「flash method」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a flash butt welding method for a rail, by which softening of the weld zone of the rail is suppressed to reduce uneven wear of the rail.例文帳に追加

レール溶接部の軟化を抑制し、レールの偏摩耗を低減することができるレールのフラッシュバット溶接方法を提供する。 - 特許庁

To provide a lead frame without generation of flash of a resin, a package component, a semiconductor apparatus and a production method therefor.例文帳に追加

樹脂によるフラッシュバリが発生することが無いリードフレーム、パッケージ部品、半導体装置およびそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for suppressing the flushing phenomenon is, in particular, effective when the metal smelting furnace is a flash smelting furnace in copper smelting operation.例文帳に追加

また、このフラッシング現象の抑制方法は、金属製錬炉が銅精錬操業における自熔炉である場合に特に有効である。 - 特許庁

To provide a method for surely, easily and efficiently removing a flash of a synthetic resin molded article by using a robot arm and its apparatus.例文帳に追加

ロボットア−ムを用いて合成樹脂成形品のバリを確実且つ容易に効率よく取り除く方法と、その装置を提供する。 - 特許庁

To improve an interference phenomenon between word lines to implement a robust high-speed device with respect to a method of fabricating a flash memory device.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の製造方法に関するものであり、ワードライン間の干渉効果を改善し、ロバスト(robust)なハイスピード(high speed)素子を具現する。 - 特許庁

To provide a write method for shortening a write time at the time of writing the photographic image of a digital camera in a flash memory.例文帳に追加

ディジタルカメラの撮影画像をフラッシュメモリに書込む場合等において、書込時間の短縮が可能な書込方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cache memory system for improving data integrity, a cache hit ratio, and a flash efficiency, and to provide a method for controlling a cache memory.例文帳に追加

データ保全性とキャッシュヒット率、及びフラッシュ効率を向上させるキャッシュメモリシステム、及びキャッシュメモリの制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory element which prevents influence on the uniformity of the quality and of the thickness of a tunnel oxide film.例文帳に追加

トンネル酸化膜の質及び厚さの統一性に影響を及ぼすことを防止するフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The NAND flash memory device and the programming method thereof capable of improving a program speed during a MLC programming operation are provided.例文帳に追加

ＭＬＣプログラム動作時にプログラム速度を速くすることができるＮＡＮＤフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法が開示される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a flash memory element which can achieve stable decrease of the size of contact holes, improving the reliability of the element.例文帳に追加

コンタクトホールのサイズの安定した減少を実現でき、素子の信頼性を向上させるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE HAVING UNIFORM THRESHOLD VALUE VOLTAGE DISTRIBUTION WITHOUT HAVING NON-PROGRAMMED CELL AND OVER-PROGRAMMED CELL AND ITS PROGRAM VERIFICATION METHOD例文帳に追加

未プログラムのセル及び過プログラムのセルなしに、均一のしきい値電圧分布を有するフラッシュメモリ装置及びそのプログラム検証方法 - 特許庁

To provide a flash memory cell manufacturing method preventing a smiling phenomenon of an ONO dielectric film by a re-oxidation process.例文帳に追加

再酸化工程によるＯＮＯ誘電体膜のスマイリング現象を防止することが可能なフラッシュメモリセルの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multi-bit flash memory cell capable of storing at least two-bit multi-bit information in one memory cell.例文帳に追加

一つのメモリセルに少なくとも２ビットのマルチビット情報を格納することができるマルチビットフラッシュメモリセルの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a program verifying method for reducing the threshold voltage variation of a program cell in a NAND type flash memory device.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置において、プログラムセルのしきい値電圧バラツキを狭く調節するためのプログラム検証方法を提供する。 - 特許庁

In the method of controlling the operation of data flashes, when one of the data flashes is full of data, it is possible to prevent a data flash failure occurring when rest is caused in the middle of copying part of data from the data flash to the other data flash or deleting the data flash, by performing recording, copying and deletion of two data flashes according to status flags stored in specific areas of the data flashes.例文帳に追加

本発明の一実施形態によるデータフラッシュの動作の制御方法は、２個のデータフラッシュの記録、コピー及び削除を、該当データフラッシュの特定領域に保存されている状態フラッグによって行うことによって、一つのデータフラッシュが満たされる場合、他のデータフラッシュに一部のデータをコピーするか、またはデータフラッシュを削除する途中で、リセットが発生する場合に発生するデータフラッシュ故障を防止できる。 - 特許庁

To provide a method and a device for maintaining data integrity in a flash-memory microcomputer so as to enable control even if such a data defect as disappearance occurs in a program stored in a flash memory in the microcomputer.例文帳に追加

本発明は、マイクロコンピュータ内のフラッシュメモリに記憶させたプログラムに消滅等のデータ異常が発生した場合であっても、制御を可能にするためのフラッシュメモリマイクロコンピュータのデータ保全方法および保全装置に関するものである。 - 特許庁

To provide a method of flash butt welding which gives a welded zone of high quality by preventing the generation of a gap on joined faces as far as possible in a flash butt welding where members having a large sectional area and having high temperature are used as welded members.例文帳に追加

被溶接部材として高温大断面積部材をフラッシュバット溶接する場合、接合面上の空隙の発生を極力防止し、高品質な溶接部を得ることができるフラッシュバット溶接方法を提供する。 - 特許庁

Thus, it is possible to more quickly update and record the address management information AT in a flash memory 104 than a conventional method for updating and recording the physical address of the address management information AT on the flash memory in terms of address management.例文帳に追加

この方法により、従来のようにアドレス管理上ＡＴの物理アドレスをフラッシュメモリ上で更新記録する方法よりも高速に、アドレス管理情報ＡＴをフラッシュメモリ１０４内に再配置的に更新記録できる。 - 特許庁

To provide a method and a data recorder that allows users to check the remaining capacity of a flash memory without attending at installed sites before the remaining capacity of the flash memory becomes insufficient.例文帳に追加

フラッシュメモリカードのメモリ残容量が不足することがなく、また、ユーザーが、データ記録装置が設置された場所に行かなくても、フラッシュメモリカードのメモリ残容量を確認することができるデータ記録装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a writing device, a writing method and a writing program for substantially extending service life of a flash memory by facilitating equalization of the number of writes to a storage area of the flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリの記憶領域に対する書き込み回数の平準化の程度を一層高めることで、フラッシュメモリの寿命を実質的に延長することができる、書き込み装置、書き込み方法、及び書き込みプログラムを提供すること。 - 特許庁

To provide a flash memory cell in which a peripheral circuit is designed easily, a plane area occupied by a memory cell is reduced and memory density can be improved effectively in the flash memory cell in which double bit data are conserved and its operating method.例文帳に追加

ダブルビットデータを保存するフラッシュメモリセルであって、周辺回路の設計が容易で、記憶セルの占める平面面積を縮小して記憶密度を効果的に高めることができるフラッシュメモリセルとその操作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a NAND flash memory device and a method of programming the same which are capable of rising a boosting level of a channel by isolating each source line of a flash memory cell block and controlling the each source line per block.例文帳に追加

フラッシュメモリセルブロックそれぞれのソースラインを分離し、それぞれのソースラインをブロック単位で制御することにより、チャンネルのブーストレベルを上昇させることが可能なＮＡＮＤフラッシュメモリ素子及びそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

To provide a programming method of a flash memory cell by which read-out defect caused by over-program can be improved, a threshold voltage target can be set freely at the time of programming of a cell, and which can be used also as a programming method of a multi-level cell, and a programming method of a NAND type flash memory using this.例文帳に追加

オーバプログラムに起因する読出し欠陥を改善することができ、セルのプログラム時にしきい値電圧ターゲットを自由に設定することができ、マルチレベルセルのプログラム方法としても使用可能なフラッシュメモリセルのプログラム方法及びこれを用いたＮＡＮＤ型フラッシュメモリのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a light reflector by which burrs of the light reflector, occurring when the shaped light reflector is cut from an unnecessary part of a plate material, adversely influences a flash discharge tube and to provide a cutting machine used for the method, a light emission unit, and an electronic flash device.例文帳に追加

本発明は、成形後の光反射傘を板材の不必要部分から切り離す際に発生し得る光反射傘のバリが閃光放電管に悪影響を与えないような光反射傘の製造方法、これに用いられる切断機、発光器、及び電子閃光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method specifying a production date or production lot of a memory card with a flash memory without using a serial number.例文帳に追加

シリアル番号を使用することなく、フラッシュメモリを搭載したメモリカードの製造日や製造ロットを特定することが可能な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a charge trap flash memory cell with multi-doped layers in an active region, a memory array using the memory cell and an operating method of the same.例文帳に追加

アクティブ領域に複数層のドーピング層を有する電荷トラップフラッシュメモリセルとこれを利用したメモリアレイ及びその動作方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit in which a flash EEPROM capable of executing efficient burn-in test is built and provide its burn-in test method.例文帳に追加

効率のよいバーインテストを実施可能なフラッシュＥＥＰＲＯＭを内蔵する半導体集積回路、及び、そのバーインテスト方法の提供。 - 特許庁

To provide a multi-rom writer and its control method which can rewrite stored contents of a flash ROM of plural kinds.例文帳に追加

複数種類のフラッシュＲＯＭの記憶内容の書き換えを行うことのできるマルチＲＯＭライタおよびその制御方法を提供する。 - 特許庁

In measurement by a JIS standard laser flash method, a refractory (a fire-proof tile) formed of a material of thermal conductivity of 20 kcal/ mh°C or higher is used.例文帳に追加

ＪＩＳ規格のレーザフラッシュ法の測定で、熱伝導率が２０ｋｃａｌ／ｍｈ°Ｃ以上の材質からなる耐火物（耐火タイル）を使用する。 - 特許庁

To provide a measuring method capable of measuring output characteristics of a solar battery with high precision in a solar simulator using short-pulse flash light.例文帳に追加

ショートパルスフラッシュ光を用いたソーラシミュレータにおいて、太陽電池の出力特性を高精度に測定できる測定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory cell wherein the generation of a moat of a trench insulating film is restrained and to spacing of a floating gate is optimized.例文帳に追加

トレンチ絶縁膜のモウト発生を抑制し且つフローティングゲートのスペーシングを最適化するフラッシュメモリセルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a heat treatment apparatus and a heat treatment method that readily optimize control variables, relating to light emission of a flash light.例文帳に追加

フラッシュランプの発光に関連する制御変数を簡易に最適化することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a programming method of a flash memory device including at least one memory block having memory cells in which word lines and bit lines are arranged.例文帳に追加

ワードラインとビットラインで配列されたメモリセルを有する少なくとも一つのメモリブロックを含むフラッシュメモリ装置のプログラム方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for stably machining a tip point that opposes a control gate in a sharp state regarding the floating gate of a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリのフローティングゲートに関し，コントロールゲートに対向する先端箇所を尖った形状に安定して加工する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a download method for making constant a wait time for download in a system for storing and managing a download file on a flash ROM.例文帳に追加

フラッシュロム上にダウンロードファイルを格納・管理するシステムで、ダウンロードの待ち時間が一定になるようにしたダウンロード方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus that set a target temperature of a substrate to be heated by flash irradiation.例文帳に追加

フラッシュ光照射によって加熱される基板の目標温度を設定することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a split-gate flash memory device preventing misalignment of active region and a floating gate electrode, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

アクティブ領域及びフローティングゲート電極のミスアラインを防止することができるスプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

For the manufacturing method, a manufacturing apparatus with a flash valve 2 having a jacket 6 structure for cooling at the discharge port of the reaction vessel is used.例文帳に追加

製造方法としては反応槽の排出口に冷却用のジャケット６構造を有するフラッシュバルブ２を備えた製造装置による。 - 特許庁

MOLD FOR INJECTION MOLDING SIMULTANEOUS TRANSFER APPARATUS PREVENTING OCCURRENCE OF FOIL FLASH AND MANUFACTURING METHOD OF INJECTION MOLDING SIMULTANEOUS TRANSFER MOLDING USING IT例文帳に追加

箔バリを防止する射出成形同時転写装置用金型及び当該金型を用いる射出成形同時転写成形品の製造方法。 - 特許庁

To provide a simple file system with small overhead that copes with wear leveling (a method to distribute writing into blocks), in a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリにおいて（ブロックへの書き込みを分散させる手法）ウエアレベリングに対応したオーバーヘッドの小さい簡易なファイルシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a floating gate electrode for a flash memory device with which an irreducibly minimum coupling ratio required for driving the device can be ensured.例文帳に追加

素子の駆動に必要な最小限のカップリング比を確保することができるフラッシュメモリ素子のフローティングゲート電極形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for erasing data of a NAND-flash memory device, which reduces an erasing time without lowering reliability of the device.例文帳に追加

消去時間を縮小させるとともに、素子の信頼性を低下させないＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子のデータ消去方法を提供する。 - 特許庁

To provide an address line of flash memory for shortening the testing time, a testing method of a testing device, and the testing device.例文帳に追加

試験時間の短縮化を図ったフラッシュメモリのアドレス線及び試験装置の試験方法及び試験装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a floating gate electrode forming method of a flash memory element which restrains the generation of bridges between floating gate electrodes and increases a coupling ratio.例文帳に追加

フローティングゲート電極間のブリッジ発生を抑制し、カップリング比を増加させるフラッシュメモリ素子のフローティングゲート電極形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having gate electrodes with reduced distortion such as EEPROM and NAND flash memories, and to provide a manufacturing method for such a semiconductor device.例文帳に追加

歪みの少ないゲート電極を有するＥＥＰＲＯＭやＮＡＮＤフラッシュメモリ等の半導体装置およびその製造方を提供する。 - 特許庁