1153万例文収録!

「field width」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > field widthの意味・解説 > field widthに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

field widthの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 472



例文

Further, the magnetic head for perpendicular magnetic recording is furnished with antiferromagnetic films 32 which are arranged so as to confront with the side wall sections A3, A4 for generating an exchange coupling magnetic field at a part of the track width regulating section 15A adjacent to the side wall sections A3, A4 to face a magnetization in this part toward the direction parallel to the surface opposite to medium.例文帳に追加

垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、側壁部A3,A4に対向するように配置され、側壁部A3,A4に隣接するトラック幅規定部15Aの一部に、その一部における磁化を媒体対向面に平行な方向に向ける交換結合磁界を生じさせる反強磁性膜32を備えている。 - 特許庁

The plating film is formed by electrolytic plating such that plating deposition progresses by an electric field produced from the protrusions 16 and 19 toward the vicinity of each exposed portion of the lead-out portions 18 and 15 on the side surfaces 6 and 5 in an electrolytic plating process while being controlled not to spread in each width direction of the side surfaces 6 and 5.例文帳に追加

めっき膜は、電解めっきにより形成され、電解めっき工程において、突起部16,19から側面6,5における引出し部18,15の各露出部の近傍に向かって生じる電界により、めっき析出が、側面6,5の各幅方向に広がることが抑制されながら進行するようにされる。 - 特許庁

When the transceiver 1 receives a data signal (data packet D) from the electric field transmission medium in this state, the transceiver 1 extends a rectangular width of each H level of the data packet D by twice or over to produce a window W, inverts the window W and calculates a product with the connection signal P1 to generate a connection signal P2.例文帳に追加

このような状態において、トランシーバ1が電界伝達媒体からデータ信号(データパケットD)を受信すると、データパケットDの各Hレベルの矩形幅を2倍以上引き延ばし、ウィンドウWを生成し、次に、ウィンドウWを反転し、接続信号P1との積を計算し、接続信号P2を生成する。 - 特許庁

A mark image 201 to be the car width mark of the vehicle is composited on a backward image photographed by a backward photographing camera so as to satisfy a fixed positional relation with the photographing field of view of the rearward photographing camera and is output to a display 100 as a composite image 203 for rearward confirmation during rearward driving of the vehicle.例文帳に追加

後方撮影カメラが撮影する後方画像上に車両の車幅目印となる目印画像201を、該後方撮影カメラの撮影視野と一定の位置関係を充足するように合成し、車両の後退時における後方確認用合成画像203としてディスプレイ100に出力する。 - 特許庁

例文

A positive electrode 8 and a negative electrode 10 are disposed on the clad 6 along a direction, in which light in the waveguide advances so that the interval between an electrode piece 9a and an electrode piece 11b is wider than the width of the waveguide core 7 and that electric field is applied to the waveguide core 7 in this direction.例文帳に追加

クラッド6上には、+電極8電極および−電極10が、電極片9aおよび電極片11bの間隔が、導波路コア7の幅よりも広い間隔で導波路中の光の進行する方向に沿って配置され、かつ導波路コア7に対して上記方向に電界を印加するようにクラッド6上に配置されている。 - 特許庁


例文

In this case, since the exposed surface of the active region is deepened and both ends of a width direction of the active region 13 are surrounded by walls made of the field oxide film, the growth of the silicon epitaxial layers 19 in a lateral direction can be suppressed, and the short circuit between the silicon epitaxial layers 19, 19 adjacent to each other can be prevented.例文帳に追加

ここで、活性領域の露出面は掘り下げられており、活性領域13の幅方向の両端はフィールド酸化膜による壁で囲われていることから、シリコンエピタキシャル層19の横方向への成長を抑制することができ、互いに隣接するシリコンエピタキシャル層19、19間のショートを防止することができる。 - 特許庁

In the slot antenna 10, although power is fed to the radiation conductor layer 13 in the vicinity of the slot 12 via the feeding line 14 to be able to excite the slot 12, since the width of the slot 12 is widened at the closing end in a magnetic field region (maximum current region), the path length of a current is increased to lower the resonance frequency.例文帳に追加

このスロットアンテナ10は、給電ライン14を介してスロット12近傍の放射導体層13に給電することにより、スロット12を励振させることができるが、スロット12の幅寸法が磁界領域(電流最大領域)である閉端部で拡幅されているため、電流の経路長が増大して共振周波数が低くなる。 - 特許庁

The mask for near field exposure comprises a mask base 100 and a light shielding film 102 and has an aperture pattern having one or more openings 101 of a width smaller than a wavelength of exposure light in the light shielding film, wherein the mask base is made of a rubber elastic material (polydimethylsiloxane) which is transparent to exposure light.例文帳に追加

マスク母材100と遮光膜102とからなり、該遮光膜に露光用光の波長よりも小さい幅の開口101を一つ以上含む開口パターンを有する近接場露光用マスクにおいて、 前記マスク母材が、前記露光用光に対して透明なゴム状弾性体(リジメチルシロキサン)によって形成された構成とする。 - 特許庁

The optical fiber 10 having a prescribed mode field diameter is selected so that the band width of the transmission characteristics of the light beams that are reflected by any of the reflection mirrors 51 to 55 and are again made incident on the end face of the optical fiber 10 becomes a desired amount and the optical signal processor 1 is manufactured by using the selected optical fiber 10.例文帳に追加

光ファイバ10の端面から出射され反射鏡51〜55の何れかにより反射されて再び光ファイバ10の端面に入射する迄の光の透過特性の帯域幅が所望の量になるよう、所定のモードフィールド径を有する光ファイバ10を選択し、この選択した光ファイバ10を用いて光信号処理器1を製造する。 - 特許庁

例文

To provide a liquid crystal device for preventing a display image from being disturbed by a lateral electric field between adjacent pixel electrodes, even if the width dimension of a pixel boundary region when an oblique evaporation alignment film is used, and to provide a method of manufacturing the liquid crystal device and an electronic equipment having the liquid crystal device.例文帳に追加

斜方蒸着配向膜を用いた場合に画素境界領域の幅寸法を狭めたときでも、互いに隣り合う画素電極間の横電界の影響で表示画像が乱れることを防止することのできる液晶装置、該液晶装置の製造方法、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供することにある - 特許庁

例文

To realize a proper bond of an optical system, etc. having an optical fiber and a lens to a semiconductor laser by effectively reducing an overall width of a half value of a far-field image of a longitudinal direction of an irradiating light without extremely deteriorating essential characteristics of the semiconductor laser and to improve high output operation characteristics of the semiconductor laser itself.例文帳に追加

半導体レーザの主要な特性を極端に悪化させることなく、出射される光の縦方向の遠視野像の半値全幅を実効的に低減させ、光ファイバーとレンズで構成された光学系などと半導体レーザとの良好な結合を実現し、かつ、半導体レーザそのものの高出力動作特性も向上させること。 - 特許庁

The waveguide is provided with a plus electrode 21 and a minus electrode 22, which are arranged at an interval L_1 wider than the width W of the core in the direction where light in the 1st optical waveguide 19 travels and further arranged on the 1st optical waveguide 19 so as to apply an electric field to the core in the above direction.例文帳に追加

該導波路にプラス電極21およびマイナス電極22を設け、プラス電極21およびマイナス電極22は、コアの幅Wよりも広い間隔L_1で第1の光導波路19中の光の進行する方向に沿って配置され、かつコアに対して上記方向に電界を印加するように第1の光導波路19上に配置されている。 - 特許庁

Hence the optical axis of the LED 20 faces the optical center direction of the photographic lens 16 at the periphery of both the longitudinal ends of the LED array 21, the illumination light quantity can be secured across the entire visual field of a CCD camera 14 without any deficiency in the peripheral light quantity (in this case, illumination light quantity in both the width-directional ends of copper foil 50).例文帳に追加

LEDアレイ21の長手方向両端近傍でLED20の光軸は撮影レンズ16の光学的中心方向を向くことになるため、周辺光量(この場合は銅箔50の幅方向両端部の照明光量)が不足することなく、CCDカメラ14の視野全域に亘って照明光量を確保することができる。 - 特許庁

A length when a width of the gate electrode of the field effect transistor 10 is projected on a linear line connecting respective center points of the first semiconductor magnetic resistance element 11 and the second semiconductor magnetic resistance element 12 is constituted to be a substantially even multiple of a linear distance between respective center points of the first semiconductor magnetic resistance element 11 and the second semiconductor magnetic resistance element 12.例文帳に追加

電界効果トランジスタ10のゲート電極の幅を第1の半導体磁気抵抗素子11及び第2の半導体磁気抵抗素子12の各中心点を結んだ直線に投影した時の長さが、第1の半導体磁気抵抗素子11及び第2の半導体磁気抵抗素子12の各中心点の直線距離の略偶数倍であるように構成されている。 - 特許庁

To provide structure where the drop of drain resistance or the increase of an output conductance can be suppressed even if gate width becomes large, and to provide a transistor where the maximum permission voltage of output voltage is improved and an operation in positive and negative potentials on body potential is realized, on the field effect transistor formed in a semiconductor thin film on an insulating substrate and on the integrated circuit.例文帳に追加

絶縁性基板上の半導体薄膜に形成された電界効果トランジスタとその集積回路に関し、ゲート幅が大きくなってもドレイン耐圧の低下または出力コンダクタンスの増加が抑えられる構造、および出力電圧の最大許容電圧を改善すると共にボディ電位に関して正負両電位での動作が可能なトランジスタを提供する。 - 特許庁

The invention relates to the polycondensation catalyst for polyester comprising a mixed solution of an aluminum compound and a phosphorus compound, wherein a peak of NMR spectrum of a hydroxy group coupled with a phosphorus atom in the mixed solution shifts to a high magnetic field side and the peak width broadened than the hydroxy group coupled with a phosphorus atom in a single solution of the phosphorus compound.例文帳に追加

アルミニウム化合物およびリン化合物の混合溶液からなるポリエステル重縮合触媒において、該混合溶液の水酸基が結合したリン原子のNMRスペクトルヒ゜ークがリン化合物単独溶液の水酸基が結合したリン原子のNMRスペクトルヒ゜ークより高磁場側にシフトすると共に該ヒ゜ークがブロードになることを特徴とするポリエステル重縮合触媒。 - 特許庁

Since a duty control circuit 21 once detecting an error signal from a signal multiplexing circuit 3 controls the pulse width distortion of the output signal of a driving circuit 5, an electric field absorption type optical modulator 2 is held in a light absorbing state and a light signal of abnormal output is prevented from being transmitted to stabilize the transmission output of the optical transmitter 20.例文帳に追加

信号多重化回路3からのメモリエラー信号をデューティ制御回路21が検知すると、デューティ制御回路21は駆動回路5の出力信号のパルス幅歪みを制御するので、電界吸収型光変調器2が光吸収状態に保持されることになり、異常な出力の光信号が送信されるのが防止され、光送信器20の送信出力が安定化される。 - 特許庁

The field emission display element includes a gate electrode 110 and an insulation layer 120 formed on a substrate sequentially; a cathode electrode 130 formed on the insulation layer 120 crossing the gate electrode 110; a carbon nanotube 150 formed on the cathode electrode 130 having a smaller width than that of the gate electrode 110; and an auxiliary electrode 140 formed in parallel with the cathode electrode 130.例文帳に追加

電界放出ディスプレイ素子は、基板上に順次形成されたゲート電極110及び絶縁層120と、前記絶縁層120上に形成され、前記ゲート電極110と交差するカソード電極130と、前記カソード電極130上に形成され、前記ゲート電極110の幅より小さい幅を有するカーボンナノチューブ150と、前記カソード電極130と平行に形成された補助電極140とを含む。 - 特許庁

When image signals indicated in (B) are applied to liquid crystals, a large effective voltage value is given to the liquid crystals because the pulse width is longer in the front half interval of one field, the rising speed becomes faster and brightness of the reflected light beams from liquid crystal display elements achieves a steady state condition in a relatively short period of time.例文帳に追加

(B)に示した画像信号を液晶に印加したときは、1フィールドの前半期間ではパルス幅が長いために、液晶には大きい実効電圧値が与えられ、立ち上がり速度は速くなり、液晶表示素子の反射光の明るさが比較的短時間で定常状態に達し、1フィールドの後半期間ではパルス幅が短いために、液晶には小さい実効電圧値が与えられ、立下り速度は速くなる。 - 特許庁

The amplitude peak of set one polarity of positive and negative polarities based on a DC ingredient is searched from the electric field displacement in a frequency band not more than 20 [Hz] formed around a human body, and a maximum amplitude peak having the same polarity as that of the amplitude peak in a predetermined time width making the searched amplitude peak a center is detected as the amplitude peak generated in an idle leg period.例文帳に追加

人体周囲に形成される20[Hz]以下の周波数帯での電界変位から、直流成分を基準とする正負の極性のうち、設定された一方の極性の振幅ピークを探索し、当該探索された振幅ピークを中心とする所定の時間幅のなかで、その振幅ピークの極性と同極性となる最大の振幅ピークを、遊脚期に生ずる振幅ピークとして検出する。 - 特許庁

To obtain a method and an apparatus, capable of easily indentifying the reversion of a spectral spectrum more, as compared with the conventional spectral spectrum methods performing comparison which are not based on spectral width but only on peak height and capable being adapted to a wide field of a spectral spectrum, such as visible spectrum, ultraviolet spectrum, vacuum ultraviolet spectrum, infrared spectrum, Raman spectral spectrum or nuclear magnetic resonance spectrum.例文帳に追加

本発明は、スペクトル幅がなくピーク高だけで比較する従来の分光スペクトル方法よりも容易に分光スペクトルの帰属を同定でき、可視分光スペクトルや紫外分光スペクトル、真空紫外分光スペクトルに限らず赤外分光スペクトルやラマン分光スペクトル、核磁気共鳴分光スペクトルなど広い分野の分光スペクトルに適用できる分光スペクトルの帰属を同定できる分光スペクトル帰属同定方法および分光スペクトル帰属同定装置を得る。 - 特許庁

例文

The resonant frequency of the opening 8 generating in an electric field between the metallic frame 2 and the metallic bottom plate 1 is made outside the used frequency band by reducing the width of the opening 8 and optimizing it.例文帳に追加

金属底板1上に、外部端子と接続するため開口部8を設けた金属枠体2と、金属底板1上に設けられ表面に高周波伝送線路及び複数の入出力端子を形成した誘電体3と、金属枠体2内部に収納されたマイクロ波回路6と、金属蓋9からなるパッケージで、金属枠体2と金属底板1との電界で発生する開口部8の共振周波数を開口部8の横幅を小さくし、最適化することにより使用周波数帯域外とした。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS