「flash method」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a flash memory device capable of preventing a smiling phenomenon on an ONO layer and a bird's beak phenomenon on a tunnel oxide film, controlling increase of a surface resistance of a control gate, and increasing productivity by shortening the whole processing time.例文帳に追加

ＯＮＯ層のスマイリング現象及びトンネル酸化膜のバーズビーク現象を防止することができ、コントロールゲートの面抵抗の増加を抑制することができるうえ、全体時間時間を短縮して生産性を向上させることができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of providing block state information in a semiconductor memory device including a flash memory to provide state information on an alternate block with which a user can replace a bad block so that the user can execute an operation to maintain the stability of data.例文帳に追加

不良ブロックを代替できる代替ブロックの状態情報を提供することにより、使用者がデータに対する安定性を確保するための行為を行うことができるフラッシュメモリを具備する半導体メモリ装置におけるブロック状態情報提供方法を提供することにある。 - 特許庁

This method for producing a stain-proofing agent comprises copolymerizing a fluoroalkyl group-containing monomer with a hydrophilic group-containing monomer in polypropylene glycol having an average mol.wt. of about ≤1,000 or its mixture with a water-soluble organic solvent having a boiling point of ≥150°C or a flash point of >61°C.例文帳に追加

平均分子量が約1000以下のポリプロピレングリコールまたはそれと沸点150℃以上または引火点が61℃を超える水溶性有機溶媒との混合物中で、フルオロアルキル基含有単量体と親水性基含有単量体とを共重合させ、防汚加工剤を製造する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a non-volatile memory device capable of effectively embodying an NOR flash cell array composed using a 2-beat sidewall floating gate element having self-convergence characteristics, where a threshold voltage converges to a fixed value in erasing.例文帳に追加

本発明はイレイズの時しきい電圧が決まった値打ちに収斂する特性を枝は自体に収斂する２ビートサイドワル・フローティングゲート素子を使って構成したＮＯＲフラッシュセルアレイを効果的に具現することができる不揮発性メモリー素子の製造方法に関するのである。 - 特許庁

To provide a lead frame and an optical semiconductor device of good characteristics that uses it capable of preventing occurrence of resin flash at an external terminal or fin, even in packages where resin sealing of through-gate method is not available, with no entrainment of a primary resin in a secondary mold.例文帳に追加

スルーゲート方式等の樹脂封止ができないパッケージであっても、外部の端子やフィン部等に樹脂フラッシュが発生するのを防止でき、２次モールド部に１次の樹脂を巻き込むことのないリードフレームおよびそのリードフレームを用いた特性の良好な光半導体装置を提供する。 - 特許庁

To improve strength of a mold manufactured by methods of molding a self-hardening mold or a mold hardened with ester gas using water-soluble phenol resin as a bonding, agent and to raise the flash point of a hardener used for method of molding mold hardened with ester gas.例文帳に追加

水溶性フェノール樹脂を粘結剤として用いる自硬性鋳型造型法やエステルガス硬化鋳型造型法によって製造される鋳型の強度を向上させること、およびエステルガス硬化鋳型造型法において使用される硬化剤の引火点を高めることを目的とする。 - 特許庁

A method of programming a NAND flash memory includes the steps of applying a program voltage to a selected word line; applying a pass voltage to an non-selected word line; and recovering the selected word line and the non-selected word line to a ground voltage, after lowering the selected word line to the pass voltage.例文帳に追加

本発明によるＮＡＮＤフラッシュメモリのプログラム方法は、選択ワードラインにプログラム電圧を印加し、非選択ワードラインにパス電圧を印加するステップと、選択ワードラインをパス電圧に低下させた後、選択ワードライン及び非選択ワードラインを接地電圧に復旧するステップと、を含む。 - 特許庁

To provide a split gate flash EEPROM by composing a control gate and a floating gate in a vertical position, and by downsizing a cell to realize a high coupling ratio and to decrease a programming voltage with its demagnetizing property improved with a part of the control and floating gate overlapped, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

コントロールゲートとフローティングゲートを垂直形態で構成し、セルを小さくし、高カップリング比を実現し、プログラミング時電圧を低減したスプリットゲートフラッシュEEPROMとその製造方法を提供し、コントロール及びフローティングゲートを一部オーバーラップして消去特性を向上する。 - 特許庁

To provide a disaster prevention method for a dam, which is equipped with a communication means for an emergency earthquake flash report.例文帳に追加

緊急地震速報の活用は、ダムおよびダム周辺地域の地震防災性を向上させるために大変有効であると考えられ、今後、地震時損傷予測の精度向上、大地震時の対処・行動に関する判断支援のための工夫、電力エネルギー施設への適用性等について検討が必要である。 - 特許庁

In the method where nonferrous refining is performed using a smelting furnace, a converter and a refining furnace, in recovering copper in slag discharged from the refining furnace, the total content of the slag is solidified and crushed, a part thereof is repeatedly charged to the converter in a copper making period, and the balance is repeatedly charged to a flash smelting furnace.例文帳に追加

熔錬炉と転炉と精製炉とを用いて非鉄金属精錬を行う方法において、精製炉より排出されるドブ中の銅を回収するに際し、ドブの全量を固化し、粉砕して一部を造銅期の転炉に繰り返し、残部を自熔炉に繰り返すものである。 - 特許庁

To provide a method and a device for casting an anode for copper electrolysis in which the deviation of cooling speed within a copper anode in the central part and the peripheral part of a mold is relaxed upon casting the anode, the cracks of the peripheral part in the anode is suppressed, further, flash is not deteriorated, and cost is low as well.例文帳に追加

アノードの鋳造時に鋳型の中心部や周縁部における銅アノード内の冷却速度の偏りを緩和し、アノード周縁部の亀裂を抑制し、しかも鋳張りも悪化せず、コストも低い、銅電解用アノードの鋳造方法、および鋳造装置を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the magnetic recording body by which the paint for the magnetic recording layer containing a magnetic body compound and an adhesive is applied on a substrate and dried to provide the magnetic recording layer, the surface of the magnetic recording layer is irradiated with flash light after the magnetic recording layer is provided.例文帳に追加

支持体上に、磁性体化合物および接着剤を含有する磁気記録層用塗液を塗布乾燥して磁気記録層を設ける磁気記録体の製造方法において、磁気記録層を設けた後、磁気記録層面にフラッシュ光照射するものである。 - 特許庁

To provide a method of welding resin molded articles where high adhesion is obtained stably without a special irradiation means and advance preparation requiring time and effort, in welding using a resin molded article including a crystalline resin and flash light irradiation with the resin molded article.例文帳に追加

結晶性樹脂を含む樹脂成形品と樹脂成形品とのフラッシュ光照射を用いる溶着において、特別な照射手段や手間のかかる事前準備無しに、高い密着性が安定的に得られるような樹脂成形品同士の溶着方法を提供する。 - 特許庁

Further, an in-system programming host can effectively execute storage processing for writing the OSD font to the font flash ROM through a serial port and an in-system programming function of a CPU, in addition to the provision of a new programming method replacing a conventional storage means.例文帳に追加

さらに、従来の記憶方法の代りとなる新たなプログラミング方法を提供することに加えて、システム内プログラミングホストは、ＯＳＤフォントをフォントフラッシュＲＯＭにシリアルポートを介して書き込む記憶処理とＣＰＵのシステム内プログラミング機能を効果的に実行することができる。 - 特許庁

Preferably, the softener comprises the vacuum distillation residual oil of 30-80 mass% and a mineral oil of 20-70 mass% having a DMSO extract content by the IP346/92 method of less than 3 mass%, a flash point of ≥200°C and an aniline point of ≤100°C.例文帳に追加

好ましくは、ゴム用軟化剤は、上記の減圧蒸留残渣油３０〜８０質量％と、ＩＰ３４６／９２法によるＤＭＳＯ抽出物の含有量が３質量％未満で、引火点が２００℃以上で、アニリン点が１００℃以下である鉱油２０〜７０質量％とを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having both a logic more microscopic than a level of 0.18 μm and a flash memory, capable of easily and accurately manufacturing a groove type element separation, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

０．１８μｍレベルよりも微細なロジックとＦｌａｓｈメモリを混載した半導体装置において、溝型素子分離の製造を容易な方法で高精度に行うことのできる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor storage device for realizing a multilayer gate insulating film capable of surely separating electric charges to a source and a drain, and trapping the electric charges even when adopting a micro-processed gate although the multilayer gate insulating film employs alumina for realizing excellent performance as a mirror flash memory.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造方法に関し、ミラーフラッシュメモリとして優れた性能を実現させるアルミナを用いた多層ゲート絶縁膜でありながら、ゲートを微細化した場合でも、ソース側及びドレイン側に電荷を確実に分離してトラップすることが可能であるようにする。 - 特許庁

To provide a heat-resistant styrenic resin composition which prevents any foreign matter derived from catalyst residues in an anionic polymerization process from depositing on a volatile component removal equipment such as a flash tank, and avoids muddiness of the resulting resin due to the catalyst residues, and hot water whitening and steam whitening of the resin, and to provide a method for producing the composition.例文帳に追加

アニオン重合法により生ずるフラッシュタンク等の脱揮設備への触媒残渣由来の異物の付着を防止するとともに、触媒残渣に起因する樹脂の濁りや熱水白化、スチーム白化のない耐熱性スチレン系樹脂組成物及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a flash memory device, to decrease a cell size by forming a control gate within a minimum line width permitted in the fabrication process of a semiconductor memory device, and to efficiently obtain the operation characteristics of the device even in case of the decrease of the cell size.例文帳に追加

半導体メモリ素子の製造工程で許容される最小の線幅の内側の領域にコントロールゲートを形成して、セルサイズを縮小することが可能であると共に、セルサイズの縮小時にも素子の動作特性が効率的に確保されるようにしたフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a lighting method of a flash discharge lamp in which pulse light is seen as a regular light to human eyes and, by changing the optical volume of continuous lighting, is felt as a soft regular light same as when an incandescent lamp is lighted, and power consumption can be reduced.例文帳に追加

人間の目にはパルス光が定常光として感じられ、連続点灯の光量を徐々に変化させることにより、白熱電球が点灯した時と同様にソフトな定常光として感じられ、消費電力を少なくできる閃光放電灯の点灯方法を提供する。 - 特許庁

To provide a full electronic flash memory type external storage method and device which can be driven by software, can perform the active plug-in/out operations and can be applied to a small data processing system and have high efficiency, small volume containing all elements built into a single product, large capacity and a static operation and also high speed.例文帳に追加

高効率性、全てのエレメートを一つの単一製品に組み込んだ小容積、大容量、高速度、静的操作、ソフトウェアで駆動、活動プラグ・イン・アウトが可能で、小型データ処理システムに適用する全電子フッラシュ・メモリ式外部記憶方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

Ni is prevented from being diffused upward by the diffusion stop layer 30, whereby the surface of the land 26 is hardly oxidized, and the gold layer 32 can be made thin through a flash plating method, so that a rigid and fragile layer of Au-Sn alloy or the like is hardly formed on a solder joint surface.例文帳に追加

拡散阻止層３０によりＮｉの上層拡散が阻止され、これによりランド部２６表面が酸化されにくくなる一方で、金層３２をフラッシュメッキ法等により薄くできるので、例えばＡｕ−Ｓｎ合金等の固くて脆い層がハンダ接合面に形成されにくくなる。 - 特許庁

To provide a low-cost metal mold for sealing with resin by forming a simple mechanism by eliminating the damage to a substrate due to mold clamping and improving a yield by preventing a resin burr, such as, a cull flash, etc., and to provide a method and an apparatus for sealing with the resin using the same.例文帳に追加

型締めによる基板のダメージを無くするとともに、カルフラッシュ等の樹脂バリを防止して歩留まりを改善する一方、簡単な機構とすることによって安価な樹脂封止金型、それを用いた樹脂封止方法および樹脂封止装置を提供することにある。 - 特許庁

The NOR flash memory reading method is used in an embedded Linux operating system to verify cyclic redundancy check values, and then determine whether repeated readout of journaling file system data is continued, based on a threshold of the number of repeated readout operations set for a counter in advance.例文帳に追加

本発明は、ＮＯＲフラッシュメモリの読み取り方法を提供し、組込み式Ｌｉｎｕｘオペレーションシステムで使用され、巡回冗長検査値を照合し、カウンタに予め設けられた繰り返し読み取り回数の閾値により、ジャーナリングファイルシステムデータの繰り返し読み取りを継続するか否かを決定する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical element capable of obtaining an accurate optical element without eccentricity without generating a flash at a molding in a mold side for releasing the molding in an opened mold state with as a small number of components of the mold as possible at a low cost and the optical element.例文帳に追加

型開き状態で成形品が離型する金型側では成形品にバリが発生することがなく、しかも極力金型の部品点数を少なくし、低コストで偏心しない高精度の光学素子を得ることが可能な光学素子の製造方法及び光学素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for prolonging life of a flash memory by using a block continuously which is actually not abnormal even with respect to a block in which a write counter value or read counter value is equal to or larger than a threshold.例文帳に追加

書込みカウンタの値又は読出しカウンタの値が閾値以上となったブロックであっても、実際には異常となっていないブロックを継続して利用することができるようにすることによりフラッシュメモリを延命させることを可能とするフラッシュメモリの延命方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash lamp having a long service life in which a spacing between the inner peripheral face of a light-emitting tube and the outer peripheral face of an electrode can be controlled appropriately, and refrigerating effect on the electrode can be obtained surely so that wear of the electrode can be reduced, and its manufacturing method.例文帳に追加

発光管の内周面と電極外周面との間を適正な間隔に制御することができ、電極の冷却効果を確実に得ることができて電極の損耗を低減でき、使用寿命が長いフラッシュランプおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method for producing flash memory cell is provided with steps such as step for sequentially forming a pad oxide film 22 and a pad nitride film 23 on a wafer 21, and step for performing a source ion implantation process after the pad nitride film in the area planned to form a source S is removed.例文帳に追加

本発明に係るフラッシュメモリ素子の製造方法は、半導体基板２１上にパッド酸化膜２２及びパッド窒化膜２３を順次形成し、ソースＳ形成予定領域の前記パッド窒化膜を除去した後、ソースイオン注入工程を行う段階等の段階を含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

To perform wear leveling (WL) control including a physical block (PB) storing data of low rewrite frequency, only when deviation of an erasure count becomes large in a plurality of PBs which constitute a flash memory without requiring a user to set a WL control method.例文帳に追加

ユーザがウェアー・レベリング（ＷＬ）制御方式の設定を行う必要がなく、フラッシュメモリを構成する複数個の物理ブロック（ＰＢ）において消去回数の偏りが大きくなったときにだけ、書き換え頻度が低いデータが格納されているＰＢを含めたＷＬ制御が行われるようにする。 - 特許庁

To provide a lower heat input type friction welding method/device for drastically decreasing any flash or twist runover, reducing loss of a base metal, or preventing the base metal from such degradations in its mechanical property as weld cracking due to heat affect, embrittlement of the heat-affected area, etc.例文帳に追加

バリあるいはよりしろの大幅な縮小を図り、母材のロスを減少させ、また、母材への熱影響による溶接割れや、熱影響部の脆化など、その機械的性質の劣化を招くことのないように、低入熱である摩擦圧接法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a book-type flash card instantaneous presentation implement, which is capable of producing the effects of promoting bloodstream in the brain, activating the brain cells, enhancing memory ability, promoting heath, realizing desires, etc., by the instantaneous visual stimuli of characters, pictures, etc., and to provide a method of using for the same.例文帳に追加

文字や絵などの瞬間視覚刺激により脳内の特定部位の血流を促進し、脳細胞を活性化し、記憶能力を高め、健康を増進し、願望を実現させる等の効果を生むことができる書籍型フラッシュカード瞬間呈示用具とその使用法を提供する。 - 特許庁

To provide a system, a device, and a method for peripheral equipment management which can automatically recognize resource data registered on a storage medium such as a flash memory and set resource data on a client PC when the storage medium is replaced, and the storage medium.例文帳に追加

フラッシュメモリなどの記憶媒体が交換された際に、記憶媒体に登録されているリソースデータを自動的に認識し、クライアントＰＣ上のリソースデータを設定可能とした周辺機器管理システム、周辺機器管理装置、周辺機器管理方法及び記憶媒体を提供する。 - 特許庁

The lubricant base oil is composed of a hydride of a decene oligomer obtained by using a metallocene catalyst, the decene oligomer hydrogenate having (A) a kinematic viscosity of 16 mm^2/s or lower at 40°C, (B) a flash point of 225°C or higher, and (C) a pour point of -50°C or lower, and the method for producing the same is disclosed.例文帳に追加

メタロセン触媒を用いて得られたデセンオリゴマーの水素化物であって、（Ａ）４０℃における動粘度が１６ｍｍ^2／ｓ以下、（Ｂ）引火点が２２５℃以上、（Ｃ）流動点が−５０℃以下であるデセンオリゴマー水素化物からなる潤滑油用基油およびその製造方法である。 - 特許庁

The method avoids only the defect portion to execute alternatively a corrected module by using a part of a flash memory to store the module in which the defect of the program is corrected to an arbitrary address when the defect occurs in the control program stored in a mask ROM in a CPU.例文帳に追加

ＣＰＵ内のマスクＲＯＭに格納される制御プログラムに不具合が発生した場合、フラッシュメモリの一部を使用して、制御プログラムの不具合を修正したモジュールを任意のアドレスへ格納することで、不具合部分のみを回避して代わりに修正モジュールを実行する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory element capable of improving a difference in an EFH caused by the protrusions of an element isolation layer in each of a high voltage transistor region and a low voltage transistor/cell region, between these regions to ensure the stability of processes thereby promoting the reliability of the element.例文帳に追加

高電圧トランジスター領域及び低電圧トランジスター／セル領域それぞれの素子隔離膜の突出部によってこれらの領域の間に誘発されるＥＦＨ差を改善させて工程の安定性を確保し、素子の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A mobile educational Web server system and method are concerned with an education system using a mobile flash memory for loading a program for education in a Web server with mobility to enable a teacher to prepare teaching materials as the top manager of the Web server, and to give a lesson to students by way of on/off line.例文帳に追加

本発明は、移動式フラッシュメモリを用いた教育システムに関するものであって、移動性が提供されるウェブサーバに教育用プログラムを搭載して教師がウェブサーバの最高管理者として授業資料を作成し、学生とオン・オフラインで授業できる移動式教育用ウェブサーバシステム及び方法に関する。 - 特許庁

To provide a flash memory element and program method in which, in a program operation of a multi-level-tip, different voltages corresponding to voltage differences from the threshold voltages are applied to bit lines and program operations having different threshold voltage value sections are simultaneously performed to reduce the program operation frequency and to shorten the program operation time.例文帳に追加

マルチレベルチップのプログラム動作において、ビット線にしきい値電圧との電圧差に相当する異なる電圧を印加し、異なるしきい電圧値区間を有するプログラム動作を同時実行してプログラム動作回数を減らし、プログラム動作時間を短く減らすフラッシュメモリ素子とプログラム方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory device which can solve problems in small process margin and mass production margin in the existing process, while completely stripping a fence of dielectric layer in a gate formation process in which a thickness of a second conductive film used as a floating gate is over 1500 Å.例文帳に追加

フローティングゲートとして用いられる第２導電膜の厚さを１５００Å以上に適用するゲート形成工程で誘電体膜のフェンスを完全除去しながら、既存工程の工程時間及び量産性マージンが足りないという問題点を解決することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image pickup device, an image file managing method, and a storage medium which make it easy to manage still picture files by easily grasping the contents of still pictures when the still picture recorded in a flash memory card are browsed and also saves the trouble of operation to rename the file numbers of still picture files in time-series order.例文帳に追加

フラッシュメモリカードに記録された静止画を閲覧する際に、静止画の内容の把握を容易にし、静止画ファイルを管理し易くすると共に、静止画ファイルのファイル番号を時系列順にリネームする作業の手間を軽減可能とした撮像装置、画像ファイル管理方法、記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory element and a method for manufacturing it for configuring a floating gate so that the upper part can be made narrower than the lower part, for reducing the area of the floating gate while maintaining the overlap area between the control gate and the floating gate, and for reducing intercell interference without lowering a program speed.例文帳に追加

本発明は、フラッシュメモリ素子及びその製造方法に関するものであり、フローティングゲートを下部より上部が狭くなるように構成し、コントロールゲートとフローティングゲート間のオーバーラップ面積は維持させながらフローティングゲートの面積を減少させてプログラムスピード(program speed)の低下なしにセル間の干渉(interference)を減らすことを目的としている。 - 特許庁

The flash photographing control method is used for the camera equipped with the AF sensor 16 receiving reflected light transmitted through a photographic lens 22 and outputting a signal, an AF control means performing focusing based on the detection signal from the sensor 16, and light emitting parts 27a and 27b radiating the light toward an object.例文帳に追加

閃光撮影制御方法は、撮影レンズ２２を透過した反射光を受光して信号を出力するＡＦセンサ１６と、当該ＡＦセンサ１６からの検出信号に基づいて焦点調整を行うＡＦ制御手段と、被写体に向けて光を照射する発光部２７ａ，２７ｂとを備えるカメラに用いられる。 - 特許庁

To provide a flash EEPROM cell and its manufacturing method, in which the degree of integration, data retaining characteristics and disturb characteristics can be enhanced utilizing partially overlapped electrically isolated double floating gates, and the efficiency of program can be enhanced by decreasing the time required for electron injection.例文帳に追加

一部分が重畳され電気的に分離された二重フローティングゲートを利用し、集積度を向上させ、データ保持特性及びディスターブ特性を改善させ、電子注入時に所要される時間を減らしてプログラムの効率を高めることができるフラッシュＥＥＰＲＯＭセル及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The disclosed method includes, in a flash memory device comprising a stack gate electrode, a step of performing a radical oxidization process on the entire resulting surface including the stack gate electrode to form a sidewall oxide film on sidewalls of the stack gate electrode, and to maintain the profile of the stack gate electrode before the radical oxidization process.例文帳に追加

スタックゲート電極が備えられたフラッシュメモリ素子において、前記スタックゲート電極の含まれた結果物の全面にラジカル酸化工程を行い、前記スタックゲート電極の側壁に側壁酸化膜を形成すると共に前記ラジカル酸化工程前の前記スタックゲート電極のプロファイルを維持させる段階を含む。 - 特許庁

The word line enable method of the flash memory device includes the step of driving a signal line corresponding to a selected word line with a work line voltage, and the step of stepwise increasing a gate voltage of a switch transistor connected between the selected word line and the signal line during a program execution period.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置のワードラインイネーブル方法は、選択されたワードラインに対応する信号ラインをワードライン電圧で駆動する段階と、そしてプログラム実行区間の間に前記選択されたワードラインと前記信号ラインとの間に連結されたスイッチトランジスタのゲート電圧を段階的に増加させる段階とを含む。 - 特許庁

The method of erasing data in a flash memory device includes a step of generating wordline bias voltages which are different from one another, an erasing step of applying the wordline bias voltages which are different from one another to a plurality of wordlines and applying an erasing voltage Vera to the bulk region of memory cells, and a step of verifying erased states.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置の消去方法は、互いに異なるワードラインバイアス電圧を生成する段階と、前記互いに異なるワードラインバイアス電圧を前記複数のワードラインに印加し、消去電圧Ｖｅｒａをメモリセルのバルク領域に印加する消去段階と、消去状態を検証する段階とを含む。 - 特許庁