「far‐ultraviolet light」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a monomer for a photoresist having high transparency in a far ultraviolet light range and excellent etching and heat resistances.例文帳に追加

遠紫外線領域で高い透明性を有し、エッチング耐性及び耐熱性の優れたフォトレジスト単量体を提供する。 - 特許庁

To provide a spectral measuring device superior in the measuring precision of light of a far ultraviolet, vacuum ultraviolet and soft X ray area.例文帳に追加

遠紫外、真空紫外、軟Ｘ線領域の光の測定精度の優れた分光測定装置を提供する。 - 特許庁

To provide an integrating sphere excellent in measuring precision for light in a far ultraviolet vacuum ultraviolet range, and a spectrometric instrument using the integrating sphere.例文帳に追加

遠紫外・真空紫外領域の光の測定精度の優れた積分球、それを用いた分光測定装置を提供する。 - 特許庁

To provide a photometric device that is superior in the measurement accuracy of light in the ultraviolet region, especially a far-ultraviolet/vacuum ultraviolet region, and to provide a photometric method.例文帳に追加

紫外領域の光、特に遠紫外、真空紫外領域において、測定精度の優れた光測定装置及び方法を提供する。 - 特許庁

A space 30 for passing exposure light of far ultraviolet ray or the like is surrounded by the purge chamber 8.例文帳に追加

遠紫外光等の露光光が通過する空間３０がパージチャンバ８によって取り囲まれている。 - 特許庁

The subject apparatus is constituted so that oxygen gas for attenuating a far ultraviolet light is fed around respective recording heads 15k, 15c, 15m and 15y with a plurality of nozzles jetting respective photo-curable inks KCMY to be curable with the far ultraviolet light emitted from an UV lamp 16 as ink drops toward a recording medium 11.例文帳に追加

ＵＶランプ１６から放射される遠紫外光により硬化するＫＣＭＹの各光硬化性インクをインク滴として記録媒体１１に向けて吐出す複数のノズルを有する各記録ヘッド１５ｋ、１５ｃ、１５ｍ、１５ｙの周囲に遠紫外光を減衰させる酸素ガスを供給する。 - 特許庁

Alternatively, the optical probe comprises the optical material having the light transmission characteristic in the far ultraviolet range, and has a face for total-reflecting the light having the critical angle or more of incident angle in the side contacting with the sample, and a refractive index in the vicinity of the face is higher than that of other portion in the far ultraviolet range.例文帳に追加

または、光学プローブは、遠紫外域で光透過特性を有する光学材料からなり、試料と接する側に、臨界角以上の入射角の光を全反射する面を有し、この面の近傍での屈折率が、遠紫外域において他の部分の屈折率より高い。 - 特許庁

In this method, light or radiation may be visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, vacuum ultraviolet light, X-rays, γ-rays, electron beams or ion beam.例文帳に追加

本発明において光または放射線とは可視光、紫外光、遠紫外光、真空紫外光、Ｘ線、γ線、電子線、イオン線等を含むものである。 - 特許庁

To provide a pattern forming method using a photosensitive or radiation sensitive composition having satisfactory sensitivity to light and suitable for lithography using short-wavelength light such as far ultraviolet light.例文帳に追加

光に対する感度が十分あり、遠紫外光等の短波長光を用いたリソグラフィには適した光または放射線感応性組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition suitable for far ultraviolet light, particularly KrF excimer laser light, not causing the problem of development defects and excellent in stability in a semiconductor producing process.例文帳に追加

遠紫外光、特にＫｒＦエキシマレーザー光に好適で、現像欠陥の問題を生じず、しかも半導体製造プロセス上、安定性の優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive composition excellent in sensitivity and resolving power in microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ションにおいて、感度、解像力の優れたポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain a photoacid generator having high transparency to exposure light and excellent sensitivity in a photoresist composition for lithography using far-ultraviolet light with wavelength of ≥130 nm and ≤220 nm.例文帳に追加

本発明は１３０ｎｍ以上２２０ｎｍ以下の遠紫外光を用いたリソグラフィ用のフォトレジスト組成物において露光光に対し透明性が高く、感度の良い光酸発生剤を提供することを課題とする。 - 特許庁

Consequently, specially, the far ultraviolet light leaking from an incidence surface of an optical modulator 24 can securely be absorbed and leak light which is generated at other positions can also securely be absorbed.例文帳に追加

これにより、特に、光変調器２４の入射端面から漏れる遠紫外光を確実に吸収することができ、かつ、これ以外の部位で発生する漏れ光も確実に吸収することができる。 - 特許庁

To produce a highly functional Ga_2O_3 single crystal thin film which can be used as a light source emitting light in a far ultraviolet region where the wavelength is 250-270 nm by a simple means.例文帳に追加

波長２５０〜２７０ｎｍの深紫外域で発光する光源として使用可能な高機能性Ｇａ_2Ｏ_3単結晶薄膜を、簡便な手段で作製する。 - 特許庁

To provide a light intensity measuring element capable of accurately and rapidly measuring the intensity of light incident on a far ultraviolet range, an image pickup element, a spatial image measuring device, and an exposure device.例文帳に追加

遠紫外領域の入射光の強度を正確かつ迅速に測定可能な光強度測定素子、撮像素子、空間像測定装置及び露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optical spectrometer with a superior measuring accuracy in particular for light in an ultraviolet region, and in particular for light in a far ultraviolet region and a vacuum ultraviolet region, and to provide a spectroscope being employed in the spectral metering device.例文帳に追加

特に紫外領域の光、特に遠紫外、真空紫外領域に於て、測定精度の優れた分光測定装置及び既装置に用いられる分光器を提供する。 - 特許庁

To provide an optical chopper capable of acquiring a high S/N ratio even to an electric noise by suppressing high-order light, stray light or the like even in a short wavelength band such as a far ultraviolet region or a vacuum ultraviolet region, and a spectroscopic device with the same.例文帳に追加

遠紫外域や真空紫外域のような短波長帯においても高次光や迷光等を抑制し、電気的なノイズに対しても大きなS/N比を得ることができる光チョッパ及びそれを備えた分光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a new silicone copolymer having a high absorption even in ≥200 nm far ultraviolet light region and also being an alkali soluble by having a phenolic hydroxy group.例文帳に追加

２００ｎｍで以上の遠紫外線領域でも吸収が高く、かつフェノール性水酸基を有することによりアルカリ可溶な新規シリコーン共重合体を提供する。 - 特許庁

To obtain a photoacid generator having high transparency for exposure light and good in thermal stability in a photoresist composition for lithography using far ultraviolet rays, especially ArF excimer laser beams.例文帳に追加

遠紫外線、特にＡｒＦエキシマレーザ光を用いたリソグラフィ用のフォトレジスト組成物において露光光に対し透明性が高く、熱安定性の良い光酸発生剤を提供する。 - 特許庁

To provide techniques for increasing a percentage of light transmitted through an optical inspection system that operates in and near ultraviolet and far-ultraviolet electromagnetic wave spectra.例文帳に追加

紫外および遠紫外電磁波スペクトラム内、またはその近傍で動作する光学検査システムを透過される光のパーセンテージを増加させる技術を提供する。 - 特許庁

To obtain a microscope objective lens system comprising lenses made of only fluorite and fused quartz, capable of correcting aberrations in a far-ultraviolet region and a visible light region, and also, capable of sufficiently correcting various aberrations.例文帳に追加

遠紫外光領域と可視光領域において収差補正可能な、蛍石と石英ガラスだけで構成される顕微鏡対物レンズ系であって、諸収差を良好に補正した顕微鏡対物レンズ系を得る。 - 特許庁

To provide a quartz glass suitable for an optical system and a substrate for a mask, in optical lithography or the like in a far ultraviolet region having 165-200 nm wavelength, and having poor absorption of light.例文帳に追加

波長が165〜200nmの範囲の遠紫外領域での光リソグラフィーなどの、光学系やマスクの基材に適した、光の吸収の少ない石英ガラスの提供。 - 特許庁

To provide a copolymer which can be easily processed to form e.g. a thin film, has high light transmittance in the far ultraviolet region, and is suitable for a photoresist in the semiconductor manufacturing technology.例文帳に追加

薄膜化等の加工が容易であり、遠紫外領域における光の透過率が高く、半導体製造技術におけるフォトレジストにも適した共重合体を提供する。 - 特許庁

The entire surface of the substrate to be processed 130 is irradiation-processed with monochromatic light 139 having a wavelength in a region ranging from far-ultraviolet to vacuum ultraviolet and a half-value width of 30 nm or narrower.例文帳に追加

被処理基板１３０上に遠紫外から真空紫外領域の波長で半値幅３０ｎｍ以下の単色光１３９を全面照射処理する。 - 特許庁

To provide a negative type radiation sensitive composition having such a chemical structure as to ensure transparency in the far ultraviolet light region and high dry etching resistance and capable of forming a minute pattern by development with an aqueous alkali developing solution without causing swelling.例文帳に追加

遠紫外光領域で透明、かつドライエッチング耐性も高い化学構造を持ち、水性アルカリ現像液で膨潤することなく微細パタンを現像できるネガ型感放射線組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition superior in resolution, mask linearity, scum, film thinning and SEM shrink by coping with exposure of a far ultraviolet region making a light source of ArF or KrF in manufacture of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、ＡｒＦやＫｒＦを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、解像力、マスクリニアリティー、スカム、膜べり、ＳＥＭシュリンクに優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

This optical probe comprises the first portion of the first optical material having a light transmission characteristic in the far ultraviolet range, and the second portion of the second optical material arranged contactingly with a face herein.例文帳に追加

光学プローブは、遠紫外域で光透過特性を有する第１の光学材料の第１部分と、上記の面に接して配置される第２の光学材料の第２部分とからなる。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which is superior in resolution, mask linearity, and has little scum, or film thinning and SEM shrinkage, by coping with the exposure to a far-ultraviolet region making a light source of ArF or KrF in manufacture of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、ＡｒＦやＫｒＦを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、解像力、マスクリニアリティー、スカム、膜べり、ＳＥＭシュリンクに優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiosensitive resin composition having a chemically amplifying light-sensitive film to far-ultraviolet radiation with improved pattern form together with improved resolving performance, sensitivity and focal depth latitude.例文帳に追加

遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして、解像性能、感度及び焦点深度余裕の向上と共に、パターン形状の向上ができる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition suitable for use in microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light, having high sensitivity and small density dependence and ensuring slight surface roughening in etching.例文帳に追加

遠紫外光、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができる、高感度であり、疎密依存性が小さく、エッチング時の表面荒れが少ないポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To solve a technical problem in enhancing performance peculiar to microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly KrF or ArF excimer laser light and to obtain a positive type photoresist composition less liable to cause development defects and excellent in edge roughness.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＫｒＦ又はＡｒＦエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、具体的には、現像欠陥の発生が少なく、エッジラフネスに優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To solve problems in a technique for enhancing the performance of microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light and to provide a positive photosensitive composition improved in terms of edge roughness and development defects.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ションの性能向上技術における課題を解決することであり、エッジラフネス、現像欠陥の点で改善されたポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

To enhance performance proper to microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light, to solve technical problems proper to the microphotofabrication and to provide a positive type photosensitive composition excellent in sensitivity and resolving power.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上及び技術課題を解決することであり、感度及び解像力に優れたポジ型感光性組成物を提供することにある。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition which is suitable for use in microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light and which has high sensitivity and small density dependency and is less liable to surface roughening in etching.例文帳に追加

遠紫外光、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができる、高感度であり、疎密依存性が小さく、エッチング時の表面荒れが少ないポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To solve the problems of a performance enhancing technique proper to microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light and to provide a positive type photosensitive composition excellent also in sensitivity, resolving power and margin for exposure.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、感度、解像力、露光マージンも優れたポジ型感光性組成物を提供すること。 - 特許庁

To solve problems in a technique for enhancing performance proper to microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light and to provide a positive photosensitive composition having small density dependence and a wide side lobe margin.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決し、疎密依存性が小さく、サイドローブマージンが広い優れたポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

To overcomes problems on a technology for enhancing performance proper to microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light and to provide a positive photosensitive composition excellent in sensitivity, resolving power and margin for exposure and less liable to generate scum.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、感度、解像力、露光マージンに優れ、スカムの発生の少ないポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition having a broad process window in contact hole formation in microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light, and capable of suppressing pit formation in flow baking, and to provide a method of forming a pattern using the same.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ションに於いて、コンタクトホール形成において広いプロセスウインドウをもち、かつフローベーク時のピット形成を抑制出来るレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type chemical amplification resist using far ultraviolet light having ≤220 nm wavelength as light for exposure, capable of preventing the falling and crumbling of a pattern and excellent in adhesion to a substrate and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加

露光光として波長が２２０ｎｍ以下の遠紫外光を使用するポジ型化学増幅レジストであって、パターン倒れ及びパターン崩れを防止でき、基板密着性が優れたポジ型化学増幅レジスト及びそのパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming method appropriate for immersion exposure by eliminating a resist pattern fall and the deterioration of profile, resolution, focal depth and exposure tolerance in the case of pattern formation using the immersion exposure of a resist composition particularly with far-ultraviolet ray light as a light source.例文帳に追加

特に遠紫外線光を光源とした、レジスト組成物の液浸露光によるパターン形成において、レジストパターンの倒れ、プロフィル、解像力、焦点深度、露光余裕度の劣化が無く、液浸露光に好適なレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The quartz glass optical composite part is manufactured by integrating a portion formed with a transparent quartz glass which has light transmittability to transmit a whole or partial range of far-ultraviolet light, ultraviolet light, visible light, infrared light and far-infrared light, with a light shielding portion formed with a material which has a light shieldability to shield a whole or partial range of the light from those light sources.例文帳に追加

遠紫外線、紫外線、可視光線、赤外線および遠赤外線の全域またはその一部の光透過性を有する透明石英ガラスからなる部分と、これら線源の全域またはその一部の光遮蔽性を有する材料からなる光遮蔽部分とが一体化されてなる複合石英ガラス製光学部品。 - 特許庁

The photosensitive colored composition includes at least a pigment, a transparent resin, a monomer having an ethylenically unsaturated double bond, and an oxime ester type photopolymerization initiator, and cures upon exposure to ultraviolet light of 230-320 nm wavelength in a far-ultraviolet region.例文帳に追加

少なくとも、顔料、透明樹脂、エチレン性不飽和二重結合を有するモノマー、およびオキシムエステル系光重合開始剤を含有し、波長が２３０〜３２０ｎｍの遠紫外域の紫外線露光により硬化することを特徴とする感光性着色組成物である。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition superior in characteristics required for sensitivity and resolution and inner pattern profile dimensional stability from exposure process to heating process at the time of using far ultraviolet rays, especially, short wavelength light source, such as excimer laser beams.例文帳に追加

遠紫外光、とくにエキシマレーザー光などの短波長光源の使用に対して感度、解像力、定在波の内パターンプロファイル、露光から加熱工程までの寸法安定性などの必要特性の優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To solve the problem in a technique for improving the performance of microphotofabrication using far ultraviolet ray light, particularly, ArF excimer laser having wavelength of 193 nm, more specifically, to provide a negative resist composition excellent in sensitivity, pattern shape and pattern collapse.例文帳に追加

遠紫外線光、特に波長が１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザを用いるミクロフォトファブリケーションの性能向上技術の課題を解決することであり、より具体的には、感度、パターン形状、パターン倒れに優れたネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type photoresist composition which solves the problem of the occurrence of development defects and scum in development in micro-photofabrication using far ultraviolet light and which is capable of giving a resist pattern excellent in adhesion to a substrate.例文帳に追加

遠紫外光を使用するミクロフォトファブリケ−ションにおいて、現像の際の現像欠陥発生及びスカムの発生の問題を解消し、更には基板密着性に優れたレジストパターンを与え得るポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁