リークを防止することが可能な高開口率のＴＦＴアレイ基板を得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a printed circuit board, in which an anchor profile is very small by the small number of processes and which is suitable for a fine pattern by a method, wherein a dry etching operation and a sputtering film formation operation are used.例文帳に追加

ドライエッチングやスパッタ成膜を用いることにより、少ない工程数でアンカープロファイルが非常に小さく、且つ微細パターン化に適したプリント基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

After the deposition, sputter etching is performed by using a low bias, the thickness of the overhung part (111) is reduced and a seam generated in subsequent important processes is avoided.例文帳に追加

堆積後、低バイアスを用いてスパッタエッチングが行なわれ、オーバハング部分（111）の暑さを減少し、続く重点プロセスにいて生じるシームを避ける。 - 特許庁

To provide a silica-based organic coating film that can be applied to high-temperature processes, can compactly fill up small interwiring spaces, can prevent the occurrence of side etching, and at the same time, can suppress degassing even when the ambient temperature rises.例文帳に追加

高温プロセスに適用可能であり、配線間の微小なスペースを隙間無く埋め込むことができて、サイドエッチングの発生を防止することができるとともに、雰囲気温度の上昇に伴う脱ガスが少ない被膜を提供する。 - 特許庁

To provide a method for completely removing a color photoresist by using first and second plasma etching processes.例文帳に追加

本発明はカラー・フォトレジストを第１次、第２チァプルラズマエシング及び湿式クリーニングを利用して完全にとり除くカラー・フォトレジストの除去方法に関するのである。 - 特許庁