| 意味 | 例文 |
flash methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1614件
To provide a manufacturing method for a flash discharge tube by which high pressure discharge gas can be enclosed in a simple way without mixing of cooling medium as impure gas.例文帳に追加
冷媒が不純ガスとなって混入することなく、また、簡単な方法で高圧の放電ガスを封入することができる閃光放電管の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a memory management method and apparatus capable of avoiding a state where writing of data to a flash memory is disabled, and of continuously writing data at high speed.例文帳に追加
フラッシュメモリに対するデータの書き込み不能状態を回避し、データを高速かつ連続して書き込むことが出来るメモリ管理方法および装置を提供すること。 - 特許庁
To provide an exposure control method and a photographing device, which can excellently photograph a main object and a background even when electronic flash light does not reach the background.例文帳に追加
背景にストロボ光が届かない撮影であっても、主要被写体と背景とを良好に描写することが可能な露出制御方法及び撮影装置を提供する。 - 特許庁
To provide a structure of a semiconductor memory cell as a flash EEPROM and a method for manufacturing it by which its manufacturing step can be eased and the productivity can be improved.例文帳に追加
製造工程を容易にし、生産性を向上することができるフラッシュEEPROMとなる半導体メモリ素子の構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a storage device for writing all data on a data buffer in a flash memory in a short time, a control method thereof and electronic equipment using the storage device.例文帳に追加
データバッファ上の全てのデータを、短い時間でフラッシュメモリに書き込むことが可能な記憶装置、その制御方法及びその記憶装置を用いた電子装置を提供する。 - 特許庁
To provide a write-in/erasion control method for flash memory by which a test time for write-in/erasion can be shortened by eliminating a verification operation at the time of initial eration.例文帳に追加
初期消去時のベリファイ動作をなくし、書き込み・消去動作にかかるテストタイムを短くすることのできるフラッシュメモリの書き込み・消去制御方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for detecting erroneous data of a nonvolatile memory at a low cost and reduced software processing for accurately detecting erroneous data of a FLASH memory or the like.例文帳に追加
低コストでソフト処理も少なく、FLASHメモリ等のデータ化けを精度良く検出することができる不揮発性メモリのデータ化け検出方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a flash device capable of reducing the step of a barrier film for protecting an field oxide film by adjusting the height of a effective oxide film.例文帳に追加
有効フィールド酸化膜の高さを調節することによって、フィールド酸化膜を保護するためのバリア膜の段差を除去できるフラッシュ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a NAND flash memory device capable of improving the resistance of select lines and capable of simplifying a manufacturing process, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
セレクトラインの抵抗を改善すると同時にナンドフラッシュメモリ素子の製造工程を単純化することができるナンドフラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method, a device and a computer-readable code for reading data out of one or more flash memory cells and for restoration from a reading error.例文帳に追加
一つ以上のフラッシュメモリ・セルからデータを読み取るための、そして読み取りエラーから復旧するための、方法、デバイスおよびコンピュータで読み込み可能なコードを提供する。 - 特許庁
To provide a storage apparatus and its control method capable of performing power saving operations while covering the shortcomings of a flash memory having short life and requiring much time for rewriting data.例文帳に追加
寿命が短く、データ書き換えに時間のかかるフラッシュメモリの欠点を補いながら、省電力運転を行い得るストレージ装置及びその制御方法を提案する。 - 特許庁
To provide an integrated circuit device including an unauthorized read/write operation prevention function to data written in a flash memory, and to provide a control method for the same.例文帳に追加
フラッシュメモリーに書き込まれたデータに対して不正リード/ライト動作防止機能を要した集積回路装置及び集積回路装置の制御方法を提供する。 - 特許庁
MEMORY CELL ARRAY STRUCTURE FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY UNIT, THE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY UNIT ACCESS METHOD FOR MEMORY CELL ARRAY OF THE UNIT, NAND FLASH MEMORY UNIT, AND SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
不揮発性半導体メモリ装置のメモリセルアレイ構造、不揮発性半導体メモリ装置、同装置のメモリセルアレイアクセス方法、NANDフラッシュメモリ装置及び半導体メモリ - 特許庁
To provide a manufacturing method of a flash memory element which can prevent a control gate from forming a stringer and secure the electrostatic capacity of an inter-layer dielectric film without causing any loss.例文帳に追加
コントロールゲートのストリンガーの形成を防ぐと共に、層間誘電膜の静電容量を損失無しに確保することのできるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
IMPROVED SPLIT GATE TYPE NON-VOLATILE FLASH MEMORY CELL AND ARRAY WHICH HAVE FLOATING GATE, CONTROL GATE, SELECTION GATE, AND ERASE GATE WITH OVERHANG ON FLOATING GATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING例文帳に追加
浮遊ゲート、制御ゲート、選択ゲート、及び浮遊ゲートの上にオーバーハングをもつ消去ゲートを有する、改善されたスプリット・ゲート型不揮発性フラッシュメモリ・セル、アレイ、及び製造方法 - 特許庁
The method for manufacturing a flash memory device comprises defining a plurality of parallel active regions, by forming element isolation films in a semiconductor substrate in an embodiment.例文帳に追加
本発明のフラッシュメモリ素子の製造方法は、一実施形態で、半導体基板内に素子分離膜を形成して複数の平行な活性領域を限定することを具備する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a flash memory and a transistor in which the concentration gradient of dopant at a joint part is gentle in a source region while steep in a drain region.例文帳に追加
接合部におけるドーパントの濃度勾配が、ソース領域では緩やかでドレイン領域では急峻なトランジスタ及びフラッシュメモリの製造方法を提供すること。 - 特許庁
The data recovery apparatus and method used for the flash memory guarantees recovery of data by power interruption during consecutive performance of operations to one or more pieces of data.例文帳に追加
一つ以上のデータに対する連続的な演算実行中に電源遮断によるデータの復旧を保証できるフラッシュメモリのデータ復旧装置及び方法。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing the dielectric film of a flash memory element to form the dielectric film being excellent in charge retention property and uniform and having a thin thickness.例文帳に追加
電荷保持特性に優れ且つ均一で薄い厚さを有する誘電体膜を形成するためのフラッシュメモリ素子の誘電体膜製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a porous product having a complicated shape in large quantities without generating flash by making it possible to continuously supply HIPE into a plurality of mold bodies.例文帳に追加
連続的に複数の型体内へHIPEを供給でき、複雑な形状の多孔質製品を大量にバリ発生なく製造する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for erasing a flash memory device, which can improve a margin for sensing of a program cell of a selected memory block.例文帳に追加
本発明は、選択メモリブロックのプログラムセルのセンシングマージンを改善することができる揮発性メモリ素子の消去方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁
To provide a page buffer and a verifying method of flash memory device using the same in which program-verifying and erase-verifying can be performed using only a main latch.例文帳に追加
メインラッチのみを用いてプログラム検証および消去検証を行うことが可能なページバッファおよびこれを用いたフラッシュメモリ素子の検証方法を提供。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a NAND flash memory element which can reduce the aspect ratio of the drain contact hole while reducing the resistance of a common source line.例文帳に追加
共通ソースラインの抵抗を減少させながら、ドレインコンタクトホールのアスペクト比を減少させることが可能なNANDフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a position detecting system, a game system and a method for controlling the position detecting system for enabling a user to freely grip a pointing device for play, and for preventing the generation of any flicker due to flash.例文帳に追加
ポインティングデバイスを自由に手に持ってプレイでき、少ない演算付加でポインティングデバイスの画面に対するポイント位置や回転や傾き等が検出すること。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a flash memory which can form cell regions and peripheral circuit regions by differentiating their trench depths at a shallow trench isolation process time of the memory.例文帳に追加
フラッシュメモリのSTI工程時にセル領域と周辺回路領域のトレンチ深さを異ならせて形成することが可能なフラッシュメモリの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for forming a flash memory in which not only CD control is easy, Moat Pit is prevented in floating-gate etching, but also the size of a device is reduced.例文帳に追加
CD制御が容易で、フローティングゲートエッチング時にモトピッを防止するだけではなく、デバイスの大きさを小さくすることができるフラッシュメモリの形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a flash memory that increases program efficiency by increasing a contact surface area of a floating gate and a control gate to increase a coupling ratio.例文帳に追加
フローティングゲートとコントロールゲートの接触面を増加させて、カップルリング比を増加させることで、プログラム効率を増加させるフラッシュメモリーの製造方法を提供する。 - 特許庁
To shorten a data write operation time, in a NAND type flash memory adopting a write method which needs two data write operations.例文帳に追加
本発明は、2回のデータ書き込み動作が必要な書き込み方式を採用するNAND型フラッシュメモリにおいて、データ書き込み動作時間を短縮できるようにする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a worm wheel capable of reducing flash and reducing man-hours and costs because a molding tool of complicate constitution is not required.例文帳に追加
バリ発生を低減すると共に複雑な構成の成形型を必要としないので工数およびコストを低減できるウォームホイールの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a flash memory device and a test method in which a test time and a test cost can be reduced and a redundant memory cell can be tested, without requiring the other circuit.例文帳に追加
別途の回路を不要にして、かつテスト時間とテストコストを削減してリダンダントメモリセルをテストすることができるフラッシュメモリ装置およびテスト方法を提供すること。 - 特許庁
The method includes a step of irradiating the ink 144 disposed on a first surface of a porous substrate 140 with radiation 122 emitted by at least one flash lamp.例文帳に追加
多孔質下地140の第1の面に付着させたインク144を少なくとも1個の閃光灯が照射する照射線122を用いて照射する工程を含む。 - 特許庁
The method activates removable or portable media devices (or accounts associated therewith), such as flash drives, USB drives, external hard drives, thumb drives, memory cards of various formats.例文帳に追加
フラッシュドライブ、USBドライブ、外部ハードドライブ、サムドライブ、さまざまなフォーマットのメモリカード、のような、リムーバブル、またはポータブル媒体デバイス(またはそれらと関係するアカウント)を起動させる。 - 特許庁
1. Among lighting systems which use the strobo method, in which energy per flash exceeds 300 joules, those that are capable of emitting light in excess of five times per second 例文帳に追加
(一) ストロボ法を用いたものであって、一回のフラッシュ当たりのエネルギーが三〇〇ジュールを超えるもののうち、一秒間に五回を超えて発光することができるもの - 日本法令外国語訳データベースシステム
To provide a laser welding structure and a laser welding method that prevent weld flash produced during welding from entering the interior of a groove from a weld portion.例文帳に追加
溶着時に発生する溶着バリが溶着部から凹溝の内部に侵入することを防止することができるレーザ溶着構造及びレーザ溶着方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a battery which can prevent generation of weld flash at time of sheet-cutting in cutting an electrode sheet (cathode sheet or anode sheet).例文帳に追加
電極シート(正極シート又は負極シート)を切断するにあたって、シート切断時における縦バリの発生を防止可能な電池の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method of operating the flash memory device is one that devices are selectively programmed by using a channel hot electron injection and devices are erased by Fowler-Nordheim tunneling and hot hole injection.例文帳に追加
チャンネルホット電子注入を利用して素子を選択的にプログラムし、ファウラー・ノルドハイム・トンネリング及びホットホールの注入によって素子をイレースする動作方法である。 - 特許庁
To provide a system or method for sealing a semiconductor device having a semiconductor molding chamber that prevents flash material from being accumulated along the backside of a semiconductor wafer.例文帳に追加
半導体ウェハの背面に沿って発生するフラッシュの蓄積を防止した半導体モールディングチャンバーを有する半導体装置の封止システム及び封止方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a flash memory device which can prevent oxidation on a tungsten hard mask film and reduce a bit line capacitance to improve bit line speed.例文帳に追加
タングステンハードマスク膜の酸化を防止することができるとともに、ビットラインキャパシタンスを減らしてビットラインスピードを向上させることができる、フラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁
To provide an AGC circuit and its signal level control method which does not flash the screen brightness even with the addition of information signals peculiar to a cable television station.例文帳に追加
ケーブルテレビ局の独自の情報信号の付加があっても画面の明るさがフラッシングしないAGC回路およびその入力信号レベル制御方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method capable of performing stable and continuous operation and also capable of efficiently condensing volatile components from a polymer solution in subjecting the polymer solution to flash concentration.例文帳に追加
ポリマー溶液をフラッシュ濃縮するに際し、安定して連続運転可能でかつ、ポリマーの溶液から揮発成分を効率的に濃縮できる方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a shock absorber capable of drastically reducing a flash of the shock absorber of a robot arm comprising a skeleton frame and a facing and capable of manufacturing the shock absorber inexpensively.例文帳に追加
骨格フレームと表皮からなるロボットアームの衝撃吸収装置のバリを大幅に低減すると共に、安価に製造できる製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a double junction region of a NAND flash memory device which stably operates with high-voltage bias and a forming method for transfer transistor using it.例文帳に追加
高電圧バイアスに安定的に動作するNAND型フラッシュメモリ素子の二重接合領域及びこれを用いた転送トランジスタの形成方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a contact arrangement that can lower the resistance of a selective transistor line and a source line in a NAND type flash memory array, and its manufacturing method.例文帳に追加
NAND型フラッシュメモリアレイにおいて、選択トランジスタ線及びソース線の低抵抗化をはかることのできる接触機構及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a split gate flash memory cell equipped with a peak floating gate that is improved in coupling ratio between the peak floating gate and a control gate, and to provide a method of manufacturing the memory cell.例文帳に追加
ピークフローティングゲートと制御ゲートとの間の結合比を向上させたピークフローティングゲートを備えるスプリットゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit device and a memory control method to reliably continue operation with degradation of a function even if a flash memory fails.例文帳に追加
フラッシュメモリに不良が発生しても機能を縮退させながら確実に動作を継続する半導体集積回路装置およびメモリ制御方法を提供する。 - 特許庁
To provide a dummy layer of a semiconductor device for minimizing microfloating effect in a logic region when manufacturing a split-gate flash memory device, and also to provide a method for manufacturing the dummy layer of the semiconductor device.例文帳に追加
スプリットゲートフラッシュメモリ素子の製造時におけるロジック領域のマイクロローディング効果を最小にする半導体素子のダミー層及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
In an imaging device that widens a dynamic range by synthesizing signals from two kinds of exposure time variable pixels, a driving method and an image signal processing method of the imaging device according to an imaging method of dynamic range preferential driving are switched in accordance with presence/absence of flash.例文帳に追加
2種類の露光時間が可変な画素の信号を合成してダイナミックレンジを広げる撮像素子において、フラッシュの有無に応じて、ダイナミックレンジ優先駆動の撮像方法の撮像素子の駆動方法及び画像信号処理方法を切り替える。 - 特許庁
The manufacturing method of the flash memory retains the environmental atmosphere of the semiconductor substrate before forming the quantum dot clean by an organic gaseous substance removing means, in the manufacturing method of the flash memory which forms an insulating film on the semiconductor substrate and forms the quantum dot on the insulating film as the floating gate.例文帳に追加
本発明のフラッシュメモリの製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に量子ドットをフローティングゲートとして形成するフラッシュメモリの製造方法において、前記量子ドット形成前までの前記半導体基板の環境雰囲気を、有機ガス状物質除去手段にて清浄に保つことを特徴とする。 - 特許庁
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| ※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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