「flash method」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a flash memory cell capable of preventing a recovery failure, reducing a recovery time, and improving electric characteristics of a device and the reliability of a circuit, and to provide a method of erasing the same.例文帳に追加

リカバリ不良を防止し、リカバリ時間を減少させ、素子の電気的特性及び回路の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリセル及びその消去方法を提供する。 - 特許庁

To provide a lubricant base oil having low viscosity at a low temperature (40°C), being excellent in viscosity index and low-temperature fluidity, and having a high flash point, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

低温（４０℃）で低粘度であり、粘度指数および低温流動性に優れ、且つ、高い引火点を有する潤滑油用基油およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a traffic sign provided with a structure capable of not only stably fitting a flash signal lamp and a reflective mirror but also stably holding the flash signal lamp in the state that it is downward inserted in the traffic sign and turning the lamp on and off.例文帳に追加

上部に照明灯やフラッシュ合図灯或いはや反射鏡を安定して取付けることができることは勿論、フラッシュ合図灯を標識内に下向きに挿入した状態で安定に保持させて、内部において点灯，点滅させることのできる構造を具備した道路標識の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method for scrambling address data includes; a step in which external address data inputted from a flash controller 2000 is converted to internal address data which operates in a flash memory device 1000; and a step in which a present data accessing operation relating to the address data is neglected when address bits in the external address data have specific scramble values.例文帳に追加

フラッシュ制御器２０００から入力された外部アドレスデータを、フラッシュメモリ装置１０００で動作する内部アドレスデータに変換するステップと、前記外部アドレスデータ内のアドレスビットが特定のスクランブル値を有するとき、前記外部アドレスデータと関連した現在のデータアクセス動作を無視するステップとを含む。 - 特許庁

A method of reading a memory system including a flash memory reads a main page of the flash memory, increments the number of read-out cycles, copies data of a memory block including a main page into another block when the number of read-out cycles to the main page exceeds a reference number of cycles.例文帳に追加

本発明によるメモリシステムの読み出し方法は、フラッシュメモリを含むメモリシステムの読み出し方法であって、前記フラッシュメモリのメインページを読み出し、前記メインページの読み出し回数を増加させ、前記読み出し回数が基準値より大きい場合、前記メインページを含むブロックのデータを他のブロックにコピーバックする。 - 特許庁

To provide a method where, in a flash smelting furnace provided with a mineral concentrate burner for blowing a smelting raw material and a gas for reaction, the degree of premixing in a burner cone between the flow of the gas for reaction and the smelting raw material is controlled, by which their smelting reaction in the flash smelting furnace within the mineral concentrate burner, a reaction tower or the like is controlled.例文帳に追加

製錬原料と反応用ガスを吹込むための精鉱バーナーを備えた自熔製錬炉において、反応用ガス流と製錬原料のバーナーコーン内での予混合の度合いを管理し、これによって、精鉱バーナー、反応塔内等での自熔製錬炉内での熔融製錬反応を制御する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing flash memory element by which the reliability of a flash memory element can be improved by securing the stability of a process by improving the EFH differences induced among a cell region, a high-voltage transistor region, and a low-voltage transistor region by the projecting sections of the field oxide films of the regions.例文帳に追加

セル領域、高電圧トランジスタ領域及び低電圧トランジスタ領域それぞれのフィールド酸化膜の突出部によってこれらの領域間に誘発されるＥＦＨ差を改善させて工程の安定性を確保し、素子の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a NAND flash memory element capable of preventing a delete disturbance by separating the well of a region on which a NAND flash memory cell is to be formed and distributingly forming the well on its upper part by each block so as to reduce a stress time m applied to each cell block, and to provide a well forming method thereof.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリセルが形成されるべき領域のウェルを分離してその上部にブロック別に分散して形成させることにより、セルブロックに対するストレスタイムｍを減少させて消去デスターバンスを防止することが可能なＮＡＮＤフラッシュメモリ素子及びそのウェル形成方法を提供する。 - 特許庁

The method of providing block state information in a semiconductor memory device including a flash memory comprises storing block state information on the bad block of the flash memory and on the alternate block for replacing the bad block, and providing the block state information to a user when a specific command is inputted.例文帳に追加

フラッシュメモリを具備する半導体メモリ装置におけるブロック状態情報提供方法において、前記フラッシュメモリの不良ブロックとこれを代替するための代替ブロックに対するブロック状態情報を記憶し、特定コマンドが入力されたときに前記ブロック状態情報を使用者に提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of slurry for CMP which is superior in grinding selection ratio with respect to polycrystalline silicon compared with an oxide film, and the forming method of a semiconductor element for forming the self aligned floating gate of a flash memory element utilizing the slurry.例文帳に追加

酸化膜に比べて多結晶シリコンに対する研磨選択比に優れたＣＭＰ用スラリー及び、前記スラリーを利用してフラッシュメモリ素子の自己整合浮遊ゲートを形成する半導体素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

To form an accurate desired gate electrode by suppressing an electron shading damage and reducing positive charging by a polysilicon electrode, in a manufacturing method for semiconductor memory and an etching method for gate electrode using a plasma dry etching method for flash memory or DRAM, etc., having a floating gate.例文帳に追加

フローティングゲートを有するフラッシュメモリやＤＲＡＭ等のプラズマドライエッチングによる半導体メモリの製造方法及びゲート電極エッチング方法に関し、電子シェーディングダメージを抑制し、ポリシリコン電極が正のチャージングを抑制して正確な所望のゲート電極を形成することを課題とする。 - 特許庁

Compression data obtained by compressing encoded data obtained by encoding original data on the executable operation program or the like by a block sorting method, by the same reversible compression method as the existing compression/extension circuit 17, are previously stored in a flash memory 11.例文帳に追加

実行可能な動作プログラムなどの元データをブロックソーティング法で符号化して得た符号化データを既存の圧縮伸張回路１７と同じ可逆圧縮方式で圧縮して得た圧縮データをフラッシュメモリ１１に予め保存しておく。 - 特許庁

To provide a method for performing plasma etching on tungsten silicide on polysilicon, the method being useful particularly for manufacturing flash memory requiring the long over etching time of micro loading and having both of a dense area and an isolation (iso) area.例文帳に追加

マイクロローディングによる長時間のオーバーエッチングを要する、緊密に密集した領域と隙間のある（ｉｓｏ）領域との両方を有するフラッシュメモリを製造するのに特に有用な、ポリシリコン上の珪化タングステンをプラズマエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

The method is preferable for preventing a bit error by read-disturb, bit data changed with time can be restored, and reliability of the flash memory 4 can be improved by preventing occurrence of a bit error.例文帳に追加

リードディスターブによるビットエラーの予防に好適であり、経時的に変化したビットデータを回復させることができ、ビットエラーの発生を未然に防止してフラッシュメモリ４の信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a non-volatile memory device capable of obtaining an NOR flash cell having the minimum area (2F^2) without using any SAS and SA-STI processes.例文帳に追加

本発明はＳＡＳ工程やＳＡ−ＳＴＩ工程を使わないで最小の面積（２Ｆ^２）を持つＮＯＲフラッシュセルを具現することができる不揮発性メモリー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing NAND flash memory device by which, in a process wherein a bonding region of a selective transistor is exposed to form a contact plug, a gate and the contact plug are prevented from short-circuiting.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの形成において、選択トランジスタの接合領域を露出させ、コンタクトプラグを形成する過程でゲートとコンタクトプラグが短絡することを防止する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a program method of a flash memory device provided with first and second bit lines to which a plurality of memory cells for storing multi-bit data indicating one of a plurality of states are connected.例文帳に追加

複数の状態のうちのいずれか１つを示すマルチビットデータを記憶するための複数のメモリセルが接続された第１及び第２ビットラインを具備したフラッシュメモリ装置のプログラム方法が提供される。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device, in which the coupling rate between a control gate and a floating gate is improved in order to realize low voltage rewriting of an NV-based semiconductor device, e.g. a flash memory.例文帳に追加

例えばフラッシュメモリ等のＮＶ系半導体デバイスの低電圧書換を実現するために、コントロールゲートとフローティングゲートのカップリング比を改善した半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for treating, preventing, suppressing, inhibiting or reducing the incidence of hot flashes, gynecomastia and/or hair loss comprising the administration step is provided.例文帳に追加

また、本発明は、体熱感（hot flash）、女性化乳房及び／又は脱毛を、治療、予防、抑制若しくは抑止する又はその発生を低減させるための方法であって、上記の投与ステップを含む方法を提供する。 - 特許庁

The mounting method of the flash memory card includes procedures 301 to 308 to form a protective film.例文帳に追加

本考案のフラッシュメモリカード実装方法は、保護膜を形成する手順を含まれ、該保護膜は電気回路を保護し、移動（ｍｏｖｅｍｅｎｔ）および後工程の射出成型における熱源の影響を受けないためである。 - 特許庁

To provide the source contact formation method of a flash memory element which is excellent in metallic wiring and contact resistance for preventing the deterioration of element characteristics although a following heat treatment process is carried out.例文帳に追加

金属配線およびコンタクト抵抗に優れると同時に、後続の熱処理工程が行われても素子特性の低下を防止することを可能とするフラッシュメモリ素子のソースコンタクト形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a gate electrode forming method of a flash memory element, in which CD (critical dimensions) of a gate electrode can be secured by controlling the thickness of a sidewall oxidation film formed in a sidewall of the gate electrode so as to be uniform.例文帳に追加

ゲート電極側壁に形成される側壁酸化膜の厚さを均一に制御してゲート電極のＣＤ(critical dimension)を確保可能にするフラッシュメモリ素子のゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for injection molding, which prevent a flash and a gate trace from being brought about onto an outer peripheral surface by a gate, in the injection molding of an almost U-shaped cross-section molded article.例文帳に追加

この発明は、断面略コの字形状の成形品を射出成形する際に、外周面にゲートによるバリやゲート跡を発生させないようにした射出成形方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for operating a flash memory so that high speed property of deletion processing and that of write processing may be improved and promoted and sufficient durability and data-retention capability may be secured at the same time.例文帳に追加

消去処理と書き込み処理との高速性を改善・促進するようフラッシュメモリを動作させる方法であって、同時に、十分な耐久性とデータ保持能力と確保する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory of which a particular partial block is not used and a block continuously recorded with data does not need to be managed by software, and to provide a method for rewriting the data in the memory.例文帳に追加

本発明では、特定のブロックを偏って使用することなく、また、データが連続して記録されたブロックをソフトウェアで管理する必要がないフラッシュメモリ及びそのデータ書き換え方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing flash memory device with which a cell area can be miniaturized and highly integrated by making an etching process for defining a floating gate into anisotropic etching process.例文帳に追加

フローティングゲートを定義するためのエッチング工程を非等方性エッチング工程とすることにより、セル面積を最小化し且つ高集積化できるようにしたフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

To suppress the occurrence of flash regardless of the thermal strain of a mold in a manufacturing method of a molded product using the mold wherein the mold is heated at the production of the molded product.例文帳に追加

成形金型を用い、成形品の製造時に該金型が加熱される成形品の製造において、成形金型の熱ひずみにも関わらず、バリの発生を抑制し得る技術を提供する。 - 特許庁

To provide a program transferring method capable of making it unnecessary to store any program for start in a flash memory before assembling a substrate, and preventing any constraint from being generated to a rewritable memory area in a system.例文帳に追加

基板組立以前に起動用プログラムをフラッシュメモリに格納しておくことなく、かつ、システムにおける書き換え可能なメモリ領域に制約を生じさせることのない、プログラム転送方法を提供する。 - 特許庁

By division into the plurality of blocks 1b, the number of rewriting of data per sector 1a is increased by N times compared to a conventional method, and the number of deletion is 1/N times, thus lengthening the service life of the flash memory 1.例文帳に追加

また、複数のブロック１ｂに分割することにより、セクタ１ａ当たりのデータ書換回数は従来に比しＮ倍に増へ、消去回数は１／Ｎとなり、フラッシュメモリ１の寿命を延ばす。 - 特許庁

To provide bias to a plurality of memory sectors in a memory element by bulk of a smaller region in a non-volatile memory element of especially a flash type and providing method for bias in a memory element.例文帳に追加

特にフラッシュ型の不揮発性のメモリ素子、およびメモリ素子内のバイアス付与方法に関し、より小さな領域のバルクによってメモリ素子内の複数のメモリ・セクタにバイアスを付与することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory device which can solve the problem of lowering of reliability of the device to be caused in a process of forming drain contacts, while simplifying the process.例文帳に追加

工程を単純化させるとともに、ドレインコンタクトを形成するための工程過程で発生する素子の信頼性の低下問題を解消することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

Related to a method for manufacturing a flash memory, a low-voltage transistor part constituting a peripheral circuit goes through many etching processes, so an isolation oxide film 101a in that region is eroded for degraded isolation characteristics.例文帳に追加

フラッシュメモリの製造方法では、周辺回路を構成する低電圧トランジスタ部がエッチング工程を多く経るため、その領域の分離酸化膜１０１ａが浸食され、分離特性が悪くなっていた。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory device improving a margin in a photo process, preventing defects in pattern, and preventing defects such as photo mask collapse by decreasing aspect ratio of photo mask.例文帳に追加

フォト工程のマージンを向上させること、パターン不良を防止すること、及びフォトマスクのアスペクト比を減らしてフォトマスク崩壊などの不良を防止することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

The present invention describes an interferometric method and an apparatus for in-situ monitoring of a thin film thickness and of etching and deposition rates of the thin film using a flash lamp providing a high instantaneous power pulse and having a wide spectral width.例文帳に追加

高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプを用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。 - 特許庁

To provide an imaging device and an imaging method, capable of appropriately performing interpolation for pixels thinned in an image when flash light is not emitted and adjusting the entire image to appropriate white balance.例文帳に追加

フラッシュ非発光時の画像において間引かれている画素について適切に補間を行い、画像全体を適切なホワイトバランスに調整することが可能な撮像装置及び撮像方法を提供する。 - 特許庁

To provide the rewriting method of program data for surely rewriting existing program data with new program data without setting many storage areas in a flash memory 28, and an equipment control system.例文帳に追加

フラッシュメモリ２８に多くの記憶領域を設けること無く、且つ、確実に既存のプログラムデータを新規のプログラムデータに書き換えることが可能なプログラムデータの書き換え方法及び機器制御システムを提供する。 - 特許庁

To provide a single electron multi-valued memory for multiple quantum point application applying them to the multi-valued memory by constituting EEPROM or the floating gate of a flash memory of two quantum points and its drive method.例文帳に追加

ＥＥＰＲＯＭあるいはフラッシュメモリの浮遊ゲートを２個の量子点で構成し、これらを多値メモリに応用した多重量子点応用単一電子多値メモリ及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

In the boron nitride sintered compact, bulk density calculated from mass and external diameter is 0.7 to 0.9 g/cm^3, and thermal conductivity measured by a laser flash method in JIS R 1611 is ≤20 W/m K.例文帳に追加

質量と外寸より算出された嵩密度が０．７〜０．９ｇ／ｃｍ^３、ＪＩＳ Ｒ １６１１のレーザーフラッシュ法により測定された熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以下である窒化ホウ素焼結体。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory device capable of improving a programming speed by increasing the phosphorus concentration of a polysilicon film used as the control gate without reducing a coupling ratio.例文帳に追加

コントロールゲートとして用いられるポリシリコン膜のリン濃度を増加させながらカップリング比を低めないで、プログラム速度を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To surely conduct intermittent sending even at short intervals not more than one heartbeat in a technique of quantifying contrast of a contrast medium by changing intermittent sending intervals based on a flash echo imaging method.例文帳に追加

フラッシュエコーイメージング法に基づき、間歇送信間隔を変えて造影剤の染影度を定量化する手法において、１心拍以下の短い間隔であっても確実に間歇送信を行う。 - 特許庁

In the semiconductor memory device and method, a flash memory cell array fabricated in a well is included together with memory cells in the same column connected to each other in series and connected to respective bit lines.例文帳に追加

半導体メモリデバイス及び方法は、お互いに連続して接続され、それぞれのビット線に接続された同一の列におけるメモリセルとともに、ウェル内に形成されたフラッシュメモリセルアレイを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing a photomask blank by forming at least one layer of a film on a substrate features that after the film is formed on the substrate, the film is irradiated with light from a flash lamp.例文帳に追加

基板上に少なくとも一層の膜を設けてなるフォトマスクブランクの製造方法において、基板上に膜を形成した後に、閃光ランプによる光を照射することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a gate formation method of a flash memory device for preventing attacks from being generated in the active region of a semiconductor substrate by etching while adjusting a recipe when etching a dielectric film.例文帳に追加

誘電体膜エッチングに際して、レシピを調節してエッチングすることにより、半導体基板の活性領域に生じるアタックを防止するフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory device capable of not only improving a word line resistance but also improving the quality of a dielectric film and a gate oxide film of a peripheral circuit region.例文帳に追加

ワードライン抵抗を改善させるだけでなく、誘電体膜及び周辺回路領域のゲート酸化膜の膜質を改善させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a casting for building and a producing method of the casting for building with which casting flash generated in the casting can easily be removed without remaining and also, flaw caused by a cutting edge can be prevented.例文帳に追加

鋳造物にできたバリを容易に且つ残さず除去できるとともに切断刃による瑕を防止できる建築用鋳造品及び建築用鋳造品の製造方法を提供する。 - 特許庁