「half etching」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The half-width of an etching profile of an active-species gas is set to one wavelength (a) and moreover set in the range of half-wavelength (a) or smaller of nanotography.例文帳に追加

活性種ガスのエッチングプロファイルの半値幅は、ナノトポグラフィの波長ａ以下、且つ、その２分の１以上の範囲とする。 - 特許庁

The degree of etching permeation in the half-etching region 12 becomes shallower from the porous region side end part, gradually toward he outside in the long edge member direction.例文帳に追加

ハーフエッチング領域12のエッチング浸度は有孔領域側端部から長辺方向外側へ向かって徐々に浅くなっている。 - 特許庁

The second resist film 25 on the rear surface side is removed for half-etching, and a recess 29 that has been half-etched is injected with a resin 19.例文帳に追加

裏面側の第２のレジスト膜２５を除去してハーフエッチングを行い、ハーフエッチングされた窪み部２９に樹脂１９を注入する。 - 特許庁

In the process of forming the concave portions, etching is conducted, in such a manner that deposition is suppressed by making the etch rate of the substrate from half to twice the etching rate of the mask in a final stage of etching and then etching is finished.例文帳に追加

凹部を形成する工程においては、少なくとも最後に基板のエッチング速度をマスクのエッチング速度の半分〜２倍とすることによりデポジションを抑制しながらエッチングを行ったところでエッチングを終了する。 - 特許庁

In the process of forming the concave portions, etching is conducted, in such a manner that deposition is suppressed by making the etch rate of the substrate from half to twice the etching rate of the mask in a final stage of etching and then etching is finished.例文帳に追加

凹部を形成する工程においては、少なくとも最後に基板のエッチング速度をマスクのエッチング速度の半分〜２倍とすることによりデポジションを抑制しながらエッチングを行ったところでエッチングを終了する。 - 特許庁

A lead frame 18 is prepared that has recessed portions 17' formed by half-etching on the top surfaces of leads 11.例文帳に追加

リード１１の上面にハーフエッチにより凹部１７´が形成されたリードフレーム１８を準備する。 - 特許庁

To provide copper or copper alloy foil capable of obtaining a smooth surface when being subjected to half etching.例文帳に追加

ハーフエッチングを施した時に平滑な表面が得られる銅又は銅合金箔を提供する。 - 特許庁

Etching is performed as far as half way of the p-Ga_1-z1Al_z1N clad layer 15, and a ridge part is formed.例文帳に追加

ｐ−Ｇａ_１−ｚ１Ａｌ_ｚ１Ｎクラッド層１５の途中までエッチングを行い、リッジ部を形成する。 - 特許庁

When the irradiation light transmitted through the etching pattern layer passes through the transparent layer and reaches the half-mirror part, a portion of the light is transmitted through the half-mirror part and exit from the front.例文帳に追加

エッチングパターン層を透過した照射光は、透明層を通りハーフミラー部に到達したとき、一部がハーフミラー部を透過して前面から出て行く。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR DRY ETCHING OF HALF-TONE PHASE SHIFTED FILM, HALF-TONE PHASE SHIFTED PHOTOMASK AND MANUFACTURE THEREOF, AND SEMICONDUCTOR CIRCUIT AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

ハーフトーン位相シフト膜のドライエッチング方法および装置、ハーフトーン位相シフトフォトマスクおよびその作製方法、ならびに半導体回路およびその製作方法 - 特許庁

The notches 12 are formed in an etching process for forming the patterns 11 (half etching), which eliminates the need for another process for forming the notches.例文帳に追加

また、切り欠き１２は、パターン１１を形成するためのエッチング工程（ハーフエッチング）で形成されたものであるので、切り欠きを形成するための別工程が不要となる。 - 特許庁

A dry etching system (MERIE system) allows dry etching to a chromic half-tone phase shift film.例文帳に追加

金属薄膜のドライエッチング加工において、エッチングガスとして、酸素含有ガスとハロゲン含有ガスとからなる反応性イオンエッチングガスにさらに還元性のガスを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁

In this aperture grill, the both ends of holes 2 in which an electron beam is passed through are made by half-etching in order to disperse its tension at the both ends.例文帳に追加

電子ビーム透過孔２の両端部が張力分散のためのハーフエッチングが施された両端部であること。 - 特許庁

When a material having a thickness of about 150 μm is used as a substrate 2, after a half-etching portion 3 is subjected to a laser processing, the substrate 2 is turned over, and laser is irradiated from the side opposite to the side used in a half etching processing so as to form through holes 4.例文帳に追加

基材２として、１５０μｍ程度の厚みのものを用いる場合には、ハーフエッチング部３をレーザー加工した後、基材２を裏返してから、ハーフエッチング加工のときとは反対面側からレーザー照射して貫通孔４を形成する。 - 特許庁

Thereafter, the residual half of the HTO film 109 is subjected to wet etching for seven minutes and 40 seconds using a BHF 63U kept at 23°C to have a taper angle of 26° in a second etching process.例文帳に追加

その後、残り半分のＨＴＯ膜１０９を、テーパー角度が２６°となる２３℃のＢＨＦ６３Ｕで７分４０秒ウエットエッチングする第２のエッチング工程を実施する。 - 特許庁

The formation of the part 16 to be sealed with resin is performed by etching processing or press working, and the formation of an exposed part 18 in the lower half of the terminal 13 is performed by etching processing.例文帳に追加

この樹脂封止される部分１６の形成はエッチング加工又はプレス加工によって行われ、端子１３の下半分の露出部分１８の形成はエッチング加工によって行われる。 - 特許庁

To improve the taper shape or the phase difference accuracy of a mask pattern after dry etching working by controlling the etching rate of each layer of a multilayer half tone blanks.例文帳に追加

多層膜ハーフトーンブランクスの各層のエッチングレートを制御することで、ドライエッチング加工後のマスクパターンのテーパー形状の改善や位相差精度の向上を図ることを目的とする。 - 特許庁

A pit 90 having a recess formed by half-etching is provided in the connection part 81 of the conductive plate member 31.例文帳に追加

導電性プレート部材３１の接続部８１には、ハーフエッチングによって形成された凹部からなるピット９０が設けられている。 - 特許庁

The through hole is formed by reverse-surface polishing, using back grind, on a recess formed by half-etching on the scribe line of a semiconductor substrate.例文帳に追加

そしてスルーホールは半導体基板のスクライブライン上をハーフエッチングした凹部を、バックグラインドを用いて裏面研磨することで形成する。 - 特許庁

Then, a half etching process of thinning the conductive metal film 32 corresponding to a part forming the interdigital electrode of an IDT is performed.例文帳に追加

次に、ＩＤＴのすだれ状電極を形成する部分に対応した導電性金属膜３２を薄くするハーフエッチング工程をする。 - 特許庁

To provide a copper alloy material for an electric/electronic component having high strength and high conductivity and capable of securing a uniform etching property even in half etching, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

高強度と高導電性を有するとともに、ハーフエッチング時においても、均一なエッチング性を確保することを可能とした電気・電子部品用銅合金材、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A cylindrical through hole is formed by giving an isotropic half etching treatment in a previous stage and an anisotropic full etching treatment in a latter stage to the nozzle substrate 11 in forming the nozzle hole 16.例文帳に追加

ノズル孔１６の形成に際してはノズル基材１１に、前段で等方性ハーフエッチングを、後段では異方性フルエッチングをそれぞれ施すことにより、円筒状の貫通孔を形成する。 - 特許庁

An area which is part of a chip mounting surface S except a region where a lead 103 is formed, is half-etched by first etching to be thinned.例文帳に追加

チップ実装面Ｓの一部であってリード１０３が形成される領域を除く部分を第１のエッチングでハーフエッチングして薄肉化する。 - 特許庁

First masking films 16 are formed on a metal plate 11, and then the metal plate 11 is subjected to half etching for the formation of nearly conical metal bumps 11B.例文帳に追加

金属板１１上に第１のマスキング１６を形成してハーフエッチングを施して略円錐形の金属バンプ１１Ｂを形成する。 - 特許庁

First masking films 20 are formed on a metal plate 11, and then the metal plate 11 is subjected to half etching for the formation of nearly conical metal bumps 11B.例文帳に追加

金属板１１上に第１のマスキング２０を形成してハーフエッチングを施して略円錐形の金属バンプ１１Ｂを形成する。 - 特許庁

A conduction hole 4 is formed using a double surface copper-clad plate with the aid of a punch and a mold, and an insulating base member 2 including an exposed end of the conduction hole 4 produced upon half etching after processing of the hole 4 is removed by making use of laser processing, plasma etching, and wet etching.例文帳に追加

両面銅張り板を用いて、パンチ、金型で導通用孔４を形成し、この孔４の加工後にハ−フエッチングを行った際に発生する導通用孔４の端部の露出した絶縁べ−ス材２をレ−ザ−加工、プラズマエッチング、ウエットエッチング手法で除去する。 - 特許庁

To suppress generation of color drift in a color cathode-ray tube by preventing warpage generation in the boundary part between the porous region and half-etching region of a stretching shadow mask.例文帳に追加

架張式シャドウマスクの有孔領域とハーフエッチング領域との境界部に発生する反りを防止し、カラー陰極線管の色ずれの発生を抑制する。 - 特許庁

Further, the coating part 502 of a half-finished diode 510 is immersed into etching liquid to apply etch-packing to the coating part 502, thereby forming a projected cathode inside electrode 202.例文帳に追加

次に、仕掛かりダイオード５１０の被覆部５０２をエッチング液に浸漬し、エッチバックすることによって、凸設されたカソード内部電極２０２を形成する。 - 特許庁

There is provided the method for manufacturing the multilayer wiring board in which an electrolysis-filled plating portion of 5 μm or thicker is left in the upper-layer wiring layer by half-etching to form the multilayer wiring layer.例文帳に追加

上層配線層の電解フィルドめっき部を５μｍ以上残すようにハーフエッチングした多層配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Dimple shapes of plural concave portions 42 are formed by half-etching at a skirt part 13b being welded to a frame 14, the portions have smaller area than that of an electrode 23 in power.例文帳に追加

フレーム14と溶接するスカート部13b に、加圧側電極23の端面より面積の小さな複数のディンプル状の凹部42部をハーフエッチングにより形成する。 - 特許庁

Since the obtained flexible wiring board is easily bent at the formed half etching part (18b), bending processing at the necessary position can be extremely easily performed.例文帳に追加

得られたフレキシブル配線基板は、形成されたハーフエッチング部（１８ｂ）で容易に屈曲するため、必要な個所での折曲げ加工がきわめて容易となる - 特許庁

The shape pattern formation region 2 is made thinner than the frame portion 5 by half-etching, while being provided with shapes such as an inner lead 7, an outer lead 8, and a die pad 9 formed by further etching.例文帳に追加

そして、形状パターン形成領域２は、ハーフエッチング加工で枠体部５より薄く形成されていて、そこにはさらにエッチング加工をすることによって、インナーリード７、アウターリード８、ダイパッド９等の形状が形成されている。 - 特許庁

On the other hand, when a material having a thickness of about 75 μm is used, the substrate 2 is irradiated with laser from the same side with the half-etching portion 3 and the through holes 4 at the same time.例文帳に追加

一方、７５μｍ程度の厚みのものを用いる場合には、ハーフエッチング部３、貫通孔４ともに、基材２に対して同一面側からレーザー照射する。 - 特許庁

In this semiconductor device 1, a semiconductor element 14 is placed on a lead frame 10, in which a terminal part 10a is formed by half etching work, and an adhesive tape 12 is provided.例文帳に追加

ボールグリッドアレイ型半導体装置１は、ハーフエッチング加工により端子部１０ａが形成され接着テープ１２が設けられたリードフレーム１０上に半導体素子１４が搭載されている。 - 特許庁

The through hole is formed by polishing the back side of the wafer until a concavity bottom face is disappeared after forming the concavity by half-etching on the scribe line of the wafer.例文帳に追加

前記スルーホールは、前記ウェハの前記スクライブライン上をハーフエッチングして凹部を形成した後その凹部底面が消失するまで前記ウェハを裏面研磨することによって形成する。 - 特許庁

Dry etching is carried out to a second semiconductor layer to a half way using a resist as a mask, and a concave with the second semiconductor layer at the bottom and a waveguide ridge adjacent to the concave are formed.例文帳に追加

レジストをマスクとして第２の半導体層を途中までドライエッチングして、底部に第２の半導体層を残した凹部およびこの凹部に隣接した導波路リッジを形成する。 - 特許庁

It is preferable that the difference between the metal content in the neighbourhood of the inside circumference of the half etching region 6 and the metal content in the neighbourhood of the periphery of the effective hole part 2 is within 10%.例文帳に追加

このとき、ハーフエッチング領域６の内周近傍の金属比率と、有効孔部２の外周近傍の金属比率との差が１０％以内であることが好ましい。 - 特許庁

It is preferable that the plastically deformed portion is a smooth notched portion having a depth deeper than half of a plate thickness along the separating portion, and the portion other than the plastically deformed portion is covered with a coating material, which is insoluble for the etching liquid, to reduce the dissolution of the portions other than the plastically deformed portion in the etching work.例文帳に追加

塑性変形部は、分離部に沿って平滑に板厚の半分以上の深い切込みになっているのが好ましく、また、エッチング加工に際しては、塑性変形部以外の溶解を低減するため、塑性変形部以外をエッチング液に対して不溶性の被覆材で覆うのが好ましい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device tape carrier, a semiconductor device and a semiconductor device tape carrier manufacturing method, which can achieve a flat and uniform etching surface and form a stepped portion having a resist pattern-based shape when forming the stepped portion in a wiring pattern by half etching.例文帳に追加

ハーフエッチングにより配線パターンに段差を形成する際に、平坦で均一なエッチング面を得ることが可能であり、レジストパターンに忠実な形状の段差を形成することが可能な半導体装置用テープキャリア、半導体装置及び半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供する。 - 特許庁

In a wire-bonding jig for placing and supporting a lead frame subject to half etching upon the lead frame and a semiconductor chip placed on the lead frame being wire-bonded, a protruded etched portion supporter is provided at a position corresponding to a concaved half etched portion formed in a lower surface of the lead frame.例文帳に追加

ハーフエッチングを施したリードフレームと、同リードフレーム上に載置した半導体チップとをワイヤボンディングする際に前記リードフレームを載置支持するワイヤボンディング用治具において、リードフレーム下面に形成された凹状のハーフエッチング部に対応する位置に凸状のエッチング部支持体を設けた。 - 特許庁

To provide a method of inexpensively producing etched parts by pasting both sides of a metallic thin sheet with the etched parts having half- etched parts in a multi-face way without connecting them by a bridge, and performing etching working.例文帳に追加

金属薄板の両面にハーフエッチング部を有するエッチング部品をブリッジで連結させずに多面付けしてエッチング加工によって廉価に製造するエッチング部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A chalcogen compound semiconductor film 23 is half etched with an etching gas mixed with Cl_2 and Ar at a specified mix ratio, and then etched with only Ar.例文帳に追加

エッチングガスにＣｌ_２とＡｒを特定の比率で混合したガスを用いて、カルコゲン化合物半導体膜２３を途中までエッチングし、その後、Ａｒのみを用いてカルコゲン化合物半導体膜２３をエッチング処理する。 - 特許庁

In addition, a wiring component having a penetrating conductor that uses the comb tooth part of the thin metal sheet as the penetrating conductor and the thin connecting part as a wiring material is also provided by forming a comb tooth part by clipping out a part of the thin metal sheet by etching and a thin connecting part linked thereto by half etching.例文帳に追加

なお、金属薄板材の一部をエッチングにより切り抜きの櫛歯部分とこれと連結する薄肉の接続部分をハーフエッチングで形成し、金属薄板材の櫛歯部分を貫通導体に、また、肉薄の接続部分を配線材として用いる貫通導体を有する配線部品も提供される。 - 特許庁

A method comprises subjecting a substance 32 made from a transparent glass or a quartz on which surface a metal thin film 33 is formed, and about half surface of which is covered with a mask 34 for etching, and comprises judging a degree of etching by observing an judgment pattern 37 on a test piece 15 after removing the mask 34.例文帳に追加

透明なガラスまたは石英の基体３２の表面に金属薄膜３３を形成するとともに、マスク３４によって基体３２の表面の約半分の領域を覆った状態でエッチングに供し、この後にマスク３４を除去して判定パターン３７を透して見ることによって、テストピース１５でエッチングの度合を知る。 - 特許庁

Since die pads 50 and 51, external electrodes for connection 52, and bridges 53 etc. are subjected to half-etching, and subsequently coated with insulating resin, it is possible to form a single package, without employing connecting members, such as support leads or adhesive tape.例文帳に追加

ダイパッド５０、５１、外部接続電極５２およびブリッヂ５３等は、ハーフエッチングされた後、絶縁性樹脂を被覆するため、支持リードや接着テープ等の連結部材を採用することなく１パッケージが可能となる。 - 特許庁