「etching processes」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The electrode 28 is formed through two processes, a first process where an Al-Si thin film is formed on the semiconductor layer 23 and a second process, where the Al-Si thin film is partially removed by etching.例文帳に追加

電極２８は、半導体層２３上にＡｌ−Ｓｉから成る薄膜の成膜する工程と、該薄膜の一部分をエッチング処理によって除去する工程とによって構成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for and manufacturing line of plated and coated product, by which a conventional etching process becomes unnecessary, all processes can be automated, manufacturing cost is greatly reduced.例文帳に追加

従来のエッチング工程が不要となり、全工程を自動化し得、製造コストが大幅に低減化できるめっき塗装製品の製造方法及びめっき塗装製品の製造ラインの提供。 - 特許庁

Moreover, if the light shielding wall 16 is formed at the same time in an etching process to form the light emitting portion 14, only the same number of processes as such case where the light shielding wall 16 is not provided is needed.例文帳に追加

また、この遮光壁１６を発光部１４を形成するためのエッチング工程において同時に形成すれば、遮光壁１６を設けない場合と同じ工程数で済む。 - 特許庁

To provide a multilayer ceramic capacitor that has reduced alignment precision required in a lamination process and dispenses with any special processes, such as etching processing, and to provide a method of manufacturing the multilayer ceramic capacitor.例文帳に追加

積層工程で要求される位置合わせ精度が緩く、かつ、エッチング処理などの特殊な工程を必要としない積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method for a processed layer capable of forming a plurality of layers in desired shapes by suppressing an increase in the number of processes as much as possible and preventing the progress of side etching.例文帳に追加

工程数の増加を可及的に抑制し、サイドエッチの進行を防止して、複数の被処理層を所望の形状に形成することができる被処理層の処理方法を提供する。 - 特許庁

The via hole can be formed with a feature of a single mask, a protective layer, a bond pad, or other feature of the substrate which functions as a hard mask when a photomask is removed between the etching processes.例文帳に追加

ビアホールは、単一マスク、保護層、ボンドパッド、もしくは、エッチングプロセスの間にフォトマスクが除去される場合にハードマスクとして機能する、基板のその他のフィーチャで形成され得る。 - 特許庁

The semiconductor substrate quality evaluating method includes processes of etching a semiconductor substrate surface and of detecting a bright point on the etched substrate surface using a foreign substance inspection device.例文帳に追加

半導体基板表面をエッチングする工程と、異物検査装置により前記エッチングした基板表面における輝点を検出する工程とを含む半導体基板の品質評価方法。 - 特許庁

To perform mass spectrometry of a gas used in manufacturing processes of thin films for semiconductors and electronic components such as CVD and etching without damages to an apparatus.例文帳に追加

この発明は、ＣＶＤ、エッチングなどの半導体、電子部品用薄膜加工プロセスで使用されるガスの質量分析を、装置に損傷を与えずに行うことを目的としたものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a printed circuit board, in which an anchor profile is very small by the small number of processes and which is suitable for a fine pattern by a method, wherein a dry etching operation and a sputtering film formation operation are used.例文帳に追加

ドライエッチングやスパッタ成膜を用いることにより、少ない工程数でアンカープロファイルが非常に小さく、且つ微細パターン化に適したプリント基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

An etching profile in a superior tapered shape can be obtained without undercutting nor projection phenomenon by wet-etching an Mo/AlNd double film or an Mo/Al/Mo triple film as gate and source/drain wiring materials in a single process, and a dry etching process is excluded to make processes smooth for improved productivity, thereby lowering manufacturing costs.例文帳に追加

ゲート及びソース／ドレイン配線材料であるＭｏ／ＡｌＮｄ二重膜またはＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ三重膜を単一工程でウェットエッチングして、アンダーカット及び突出現象なしに優秀なテーパ状のエッチングプロファイルを収得でき、ドライエッチング工程を排除することによって、工程を円滑にして生産性を向上させ、生産コストを低減できる。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: preparing the semiconductor wafer; forming an etching groove by patterning the compound semiconductor epitaxial layer using an etching mask; and bonding the compound semiconductor epitaxial film, obtained by etching the peeling layer and peeling the compound semiconductor epitaxial layer, onto the substrate.例文帳に追加

また、半導体装置の製造方法は、前記半導体ウェハを用意する工程と、エッチングマスクにより、化合物半導体エピタキシャル層をパターニングし、エッチング溝を形成する工程と、剥離層をエッチングし、化合物半導体エピタキシャル層を剥離することによって得られた化合物半導体エピタキシャルフィルムを基板上にボンディングする工程とを有するものである。 - 特許庁

To manufacture a wiring structure that uses an interlayer film of an insulating organic material with less processes, without using an etching mask or etching stopper layer in an interlayer film work, nor affected by a reactive product generated through plasma processing.例文帳に追加

層間膜加工におけるエッチングマスクやエッチングストッパ層を用いることなく、また、プラズマ処理により生成する反応生成物の悪影響を受けることなく、絶縁性を有する有機材料による層間膜を用いた配線構造をより少ない工程で製造できるようにする。 - 特許庁

The pattern forming method is carried out by irradiating a work coated with a resist with exposure light through a mask in a plurality of shots, developing and etching the work and inspecting the formed pattern, wherein the method includes a step of inspecting the mask after the exposure and development processes and before the etching process.例文帳に追加

レジストが塗布されたワークにマスクを介して露光光を照射して複数ショット露光し現像処理し、エッチング処理を行った後、形成されたパターンの検査を行うパターン形成方法において、露光・現像処理後であって、エッチング処理の前にマスクを検査する工程を設ける。 - 特許庁

The multiple layers and/or multiple processing steps can relate to manufacturing lines, grooves, vias, spacers, contacts, and gate structures to be manufactured by utilizing isotropic and/or anisotropic etching processes.例文帳に追加

前記多数の層及び/又は多数の処理工程は、等方性及び/又は異方性エッチング処理を用いて作製可能なライン、溝、ビア、スペーサ、コンタクト、及びゲート構造の作製に関連づけられて良い。 - 特許庁

Related to a method for manufacturing a flash memory, a low-voltage transistor part constituting a peripheral circuit goes through many etching processes, so an isolation oxide film 101a in that region is eroded for degraded isolation characteristics.例文帳に追加

フラッシュメモリの製造方法では、周辺回路を構成する低電圧トランジスタ部がエッチング工程を多く経るため、その領域の分離酸化膜１０１ａが浸食され、分離特性が悪くなっていた。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-quality semiconductor device by enabling to rapidly execute processes of removing an etching mask and forming a gate insulation film at a low cost.例文帳に追加

本発明は、エッチングマスクの除去とゲート絶縁膜の形成工程を低コスト且つ迅速に行うことができ、高品質の半導体装置を製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To overcome a problem that the periphery of an element region becomes concave by repetition of thermal oxidation and etching processes in an integrated circuit device which includes flash memories and corresponds to multiple supply voltages.例文帳に追加

フラッシュメモリを含み、多電源電圧に対応した集積回路装置において、素子領域周辺が熱酸化処理工程とエッチング工程を繰り返すことによりくぼんでしまう問題を解決する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a physical value detector which can eliminate easily a bridge such as a sacrifice beam formed in manufacturing processes without performing laser assisted etching treatment.例文帳に追加

レーザアシストエッチング処理を行うことなく、製造工程で形成される犠牲梁等の架橋部分を容易に除去することができる物理量検出器の製造方法を提供することである。 - 特許庁

The nitride film obtained by the method has an etching-resistant property and high conformality, and an excellent barrier layer can be provided without changing the structure and processes of a conventional semiconductor device.例文帳に追加

この方法によって得られた窒化膜は、耐エッチング性を有し、高いコンフォーマリティを有し、従来の半導体デバイスの構造およびプロセスを変更することなく、優れたバリア層を提供することができる。 - 特許庁

To provide members having high purity, excellent thermal shock resistance and high mechanical strength for excellent jigs for thermal treating for producing semiconductors or members of etching apparatuses of producing processes of semiconductors or liquid crystals or others.例文帳に追加

高純度で、耐熱衝撃性に優れ、機械的強度もあり、優れた半導体製造用熱処理用冶具や半導体・液晶製造工程のエッチング装置用部材等の提供を目的とする。 - 特許庁

To manufacture an optical element, in which unstable processes such as a developing process and an etching process or the like are eliminated, and hereby a fine pattern is formed employing only photoirradiation to ensure high stable reflection preventive function with high reproducibility.例文帳に追加

現像工程やエッチング工程等の不安定な工程を排除して、光照射のみで微細なパターンを形成し、再現性よく安定的に反射防止機能を有する光学素子を製造する。 - 特許庁

Thereafter, a gas having no relation with processes nor etching is introduced into the chamber 4 by using an inert gas of N2, Ar, He, etc., excited by means of a power source 9 for excitation installed to a gas introducing pipeline 8.例文帳に追加

その後、ガス導入配管８に設置された励起用電源９により励起されたＮ_２、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガスでプロセスおよびエッチングに関係のないガスをプロセスチャンバ４内に導入する。 - 特許庁

In these etching processes, the concentration of the additive in the next stage is set equal to 1.2-1.4 times that in a prestage and increment in current density is set in a range of 5-20 mA/cm^2 for the prestage.例文帳に追加

これらのエッチング工程においては、前段に対する次段の添加剤濃度を１．２〜１．４倍、電流密度の前段に対する増大分を５〜２０ｍＡ／ｃｍ^２の範囲に設定する。 - 特許庁

To provide an etching solution for a conductor allowing excellent profiles to be obtained while minimizing manufacturing processes and costs, and to provide the manufacturing method of a thin film transistor display panel using the same.例文帳に追加

製造工程及び費用を最少化しながらも優れたプロファイルを得ることができる導電体用エッチング液及びこれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plurality of processes intended to suppress the errors of an etching process due to the asymmetry of a shape and a technique of designing the process.例文帳に追加

そこで本願にかかる発明の目的は形状の非対称性に起因するエッチング工程の誤差を抑制することを目的とした複数回のプロセス、およびプロセスの設計手法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for treating a layer to be treated, which suppresses an increase in the number of processes as few as possible, and forms a layer to be treated into a desired shape by removing part of the layer by etching.例文帳に追加

工程数の増加を可及的に抑制し、エッチングによって被処理層の一部を除去して、被処理層を所望の形状に形成することができる被処理層の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multilevel gradation mask that can be manufactured in relatively simple processes with relatively easy designing of transmittance and without requiring a plurality of etching techniques.例文帳に追加

本発明は、透過率の設計が比較的容易であり、複数のエッチング技術を要することなく、比較的簡便な工程で製造可能な多階調の階調マスクを提供することを主目的とする。 - 特許庁

When depositing the membrane, a tapered angle is naturally formed, thereby improving step coverage of subsequential processes, reducing the generation of holes within a device, and eliminating the need of a complicated etching process.例文帳に追加

該薄膜を堆積する時に自然にテーパ角度が形成されることにより、後続工程のステップ被覆性を高めると共に装置中の孔の発生を減らし、複雑なエッチング工程を不要とした。 - 特許庁

Wet etching is performed upon the highly insulated thin layer at a room temperature in a mixed liquid of hydrofluoric acid, perchloric acid, other perhalogenated element acid, and the like such that an etching rate of the layer becomes ≥10 Å/min, at the same time, an etching rate of silicon oxide, USG or polysilicon becomes ≤10 Å/min all and a selection ratio becomes appropriate for needs of respective processes.例文帳に追加

弗化水素酸と過塩素酸やその他の過ハロゲン族元素酸の混合液により、室温下で高絶縁性薄層に対してウェットエッチングを行い、該層のエッチング率が10Å／min以上になるようにし、同時に酸化シリコンやUSG，或いはポリシリコン等のエッチング率が皆10Å／min以下であり且つ選択比は各工程の必要に適した比率となるようにする。 - 特許庁

A method of forming the through holes comprises processes of (a) forming a resist pattern on the insulation film by photolithography, (b) forming the through holes by dry-etching the insulation film according to the resist pattern, (c) removing the resist pattern by dry-etching, and (d) removing a polymer residue in the through holes by dry-etching.例文帳に追加

（ａ）フォトリソグラフィーにより絶縁膜上にレジストパターンを形成する工程と、（ｂ）レジストパターンに基づいて絶縁膜をドライエッチングすることによりスルーホールを形成する工程と、（ｃ）ドライエッチングによりレジストパターンを除去する工程と、（ｄ）ドライエッチングによりスルーホール内のポリマー残留物を除去する工程とを含むスルーホールの形成方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a finely-processed metallic product, which efficiently processes a metal so as to acquire superior properties with high accuracy by using a binary fluid etching technique of simultaneously spraying both of an etching liquid and a gas from the same nozzle to spray the etching liquid in a mist form, and to provide the finely-processed metallic product made by the manufacturing method.例文帳に追加

金属の微細加工を、同一ノズルからエッチング液と気体の双方を同時に噴射し、エッチング液が霧状に噴射される２流体エッチングにより行う方法において、加工特性が高く、効率よく高精度に行うことのできる金属微細加工製品の製造方法およびその製造方法により作られた金属微細加工製品を提供する。 - 特許庁

For the method of manufacturing the semiconductor element, more specifically, a technique is disclosed in which a reflection preventing film containing silicon is formed, and then, coating of a hard mask layer and an etching processes are executed only once by performing an O_2 plasma process to simplify processes, thereby reducing time and cost.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、より詳しくはシリコンが含まれた反射防止膜を形成した後、Ｏ_２プラズマ工程を行なうことによりハードマスク層のコーティング及び食刻工程は１回のみ行なうようにして工程を単純化させ、時間及び費用を低減させる技術を示す。 - 特許庁

The manufacturing method of semiconductor device including a substrate to be processed having a conductive layer 28 which is mainly formed of platinum comprises a process for etching the conductive layer 28, and processes to generate plasma and to conduct the cleaning of the substrate to be processed to which an etching product 30 is adhered.例文帳に追加

プラチナを主体とする導電層２８を有する被処理基板を含む半導体装置の製造方法であって、前記導電層２８をエッチングする工程と、プラズマを発生させ、このプラズマ中のイオンによってエッチング生成物３０が付着した前記被処理基板をクリーニングする工程とを含む。 - 特許庁

Individual management devices 20a, 20b and 20c arranged in those processors 14, 16 and 18 capture the residual amounts of the reaction products in the etching chambers 15a, and properly decide the execution order of the plurality of processes to be executed in the respective etching chambers 15a based on the grasped residual amounts.例文帳に追加

各処理装置１４、１６、１８に設けられた個別管理装置２０ａ、２０ｂ、２０ｃがエッチングチャンバ１５ａ内の反応生成物の残留量を把握し、この把握した残留量に基づいて、それぞれのエッチングチャンバ１５ａ内で実施する複数の工程の実施順序を適切に決定する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing an increase in etching targets due to a high aspect ratio in forming a contact by means of an auto-alignment contact, overcoming a step by a hard mask used in auto-alignment contact etching, facilitating subsequent patterning, and simplifying processes.例文帳に追加

オートアライメントコンタクトを利用したコンタクト形成の際、高い縦横比によるエッチングターゲットの増加を防止でき、オートアライメントコンタクトエッチングに用いるハードマスクによる段差を克服し、後続のパターニングを容易に行い、かつ、処理を単純化させることができる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A cyclic pattern is formed (1-e) on the transparent material by using photoresist, etching processing is carried out (1-f), and an overcoat material is potted (1-g) to eliminate the need to remove the etching mask as compared with use of a metal plate, thereby easily forming a polarizing and diffracting element at low cost while decreasing processes.例文帳に追加

フォトレジストを利用して透明材料に周期的パターンを形成させ（１−ｅ）、エッチング処理を行い（１−ｆ）、オーバーコート材をボッティングする（１−ｇ）ことで、金属板を使用するときと比べて、エッチングマスクを除去する必要性を無くし、工程が少なくなり簡便、低コストで偏光回折素子を作成できる。 - 特許庁

A thin metallic film is formed on the upper surface of an aluminum substrate 4 by vapor deposition, printing, etc., and a wiring pattern 3 is formed from the metallic film in photolithography and etching processes.例文帳に追加

回路基板上に有機膜を形成し、ＲＩＥでパターン形成する工程において、耐ＲＩＥ性に優れている金属をＲＩＥレジストとして使用して、有機膜上にリフトオフ法によりＲＩＥレジストパターン形成する。 - 特許庁

Inside of a chamber is cleaned with the processing using plasma containing hydrogen (step S1) and processes such as formation of trench and via-hole are conducted by etching to a wafer using the chamber having completed the cleaning process (steps S2, S3).例文帳に追加

チャンバ内を水素を含むプラズマを用いて処理することによってクリーニングし（ステップＳ１）、クリーニングされたチャンバを用い、ウェーハにエッチングによりトレンチやビアホールを形成する等の加工を行う（ステップＳ２，Ｓ３）。 - 特許庁

Further, the laser printing region (tapered face 7) is formed with ease on the support substrate 1 without requiring as in prior art complicated processes such as mask formation, oxide film etching, mask removal, and wafer cleaning or the like.例文帳に追加

また、従来のように、マスク形成、酸化膜エッチング、マスク除去及びウエーハ洗浄など複雑な工程を必要とせずに、支持基板１に容易にレーザー印字領域（テーパ面７）を形成することができる。 - 特許庁

The diffraction optical element having cyclic step shape is manufactured by repeating a series of processes for exposing and developing a base plate 1 coated with a resist 2 by using a mask so as to form a resist pattern, and for etching it.例文帳に追加

マスクを用いてレジスト２が塗布された基板１を露光，現像してレジストパターンを形成し，エッチングする一連のプロセスを繰り返して，周期的な階段形状を有する回折光学素子を製造する。 - 特許庁

To provide a method for treating a large-area substrate using hollow cathode plasma, which can execute processes such as ashing, cleaning and etching by using plasma to a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate.例文帳に追加

半導体ウエハ、またはガラス基板などのような基板に対して、プラズマを利用してアッシング、洗浄、エッチングなどのプロセスを実行することができるホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理方法を提供する。 - 特許庁

When the fluorine remains therein, the fluorine is so dissolved in a water by the rinsing of a cleaning process performed thereafter, etc., and is so changed into a hydrofluoric acid as to generate voids in after-processes by etching the porous low dielectric-constant film 3a.例文帳に追加

フッ素が残留すると、その後の洗浄工程の水洗などによりフッ素が水に溶解してフッ酸となり、多孔質低誘電率膜３ａをエッチングし、その後の工程でボイドが発生してしまう。 - 特許庁

With the chemical, the washing liquid or the gas injected to the lower part of the substrate for washing or etching the lower face of the substrate, processes for the upper face and the lower face of the substrate can be carried out at the same time.例文帳に追加

従って、基板の下部面を洗浄またはエッチングするために基板の下部で薬液、洗浄液、及びガスを噴射することで、基板の上部面と下部面に対する工程を同時に進行することができる。 - 特許庁

Next, a part of the nitride film 202 including the part having the configuration of an eave is removed by etching treatment employing the second resist pattern as a mask, and thereafter, processes for forming the groove having the sectional configuration of a reverse-truncated shape and the reflecting surface are started.例文帳に追加

次に、第２のレジストパターンをマスクとして、エッチング処理により、庇形状部を含めた窒化膜202の一部を除去し、その後、断面逆台形形状の溝形成及び反射面の形成工程に入る。 - 特許庁

By injecting the chemical, the washing liquid or the gas to the lower part of the substrate for washing or etching the lower face of the substrate, processes for the upper face and the lower face of the substrate can be carried out at the same time.例文帳に追加

従って、基板の下部面を洗浄またはエッチングするために基板の下部で薬液、洗浄液、及びガスを噴射することで、基板の上部面と下部面に対する工程を同時に進行することができる。 - 特許庁