「flash method」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a toner for formation of an image, a two-component developer, a method of forming an image and a method of producing a toner for the formation of an image so as to fix an image at high temperature by flash fixing or the like, and to prevent clogging in a filter.例文帳に追加

フラッシュ定着等の高温で定着するための画像形成用トナー、２成分現像剤、画像形成方法及び画像形成用トナーの製造方法に関し、フィルタの目詰まりを防止する。 - 特許庁

To provide a flash memory cell that stores high-density 2-bit or 3-bit data using existent process technique directly, a production method of the memory cell, and a programming/deletion/reading method of the memory cell.例文帳に追加

既存の工程技術をそのまま使用して高密度の２ビット又は３ビットのデータを格納することが可能なフラッシュメモリセル及びその製造方法とフラッシュメモリセルのプログラム／消去／読出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of flash butt welding, which method is suitable for a method for joining a preceding plate and a following plate of a hot rolled coil on the inlet side of a pickling line for treating thin steel sheets containing components to easily produce oxides, such as Cr, Ti, Si.例文帳に追加

本発明は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉなどの酸化物を生成しやすい成分を多く含んでいる薄鋼板を扱う酸洗ライン入り側の熱延コイルの先行材と後行材の板継溶接方法に好適なフラッシュバット溶接方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory controller, a memory system and a memory control method suitable for storing data whose rewrite frequency is high and data whose rewrite frequency is low in a flash memory and a nonvolatile memory whose random access is possible.例文帳に追加

書き換え頻度が高いデータと低いデータをフラッシュメモリとランダムアクセスが可能な不揮発性メモリとに保存するときに好適なメモリコントローラ、メモリシステム及びメモリ制御方法の提供。 - 特許庁

To provide a flash memory which has a superior reading-out current characteristic even when the memory is micromachined and the memory is highly integrated and can cope with multi-valuing and a method for manufacturing the memory.例文帳に追加

本発明は、微細化・高集積化した場合であっても、読み出し電流特性に優れ、多値化にも対応しうるフラッシュメモリ、およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element capable of increasing a formation region of a floating gate, with no decrease of gap fill margin of an element separation film within a limited area.例文帳に追加

限られた面積の下で素子分離膜のギャップフィルマージン減少なしにフローティングゲートの形成領域を増加させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供す。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and a method of manufacturing the same capable of forming flash cells and capacitive elements within a single chip, and also easily forming the capacitive elements each having a different capacitance value.例文帳に追加

フラッシュセルと容量素子を同一チップ内に形成でき、しかも容量値の異なる複数の容量素子を容易に形成できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a redundancy circuit for a NAND flash memory device that can solve a problem of a redundancy method using an existent fuse by using a redundancy cam for repair.例文帳に追加

リダンダンシカムを用いてリペアすることにより、既存のヒューズを用いたリダンダンシ方法の問題点を解決することが可能なＮＡＮＤフラッシュメモリ素子のリダンダンシ回路を提供する。 - 特許庁

A Flash memory system and a method for data management using the system's sensitivity to charge-disturbing operations and the history of charge-disturbing operations executed by the system are described.例文帳に追加

障害を誘発する動作に対するシステムの感度およびそのシステムによって実行される障害誘発動作の履歴を用いるフラッシュメモリシステムとデータ管理の方法が開示される。 - 特許庁

To provide a laser light irradiation amount adjusting mechanism onto a measuring sample, and a thermal constant measuring device equipped with the mechanism, when measuring the thermal diffusivity by using a laser flash method.例文帳に追加

レーザフラッシュ法による熱拡散率測定を実施する際における、測定試料へのレーザ光照射量調節機構及びこの機構を備えた熱定数測定装置の提供。 - 特許庁

To disclose a method for manufacturing a flash memory element capable of improving a threshold voltage disturbance (Vtdisturbance) by reducing a stress applied to a cell by minimizing an interference phenomenon between gate lines.例文帳に追加

本発明は、ゲートライン間の干渉現象を最小化し、セルに加えられるストレスを減らし、しきい値電圧障害(Vtdisturbance)を改善することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を開示する。 - 特許庁

To provide an ultrasonic diagnostic system using a contrast echo method in which the lower limit of an interval time can be shortened so that a plurality of flash images can be acquired within a prescribed time.例文帳に追加

インターバルタイムの下限を短くすることができ、したがって所定時間内に多くのフラッシュ画像を得ることが可能な、コントラストエコー法による超音波診断装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a commodity sales data processor and commodity sales data processing method that can extend a period for replacement of a Compact Flash (R) card for storing commodity sales data.例文帳に追加

商品販売データを記憶するコンパクトフラッシュ(登録商標)カードの交換時期を延長させる商品販売データ処理装置及び商品販売データ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a logical volume management method for a storage system, capable of suppressing increase of a data rewriting frequency by shortening a data complete erasure time of a logical volume on a flash memory drive.例文帳に追加

フラッシュメモリドライブ上の論理ボリュームのデータ完全消去時間を短縮し、データ書き換え回数の増加を抑制することができるストレージシステムの論理ボリューム管理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicate-based chemical liquid for stabilizing soil quality having high permeability to ground even when hardening time is adjusted for a flash setting type, and a construction method for stabilizing ground using the same.例文帳に追加

硬化時間が瞬結型に調整された場合でも、地盤に対する浸透性が高い珪酸塩系土質安定用薬液、およびこれを用いた地盤安定化工法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit and a program transfer method, flexibly adaptable to various types of serial flash memories to transfer a stored program.例文帳に追加

様々なタイプのシリアル型フラッシュメモリに柔軟に対応して、格納されているプログラムの転送を行うことのできる半導体集積回路およびプログラム転送方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory which has excellent element characteristics such that inter-cell interference is suppressed by seamlessly filling gaps between adjacent word lines, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

隣接ワードラインの間をシームレスに埋め込み、セル間干渉が抑制された良好な素子特性を有するフラッシュメモリ及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a flash memory system and an erase method thereof which can prevent important data from being erased by mistake when stored by executing erase commands twice.例文帳に追加

本発明は、２回消去命令を行うことにより、重要なデータ記憶時に過ちで消去されることを防止することが可能なフラッシュメモリシステム及びその消去方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a terminal device restraining generation of flash and deformation on a tip part of a male terminal due to cutting, enabling to connect a female connector without requiring post-work like coining.例文帳に追加

切断によって雄型端子の先端に生じるバリや変形を抑制し、コイニング等の後加工を必要とすることなく雌型コネクタを良好に接続できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory device that prevents a thin tunnel oxide film from being formed at the upper corner of a trench during device separation film formation to which the STI process applies.例文帳に追加

ＳＴＩ工程を適用する素子分離膜の形成に関し、トレンチの上部コーナー部位でトンネル酸化膜が薄く形成される現象を防いだフラッシュメモリ素子製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a page buffer circuit of a flash memory device, in which a fail of programming operation can be reduced, and to provide a program operation method thereof, while allowing a memory cell determined to be programmed in a previous program verification process to be verified again in a next program verification process.例文帳に追加

前のプログラム検証過程でプログラムされたと判定されたメモリセルが次のプログラム検証過程で再検証できるようにし、プログラム動作のフェールを減少させる。 - 特許庁

To provide a flash memory element which can ensure a high coupling ratio between a floating gate and a control gate, and easily improve reliability; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子において、フローティングゲートとコントロールゲート間の高いカップリング比を確保すると共に信頼性の向上をはかるのに容易なフラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device and a method for updating program for automatic vending machine, with which the programs of plural automatic vending machines can be easily updated corresponding to plural kinds of flash memories.例文帳に追加

複数種類のフラッシュメモリに対応し、複数の自動販売機のプログラムの更新を容易に行うことのできる自動販売機のプログラム更新装置および方法を提供する。 - 特許庁

An operation method of the flash smelting furnace includes blowing gas for dispersing the raw material and contributing to the reaction at the same time, from a lance in an upper part of a shaft so that the gas forms a swirl air flow.例文帳に追加

原料を分散し、同時に反応に寄与するガスをシャフト部上部のランスから旋回気流となるように吹き込むことを特徴とする自溶製錬炉の操業方法。 - 特許庁

To minimize trap phenomenon, in which charges are confined in an insulating layer on an element isolation structure, and prevent interference between bit lines, in the method for manufacturing flash memory device.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の製造方法において、素子分離構造上の誘電体層に電荷が閉じ込められるトラップ現象を最小限に抑えてビット線間の干渉を防ぐようにする。 - 特許庁

To provide an injection blow molding method and an injection blow molding machine for not only molding stably a product free from flash and unevenness at low cost but also used for various kinds of resin.例文帳に追加

バリや偏肉のない成品を安定にかつ低コストで成形できる上に、色々な樹脂に適用できる、射出吹込成形方法および射出吹込成形機を提供する。 - 特許庁

To provide a memory device capable of reducing a threshold voltage distribution of a selection transistor having a charge storage layer, especially a NAND flash memory device and its programming method, and a memory system using the same.例文帳に追加

電荷格納層を有する選択トランジスタのしきい電圧分布を減らすメモリ装置、特にＮＡＮＤフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法とこれを用いたメモリシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element, capable of forming a gate pattern by using a hard mask pattern having a pitch not more than a resolution of an exposure apparatus.例文帳に追加

本発明は、露光装備の解像力以下のピッチを有するハードマスクパターンを用いてゲートパターンを形成することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device that can maintain uniform distribution characteristics of impurities injected and manufacture a low working voltage transistor or flash memory cell.例文帳に追加

注入された不純物の均一な分布特性を確保し、低い動作電圧のトランジスタ又はフラッシュメモリセルを製造することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a data storing method in which restoration can be performed by simple procedure, in a shorter time, and surely, even if write operation of data for a data region of a flash memory is interrupted.例文帳に追加

フラッシュメモリのデータ領域に対するデータの書き込み動作が中断されても、簡素な手順で、より短時間で確実に、復旧させることができるデータ記憶方法を提供する - 特許庁

According to the programming method of the NAND flash memory device of the invention, a selection transistor is programmed by a thermal electron injection system, and a selected memory cell is programmed by using F-N tunneling.例文帳に追加

本発明のＮＡＮＤフラッシュメモリ装置のプログラム方法は、選択トランジスタを熱電子注入方式でプログラムし、選択されたメモリセルをＦ−Ｎトンネルリングを用いてプログラムする。 - 特許庁

To provide a flash memory having high data reliability even when the memory is micromachined and the memory is highly integrated and a method by which the memory can be manufactured with high productivity.例文帳に追加

本発明は、微細化・高集積化した場合であってもデータの信頼性が高いフラッシュメモリおよびそれを生産性よく製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a multi-voltage flash memory integrated circuit structure on a semiconductor substrate (16), having a plurality of shallow trench isolations (18) and a floating gate structure (22).例文帳に追加

複数のシャロートレンチアイソレーション（１８）とフローティングゲート構造（２２）とを有する半導体基板（１６）の上に多電圧フラッシュメモリ集積回路構造を製造するための方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method, apparatus, and system that efficiently reduces the relative error in the digital output of a flash-type analog-to-digital (A/D) converter at a low input voltage.例文帳に追加

フラッシュタイプアナログ・デジタル（Ａ／Ｄ）変換器のデジタル出力における相対誤差を、低い入力電圧において効率的に低減するための方法、装置、及びシステムを提供する。 - 特許庁

To provide an art capable of simply performing a precise clinical diagnosis and quantitative analysis even with an image frame obtained by the scanning of ultrasonic waves by flash reflux method.例文帳に追加

フラッシュ再還流法による超音波の走査によって得られた画像フレームによっても、簡便に正確な臨床診断や定量解析を行うことができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a dielectric film between gates of a flash memory element capable of preventing a change in thickness of the dielectric film by suppressing a reaction between a floating gate and an oxide film.例文帳に追加

フローティングゲートと酸化膜との反応を抑えて誘電膜の厚さの変化を防止することが可能な、フラッシュメモリ素子のゲート間の誘電膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cutting method capable of cutting an extrusion molding such as a vertical trough or the like without generating a flash or the like at a cut surface in a line of an extrusion molding step.例文帳に追加

押出成形工程のライン内にて、切断面にバリなどが発生することなく、竪樋などの押出成形品を切断することができる切断方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a lead frame and a manufacturing apparatus in which a metal flash generated at punching can be removed without deforming or damaging a lead itself.例文帳に追加

リード自体を変形させたり傷付けたりすることなく、打ち抜き加工時に発生した金属バリを除去することができるリードフレームの製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for drilling a hole in a pipe which can avoid the collapse of a hole drilling part, does not generate burrs and flash and chip and, in addition, can shorten the drilling time.例文帳に追加

穴加工部分を潰すことがなく、バリやカエリおよび切屑を発生させることもなく、しかも加工時間を短縮することが可能なパイプの穴あけ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device, which use a phase change memory available as a replacement of a NAND flash memory connected to a buffer, such as a static random access memory and/or a random access memory.例文帳に追加

相変化メモリは、例えば、スタティックランダムアクセスメモリ及び／又はランダムアクセスメモリのようなバッファと結合したＮＡＮＤフラッシュメモリを置き換えるために用いられることが可能である。 - 特許庁

To provide a device for improving a cell distribution characteristic by correcting a cell voltage when a cell voltage sifting phenomenon of a flash memory element is generated, and to provide a method of improving the characteristic of the cell.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のセル電圧シフト現象が発生したとき、セル電圧を補正することでセル分布特性を向上させる装置とそのセル特性改善方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element effective to suppress the occurrence of active attack in an etching process upon formation of a gate for example by suppressing an EFH change of an element separation film.例文帳に追加

素子分離膜のEFH変化を抑えることで、たとえばゲート形成時のエッチング工程でアクティブアタックが発生するのを抑えるのに有効なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the resistance of source wiring and gate wiring from being increased, related to a method for manufacturing a semiconductor storage device such as a flash memory using a self-align source structure.例文帳に追加

セルフアラインソース構造を用いたフラッシュメモリ等の半導体記憶装置の製造方法において、ソース配線及びゲート配線の高抵抗化を防止した製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical element without impairing containability or mountability even when a cutout, flash, burr or the like is generated on an outer periphery of the optical element and the optical element.例文帳に追加

光学素子の外周部に欠け、バリ、カエリ等が生じることがあっても、収納性や取付性を損なうことがない光学素子の製造方法及び光学素子を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory device in which difference of threshold value voltage between cells of the same word line caused by separation distance to a row selecting circuit is decreased, and also to provide a method for programming the same.例文帳に追加

行選択回路との離隔距離によって生ずる同一のワードラインのセル間のしきい値電圧差を減らすことができるフラッシュメモリ装置およびそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁