「field width」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, the electric field intensity in the depletion layer is enhanced by putting a restriction on the width of the depletion layer through narrowing the thickness of the p-type epitaxial layer 142, in order to prevent the reduction of the response speed caused by the flattening of potential even when the high-intensity light beam is incident in the write period.例文帳に追加

さらに、書き込み時の大光量が入射しても、ポテンシャルのフラット化により応答速度が低下しないように、Ｐ型エピタキシャル層１４２の層厚を薄くして空乏層幅を制限し、空乏層内の電界強度を強める。 - 特許庁

The tuning fork type piezo-electric oscillating gyroscope composes an electrode by only one side of the piezo-electric oscillator by setting a polling axis of a crystal in an in-face direction of the tuning fork type piezo-electric oscillator and making piezo-electric lateral effect due to an electric field of a width direction of the piezo-electric oscillator larger.例文帳に追加

音叉形圧電振動子の面内方向に結晶の分極軸を設定することで、圧電振動子の幅方向の電界による圧電横効果をより大きくし、圧電振動子の１側面だけで電極を構成できるようにした。 - 特許庁

In addition to a stereo camera 3 for imaging objects outside of a vehicle from different viewpoints, a far infrared sensor 4 is provided to detect the temperatures of objects outside of the vehicle in a search area covering the field area of the stereo camera 3 at least in a vehicle width direction.例文帳に追加

車外の対象を異なる視点で撮像するステレオカメラ３に加え、少なくともステレオカメラ３の車幅方向の視野範囲と重畳する検索範囲で車外の対象の温度を検出する遠赤外線センサ４を設ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a field effect transistor for reducing distance between a gate electrode and a trench to zero not depending on alignment accuracy and moreover for making narrower an aperture width of the trench not depending on aperture capability of a stepper.例文帳に追加

位置合わせの精度に依存しないでゲート電極とトレンチとの間の距離をゼロにすることができ、さらにステッパーの開口能力に依存しないでトレンチの開口幅を狭くすることの可能な電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

This cold cathode device emits electrons by applying electric field, made of amorphous carbon film containing Cs is range of 0.1 atom %≤Cs≤1.08 atom %, and XPS half value width w of Cs is w≥1.75 eV.例文帳に追加

電界を印加されることにより電子を放出する冷陰極素子であって，Ｃｓ含有量が０．１原子％≦Ｃｓ≦１．８原子％である非晶質炭素膜より構成され，ＣｓのＸＰＳ半値幅ｗはｗ≧１．７５ｅＶである。 - 特許庁

The threshold level change means employs a CMOS inverter circuit, comprising P-channel or N-channel field effect transistors connected in parallel or series, or whose gate length or gate width are differentiated or employs a comparator circuit or other configurations.例文帳に追加

スレショルドレベル変更手段には、ＣＭＯＳインバータ回路のＰチャネルまたはＮチャネルの一方を複数並列接続したもの、複数直列接続したもの、双方のゲート長・ゲート幅に差異を設けたもの、比較回路を用いたもの等を使用する。 - 特許庁

The plasma display apparatus comprises adjusting the magnitude of a reset pulse or the width of a scan pulse by each sub-field, and is capable of improving contrast, preventing the degradation in a driving margin, and enhancing the stabilization of electric discharge and luminance.例文帳に追加

本発明に係るプラズマディスプレイ装置は、リセットパルスの大きさまたはスキャンパルスの幅をサブフィールド別に調整することを特徴とし、コントラストを向上させ、駆動マージンの低下を防止し、放電の安定化及び輝度を上げることができる。 - 特許庁

Since the high reflective metal material film 32 is covered with the high corrosion-resistant metal 33 to enhance the preventing effect against corrosion by intrusion of external water, the offset width 22b can be decreased and the effective viewing field 22a can be increased.例文帳に追加

高反射金属材料膜３２は、高耐食性金属３３で覆われ、外部からの水分の侵入による腐食の防止効果を高めているため、オフセット幅２２ｂを縮小することができ、有効視界範囲２２ａを拡大することができる。 - 特許庁

In the continuous casting apparatus: an immersion nozzle 2 pouring a molten steel 10 into a mold 1 is disposed and a first electromagnet 3 which is arranged along the long side 1a of the mold 1 and can generate a static magnetic field on the whole width of the mold 1 is provided.例文帳に追加

鋳型１に対し溶鋼１０を注入する浸漬ノズル２を配置すると共に、上記鋳型１の長辺１ａに沿って配置されて鋳型１全幅に静磁場を発生可能な第１電磁石３を備える連続鋳造装置である。 - 特許庁

This cultivation method of Sparassis crispa comprises using a container in which an artificial medium having conifer as the base material is filled, putting the container in the inside of a solenoid conductor, and letting pulse electric current of a pulse width of 3-20 microsecond flow to produce 300-500 gauss magnetic field.例文帳に追加

針葉樹を基材とする人工培地を詰めた容器を用いて、ハナビラタケを栽培し、この容器をソレノイド状の導線の内部に入れ、パルス幅が３〜２０マイクロ秒のパルス電流を流して３００〜５００ガウスの磁場を発生させる。 - 特許庁

This semiconductor device includes nitrogen in a gate insulation film 205 of an insulated gate field effect transistor formed in a region of width less than 1.5 μm in the length direction of the gate, and in the interface between a semiconductor substrate 201 and the gate insulation film 205.例文帳に追加

この半導体装置は、ゲート長手方向の幅が１.５μｍ以下の領域に形成された絶縁ゲート型電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜２０５中および、半導体基板２０１とゲート絶縁膜２０５界面に窒素を含む。 - 特許庁

An optical carrier producing in the open-hole areas travels while being accelerated by micro electric field, so that no significant degradation of efficiency occurs due to surface re-joint, and optional high speed characteristic can be ensured by designing the width of an open hole in consideration of travelling time.例文帳に追加

開孔領域で発生した光キャリアは、微小な電界に加速され走行するため表面再結合による顕著な効率劣化がなく、また走行時間を考慮して開孔幅を設計することにより所望の高速特性も得られる。 - 特許庁

To provide a wavelength conversion element, wherein conversion efficiency is heightened by making electric field peak positions of signal light and conversion light coincide with each other, and the tolerance of the width of an optical waveguide by which the signal light and conversion light can hold a single mode is made larger than those of conventional types.例文帳に追加

信号光と変換光の電界ピーク位置を一致させることで、変換効率を高め、及び信号光及び変換光がシングルモードを保つことができる光導波路の幅の許容誤差範囲を従来よりも大きくする。 - 特許庁

Then, the maximum value Lmax and the minimum value Lmin in propagation losses L1e, L2e determined by performing distance correction of each propagation loss L1, L2 and the propagation loss L0 are determined, and a fluctuation width of an electric field is estimated from a difference (propagation loss difference ΔL) between the maximum value Lmax and the minimum value Lmin.例文帳に追加

そして、伝播損Ｌ1，Ｌ2の距離補正を行った補正伝播損Ｌ1e，Ｌ2eと伝播損Ｌ0の中で最大値Ｌmaxと最小値Ｌminを定めて、最大値Ｌmaxと最小値Ｌminとの差（伝播損差ΔＬ）から電界の変動幅を推定する。 - 特許庁

Consequently, part of each pixel pattern 202 and part of a BM pattern 201 are overlapped with the field cycle in the projected image Ps on the screen, and a human views the image as if the longitudinal width 202C of each pixel pattern 202 were expanded.例文帳に追加

これにより、スクリーン上の投写像Ｐｓにおいて、各画素パターン２０２の一部とＢＭパターン２０１の一部とがフィールド周期で上下方向に重畳され、人間の目には、各画素パターン２０２の縦幅２０２Ｖが擬似的に広がったように見える。 - 特許庁

Electric power resulting from electric power coupling is decreased by providing a line 21b different in line width in a subsidiary line 2b to be offset by electric power generated by magnetic field coupling, so that electric power flowing into an isolation port 20c is restrained to obtain the high isolation.例文帳に追加

副線路２ｂに線路幅の異なる線路２１ｂを設けることにより電界結合による電力を小さくし、磁界結合による電力と相殺させることによりアイソレーションポート２０ｃへ流れ込む電力を抑え高いアイソレーションを得る。 - 特許庁

Thus, even when the width dimension of the pixel boundary region 9s to improve the grade of the display image, for example, even when the luminance and resolution of the display image are increased, a strong lateral electric field does not occur between adjacent pixel electrodes 9a.例文帳に追加

このため、表示画像の輝度や解像度を高める等、表示画像の品位向上を図る目的で画素境界領域９ｓの幅寸法を狭めても、互いに隣り合う画素電極９ａ間に強い横電界が発生しない。 - 特許庁

To provide a band-pass filter which can dispense with external circuit for impressing a magnetic field, and is capable of varying its center frequency without changing the passband width, can be miniaturized as a filter for high frequencies, and is capable of compensating the temperature characteristics of a waveguide.例文帳に追加

磁界を印加するための外部回路が不要で、通過帯域幅を変化させずに中心周波数を可変とし、高周波用として小型化が可能で、導波管の温度特性を補償可能な帯域通過フィルタを提供する。 - 特許庁

To provide a manned tea field tending machine equipped with a new traveling body raising means, having a structure with which the width of leg parts can smoothly be adjusted in a stationary state even in a pavement surface and an exchange operation of crawler belts of a rubber crawler can be carried out.例文帳に追加

舗装路面であっても静止した状態で脚部幅の調整がスムーズに行え、またゴムクローラのクローラベルトの交換作業等を行い得る構造を具えた新規な走行体の扛上手段を具えた乗用式茶園管理機を提供する。 - 特許庁

To provide a time code determining device and an atomic radio clock, capable of precisely determining a narrow-width data pulse which is improperly determined at high rates due to influence of external noise, and capable of surely carrying out a minute synchronous detection even in a weak electric field.例文帳に追加

外来ノイズの影響により誤って判別される確率の高い幅狭のデータパルスを、精度よく判別したり、弱電界時においても分同期の検出を確実に行うことのできるタイムコード判別装置ならびに電波時計を提供する。 - 特許庁

To improve the precision of the width of an inter-digital electrode, especially, at the boundary of divisional exposure and to improve the reliability of a lateral electric field system while reducing display unevenness at the border of the divisional exposure.例文帳に追加

櫛形電極の幅の精度を面内、特に分割露光の境界で上げて、横方向電界方式において、この分割露光の境界部の表示ムラを低減しながら信頼性の高い液晶表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To determine the magnetic susceptibility of particles by causing the magnetic migration of magnetic particles in a solution in a capillary in a large magnetic field gradient generated in a region with the spacing of micro width of about 100 μm to several 100 μm, using a micro magnetic pole piece.例文帳に追加

微小磁極片を用いて100マイクロメータ〜数100マイクロメータ程度の微少幅を隔てて領域に大きな磁場勾配中でキヤビラリー内の溶液中に磁性微小粒子の磁気泳動を引き起こし、微粒子の磁化率を決定することを目的とする。 - 特許庁

A field-effect transistor Q1 is turned on between a gate and a source through the Zener diode ZD1 with DC voltage through a starter resistor R2, and pulse starting voltage having a pulse width of 500 μs is applied to the arc tube 13 with a starter 36.例文帳に追加

始動手段36により発光管13に、ツェナダイオードZD1 を透して電界効果トランジスタQ1のゲート・ソース間が起動抵抗R2を介した交流電圧により電界効果トランジスタQ1がオンして、パルス幅５００μｓのパルス状の始動電圧を印加する。 - 特許庁

To provide a method of uniformly operating a field effective transistor (FET) and suppressing the decline of a breakdown voltage by reducing the influence on the FET by the change of the width of a recess part due to crystal orientation in the FET having a crank type multigate structure.例文帳に追加

クランク型のマルチゲート構造を有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）において、結晶方位によるリセス部の幅の変化がＦＥＴに与える影響を小さくして、ＦＥＴを均一に動作させ、耐圧の低下を抑制する方法を提供する。 - 特許庁

A corona discharge is generated between both electrode 3, 6, applying a pulse high voltage having a pulse width of 10 nsec or more, an electric field intensity from 4 to 100 kV/cm and a pulse frequency of 10 pps or more between the discharge electrode 3 and the counter electrode 6.例文帳に追加

パルス幅１０ｎｓｅｃ以上、電界強度４〜１００ｋＶ／ｃｍ、パルス頻度１０ｐｐｓ以上のパルス高電圧を放電極３と対向電極６との間に印加して両電極３，６間にコロナ放電を発生させる。 - 特許庁

In the method for measuring the carrier concentration, where the carrier concentration of the silicon epitaxial layer grown on a silicon wafer is measured by means of the surface photovoltage technique, a depletion layer of maximum width is formed by applying an electric field on the surface of the silicon epitaxial wafer and the carrier concentration is obtained by measuring the maximum depletion layer width.例文帳に追加

シリコンウエーハ上に成長させたシリコンエピタキシャル層のキャリア濃度を表面光電圧法によって測定するキャリア濃度測定方法であって、シリコンエピタキシャルウエーハの表面に電界を印加して最大空乏層幅の空乏層を形成し、該最大空乏層幅を測定することによってキャリア濃度を求めることを特徴とするキャリア濃度測定方法。 - 特許庁

In the photomask for near field exposure having a transparent base material and a light shielding body having an aperture constituting the mask pattern on the base material with the aperture width made equal to or smaller than the wavelength of the light source, the light shielding body is constituted to have a thickness to give a desired intensity of light directly under the aperture in consideration of the relationship with the width of the aperture in the light shielding body.例文帳に追加

透明な母材と、該母材上にマスクパターンを構成する開口部の開口幅が光源波長以下に形成された遮光体を有する近接場光露光用のフォトマスクにおいて、前記遮光体は、その厚さが前記遮光体の開口部の開口幅との関係において該開口部直下で所望の光強度を与える厚さに構成する。 - 特許庁

In the component for glassy carbon CVD device, when observing a field of view of 50μm×50μm on its surface by a scanning electron microscope, at least five holes of 1-10μ in diameter exist, or the total length of a linear hole of 0.5-5μm in width is at least 50μm in the field of view.例文帳に追加

ガラス状炭素製ＣＶＤ装置用部品であって、該部品の表面について、走査型電子顕微鏡を用いて観察した５０μｍ×５０μｍの視野中に、直径１〜１０μｍの孔が、少なくとも５個存在するか、該視野中に存在する幅０．５〜５μｍの線状孔の全長さが、少なくとも５０μｍであることを特徴とするガラス状炭素製ＣＶＤ装置用部品である。 - 特許庁

The MR thin-film magnetic head has the structure obtd. by forming the respective upper magnetic layers 21 of plural magnetic field induction yokes 2A, 2B adjacently arranged in the track width direction to a two- layered structure branched and parallel connected with magnetic paths.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、トラック幅方向に隣接配置された複数の磁界誘導ヨーク２Ａ、２Ｂのそれぞれの上部磁性層２１が膜厚方向に２層構造で形成され、磁路が複数分岐され並列接続された構造を有する。 - 特許庁

To obtain a prescribed field strength at any place within an area while reducing interference by considering and regulating an antenna installation height, a target area radius, a vertical beam width, setting of a tilting angle thereof and a mutual relation thereof.例文帳に追加

アンテナの設置高や目標とするエリアの半径、垂直のビーム幅及びそのチルト角の設定とそれらの相互関係を考慮し、それらを調整することで干渉を低減しつつ、エリア内のいずれの場所でも所定の電界強度を得ることを可能とする。 - 特許庁

When the upper side front window 21 is stored on the top surface part 16 side, the cutout part 25 avoids interference of the front window 21 with the chamfered section 19 of the cab 11, thereby the upper side front window 21 having a wider width can be formed to provide a wider frontward visual field.例文帳に追加

従って、上側前窓２１を天面部１６側に格納したときには、その切欠部２５がキャブ１１の面取り部１９との干渉を回避するから、上側前窓２１を大きな幅寸法に形成でき、広い前方視界を提供することができる。 - 特許庁

To settle the problem that α, i.e., the element of the principle polynomial of a Galois field must be exponentiated for calculation of a symbol when the data are encoded or decoded on a recording medium and thereby the capacity of a table to be referred to is increased too much for the access width of 16 or 32 bits.例文帳に追加

記録媒体にデータをエンコードしまたデコードする場合のシンボルの演算は、ガロア体の原理多項式の元であるαをべき乗算しなくてはならないため、１６ビットや３２ビットのアクセス幅の場合、参照すべきテーブルの容量が大きくなりすぎる。 - 特許庁

Since a track pitch Tpv is determined considering a core width of the head by assigning the continuous recording layer 50C to a region having low influence by leakage magnetic field of adjacent tracks, recording density of the magnetic disk 1 is enhanced.例文帳に追加

また、隣接トラックの漏れ磁界等による影響が小さい領域に連続記録層５０Ｃを割り当てておくことで、ヘッドのコア幅を考慮してトラックピッチＴｐｖを決定することができるので、磁気ディスク１の記録密度の向上を図ることが可能である。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device in which a desired lateral mode is stable and a far-field pattern of light intensity has a solely-high main peak and extremely low side-lobes although a width of a light emitting stripe region is wide and high power is extracted, and to provide an optical wireless communication system employing the same.例文帳に追加

発光ストライプ領域の幅が広くて大出力であるにも拘らず、横モードが安定して、かつ、遠視野像の光強度が、主ピークのみが強くてサイドローブが極めて小さい半導体レーザ装置と、それを用いた光無線通信システムを提供する。 - 特許庁

The standard cell has a pair of wiring elements (11, 12; 13, 14) extending over the full width of the cell at a predetermined position thereof, and supplying the source voltage and the substrate voltage of an insulated gate field effect transistor of a predetermined conductivity type, respectively.例文帳に追加

スタンダードセルは、当該セルにおける所定の位置において当該セルの幅一杯に延び、所定の電導型の絶縁ゲート電界効果トランジスタのソース電圧及び基板電圧をそれぞれ供給するための一対の配線要素（１１，１２；１３，１４）を備えている。 - 特許庁

A break line 11 of the view field adjusting section 10 uniformly tilts downwardly from the top T disposed at a position offset from the driver toward both sides in the vehicle width direction, so that the driving attitude of the driver becomes stable to suppress disturbance of steering.例文帳に追加

また、視界調整部分１０の見切り線１１は、運転者からオフセットした位置に配置した頂点Ｔから車幅方向両側に向けて一様に下降傾斜しているので、運転者の運転姿勢が安定し、操舵の乱れを抑制することができる。 - 特許庁

The weak magnetic field measuring Dewar that reduces the evaporation amount of a refrigerant is provided by reducing the thermal resistance of the heat shield plate and the width of the small strip drum member near the sensor and placing the heat shield plate with little magnetic noise and enough cooling capacity.例文帳に追加

熱シールド板の熱抵抗を小さくし、センサー近傍の細条銅部材の幅を小さくして、磁気ノイズが小さく、かつ、十分冷却できる熱シールド板を安定的に配置し、冷媒の蒸発量を低減した微弱磁場計測デュワーを提供する。 - 特許庁

To exactly control the line width of electrodes formed on an inorganic film and an organic film, in a transverse field system liquid crystal display device having the inorganic film consisting of an inorganic substance and the organic film consisting of an organic substance as base layers of the electrodes.例文帳に追加

電極の下地膜として無機性物質からなる無機膜及び有機性物質からなる有機膜を有する横電界方式の液晶表示装置において、それらの無機膜及び有機膜上に形成される電極のライン幅を正確に制御する。 - 特許庁

There is provided a device which performs processing so that two electromagnetic wave pulse portions applied to a sample have electric field intensity of mutually inverted polarities and a temporal difference between pulse peaks of the two electromagnetic wave pulse portions becomes a temporal difference within the time of the pulse width.例文帳に追加

検体に照射される２つの電磁波パルス部分が、互いに反転した極性の電界強度を持ち、且つ前記２つの電磁波パルス部分のパルスピーク間の時間差がパルス幅の時間以内の時間差になるように処理する装置を提供する。 - 特許庁

When a spot having an intensity 1/e2 of a near-field image in a direction vertical to active layers 22 to 26 has a width W, the remaining thickness D satisfies a relation of 1>D/W≥0.5 and has clad layers 28 to 34 laminated on the entire surface of the active layers.例文帳に追加

活性層２２〜２６に対して垂直方向の近視野像の強度が１／ｅ^2 であるスポットサイズの幅をＷとするとき、Ｄが、 １＞Ｄ／Ｗ≧０．５ を満足するような残り厚さＤで活性層全面に積層されたクラッド層２８〜３４を有する。 - 特許庁

By adding a 3rd capacitive element for impedance matching purpose to the semiconductor switch circuit in order to match the impedance at the operating frequency when viewing from 1st, 2nd and 3rd terminals with 50 ohms, the gate width of field effect transistors used for the semiconductor switch elements can be reduced.例文帳に追加

第１端子、第２端子、第３端子から見た使用周波数でのインピーダンスを５０Ωに合わせるためにインピーダンスマッチング用の第３キャパシタ素子を付加することで、半導体スイッチ素子に用いる電界効果トランジスタのゲート幅を小さくすることができる。 - 特許庁

To obtain a predetermined electric field strength even in any place within a target area while reducing interference by adjusting setting of an install height of an antenna, a radius of the area, a vertical beam width and its tilt angle while considering the relation among them.例文帳に追加

アンテナの設置高や目標とするエリアの半径、垂直のビーム幅及びそのチルト角の設定とそれらの相互関係を考慮し、それらを調整することで干渉を低減しつつ、エリア内のいずれの場所でも所定の電界強度を得ることを可能とする。 - 特許庁

It is equipped with a plurality of almost plate-shaped cores 74 converging the induction magnetic field from the induction coil 73 to the heating supporting member 713 side and juxtaposed in the width direction of the recording medium M in a state where their wide surface parts are opposed to the induction coil 73.例文帳に追加

誘導コイル７３からの誘導磁界を加熱支持部材７１３側に収束させるとともに、各々の広面部を誘導コイル７３に対向させて記録媒体Ｍの幅方向に沿って並設された略平板状の複数のコア７４、…を備える。 - 特許庁

The body region 32 is so formed as to have a narrow width W in the shape of a cross section nearly orthogonal to a line whereby the source region 24 and the drain region 28 are connected, and the MOS field effect transistor 20 becomes the complete depletion-type one having no neutral region in the body region 32.例文帳に追加

ボディー領域３２は、ソース領域２４とドレイン領域２８とを結ぶ線にほぼ直交する横断面の形状において、狭い幅Ｗで形成され、ボディー領域３２に中性領域が存在しない完全空乏型となっている。 - 特許庁

In the super-junction structure wherein an n-type column and a p-type column are repeated, the width of a column where a carrier passes through is 4.5 μm or less, and the concentration of impurity of the column where the carrier passes through is adjusted to be lower than a concentration satisfying the reduced surface field.例文帳に追加

ｎ型コラムとｐ型コラムが繰返されているスーパージャンクション構造において、キャリアが通過するコラムの幅は４．５μｍ以下であり、かつキャリアが通過するコラムの不純物濃度がリサーフ条件を満たす濃度よりも低濃度に調整する。 - 特許庁