「etching processes」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a polarizing and splitting element and a polarizing and splitting element capable of improving yield in photo-lithography and dry etching which are processes for forming diffraction gratings on a double diffraction film by sticking an optical anisotropic film on an optically transparent substrate wafer so as to improve the flatness, and further, to provide a hologram laser unit and an optical pickup unit improved in reliability.例文帳に追加

本発明は、光学的透明基板ウェハに光学的異方性膜を平坦性が向上するように貼り付け、複屈折膜上に回折格子を形成する工程であるフォトリソグラフィー、ドライエッチングにおいて歩留りを向上できる、偏光分離素子の製造方法及び偏光分離素子、更に信頼性の向上したホログラムレーザユニット及び光ピックアップ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To improve product yield and quality of a liquid-crystal display panel by, related to a method for manufacturing a liquid-crystal display panel, decreasing the number of processes, especially for exposure process, for improved productivity and lower manufacturing cost while occurrence of transistor defect related to an etching stopper part is suppressed.例文帳に追加

本発明の液晶ディスプレイパネルの製造方法は、第１に、工程数、特に露光工程数を低減することにより、生産性を向上させ、以て製造コストを下げることにあり、第２に、エッチングストッパー部に関連するトランジスタ不良の発生を抑え、液晶ディスプレイパネルの製品歩留り及び品質の向上を図ることにある。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processor and a processing method using the same which continuously and stably generates a uniform glow discharge plasma substantially under the atmospheric pressure to form a thin film, using not only a single process gas but a plurality of process gases, and can deal with complicated processes in etching, ashing steps, etc.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して、安定して発生させ、単一の処理ガスのみならず複数の処理ガスを用いた薄膜形成、エッチング処理、アッシング処理等の工程における複雑な処理にも対応できる放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法の提供。 - 特許庁

To provide a light emitting device which reduces and thus facilitates processes of obtaining circuit patterns having bright surfaces by eliminating a plating step or an etching step, enables easy formation of high-density circuit patterns, and enables efficient formation of the circuit patterns having bright surfaces while omitting the bright surfaces where unnecessary.例文帳に追加

めっき加工やエッチング加工を行うことなく光沢面を有する回路パターンを得ることができて工程を数少なくして簡略化することができ、また、高密度の回路パターンを容易に形成することができ、さらに、光沢が不要な回路パターンには光沢面が形成されないようにして、光沢面を有する回路パターンを効率よく形成することができる発光装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a light-emitting device in which a circuit pattern having a glossy surface can be obtained without requiring plating or etching processing, and processes can be reduced and simplified as a result, a high-density circuit pattern can be easily formed, and the circuit pattern having the glossy surface can be efficiently formed by avoiding the formation of a glossy surface on a circuit pattern which does not need gloss.例文帳に追加

めっき加工やエッチング加工を行うことなく光沢面を有する回路パターンを得ることができて工程を数少なくして簡略化することができ、また、高密度の回路パターンを容易に形成することができ、さらに、光沢が不要な回路パターンには光沢面が形成されないようにして効率よく回路パターンの表面を光沢面に形成することができる発光装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the polymer optical waveguide substrate comprising the processes of forming a polymer optical waveguide laminated body on a silicon substrate, removing the unnecessary part by performing the reactive ion etching via a resist pattern containing positive type silicon, and exfoliating the resist containing the silicon, is characterized in that an exfoliation liquid containing amino alcohol is used as an exfoliation liquid of the resist containing silicon.例文帳に追加

シリコン基板上に、ポリマー光導波路積層体を形成し、ポジ型シリコン含有レジストパターンを介して反応性イオンエッチングを行って不要部を除去し、次いでシリコン含有レジストを剥離する工程を含むポリマー光導波路基板の製造方法において、シリコン含有レジストの剥離液としてアミノアルコール含有剥離液を使用することを特徴とする方法。 - 特許庁

By this reason, the film thickness of a fourth interlayer insulating film 106 is uniformly formed, and at subsequent forming processes of a first through-hole 108a and a second through-hole 108b, an identical amount is removed by etching on the first copper wiring 103a of the broader width and the second copper wiring 103b of the narrower width.例文帳に追加

その為、層間絶縁膜である第４の絶縁膜１０６の膜厚が均一に形成され、その後の第１のスルーホール１０８ａ及び第２のスルーホール１０８ｂの形成時において、エッチングによる除去が幅の広い第１の銅配線１０３ａ上と幅の狭い第２の銅配線１０３ｂ上で同一量行うことが可能となる。 - 特許庁

Quantum thin lines of various sizes are formed on the single substrate by successively performing the processes of: vapor-depositing an oxide film on the semiconductor substrate; etching the oxide film so that areas where the oxide film is not formed have various sizes; and forming triangular epitaxial structures in the areas where no triangular epitaxial structure is present by using the selective epitaxial growing method.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を蒸着する段階と、酸化膜のない領域が多様な大きさを有するように前記酸化膜をエッチングする段階と、選択的エピタキシャル成長法を利用して前記酸化膜のない領域に三角形のエピタキシャル構造を形成する段階と、を順次行うことで、単一基板に多様な大きさの量子細線を形成する。 - 特許庁

The fine-processing method for the glassy carbon comprises the processes of: coating the glassy carbon substrate with an ultraviolet ray-sensitive resin used in the development of a photograph; forming the resin into a desired micropattern by the exposure and development of the resin; dry-etching the resin, to transfer the micropattern onto the glassy carbon substrate.例文帳に追加

本ガラス状カーボンの微細加工方法は、ガラス状カーボン基板に写真現像用の紫外線感光性樹脂を塗布する工程と、紫外線感光性樹脂の露光、現像を行い、紫外線感光性樹脂を所望の微細パターンに成形する工程と、紫外線感光性樹脂にドライエッチングを施し、微細パターンをガラス状カーボン基板へ転写する工程を有する。 - 特許庁

To reduce the number of working processes and failure rate, in a mask arranging apparatus adopted for various apparatus executing thin film formation by plasma and etching to a relatively large substrate such as a glass substrate for liq. crystals or the like, by separating the functions such as a temp. controlling mechanism from a mask as maintenance parts.例文帳に追加

液晶用ガラス基板等の比較的大型の基板に対して、プラズマによる薄膜形成やエッチングを行う各種装置に採用されるマスク配設装置おいて、メンテナンス部品であるマスクから温度調節機構等の機能を分離することによって、作業工数や故障率を低減させることを目的とする。 - 特許庁

This method of manufacturing a quantum wire structure includes processes of: forming an insulator mask 16 by using a resist mask having a width larger than that of a desired quantum wire structure; and forming a quantum wire 17 by etching a multiple quantum well layer 12 by using the insulator mask 16.例文帳に追加

本発明に係る量子細線構造の作製方法は、所望の量子細線構造の幅よりも太い幅を有するレジストマスクを用いて絶縁体マスク１６を形成する工程と、この絶縁体マスク１６を用いて多重量子井戸層１２をエッチングし量子細線１７を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The gravure plate is manufactured in processes of: exposing a film resist to laser light in accordance with a figure pattern; uniformly exposing the entire film resist with the exposed pattern; transferring the film resist after uniform exposure onto a cylinder; and developing, drying and etching the transferred film resist.例文帳に追加

ａ）フィルムレジストにレーザー光を用いた露光を行い、絵柄を焼き付ける工程と、ｂ）前記絵柄を焼き付けたフィルムレジスト全面に均一な露光を行う工程と、ｃ）前記均一露光後のフィルムレジストをシリンダーに転写する工程と、ｄ）前記転写されたフィルムレジストを現像、乾燥、腐食する工程を含むグラビア版の製造方法を提供する。 - 特許庁

An Ellipsometer is arranged in the orienter chamber 55 and by measuring the thickness of ion implemented region (amorphous layer) in a substrate or the thickness of the formed film without exposing a wafer to the atmosphere outside a manufacturing device until a series of processes such as film forming, annealing, and etching is completed, the management of the condition setting of the next process etc. is made possible.例文帳に追加

オリエンターチャンバ５５にエリプソメータが配設され、成膜，アニール，エッチング等の一連のプロセスが終了するまでウエハを製造装置外の大気にさらすことなく、基板内のイオン注入領域（アモルファス層）の厚みや、成膜した膜の厚みなどをエリプソメータにより測定することで、次の処理の条件設定などの管理が可能となる。 - 特許庁

Processes are performed: a process of measuring the film thickness distribution of a metal film 11 formed on a piezoelectric substrate 2; and an electrode-forming process for forming a mask layer 13 having forming patterns of interdigital transducers 3 on the metal film 11, etching a portion where the metal film 11 and the substrate 2 are not covered with the mask layer 13, thereby forming the interdigital transducers 3.例文帳に追加

圧電性基板２上に成膜された金属膜１１の膜厚分布を測定する工程と、櫛形電極３の形状パターンを有するマスク層１３を金属膜１１上に形成し、金属膜１１及び圧電性基板２のうちマスク層１３に覆われていない部分をエッチングすることにより櫛形電極３を形成する電極形成工程とを行う。 - 特許庁

Conventionally, processes for resist coating→exposure→the etching of the opening parts→anodizing treatment→the removal of a resist are required in order to form the spot like well for fixing the sample but, since one anodizing treatment process to the whole surface may be performed, this sample plate is advantageous from an aspect of a manufacturing process, a working time, and a process cost.例文帳に追加

従来はサンプルを固着させるスポット状のウェルを形成するために、レジスト塗布→露光→開口部エッチング→アノーダイジング処理→レジスト除去などの工程が必要であったが、本発明では全面へのアノーダイジング処理１工程だけで済むため、作製工程や作業時間、製造コストの面で有利である。 - 特許庁

To provide a plasma processor capable of preventing reaction products from sticking on an optical window of a view port for collecting plasma light in a chamber and capable of continuously collecting the light in real time, in the plasma processor which performs plasma processes such as etching, CVD, and ashing.例文帳に追加

エッチング、ＣＶＤ、アッシングといったプラズマプロセスを行うプラズマプロセス装置において、チャンバ内のプラズマ光を採光するためのビューポートの光学窓に反応生成物が付着することを防止し、かつ、リアルタイムで連続的に採光を行うことができるプラズマプロセス装置を提供する。 - 特許庁

To provide a photomask blank which can reduce the film thickness of a resist to effectively enhance the resolution of a mask pattern, can reduce a loading effect during dry etching, can reduce a shift amount of the mask dimension from the resist dimension, and can reduce the number of mask manufacturing processes, and to provide a photomask manufactured by using the blank.例文帳に追加

マスクパターンの高解像度化に効果的なレジストの薄膜化が可能で、ドライエッチング時のローディング効果が低減され、レジスト寸法からのマスク寸法のシフト量の低減が図れ、マスク製造工程数の削減が図れるフォトマスクブランクスおよびそのブランクスを用いて製造したフォトマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition which is suitably used in a super-microlithography process and other photofabrication processes such as manufacture of VLSIs and high capacity microchips and whose surface roughness in etching is reduced, and further a resist composition which has superior characteristics of sensitivity, resolving power, a profile, a pattern fall, a side lobe margin, roughness and fineness dependency, etc.例文帳に追加

超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて好適に使用することができ、エッチング時の表面荒れが低減されたレジスト組成物、また更には、感度、解像力、プロファイル、パターン倒れ、サイドローブマージン、疎密依存性などの諸特性にも優れたレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The LPP is formed between shallow grooves or between shallow pits with the use of laser having power smaller than that of laser for forming the shallow grooves or shallow pits, and thus the depth of the LPP region and its adjacent groove regions and the depth of the surrounding grooves are made, after passing through the etching and ashing processes, equal.例文帳に追加

LPPを浅いグルーブ間、もしくは浅いピット間に形成する際、そのレーザのパワーを浅いグルーブ、もしくは浅いピットを形成するレーザパワーよりも小さくすることにより、エッチング、アッシングプロセスを経た後に、LPP部及びその隣接グルーブ部分は周辺のグルーブ深さと同一の深さとする。 - 特許庁

To provide a hose having improved adhesive force between a metal plated layer and an outside resin layer while omitting processes requiring much time for etching and palladium fixture prior to the formation of the metal plated layer by eliminating the need for the resin layer to contain talc when forming the metal plated layer on the outer periphery of the resin layer.例文帳に追加

樹脂層の外周に金属めっき層を形成する場合でも、その樹脂層にタルクを含有する必要がなく、そのため、金属めっき層の形成に先立つエッチングおよびパラジウム定着という時間をかなり要する工程が不要となり、しかも、金属めっき層と外側樹脂層との接着力を向上させることができるホースおよびその製法を提供する。 - 特許庁

The method of forming the fine flow channel 40 includes the processes of: forming a mask pattern 20 on a substrate 10; coating an exposed part 10a of the substrate 10 with noble metal particles 30; and forming the fine flow channel 40 on the surface of the substrate 10 by dipping the substrate 10 in an etching solution to etch the substrate 10 under the exposed part 10a of the substrate using the mask pattern 20 as a mask.例文帳に追加

基板１０上にマスクパターン２０を形成する工程と、貴金属微粒子３０を前記基板１０の露出部１０ａに塗布する工程と、前記基板１０をエッチング溶液に浸漬して前記マスクパターン２０をマスクとして前記基板の露出部１０ａ下部の基板１０をエッチングすることにより、前記基板１０表面に微細流路４０を形成する工程と、を含む微細流路４０の形成方法である。 - 特許庁

A plurality of times of engraving can be conducted to the same resin by a photolithographic method by using a positive type photosensitive polyimide resin material to an insulating layer 21, mask formation by a resist in a solder ball forming process and a rear etching process in the manufacture can be omitted, processes can be simplified, and a material used can be decreased, and manufacturing cost can be reduced.例文帳に追加

絶縁層２１にポジ型の感光性ポリイミド樹脂材料を使用することで、フォトリソグラフィー法によって同一の樹脂に対して複数回の製版を行うことが可能であり、従来の製造方法における半田ボール形成工程、裏面エッチング工程時のレジストによるマスク形成を省略することができるので、工程を簡略化でき、かつ使用する材料を減らすことができるので、製造コストの大幅な低減を図ることができる。 - 特許庁

A method for forming the upper electrode in a ferroelectric device includes processes of preparing a silicon substrate; depositing a lower electrode; depositing a ferroelectric material layer; depositing an aluminum upper electrode layer; coating the aluminum layer with photoresist; patterning and developing the photoresist layer; etching the aluminum layer; and completing the ferroelectric device.例文帳に追加

強誘電体デバイスにおいて上部電極を形成する方法は、シリコン基板を準備する工程と、下部電極を堆積する工程と、強誘電体材料の層を堆積する工程と、アルミニウム上部電極層を堆積する工程と、アルミニウム層をフォトレジストで被覆する工程と、フォトレジスト層をパターニングおよび現像する工程と、アルミニウム層をエッチングする工程と、強誘電体デバイスを完成させる工程とを包含する。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: forming an etching mask on a processing object 10 formed of a compound semiconductor containing indium as an essential constituent element; introducing a mixture gas comprising two constituents such as hydrogen iodide gas and silicon tetrachloride gas onto the processing object 10 and converting the mixture gas to plasma; and entering the mixture gas converted to plasma into the processing object to selectively etch the processing object.例文帳に追加

この製造方法は、インジウムを必須の構成元素とする化合物半導体からなる被加工物１０の上にエッチングマスクを形成する工程と、被加工物１０の上にヨウ化水素ガスおよび四塩化ケイ素ガスの２成分からなる混合ガスを導入するとともに混合ガスをプラズマ化する工程と、当該プラズマ化された混合ガスを被加工物に入射させて被加工物を選択的にエッチングする工程と、を含む。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises processes for forming a resist pattern on a base layer; smoothing, at least the wall surfaces of the resist pattern by applying a resist pattern smoothing material to the surface of the resist pattern and by controlling at least either one of coating thickness and heating temperature, including heating and development; and patterning the base layer by etching, using the smoothed resist pattern.例文帳に追加

下地層上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンの表面にレジストパターン平滑化材料を塗布した後、加熱し、現像することを含み、塗布の厚み及び加熱の温度の少なくともいずれかを調整することにより、レジストパターンにおける少なくとも壁面を平滑化させる工程と、平滑化されたレジストパターンを用いてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁