「gate-post」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Each of the first access transistor and the first transistor includes a semiconductor post which is formed on a substrate and extends vertically to the substrate surface, a gate electrode which is so formed as to enclose the semiconductor post in the direction parallel to the substrate surface, to form a channel region at the semiconductor post, and a source and drain connected respectively to a lower end or upper end of the semiconductor post.例文帳に追加

前記第１アクセストランジスタ及び前記第１トランジスタのそれぞれは、基板上に形成され、前記基板面に対して垂直に延びる半導体柱と、前記半導体柱を前記基板面に平行な方向で取り囲むように形成され、前記半導体柱にチャネル領域を形成させる、ゲート電極と、前記半導体柱の下端部又は上端部にそれぞれ接続されるソース及びドレインとを備える。 - 特許庁

At the foot of Kasho, a government post and name of officer at a checking station who conducted checking, and date of checking when Enchin passed through Tong Gate were described, and the autograph (Kao (written seal mark)) which was a signature of government official was affixed there. 例文帳に追加

また、末尾には、円珍が潼関を通行した際に、確認した関吏の官職・氏名・年月日が記されており、そこには、官吏のサインである自署（花押）が記される。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To manufacture two types of shrunk MOS transistors having gate post-oxide films of different thicknesses by a Levenson method using a Trim mask and an Alt mask.例文帳に追加

本発明は、レベンソン法によるＴｒｉｍマスク、Ａｌｔマスクを用いて異なる膜厚のゲート後酸化膜を持つ微細な２種類のＭＯＳトランジスタを形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a p-type semiconductor element with which the surface of a polysilicon layer can be oxidized selectively and, in addition, can suppress the threshold voltage fluctuation of a semiconductor element caused by post-oxidation as much as possible, when the post- oxidation is performed on a gate electrode having a polymetal structure.例文帳に追加

ポリメタル構造を有するゲート電極に対する後酸化を行うとき、ポリシリコン層の表面を選択的に酸化することができ、しかも、後酸化に起因した半導体素子の閾値電圧の変動を出来る限り抑制し得るｐ形半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a disc gate type molding machine constituted so as to cut a disc gate part in a mold 10 and capable of molding a molded product of high precision without bringing about the rise in the production cost caused by gate cutting in post-processing, for example, when the molded product such as a gear or a bearing is molded using a resin material compounded with reinforcing fibers.例文帳に追加

ディスクゲート式の成形装置において、成形型１０内でディスクゲート部分をカットできるようにし、もって、例えば、強化繊維が配合されてなる樹脂材料を用いて歯車や軸受などの成形品を成形する場合に、後加工でのゲートカットに起因する製造コストの上昇を招くことなく、精度の高い成形品を成形できるようにする。 - 特許庁

To provide a sliding gate door which is capable of suppressing the oscillation of a door body around a guide rail and the vibration at a door body stop end around a guide post, and smoothly performing the opening/closing operation of the door body.例文帳に追加

ガイドレールを中心とした扉体の揺動と、ガイド柱を中心とした扉体戸当り端における振れを抑え、扉体の開閉操作を円滑に行い得る引戸門扉を提供する。 - 特許庁

There are provided a CIS element in which an active pixel sensor comprises a non-flat surface transistor having a perpendicular gate electrode and a channel and effects of post-image and a dark current are minimized, and the method of manufacturing the same.例文帳に追加

アクティブピクセルセンサが垂直ゲート電極及びチャンネルを有する非平面トランジスタで構成され、残像及び暗電流の効果が最小化されたＣＩＳ素子及びその製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein, at post-oxidation for improved characteristics and reliability, a metal layer constituting a gate electrode is prevented from being oxidized while the fluctuation in threshold voltage is suppressed.例文帳に追加

特性や信頼性の向上を目的とした後酸化を行うとき、ゲート電極を構成する金属層の酸化を防止でき、しかも、閾値電圧の変動を抑制し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a burr part removing and post-processing method constituted so as not to complicate a mold structure, not to require two processes, that are, a demagnetizing process and a magnetizing process and to prevent the re-adhesion of gate shaving refuse to a resin magnet molded product.例文帳に追加

金型構造を複雑にすることなく、脱磁工程と着磁工程の２つの工程を必要としない、バリの削り屑がマグネットローラ本体部に付着しないような、バリ部除去・後加工方法を提供すること - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device to form a versatile high-K gate insulating film, where formation of an interface SiO2 is surely suppressed with no additional failure accompanied while no re- growth of SiO2 is caused even in post processes including formation of a gate insulating film.例文帳に追加

付加的に生じる不具合を何等伴なうことなく界面ＳｉＯ_2形成を確実に抑止することができるとともに、ゲート絶縁膜形成以降の後工程においてもＳｉＯ_2の再成長を起こさない、汎用性の高いＨｉｇｈ−Ｋゲート絶縁膜を形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

If the injection molding is carried out in this way, post-processing for removing the gate part of a molding is made unnecessary, the reduction of production costs caused by the decrease of a man-day can be achieved, so that the improvement of an acceptable product ratio can be achieved without the generation of chipping and without leaving the rising of the trace of the gate part.例文帳に追加

このようにして射出成形すれば、成形体のゲート部分を除去するための後加工が不要であり、工数の減少による製造コストの低減を図ることができ、また、チッピングの発生やゲート部分の痕の盛り上がりが残ることもなく、良品率の向上を図ることができる、 - 特許庁

An electrode protective film covering the side face of a high melting point silicide film or a high melting point metal film, forming a part of a gate electrode, is formed prior to formation of a post oxide film.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置及びその製造方法は、ゲート電極の一部を形成している高融点シリサイド膜又は高融点金属膜の側面を被覆する電極保護膜を、後酸化膜形成前に形成するものである。 - 特許庁

By selectively depositing in the region of a gate electrode that is respectively provided in a set of a semiconductor, an insulator and a conductor and a set of source/drain electrodes and formed in the post-process, an array of a thin film transistor is formed.例文帳に追加

そして、半導体、絶縁体及び導電体、ソース及びドレイン電極の組にそれぞれ設けられ後の工程で形成されるゲート電極の領域に選択的に蒸着することによって、薄膜トランジスタのアレイを形成する。 - 特許庁

To eliminate the clogging of a gate due to stopping of an injection molding machine when the trouble of a post-process occurs, to increase a material yield by reducing the trial run of the injection molding machine, and to improve productivity by suppressing running costs.例文帳に追加

後工程のトラブル発生時に、射出成形機の停止によるゲート詰まりを解消し、射出成形機の捨て打ち量を削減して材料歩留りを向上させ、ランニングコストの抑制を図って生産性を向上させる。 - 特許庁

To improve quality by improving the moldability of an exterior finish body, which is of an elastic material, by eliminating the post-treatment of a gate trace and to provide the exterior finish body which reduces product costs and improves appearance.例文帳に追加

ゲート跡の後処理を不要にすることで弾性材料である軸用外装体の成形加工性を高めて品質を向上し、製品コストの削減と外観の体裁を良好ならしめる軸用外装体を提供する。 - 特許庁

Each support post 10A, 10B has a base part 50 fixed to the flap 2 by being tightened across the end edges of the gate 2 by a clamp structure and a columnar part 40 detachably supported by the base part 50.例文帳に追加

支柱１０Ａ，１０Ｂの各々は、クランプ構造により煽２の端縁を跨いで締め付けることにより煽２に固定される台座部５０と、この台座部５０に着脱可能に支持された柱状部４０とを有している。 - 特許庁

An inversion gate 71 is disposed on a periphery of a curved section 69 in a sheet primary transportation path 45 provided on the downstream side of the post-fixing roller pair 80 in a sheet transportation direction, and can be freely swung through the abutment force of a sheet being transported therein.例文帳に追加

反転ゲート７１は、用紙搬送方向において定着後ローラ対８０の下流側に設けられた用紙主搬送路４５の湾曲部６９の外周部に配置され、用紙搬送時の用紙の当接力によって揺動自在である。 - 特許庁

A guide plate 7 functioning as a guide for a wheelchair user to pass through and, at the same time, functioning as a guard preventing the changeover of a handle of a motor bicycle is provided between round parts of heads 2c of two P-shape post members 2 in each of the gate posts 1.例文帳に追加

各ゲート支柱１の２本のＰ型支柱部材２の頭部２ｃアール部分の間には、車椅子利用者の通過のためのガイドとして機能するとともに、バイクのハンドル切り替えを阻止するガードとして機能するガイド板７を設ける。 - 特許庁

However, a small amount of current from current sources 111, 112 is always supplied to the transmission gate circuits 104, 106 in a way that post-stage latch circuits 108, 110 are not operable even for a period when the TRs Q3, Q6 are turned off.例文帳に追加

しかし電流源Ｉ１１、Ｉ１２による弱い電流が伝送ゲート回路１０４、１０６に常時供給されているため、トランジスターＱ３、Ｑ６がオフの期間でも後段のラッチ回路１０８、１１０を駆動しない程度に動作する。 - 特許庁

A projected part, which can be simply and smoothly removed in a post process, is formed to a spherical body demolded by forming a chamfering surface 8 to the crossing part of the semispherical inner contour surface 4 of the upper mold 2 of the mold 1 and a pouring gate 7.例文帳に追加

成形型１の上型２の半球状の内輪郭面４と湯口７との交差部に面取り面８を形成することにより脱型された球体には後工程で簡単で、かつ円滑に除去可能な突起部が形成される。 - 特許庁

To provide a mailbox post having an effective reduced depth, and further configured to eliminate an inward projection, or reduce the projection amount, or add other functional units, when being buried in a gate or a wall.例文帳に追加

奥行き寸法を小さくするのに効果的で門塀等に埋設した場合には、内側への突出を無くしたり、その突出量を小さく抑えることができ、他の機能ユニットを付加することも可能な郵便受けポストの提供を目的とする。 - 特許庁

In a post-correction period which is a period after each threshold correction operation period in the plurality of times, an intermediate voltage V2 is supplied to the driving transistor, and thereby a coupling is inserted through a parasitic capacity between the gate and the source of the driving transistor to cut off the driving transistor.例文帳に追加

この複数回のそれぞれの閾値補正動作期間の後の期間となる補正後期間において、駆動トランジスタへ中間電圧Ｖ２を供給することで、駆動トランジスタのゲート−ドレイン間の寄生容量を介してカップリングを入れ、駆動トランジスタをカットオフさせる。 - 特許庁

Consequently, the 1×N type SOA unit 14 operates as a high speed gate switch, and each time slot of the uplink signal light is amplified with a gain corresponding to the source ONU through combination with a post-stage optical attenuator thus compensating for optical power deviation between time slots.例文帳に追加

これにより、１×Ｎ型ＳＯＡユニット１４が高速ゲートスイッチとして動作し、後段の光減衰器との組み合わせにより、上り信号光の各タイムスロットが送信元のＯＮＵに対応した利得で増幅され、タイムスロット間の光パワー偏差が補償される。 - 特許庁

To provide an automatic ticket gate shortening a conveying distance of tickets after release of retention as to all the retained tickets for reducing a time required for post-processing after determination of permission of passage for improvement in ticket checking efficiency.例文帳に追加

保留している全ての乗車券類について、保留解除後における乗車券類の搬送距離を短くすることで、通行可否の判定後に行う後処理に要する時間を短縮し、改札効率を向上させた自動改札機を提供する。 - 特許庁

Excellent transistor characteristics are exhibited by using a gate insulator film obtained by post-baking a curable composition containing, as essential components, (A) a compound having an alkenyl group, (B) a compound having an SiH group, and (C) a hydrosilylated catalyst under low temperature conditions.例文帳に追加

必須成分として（Ａ）アルケニル基を有する化合物、（Ｂ）ＳｉＨ基を有する化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒を含有する硬化性組成物を低温条件下によるポストベイクしたゲート絶縁膜を用いることにより、良好なトランジスタ特性が発現する。 - 特許庁

To achieve an Fin structure having excellent shape in executing a post-process such as gate processing by maintaining a side etching quantity of a pad oxide film to the minimum without causing retraction of side surfaces of a hard mask or damage of the side surfaces in manufacture of a Bulk Fin structure.例文帳に追加

Ｂｕｌｋ Ｆｉｎ構造の製造に於いて、ハードマスクの側面の後退・破損を発生させること無く、パッド酸化膜のサイドエッチ量を最小限度にとどめて、ゲート加工等の後工程を行うに際して良好な形状を有するＦｉｎ構造を実現する。 - 特許庁

Since a film gate part 41 formed on the entire rim of the disk part 53 is formed from a lower mold 51 and the upper mold 52, an advantage is obtained that the strength of the coating member 40 can be made uniform by taking out the resin-coated bearing from both molds 51 and 52 and cutting the runner 42 of the disk space part 53 in post processing.例文帳に追加

また、ディスク部５３の全周縁に形成されるフィルムゲート部４１が下型５１と上型５２とから形成されているので、両型５１，５２から樹脂被覆ベアリングを取り出してディスク空間部５３のランナー４２を切断処理するだけの後加工で済むという利点がある。 - 特許庁

Chodai-gamae consists of the four fusuma paintings on gold foil background, being set in a threshold which is one step higher than tatami, a kamoi (a generic term for a head jamb, normally having tracks for sliding doors or partitions) which is one step lower than nageshi and three hotate (a thin board or narrow post set on each side of a door or gate to provide a neat finish), and the central two fusuma-e paintings are pulled apart to the right and left, while the outside two paintings are fixed. 例文帳に追加

帳台構えは、敷居を畳より一段上げ、鴨居を長押より一段低く設け、三本の方立（ほたて）をたて四枚の金碧画の襖絵を入れ、中央の二枚は左右に引き分け外側の二枚は嵌め殺しとなっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

At the phase open of a gate, an output voltage signal Vout1 to be reduced in each half cycle period outputted from the circuit 1 is converted into an output voltage signal Vout2 having a level lower than the reference level (a) of the comparator 2 connected on the post stage over the whole period through the smoothing circuit and a non-inverted amplifier circuit.例文帳に追加

ゲート欠相時においては、絶対値回路１から出力された半サイクル周期毎に低下する出力電圧信号Ｖout １が、平滑回路及び非反転増幅回路により、全周期に亘って後段の比較回路２の基準レベルａよりも低いレベルの出力電圧信号Ｖout ２に変換される。 - 特許庁

The post spacers on the black matrix are disposed at both sides of the horizontal or longitudinal lines at the intersections of the horizontal lines with the longitudinal lines of the black matrix, and are disposed at both sides of the data scanning lines at the intersections of the gate scanning lines with the data scanning lines after a color filter substrate is disposed opposite a thin film transistor array substrate.例文帳に追加

ブラックマトリクスにおける柱状スペーサは、ブラックマトリクス上の横方向ラインと縦方向ラインの交差位置であって、横方向ライン又は縦方向ラインの両側に位置し、カラーフィルタ基板を薄膜トランジスタアレイ基板と対向して配置した後、柱状スペーサは、ゲート走査ラインのデータ走査ラインとの交差位置であって、データ走査ラインの両側にも位置する。 - 特許庁