「first memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To position pieces of first and second wiring and a memory cell precisely.例文帳に追加

第１及び第２の配線とメモリセルとを精度良く位置決めする。 - 特許庁

At the time of a test, first, specific data is written in a memory cell array 30.例文帳に追加

テスト時には、まず、メモリセルアレイ３０に特定のデータを書き込む。 - 特許庁

In a data processing method, image frame data is stored in a first memory.例文帳に追加

データ処理方法は、映像フレームデータを第１メモリに保存する。 - 特許庁

The memory cell 2 is connected to a first bit line BT and store data.例文帳に追加

メモリセル２は、第１ビット線ＢＴに接続されデータを記憶する。 - 特許庁

Memory areas of a first table 24 are assigned by texture planes.例文帳に追加

第１テーブル２４のメモリ領域はテクスチャ平面毎に割り当てる。 - 特許庁

In the first control state, when writing the data on a bus in a second memory 15, the same data is automatically written in the first memory 14.例文帳に追加

第１制御状態では、第２メモリ１５にバス上のデータを書き込むと第１メモリ１４にも同じデータが自動的に書き込まれる。 - 特許庁

The memory cells adjoining each other in the first direction share the first node, while the memory cells adjoining each other in the second direction share the second node.例文帳に追加

第１方向に隣り合うメモリセル同士で、第１ノードを共有し、第２方向に隣り合うメモリセル同士で、第２ノードを共有する。 - 特許庁

Even when the memory cell array 100 is put in the busy state, necessary data can be input to the first memory device 10 by the first to third buffers 14 to 16.例文帳に追加

第１〜第３バッファ１４〜１６により、ビジー状態であっても第１メモリ装置１０に必要なデータを入力可能になる。 - 特許庁

The digital certificate data is stored in the first memory storage upon determining that the digital certificate data is not stored in the first memory storage.例文帳に追加

第一メモリストアに該デジタル証明データが格納されていないと判定したならば、そのデジタル証明データを第一メモリストアに格納する。 - 特許庁

The method supplies a first storage system comprising a first configuration, a first volume, a first file system, and a first replication appliance comprising first replication appliance memory.例文帳に追加

この方法は、第１の構成と、第１のボリュームと、第１のファイル・システムと、第１の複製アプライアンス・メモリを有する第１の複製アプライアンスとを備えた第１のストレージ・システムを供給する。 - 特許庁

A plurality of first parallel trenches extended in a first direction are formed in the laminated first wiring material, memory cell, and memory cell material, and first wiring 27 extended in the first direction and the memory cell material that is self-aligned to the first wiring 27 and is isolated by the first trench are formed.例文帳に追加

積層された第１の配線材料及びメモリセル及びメモリセル材料に第１方向に延びる複数の平行な第１の溝を形成して第１方向に延びる第１の配線２７及びこの第１の配線２７に自己整合された第１の溝で分離されたメモリセル材料を形成する。 - 特許庁

The first end-point member is saved in a first tag in a memory corresponding to a first data buffer within the USB device.例文帳に追加

第１のエンドポイント番号は、ＵＳＢ装置内の第１のデータ・バッファに対応するメモリ内の第１のタグに保存される。 - 特許庁

A memory comprises a first tunneling field effect transistor 108a including a first drain 124 and a first source 122a.例文帳に追加

メモリは、第１ドレイン１２４と第１ソース１２２ａとを含む第１トンネル電界効果トランジスタ１０８ａを含んでいる。 - 特許庁

The control circuit is provided adjacent to the first non-volatile memory cell in a first direction.例文帳に追加

上記制御回路を上記第１の不揮発性メモリセルと第１の方向に隣接して配置する。 - 特許庁

The section 60 generates corrected image data CIM and writes the data in a FIFO(first in first out) memory 70.例文帳に追加

イメージデータ変換部６０で補正イメージデータＣＩＭが生成され、ＦＩＦＯメモリ７０に書込まれる。 - 特許庁

A first wiring line is arranged linearly in a first row or column of a memory cell array.例文帳に追加

第１配線１２は、メモリセルアレイの１ロウ又は１カラム内において一直線上に配置される。 - 特許庁

Next, the semiconductor memory is held at the first prescribed temperature for the first prescribed time (S106).例文帳に追加

次に、半導体記憶装置を第１の所定温度で第１の所定時間保存する（Ｓ１０６）。 - 特許庁

The reference coordinates memory stores the first reference coordinates set in the first object to be measured.例文帳に追加

基準座標記憶部は、第１被測定物に設定された第１基準座標を記憶する。 - 特許庁

The first memory cell regions 40A are provided repeatedly at a first pitch in a row direction.例文帳に追加

第１メモリセル領域４０Ａは、ロウ方向に第１のピッチをもって繰り返し形成されている。 - 特許庁

A third memory ep stores an address that the value in the first counter reaches a first set value.例文帳に追加

第３メモリｅｐは、第１カウンタにおける値が第１設定値に達したアドレスを記憶する。 - 特許庁

The first and third memory modules and the second and fourth memory modules are respectively allowed to make pairs, and when failure is caused in one of the first to fourth memory modules, the directory module group writes first write data in the memory modules making a pair among the residual memory modules, and sets cache management areas in the two memory modules among the residual memory modules.例文帳に追加

第１及び第３のメモリモジュールと第２及び第４のメモリモジュールは互いにペアを組んでおり、第１乃至第４のメモリモジュールのいずれ一つに故障が発生すると、ディレクタモジュール群は残りのメモリモジュールのうちペアを組んでいるメモリモジュールにファストライトデータを書き込み、さらに、残りのメモリモジュールのうち二つのメモリモジュールにキャッシュ管理領域を設定する。 - 特許庁

Contrarily, the memory data received by the fabric agent chip are expanded by the codec engine before the memory data are provided to the first memory controller.例文帳に追加

逆に、ファブリックエージェントチップにより受信されるメモリデータは、第１のメモリコントローラに提供する前に、コーデックエンジンにより伸長される。 - 特許庁

The memory reads first stored information from the memory cell 111t matching address information outputted from the FIFO memory 160.例文帳に追加

ＦＩＦＯメモリ１６０から排出されたアドレス情報に対応する検査対象メモリセル１１１ｔから、第１の記憶情報を読み出す。 - 特許庁

The first memory cell block is allotted so as the substitute for at least one defective memory cell block out of the second memory cell block.例文帳に追加

前記第１メモリセルブロックは前記第２メモリセルブロックのうち少なくとも一つの欠陥メモリセルブロックを代替するように割り当てられる。 - 特許庁

FinFET SONOS memory cells are employed, and a first SONOS memory cell 136a and a second SONOS memory cell 136b are provided.例文帳に追加

ｆｉｎＦＥＴＳＯＮＯＳメモリセルを採用し、第１のＳＯＮＯＳメモリセル１３６ａ、および、第２のＳＯＮＯＳメモリセル１３６ｂを備える。 - 特許庁

The memory backup system, also, can include a plurality of nonvolatile memory cells connected to the first memory cell.例文帳に追加

メモリバックアップシステムは、また、複数の第１のメモリセルと、この第１のメモリセルに接続された複数の不揮発性メモリセルを含むことができる。 - 特許庁

The first decoder 16 selects any of memory cell blocks, the second decoder 18 selects any of memory cell strings in the memory cell block.例文帳に追加

第１デコーダ１６は、メモリセルブロックのいずれかを選択し、第２デコーダ１８は、メモリセルブロック内のメモリセル列のいずれかを選択する。 - 特許庁

This integrated circuit drives a plurality of first memory blocks (MBLK0-MBLKk), a second memory block (RBLK), and the above second memory block instead of the first memory block which has defects, and has a non-volatile memory which includes logic circuits (MDD0-MDDk, RDD) to suppress the operation of the defective first memory.例文帳に追加

複数の第１のメモリブロック（ＭＢＬＫ０〜ＭＢＬＫｋ）と、第２のメモリブロック（ＲＢＬＫ）と、欠陥を有する第１のメモリブロックに代えて前記第２のメモリブロックを動作させ、欠陥を有する第１のメモリブロックの動作を抑止する論理回路（ＭＤＤ０〜ＭＤＤｋ，ＲＤＤ）とを含む不揮発性メモリを有する。 - 特許庁

A control part 7 reads the threshold level of a second memory cell adjacent to a first memory cell in the memory cell array, decides a correction value corresponding to the threshold level read from the second memory cell, the decided correction value is added to the read level of the first memory cell, and reads the threshold level of the first memory cell.例文帳に追加

制御部７は、メモリセルアレイ内の第１のメモリセルに隣接する第２のメモリセルの閾値レベルを読み出し、前記第２のメモリセルから読み出された閾値レベルに応じた補正値を決定し、前記決定した補正値を前記第１のメモリセルの読み出しレベルに加えて、前記第１のメモリセルの閾値レベルを読み出す。 - 特許庁

FIRST AGENT FOR FORMING TWO BATH TYPE SHAPE-MEMORY PERMANENT WAVE AND METHOD FOR FORMING TWO BATH TYPE SHAPE MEMORY PERMANENT WAVE例文帳に追加

二浴式形状記憶ウェーブ形成用１剤及び二浴式形状記憶ウェーブ形成方法 - 特許庁

First and second memory parts 48, 49 can be set in a cache memory mode or a RAM mode independently.例文帳に追加

第１、第２メモリ部４８、４９は、それぞれ独立に、キャッシュメモリ・モード又はＲＡＭモードに設定できる。 - 特許庁

Each memory cell comprises a first transistor T1, a second transistor T2 and a resistive memory element 10.例文帳に追加

各メモリセルは、第１のトランジスタＴ１、第２のトランジスタＴ２および抵抗性記憶素子１０から成る。 - 特許庁

Then, the energy from the first memory MEM1 flows into a second memory MEM2 through the switch S and a delay circuit DELAY.例文帳に追加

すると、第一のメモリ（MEM1）からのエネルギーがスイッチ（S)と遅延回路（DELAY）を介して第二のメモリ（MEM2）内に流れる。 - 特許庁

The optical disk device includes: an optical pickup unit having a control unit; a first memory; and a second memory.例文帳に追加

光ディスク装置は、制御部を有する光ピックアップユニット、第１メモリ及び第２メモリを備えている。 - 特許庁

For programming a selected memory cell a first tunnel junction of the selected memory cell is skipped.例文帳に追加

選択されたメモリ・セルをプログラムするため、該選択されたメモリ・セルの第１のトンネル接合が飛ばされる。 - 特許庁

The first transferring means transfers the variable control constant data from the data memory to the RAM memory and enters.例文帳に追加

第１の転送手段はデータメモリからＲＡＭメモリへ可変制御定数データを転送書き込みする。 - 特許庁

In one example of first and second memory structures, data and ECC are included in the same memory bank.例文帳に追加

一実施例による第１及び第２メモリ構成では、データとＥＣＣは同一のメモリバンクに備えられる。 - 特許庁

In the path metric module, the third designated path memory is calculated from a first and second designated path memory.例文帳に追加

パス・メトリック・モジュールでは、第３の指定パス・メモリを第１および第２の指定パス・メモリから計算する。 - 特許庁

A peripheral circuit for driving a memory cell transistor in a memory cell array includes at least a first transistor.例文帳に追加

メモリセルアレイ中のメモリセルトランジスタを駆動するための周辺回路は、少なくとも第１のトランジスタを含む。 - 特許庁

A memory macro cell 1 is equipped with first and second memory cell arrays 10a and 10b and its peripheral circuits.例文帳に追加

メモリマクロセル１は、第１及び第２のメモリセルアレイ１０ａ及び１０ｂとその周辺回路とを備える。 - 特許庁

The first to P-th memory module groups are connected to the system data buses and comprise N memory modules respectively.例文帳に追加

第１ないし第Ｐメモリモジュール群はシステムデータバスに連結されて、それぞれＮ個のメモリモジュールを具備する。 - 特許庁

Further, a data decoding procedure is stored in the memory card, and the first data are then deleted from the memory device.例文帳に追加

さらに、データ復号化手順をメモリカードに記憶し、その後、第１のデータをメモリデバイス上から削除する。 - 特許庁

First and second redundant memory cells are arranged at both sides of arrangement regions of a plurality of regular memory cells.例文帳に追加

第１および第２冗長メモリセルは、複数のレギュラーメモリセルの配置領域の両側に配置される。 - 特許庁

Meanwhile, the control circuit applies a second voltage to the first wirings and the second wirings in a non-selected third memory cell array that shares the second wirings with the selected first memory cell array and in a non-selected memory cell array positioned farther than the third memory cell array when viewed from the first memory cell array.例文帳に追加

一方、選択された第１のメモリセルアレイと第２配線を共有する非選択の第３のメモリセルアレイ、及び前記第１のメモリセルアレイから見て前記第３のメモリセルアレイよりも遠い側にある非選択のメモリセルアレイにおいて、第１配線及び第２配線に第２の電位を与える。 - 特許庁

The controller selects one of the first and second memory cells based on the frequency the first memory cell has been eliminated, the time elapsed after the first memory cell has been eliminated, the frequency the second memory cell has been eliminated, and the time elapsed after the second memory cell has been eliminated.例文帳に追加

制御部は、第１メモリセルが消去された回数、第１メモリセルが消去された後に経過した時間、第２メモリセルが消去された回数、及び第２メモリセルが消去された後に経過した時間に基づいて第１メモリセル及び第２メモリセルのうちのいずれか１つを選択する。 - 特許庁