「flash method」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of recording data which can record by generating recording data of optimal quality according to a transfer rate to which a recording medium corresponds when original data obtained by imaging by using an image recorder, such as a digital video camera, etc. is recorded as recording data on a recording medium, such as a flash memory, etc., and to provide a recording apparatus.例文帳に追加

デジタルビデオカメラ等の画像記録装置を用いて撮像して得られた原データを記録データとしてフラッシュメモリ等の記録媒体に記録する場合に、記録媒体が対応している転送速度に応じた最適な品質の記録データを生成し、記録することが可能なデータ記録用法及び記録装置を提供する。 - 特許庁

To provide a water-washable water-based penetrant for a liquid penetrant test not having a flash point, capable of suppressing to the utmost generation of excess cleaning when removing an excess penetrant by water washing, and having a similar flaw detection performance to that of a water-washable oil-based penetrant, and a liquid penetrant testing method using the penetrant.例文帳に追加

引火点を有さず、かつ、水洗による余剰浸透液の除去に当たって、過洗浄の発生が可及的に抑制でき、水洗性油ベース浸透液と同等の探傷性能を具備している浸透探傷試験用水洗性水ベース浸透液及び該浸透液を用いる浸透探傷試験方法を提供する。 - 特許庁

In measuring the thermophysical property using a laser flash method in the thermophysical property measuring device, the radiation light emitted from a sample is divided into a plurality of lights by a beam splitter in response to a wavelength band, and a sensor having high sensitivity to each branch light in the wavelength band is arranged.例文帳に追加

熱物性測定装置でのレーザフラッシュ法を用いた熱物性測定において、ビームスプリッタで試料より発する放射光を、波長帯域に対応して複数に分岐し、それぞれの分岐光に対して、上記波長帯域で優れた感度を示すセンサを配設したことを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing flash memory devices that prevents a polysilicon layer from being oxidated on the interface of the polysilicon layer and dielectric film in the dielectric film formation process and the subsequent process, by forming a floating-gate polysilicon layer in a laminated structure of doped and undorped polysilicon layers.例文帳に追加

フローティングゲート用ポリシリコン層をドーフトポリシリコン層とアンドーフトポリシリコン層の積層構造で形成することにより、誘電体膜を形成する過程又は他の後続工程でポリシリコン層と誘電体膜の界面でポリシリコン層が酸化することを防止することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of protecting the sides of laminated word lines during SAS etching to avoid the problem that the sides of the laminated word lines of flash memory cells are exposed during SAS etching and prevents an inter-polysilicon dielectric and a gate dielectric from being undercut to increase the data hold loss.例文帳に追加

フラッシュ・メモリ・セルの積層されたワード線の側をＳＡＳ食刻中に露呈すること生ずる問題点、ポリシリコン間誘電体及びゲート誘電体をアンダーカットし、データ保持損失の増加を生ずること、を防ぐため、ＳＡＳ食刻中に、積層されたワード線の側を保護する方法を提供する。 - 特許庁

The technique maintains compatibility with a static random access memory (SRAM) having a wide byte and a flash memory having a fixed input output byte by selectively activating the byte of data being inputted and outputted and changes a program using the nonvolatile ferroelectric register in a software type method.例文帳に追加

このような本発明は、入出力されるデータのバイトを選択的に活性化させワーイドバイトを有するＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、及び固定された入出力バイトを有するフラッシュメモリとの互換性を維持することができ、不揮発性強誘電体レジスタを利用してソフトウェア的な方法でプログラムを変更することができるようにする。 - 特許庁

To provide a flash EEPROM cell of a multi-level type which can prevent reduction of the quality of a tunnel oxidation film and can increase a coupling ratio, by simply forming two floating gates having different sizes for a single cell with use of a hard mask layer, and also to provide a method for manufacturing the cell.例文帳に追加

マルチレベルセルにおいてハードマスク層を用いて１つのセルに大きさの異なる２つのフローティングゲートを簡単に形成することにより、トンネル酸化膜の膜質の低下を防止することができ、カップリング比を増加させることができるフラッシュＥＥＰＲＯＭセル及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the selective erasing method for the flash memory, when the threshold voltage of the memory cell which is connected to an arbitrary word line being erased is lower than a prescribed erasing threshold voltage, no further erasing for the memory cell connected to the word line is performed and the erasing is conducted only for the remaining cells.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリのための選択的消去方法は、消去された任意のワードラインに連結されたメモリセルのスレッショルド電圧が所定の消去スレッショルド電圧より低ければ、当該ワードラインに連結されたメモリセルに対する消去は、それ以上遂行せず、残りのセルに対してのみ消去を遂行する。 - 特許庁

The wall oxide film forming method of the flash memory element comprises a stage of offering a semiconductor substrate in which the trench has been formed, and a stage of forming the wall oxide film in the inner wall of the above-mentioned trench by performing the oxidation process by ISSG oxidation system in an atmosphere of H_2 and O_2.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法は、トレンチの形成された半導体基板を提供する段階と、Ｈ_２とＯ_２の雰囲気でＩＳＳＧ酸化方式によって酸化工程を行って前記トレンチの内側壁にウォール酸化膜を形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。 - 特許庁

This resin composition for the torque limiter part includes (A) a thermoplastic resin of 5 to 50 wt.% and (B) a filler of 95 to 50 wt.% with the total quantity of the thermoplastic resin and the filler as 100 wt.%, and is characterized by setting the heat conductivity measured by a laser flash method to 1 W/mK or more.例文帳に追加

熱可塑性樹脂とフィラーの合計量を１００重量％として（Ａ）熱可塑性樹脂５〜５０重量％および（Ｂ）フィラー９５〜５０重量％を含有してなり、レーザーフラッシュ法で測定した熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とするトルクリミッタ部品用樹脂組成物。 - 特許庁

The multilayer circuit board and the connecting method therefor are provided, in which Pd plating or Au flash plating to form a base for Pd is effected so as to prevent oxidation and migration within the multilayer circuit board, or at portions serving as connecting terminals at the time of being connected to other substrates or at the time of mounting semiconductor parts.例文帳に追加

多層回路基板内部あるいは他の基板との接続や半導体部品の実装の際に接続端子を構成する部分に酸化防止及びマイグレーション防止のいためのＰｄメッキあるいはＰｄの下地にＡｕフラッシュメッキを施したことを特徴とする多層回路基板とその接続方法。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor integrated circuit device comprises steps of uniformly depositing an amorphous silicon film on a substrate in which a memory cell region and an element region are formed, patterning the amorphous silicon film on the memory cell region while the amorphous silicon film remains coating on the element region on the substrate, and forming a laminated gate electrode or a single layer gate of the flash memory unit.例文帳に追加

メモリセル領域と素子領域とを画成された基板上にアモルファスシリコン膜を一様に堆積し、さらに基板上の素子領域を前記アモルファスシリコン膜で覆ったまま、メモリセル領域において前記アモルファスシリコン膜をパターニングし、フラッシュメモリ装置の積層ゲート電極あるいは単層ゲートを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the flash memory device comprises the steps of forming the dielectric film 25, and then forming an amorphous silicon layer 31 to alleviate a topology generated by patterning a first polysilicon layer 24 in a cell region so that the silicon layer 31 conducts a role of a dielectric film protective layer of the cell region at the time of forming the gate oxide film 26 of the peripheral circuit region.例文帳に追加

誘電体膜２５を形成した後、アモルフォスシリコン層３１を形成してセル領域で第１ポリシリコン層２４のパターニングで発生したトポロジーを緩和させ、アモルフォスシリコン層３１が周辺回路領域のゲート酸化膜２６形成の時にセル領域の誘電体膜保護層の役割をするようにする。 - 特許庁

In the method for controlling the mist explosion of the flammable liquid, the flammable liquid is adjusted to a lower limiting concentration of mist in mist explosion and/or the concentration of a limiting combustion-supportive gas or smaller, related to the flammable liquid, when the flammable liquid is handled at a temperature lower than the flash point of the flammable liquid.例文帳に追加

可燃性液体を、当該可燃性液体の引火点未満の温度で取り扱う際に、当該可燃性液体を、当該可燃性液体に係わる、ミスト爆発におけるミストの下限界濃度以下および／またはミスト爆発における限界支燃性ガス濃度以下に調整することによって、可燃性液体のミスト爆発を制御する方法。 - 特許庁

The method for forming the dielectric film contains the formation of a dielectric-film precursor film by using a coating liquid comprising at least one of (A) an organometallic compound, or (B) the hydrolytic condensate of the organometallic compound and the formation of the dielectric film by irradiating the precursor film with light by using a flash lamp 1.例文帳に追加

本発明の誘電体膜の形成方法は、（Ａ）有機金属化合物および（Ｂ）有機金属化合物の加水分解縮合物の少なくとも一方を含む塗布液を用いて誘電体前駆体膜を形成し、フラッシュランプ１を用いて前記誘電体前駆体膜に対して光照射を行なうことにより、誘電体膜を形成すること、を含む。 - 特許庁

To obtain a detergent exhibiting high detergency to the whole type of dirt, capable of preventing oxidation degradation at high temperatures such as the one in steam washing, having low toxicity, exhibiting high material stability to a material to be cleaned, having a low flash point, and providing entirely no fear of disruption of the ozonosphere, and further to provide a cleaning method and cleaning apparatus, suitable for the detergent.例文帳に追加

あらゆるタイプの汚れに対して、高い洗浄力を示し、かつ、蒸気洗浄時等の高温下における酸化劣化を防止しつつ、低毒性で、被洗物に対する材質安定性が高く、しかも引火性が低いうえ、オゾン層破壊の恐れが全くない洗浄剤とその洗浄剤に適した洗浄方法および洗浄装置を提供する。 - 特許庁

To respond at low cost with flexibility to advanced and complicated requirements from a user by increasing data volume to be stored with efficient use of a flash memory, and the like, and using a storage medium processing method with its device and a card reader/writer.例文帳に追加

フラッシュメモリ等の記憶手段を効率よく使用して記憶可能なデータ量を増大し、さらにプロトコルの変更やセキュリティシステムの変更等のシステム変更にも柔軟に対応できる記憶媒体処理方法とその装置、及びカードリーダ／ライタを提案し、高度化複雑化する利用者の要求に対して低コストでフレキシブルに対応して利用者の満足度を向上させる - 特許庁

In one embodiment, the substrate manufacturing method includes: a first step for forming a film 13 on which a compressive stress is loaded, on a rear face 12 of a semiconductor wafer 10; and a second step for performing a high-temperature and short-time heat treatment to only a front surface 11 of the semiconductor wafer 10 by irradiating the surface 11 with a flash.例文帳に追加

本発明の基板の製造方法の一実施形態は、半導体ウェーハ１０の裏面１２に、圧縮応力を負荷する膜１３を形成する第１工程と、表面１１に対して閃光を照射することによって、半導体ウェーハ１０の表面１１のみに高温かつ短時間の熱処理を施す第２工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

The method includes a process of cleaning by immersing a material to be treated by using a detergent composition containing an aromatic hydrocarbon as a main component having a boiling point of 200-350°C and a flash point of 70°C or higher, and a process of immersing and rinsing the material to be cleaned after immersing into hydrofluorocarbon or hydrofluoroether.例文帳に追加

被処理物を、沸点が２００〜３５０℃で且つ引火点が７０℃以上である芳香族炭化水素を主成分とする洗浄剤組成物を用いて浸漬洗浄する工程と、該浸漬洗浄後の被洗浄物を、ハイドロフルオロカーボン又はハイドロフルオロエーテルに浸漬してすすぎを行う工程とを含むことを特徴とする洗浄方法である。 - 特許庁

The vapor deposition material for an organic device, used for manufacture of the organic device, is one sublimed and refined vapor by forming an organic layer through vapor deposition based on a flash vapor deposition method, with an average particle diameter expressed in D50% of 10-200 μm, and a uniformity expressed in D60% diameter/D10% diameter of 1.0-4.0.例文帳に追加

有機デバイス用蒸着材料が、有機デバイスの製造に用いられ、フラッシュ蒸着法により蒸着させて有機層を形成し、昇華精製された蒸着材料であって、Ｄ５０％で表される平均粒径が１０μｍ〜２００μｍであり、かつ、Ｄ６０％径／Ｄ１０％径で表される均一度が１．０〜４．０であることを特徴とする。 - 特許庁

This method for preparing the magnesium salt of the enantiomer of omeprazole comprises (i) a process of forming a magnesium alkoxide by performing the reaction of magnesium with a lower alcohol in a solution using the lower alcohol as a solvent, (ii) a process of adding the enantiomer of omeprazole of a neutral form into the solution and (iii) a process of flash evaporating the solvent.例文帳に追加

ｉ）マグネシウムと低級アルコールとを反応させて該低級アルコールを溶剤とする溶液においてマグネシウムアルコキシドを生成する工程、ｉｉ）中性形態のオメプラゾールの鏡像異性体をこの溶液に添加する工程、およびｉｉｉ）溶剤をフラッシュ蒸発する工程によってオメプラゾール鏡像異性体のマグネシウム塩を製造する。 - 特許庁

Since the compressed gas which does not require the addition of a stabilizer is used as the reaction solvent and the liquid-phase polymerization and flash spinning are carried out in a single consecutive process, the method is useful for producing the biodegradable polyester material employed as a biodegradable and biocompatible material useful in medical, chemical, agricultural and environmental fields, etc.例文帳に追加

安定化剤の添加を必要としない圧縮気体を反応溶媒として用い、液相重合反応とフラッシュ紡糸が単一連続工程でなされるため、医学、化学、農学、環境などの分野で有用な生分解性及び生体適合性材料として用いられる生分解性ポリエステル材料の製造に有用である。 - 特許庁

To provide a method of forming a tunnel insulation film of a flash memory device that can improve leak current property and insulation breakdown voltage property or the like by suppressing boron impregnation by forming a silicon oxinitride film (SiON) through a process of forming the tunnel insulation film including a plasma nitridation process at a temperature higher than 800°C to reduce trap sites.例文帳に追加

８００℃以上の高温のプラズマ窒化処理工程を含んでトンネル絶縁膜を形成することにより、トラップサイト(trap site)を減少させ、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）の形成によってホウ素浸透を抑制して漏れ電流および絶縁破壊電圧特性などを改善することが可能なフラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a coated steel plate having a good appearance in which a coat winding phenomenon to a roll coater is not generated and no flash rust is generated even in the case of manufacturing the coated steel plate by coating the steel plate with a water base coating liquid containing an organic resin by using a coating line directly bonded to a final annealing furnace and drying/baking the same.例文帳に追加

最終焼鈍炉に直結した塗装ラインを用いて、鋼板に有機樹脂を含む水系塗液を塗布し、これを乾燥・焼き付けして塗装鋼板を製造する場合にも、ロールコーターへの塗料巻き付き現象を生ぜず、かつフラッシュラストの発生もない良好な外観を有する塗装鋼板を製造する方法を提案する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor memory device in which writing and erasing speed can be kept constant by setting the internal voltage for writing and erasing to the optimum value, even when writing and erasing characteristics of the memory cell are varied due to the change of processes, in a semiconductor memory device such as a flash memory or the like.例文帳に追加

フラッシュメモリ等の半導体記憶装置において、プロセスばらつきにより、メモリセルの書込み及び消去特性が変動した場合であっても、書込み及び消去のための内部電圧を最適値に設定することにより、書込み及び消去スピードを一定に保つことができる半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

For example, when digital information compressed by a compression method and stored in a flash memory 4 is fast-forwarding-reproduced, frame data for calculating parameters for calculating parameters of the frame data are taken out together with frame data for reproduction being an object of fast forwarding reproduction by a data read-out/write-in section 5a, and transferred to a RAM 7a.例文帳に追加

例えば，フラッシュメモリ４内に上記のような圧縮方法で圧縮，格納されたディジタル情報を早送り再生する際に，データ読出書込部５ａによって，早送り再生の対象とする再生用フレームデータと共に，そのフレームデータのパラメータを算出するためのパラメータ算出用フレームデータを取り出し，ＲＡＭ７ａに転送する。 - 特許庁

The compression method for the BIOS program will not totally compress the entire BIOS program but rather applies compression processing to each size being a greatest common multiple of a block size or each BIOS block unit (8 K bytes, as an example of a 4 M bit flash ROM) by means of Huffman coding, links data after the compression processing to a decrease the size of the program, after compression.例文帳に追加

ＢＩＯＳ全体を纏めて圧縮するのではなく、ＢＩＯＳの各ブロック単位または、ブロックサイズの最大公約数となるサイズ（４ＭビットフラッシュＲＯＭの例では、８Ｋバイト）毎で夫々ハフマン符号化により圧縮処理を行ない、圧縮処理後のデータを連結することでより圧縮後のサイズを小さくする事が可能である。 - 特許庁

To provide an electrophotographic toner containing an infrared absorbent and having flash fixability with high near-infrared absorption capacity, and suitability to stable read of invisible information, and to provide an electrophotographic developer and an image forming method using such an electrophotographic toner.例文帳に追加

赤外線吸収剤を含有する電子写真用トナーであって、高い近赤外線吸収能力をもつフラッシュ定着性や、安定的に不可視情報の読み取り性を有する電子写真用トナーを提供すること、また、このような電子写真用トナーを用いた電子写真用現像剤及び画像形成方法を提供することである。 - 特許庁

The operating method comprises a step of determining whether a read error caused during a read operation of the flash memory device is caused by a read disturb, and a step of replacing a memory block having the read error with an empty memory block when the read error is determined to be caused by the read disturb.例文帳に追加

該動作方法はフラッシュメモリー装置の読み込み動作の間に生じた読み込みのエラーが読み込みによるディスターブに起因するものか否かを判別する段階と、前記読み込みのエラーが読み込みによるディスターブに起因するものと判別される場合には、前記読み込みのエラーが発生したメモリーブロックを空のメモリーブロックで置き換える段階とを含む。 - 特許庁

To provide a flash memory element manufacturing method for which can minimize the interference effect between adjacent cells, and can improve a coupling ratio by increasing the contact area between a dielectric film and a floating gate, and can make the coupling ratio increased, a gate oxide film in a high voltage transistor area thicker than that of the tunnel oxide film in a cell area too.例文帳に追加

隣接セル間の干渉効果を最小化することができ、誘電体膜とフローティングゲートの接触面積を増加させてカップリング比を向上させることができ、セル領域のトンネル酸化膜より厚い高電圧トランジスタ領域のゲート酸化膜によってもカップリング比を増加させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

This method for manufacturing an NAND flash memory element includes a step for providing a semiconductor substrate where a drain select transistor DSL, a source select transistor SSL, and memory cell transistors connected in series between them are formed; and a step for forming an oxide film in the surface of the semiconductor substrate at both sides of the gate of the source select transistor.例文帳に追加

ドレイン選択トランジスタＤＳＬ、ソース選択トランジスタＳＳＬおよびこれらの間に直列に連結されたメモリセルトランジスタが形成された半導体基板を提供する段階と、前記ソース選択トランジスタのゲート両側の半導体基板の表面内に酸化膜を形成する段階とを含む、ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this authentication method for providing literary work distributed through the Internet only to a terminal of a user being an authenticated specific subscriber, an authentication server is introduced in a distribution system, and a combination of a vender ID of a USB flash memory with a USBTV Player stored, a product ID and a serial number is used as a dongle in this recipient authentication method of Internet distribution.例文帳に追加

この発明は、インターネットを介して配信される著作物を、認証された特定の契約者たる使用端末機にのみ提供する為の認証方法において、前記配信系に認証サーバを導入して、ＵＳＢＴＶ Ｐｌａｙｅｒが格納されているＵＳＢフラッシュメモリのベンダーＩＤ、プロダクトＩＤとシリアルナンバーの組み合わせをドングルとして用いることを特徴としたインターネット配信の受信者認証方法により、目的を達成した。 - 特許庁

In the method of forming a protective film on the surface of metal such as zinc, alloys or plating applied to the above metal or the like subjected to heating treatment, treatment with a water base alkali composition where the above surface is subjected to flash treatment with an alkali metal or the like, acid treatment, and the subsequent application of a protective film agent composition are performed.例文帳に追加

加熱処理が施された、亜鉛その他の金属若しくは合金又は前記金属等に施された鍍金表面の保護皮膜形成方法であって、前記表面にアルカリ金属等でフラッシュ処理する水性アルカリ性組成物による処理と、酸処理とを行った後に、保護皮膜剤組成物の塗布を行うことを特徴とする鋼材表面の保護皮膜形成方法。 - 特許庁

The method for programming the NAND-type flash memory device comprises a first process for applying first voltage to one or more unselected wordlines, a second process for applying a predetermined bitline voltage to an unselected bitline, and a third process for applying a second voltage to the un-selected wordlines and applying a third voltage to a selected wordline out of the wordlines.例文帳に追加

ナンド型フラッシュメモリ装置で、プログラミング法は、ワードラインのうち一つ以上の非選択のワードラインに第１電圧を印加する第１過程と、ビットラインのうち非選択のビットラインに所定のビットライン電圧を印加する第２過程と、前記非選択のワードラインには第２電圧、前記ワードラインのうち選択されたワードラインには第３電圧を印加する第３過程とを備える。 - 特許庁

The housing made of resin is obtained from a polyphenylene sulfide resin composition having thermal conductivity in the thickness direction of 4 W/m×K or more measured by laser flash method, preferably from a polyphenylene sulfide resin composition comprising polyphenylene sulfide, carbon fibers having thermal conductivity of 100 W/m×K or more, and metallic silicon powders, and is suitably used especially for portable apparatuses.例文帳に追加

レーザーフラッシュ法により測定した厚み方向の熱伝導率４Ｗ／ｍ・Ｋ以上のポリフェニレンスルフィド樹脂組成物、好ましくはポリフェニレンスルフィド、１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する炭素繊維及び金属ケイ素粉末からなるポリフェニレンスルフィド樹脂組成物よりなり、特に携帯機器用として好ましく用いることが出来る樹脂製筐体。 - 特許庁

The programming operation method for a flash memory device includes: a plurality of multi-level cells connected to a plurality of bit line pairs and a plurality of word lines respectively; and a page buffer circuit including a high-order bit register for storing input data and outputting the input data or inverted input data, and a low-order bit register for receiving the transmission of the input data through the high-order bit register.例文帳に追加

複数のビットライン対と複数のワードラインにそれぞれ連結される複数のマルチレベルセルと、入力データを格納し、前記入力データあるいは反転された入力データを出力する上位ビットレジスタと、前記上位ビットレジスタを介して入力データの伝達を受ける下位ビットレジスタを含むページバッファ回路とを含むフラッシュメモリ装置のプログラム動作方法。 - 特許庁

The method for manufacturing silica particles comprises: hydrolyzing/condensing alkoxy silane to obtain a dispersion liquid containing a silica particle precursor; subjecting the dispersion liquid to flash drying or spray drying to obtain dried silica particles; burning the dried silica particles to obtain dried silica particles; surface treating the burned silica particles with a silane coupling agent; and pulverizing and classifying the obtained surface-treated silica particles.例文帳に追加

アルコキシシランを加水分解・縮合させて、シリカ粒子前駆体を含有する分散液を得て、前記分散液を気流乾燥または噴霧乾燥して、乾燥シリカ粒子を得て、前記乾燥シリカ粒子を焼成して、焼成シリカ粒子を得て、前記焼成シリカ粒子をシランカップリング剤で表面処理して、得られた表面処理シリカ粒子を解砕および分級するシリカ粒子の製造方法。 - 特許庁

The method of fabricating a flash memory element includes steps of: forming an undoped first polysilicon film on a semiconductor substrate; forming on said first polysilicon film an undoped second polysilicon film provided with a high-concentration doped region; implementing processing such that the doping concentration of said second polysilicon film and the doping concentration of said first polysilicon film will be similar; and forming a dielectric film on the resultant product.例文帳に追加

半導体基板上にアンドープト第１ポリシリコン膜を形成する段階と、前記第１ポリシリコン膜の上部に、高濃度ドーピング領域が備えられたアンドープト第２ポリシリコン膜を形成する段階と、前記第２ポリシリコン膜のドーピング濃度と前記第１ポリシリコン膜のドーピング濃度が類似となるようにしながら、前記結果物上に誘電体膜を形成する段階とを含む。 - 特許庁

The flash photographing control method is used for the camera equipped with the multipoint AF sensor 16 receiving reflected light transmitted through a photographic lens 22 by a plurality of detection areas and outputting a signal, an AF control means 11 deciding a focusing area based on the signals from the respective detection areas of the sensor 16, and light emitting parts 27a and 27b radiating the light toward an object.例文帳に追加

閃光撮影制御方法は撮影レンズ２２を透過した反射光を複数の検出エリアで受光して信号を出力する多点ＡＦセンサ１６と、当該多点ＡＦセンサ１６の各検出エリアからの信号に基づいて合焦エリアを決定するＡＦ制御手段１１と、被写体に向けて光を照射する発光部２７ａ，２７ｂを備えたカメラに用いられる。 - 特許庁

The ultraviolet ray-resistant resin molded article comprises (A) a thermoplastic resin and (B) a filler, has a heat conductivity of at least 1 W/mK measured by the laser flash method, and has at an outermost layer a surface coat of an acrylic resin, and a thickness of the acrylic resin membrane is 0.5-200 μm.例文帳に追加

熱可塑性樹脂（Ａ）とフィラー（Ｂ）を含有してなり、レーザーフラッシュ法で測定した熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上である成形品であって、さらに最外層をアクリル系樹脂で表面コートしてあることを特徴とする耐紫外線用樹脂成形品、およびアクリル系樹脂の膜厚が０．５〜２００μｍであることを特徴とする上記耐紫外線用樹脂成形品。 - 特許庁

In this image forming device of a structure making the color toner image on transfer paper fixed on transfer paper by means of light emission of a flash lamp, the image forming device and method therefor stand for so as to include at least the black toner in the toner forming the color toner image, and a colorant composing the above black toner is, the colorant adopted for cyan toner, magenta toner, and yellow toner.例文帳に追加

転写紙上のカラートナー画像をフラッシュランプの発光により転写紙上に定着させる構成の画像形成装置において、カラートナー画像を形成しているトナーに少なくともブラックトナーを含み、且つ、該ブラックトナーを構成する着色剤が、シアントナー、マゼンタトナー及びイエロートナーに用いられる着色剤であることを特徴とする画像形成装置、及び画像形成方法。 - 特許庁

To provide a flash memory and a method of manufacturing the same, wherein a process is simplified and problems which may occur during progress of the process are prevented, by securing common source characteristics of the same Rs (sheet resistance) or lower without advancing a field oxide etch step when advancing an RCS (Recessed Common Source) process.例文帳に追加

ＲＣＳ（Ｒｅｃｅｓｓｅｄ Ｃｏｍｍｏｎ Ｓｏｕｒｃｅ）工程を進行するとき、フィールドオキサイドエッチングステップ（Ｆｉｅｌｄ ｏｘｉｄｅ ｅｔｃｈ ｓｔｅｐ）を進行せずに、同一のＲｓ（面抵抗）以下の共通ソース特性を確保することで、工程を単純化するとともに、工程進行中に発生しうる問題を防止できるフラッシュメモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the flash memory includes the steps of forming gate patterns for cells and gate patterns for selection transistors on a semiconductor substrate, forming a low dielectric film on a resultant including the gate patterns, and etching the low dielectric film so as to leave the low dielectric film only in a space between the gate patterns for cells.例文帳に追加

半導体基板の上部にセル用ゲートパターン及び選択トランジスタ用ゲートパターンを形成する段階と、前記ゲートパターンを含んだ結果物上に低誘電体膜を形成する段階と、前記低誘電体膜をエッチングして前記セル用ゲートパターン間の空間にのみ前記低誘電体膜を残留させる段階とを含む、フラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory device capable of improving the operation performance of a memory cell in which a nitride film is first deposited on a semiconductor substrate or a polysilicon film and then an oxide film is formed under the nitride film by an oxidization process using an anneal process, so that a tunnel oxide film or an ONO1 oxide film having a thin thickness and a good film quality can be formed.例文帳に追加

半導体基板またはポリシリコン膜の上に窒化膜をまず蒸着した後、アニール工程を用いた酸化工程によって窒化膜の下方に酸化膜を形成することにより、さらに薄くて優れた膜質を有するトンネル酸化膜またはＯＮＯ１酸化膜を形成してメモリセルの動作性能を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

The adaptive ISPP method of the flash memory device of this invention includes a first programming stage of executing programming/verifying loops by a first program voltage and first verifying time until at least one passed cell is generated and a second programming stage of executing the programming/verifying loops by a second program voltage and second verifying time after at least one passed cell is generated.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリ装置の適応的ＩＳＰＰ方法は少なくとも一つのパスセルが発生するまで、第１プログラム電圧と第１検証時間でプログラム及び検証のループを実行する第１プログラム段階と、少なくとも一つのパスセルが発生した後、第２プログラム電圧と第２検証時間でプログラム及び検証のループを実行する第２プログラム段階を含む。 - 特許庁