「i a n」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor photodetector 10 has a pin structure where a p-type semiconductor layer 10b and an n-type semiconductor layer 11c are formed while sandwiching an i layer 10a between them in the lengthwise direction of the gate.例文帳に追加

半導体光検出素子１０は、ゲート長方向においてｉ層１０ａを挟むようにｐ形半導体層１０ｂとｎ形半導体層１１ｃとが形成されたｐｉｎ構造を有する。 - 特許庁

A bridge circuit 3 is provided with a buffer 3a storing input- output information to an MPU 1 and connects the MPU 1 to various external input-output devices (I/O abbreviated below) 2-1 to 2-n.例文帳に追加

ブリッジ回路３は、ＭＰＵ１に対する入出力情報を蓄えるバッファ３ａを備え、ＭＰＵ１と、各種の外部入出力装置（以下Ｉ／Ｏと略す）２−１〜２−ｎとを接続する。 - 特許庁

This sulfur-containing fluoroalkane compound represented by formula (I) [R^1 is a 2 to 6C fluoroalkyl; R^2 is H or a 1 to 4C alkyl; R^3 is a1 to 5C fluoroalkyl; (n) is 1 or 2].例文帳に追加

式（Ｉ）〔式中、Ｒ^1はＣ２−Ｃ６フルオロアルキル基を表し、Ｒ^2は水素原子又はＣ１−Ｃ４アルキル基を表し、Ｒ^3はＣ１−Ｃ５フルオロアルキル基を表し、ｎは１又は２を表す。 - 特許庁

A pair of global data I/O line provided commonly in the whole memory cell array is divided into each region corresponding to each of memory blocks 40-F, 40-N by a switch group SWI.例文帳に追加

メモリセルアレイ４０全体に共通に設けられるグローバルデータＩ／Ｏ線対は、スイッチ群ＳＷＩによって、メモリブロック４０−Ｆ，４０−Ｎのそれぞれと対応する領域ごとに分割される。 - 特許庁

The liquid crystalline polymer comprises ≥50 wt.% of constituent units represented by formula (I) (wherein, R denotes a hydrogen atom or a methyl group; and n denotes an integer of 3-8) and has 20,000-40,000 number-average molecular weight and <2.0 molecular weight distribution (Mw/Mn).例文帳に追加

式（Ｉ）で表される構成単位を５０重量％以上含有し、数平均分子量が２０，０００〜４０，０００で、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）２．０未満である液晶性高分子。 - 特許庁

To prevent the generation of a carrier (electron) movement reduction phenomenon, which is generated due to the diffusion of In atoms, contained in an i-InGaAs channel layer, to the sides of n-AlGaAs carrier supply layers in a field effect transistor (FET).例文帳に追加

電界効果トランジスタにおけるｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層中のＩｎ原子がｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層側へ拡散することによるキャリア（電子）移動度低下の現象を防止する。 - 特許庁

The secret calculation method is applied to a secret calculation system that performs logical calculations of b_i without reconstituting b_i and outputs the logical calculation results using data [b_i] making a bit b_i (i=1, 2, ..., n) secret.例文帳に追加

本発明は、ビットｂ_i（ｉ＝１，２，・・・，ｎ）を秘匿化したデータ［ｂ_i］を入力として、ｂ_iを復元することなくｂ_iの論理演算を行い、論理演算結果を出力する秘密計算システムに適用される。 - 特許庁

The developing solution contains (A) an alkali metallic carbonate, (B) an alkali metallic hydrogencarbonate and a nonionic surfactant of formula I (where R1 is H or methyl and (n) is 4-20).例文帳に追加

（Ａ）アルカリ金属炭酸塩、（Ｂ）アルカリ金属炭酸水素塩及び（Ｃ）下記一般式（Ｉ）で表されるノニオン性界面活性剤を含有してなることを特徴とする感放射線性組成物用現像液。 - 特許庁

When the value i is equal to the value n, the control circuit 32 controls a comparator circuit 38, compares a recorded correlation value inside the storage circuit 36, compares a correlated result and decides a highest value.例文帳に追加

かくして、トレーニングシーケンスのタイミングロケーションの複数の位置がどこに在るかを推定し、受信器は各受信したデータバーストに対し、最高値を有する相関結果を決定し、この最高相関結果に関連するデータバーストを保持する。 - 特許庁

In this case, the layer contains a compound having a structure represented by formula I, wherein M is a metal atom or an organic component, (A) is an organic polymer component, (B) is an organic molecular component, n and m are each an integer of 1 or more, and 1 is an integer of 0 or 1 or more.例文帳に追加

Ｍ（Ａ）ｎ（Ｂ）ｍ（Ｃ）ｌ （Ｉ） （Ｍは金属原子または有機成分、Ａは有機高分子成分、Ｂは有機低分子成分、Ｃは有機低分子成分である。また、ｎ、ｍは１以上の整数、ｌは０または１以上の整数である。） - 特許庁

The variable wavelength element section has an n-InP lower clad layer 18, a variable wavelength layer 20, an i-InP layer 22, an active layer 24, a p-InP spacer layer 26, a p-diffraction grating 28, and a p-InP buried layer 30 on the substrate.例文帳に追加

波長可変素子部は、基板上に、ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１８、波長可変層２０、ｉ−ＩｎＰ層２２、活性層２４、ｐ−ＩｎＰスペーサ層２６、ｐ−回折格子２８、及びｐ−ＩｎＰ埋め込み層３０を備える。 - 特許庁

This oxadiazolinone derivative is expressed by general formula (I) [wherein, R is H or a halogen atom; X is independently a 1-6C alkyl, a halogen atom or a 1-6C haloalkyl; and (n) is an integer of 0-5].例文帳に追加

一般式（Ｉ）（式中、Ｒは、水素原子またはハロゲン原子を示し、Ｘは、独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、ハロゲン原子またはＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示し、ｎは、０〜５の整数を示す。）で表されるオキサジアゾリノン誘導体。 - 特許庁

To provide a method capable of producing phenylenedioxydiacetic acids represented by formula I (wherein R is a halogen atom, a carboxy group or a 1-4 hydrocarbon group and n is an integer of 0-4) containing no coloring component.例文帳に追加

着色成分のない一般式（Ｉ） （式中、Ｒはハロゲン原子、カルボキシル基または炭素数１〜４の炭化水素基を示し、ｎは０〜４の整数を示す。）で示されるフェニレンジオキシジ酢酸類を製造し得る方法を提供する。 - 特許庁

The compound is represented by formula (I) [wherein, R^1 is a 1-12C alkyl, a 1-12C fluoroalkyl, a 1-12C alkoxy, a 1-12C fluoroalkoxy, cyano, nitro, iodine, bromine, chlorine or fluorine; and n is 0, 1, 2 or 3].例文帳に追加

式（Ｉ）［式中、Ｒ^１はＣ_１〜Ｃ_１２−アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１２−フルオロアルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１２−アルコキシ、Ｃ_１〜Ｃ_１２−フルオロアルコキシ、シアノ、ニトロ、ヨウ素、臭素、塩素又はフッ素を表し、かつｎは０、１、２又は３を表す］の化合物を提供する。 - 特許庁

The method for producing the tetrafluorobenzenecarbaldehyde alkylacetal represented by general formula (II) comprises reducing a tetrafluorocyanobenzene represented by general formula (I) (m is 1 or 2 and n is 0 or 1 and m+n=2) in the presence of an alkylalcohol represented by the formula R-OH (R is an alkyl group) and an acid by a metal catalyst containing a platinum group metal.例文帳に追加

一般式（Ｉ）（ｍは１または２、ｎは０または１で、ｍ＋ｎ＝２）で示されるテトラフルオロシアノベンゼンを、Ｒ−ＯＨ（Ｒはアルキル基）で示されるアルキルアルコールおよび酸の存在下で、白金族金属を含む金属触媒により還元する、一般式（ＩＩ）で示されるテトラフルオロベンゼンカルバルデヒドアルキルアセタールの製造方法。 - 特許庁

On a substrate 1, an n-type μc-Si:H layer 2, an i-type μc-Si:H layer 3 serving as photoelectric conversion layer, a p-type μc-Si:H layer 4, a p-type a-Si:H layer 5 and a transparent electrode 6 made of ITO are laminated and formed in the order.例文帳に追加

基板１上に、ｎ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層２、光電変換層となるｉ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層３、ｐ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層４、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層５、及び、ＩＴＯ製の透明電極６がこの順に積層形成されている。 - 特許庁

The aqueous ink comprises a pigment, a 9C diol derivative, a self-emulsified water-dispersed polyester resin, and a component represented by general formula (I), wherein R_1 denotes a 8-22C alkyl group or an alkylphenyl group; M denotes any one selected from an alkali metal ion, quaternary ammonium, quaternary phosphonium, and alkanolamine; and n denotes an integer of 4-21.例文帳に追加

（式中、Ｒ_１は炭素数８〜２２のアルキル基またはアルキルフェニル基を表わし、Ｍは、アルカリ金属イオン、第４級アンモニウム、第４級ホスホニウム、及びアルカノールアミンから選択されるいずれかを表わし、ｎは４〜２１の整数を表わす。） - 特許庁

In regard to the plurality of types of commodities, data N(i) or the like indicating the number to be delivered and a delivery date required by a customer 2001 is received, and a production frequency is determined per each type of commodity on the basis of a magnitude of a total sum of numbers to be delivered.例文帳に追加

複数種類の商品について、顧客２００１が要求する納入個数と納入日とを示すデータＮ（ｉ）等を受け取って、納入個数の合計の大小により、生産頻度を商品の種類ごとに決定する。 - 特許庁

In a reference information creation part 10, an inter-sentence N gram analysis part 13 specifies a preceding word group in which words(preceding words) which appear in a sentence (i-1) in an existing text are gathered by sentence units and words (following words) which appear in a sentence (i), and stores association information in a dictionary DB 21.例文帳に追加

参照情報作成部１０において、文間Ｎグラム解析部１３が、既存の文章において文（ｉ−１）に出現する各単語（先行語）を文単位でまとめた先行語群と、文（ｉ）に出現する各単語（後続語）とを特定し、辞書ＤＢ２１に対応付け情報を格納しておく。 - 特許庁

In the general formula (I), R^1 represents a hydrogen atom or methyl group, X^1 represents an oxygen atom, sulfur atom or -N(R^11)- group, R^11 represents a hydrogen atom or substituent, L^1 represents an alkylene group with or without substituents, and Y^1 represents a salt formed of a sulfonate group and a methyl group-containing six-membered aromatic amine.例文帳に追加

一般式（I）中、Ｒ^1は水素原子またはメチル基を表し、Ｘ^1は酸素原子、硫黄原子または−Ｎ（Ｒ^11）−基を表し、Ｒ^11は水素原子または置換基を表し、Ｌ^1は置換基を有していてもよいアルキレン基を表し、Ｙ^1はスルホン酸基とメチル基含有６員芳香族アミンから形成される塩を表す。 - 特許庁

P type buried diffusion layers 2 are formed on an element isolation area of a P type Si substrate 1 and a division part area between a photodiode II and an NPN transistor I respectively, and an N type buried diffusion layer 3 is formed in an area of an NPN transistor I.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板１の表層部の素子分離領域およびフォトダイオードＩＩとＮＰＮトランジスタＩとの分割部領域にＰ型埋め込み拡散層２をそれぞれ形成するとともに、ＮＰＮトランジスタＩの領域内にＮ型埋め込み拡散層３を形成する。 - 特許庁

The separator 12 formed in a plate shape with a conductive material is interposed between a fuel electrode layer 11b of the (i)th power generating cell 11 and an oxidizing electrode layer 11c of the (i+1)th power generating cell, adjacent to the fuel electrode layer 11b one by one and n pieces in total.例文帳に追加

ｉ番目の発電セル１１の燃料極層１１ｂとこの燃料極層に隣接する（ｉ＋１）番目の発電セルの酸化剤極層１１ｃとの間に、導電性材料により板状に形成されたセパレータ１２がそれぞれ１枚ずつ合計ｎ枚介装される。 - 特許庁

The 4,4'-diaminobiphenyl derivative is obtained by irradiating ultrasonic waves on a hydrazobenzene derivative represented by general formula (I) (R is a substituent selected from a halogen atom, an alkyl, an alkoxy and trifluoromethyl; n is the number of substituents R and 1 or 2) in the presence of an acid.例文帳に追加

下記の一般式（I）（Ｒはハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、またはトリフルオロメチル基のいずれかである置換基を示し、ｎは置換基Ｒの数を示し１または２である）で示されるヒドラゾベンゼン誘導体に、酸の存在下で超音波を照射して、４,４'−ジアミノビフェニル誘導体を得る。 - 特許庁

This aromatic polyamide resin composition is obtained by mixing (I) an aromatic polyamide having carboxyl group in the molecular terminal with (II) a polyamide comprising an amine which may be substituted or a basic skeleton that is a heterocyclic skeleton having at least one or more N atoms as an essential component in the molecular skeleton.例文帳に追加

分子末端にカルボキシル基を有する芳香族系ポリアミド（I）と、置換されていても良いアミン又は少なくとも一つ以上のＮ原子を有するヘテロ環骨格である基本骨格を必須成分として分子骨格中に含むポリアミド（II）とを混合してなる芳香族系ポリアミド樹脂組成物。 - 特許庁

To improve the transfer efficiency of multi-value data by solving the problem that a pseudo contour is generated due to a specific dot pattern, in recording an image using dots corresponding to each of N-values by combinations of the dots of i×j pixels (i, j being a value of power of 2, not less than 2).例文帳に追加

ｉ×ｊ画素（ｉ・ｊは２以上の２のべき乗）のドットの組合せでＮ値の夫々に対応したドットを用いて記録を行う際に、特定のドットパターンによって擬似輪郭が発生するという問題を解決し、多値データの転送効率を向上させる。 - 特許庁

In the photovoltaic device having pin junction using a-SiGe: H where an unbonding hand is terminated by hydrogen for (i) layer, the amount of hydrogen in a film decreases from a P-layer side to an n-layer side in the (i) layer, and at the same time the amount of Ge decreases in linkage.例文帳に追加

この発明は、未結合手を水素により終端したａ−ＳｉＧｅ：Ｈをｉ層に用いたｐｉｎ接合を備えた光起電力装置において、ｉ層でｐ層側からｎ層側へ向かって膜中の水素量が減少するとともにＧｅ量が連動して減少する。 - 特許庁

For example, cell layouts CL_BF[1]-CL_BF[n] for a buffer, provided with identical layout dimensions and I/O terminal arrangement, or cell layouts CL_FF[1]-CL_FF[m] for a flip-flop, provided with identical layout dimensions and I/O terminal arrangement, are prepared on a cell layout library CLLIB.例文帳に追加

例えば、セルレイアウトライブラリＣＬＬＩＢ上に、それぞれ同一のレイアウト寸法、入力・出力端子配置を備えたバッファ用セルレイアウトＣＬ＿ＢＦ［１］〜ＣＬ＿ＢＦ［ｎ］や、それぞれ同一のレイアウト寸法、入力・出力端子配置を備えたフリップフロップ用セルレイアウトＣＬ＿ＦＦ［１］〜ＣＬ＿ＦＦ［ｍ］を準備する。 - 特許庁

The stimulation element section 14 has a common n-InP lower clad layer, an active layer 32 in common with a variable wavelength layer, and a common i-InP layer, and has a p-InP spacer layer 34, a p-diffraction grating 36, and a p-InP buried layer 38 on it.例文帳に追加

励起素子部１４は、共通のｎ−ＩｎＰ下部クラッド層、波長可変層と共通の活性層３２、及び共通のｉ−ＩｎＰ層を備え、その上にｐ−ＩｎＰスペーサ層３４、ｐ−回折格子３６、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層３８を備える。 - 特許庁

The rubber composition includes (A) a diene rubber, (B) a metal soap expressed by formula (I), and (C) a carbon black for rubber compounding that has specific characteristics obtained by a specific production process and meets specific requirements [wherein, M is a metal having an oxidation state of +3 or +4; R is an each independently selected organic portion; and n is the valency of M].例文帳に追加

本発明のゴム組成物は、 （Ａ）ジエン系ゴム、（Ｂ）下記式（Ｉ）で表される金属石鹸、及び（Ｃ）特定の製法により得られる特定の性状を有し、かつ特定の条件を満たすゴム配合用カーボンブラックを含有することを特徴とする。 - 特許庁

An inter-network connection device 100 is provided with a LAN I/F 130 communicating with a LAN, an N-IDSN I/F 170 performing connectionless transfer and an ATM I/F 160 performing connection transfer, uses plural networks having different transfer systems in several ways and sequentially switches communication channels as necessary.例文帳に追加

網間接続装置１００は、ＬＡＮとの通信を行うＬＡＮ Ｉ／Ｆ１３０と、コネクションレス型転送を行うＮ−ＩＳＤＮ Ｉ／Ｆ１７０と、コネクション型転送を行うＡＴＭ Ｉ／Ｆ１６０とを備え、異なる転送方式を持つ複数の網を使い分けて、通信チャネルを必要に応じて逐次切り替える。 - 特許庁

Each radio base station 1-i (i=1,..., n) offsets a carrier frequency fi by a value different from other radio base station 1-j (i≠j) to perform the plural station simultaneous transmission, the radio mobile station 2 detects the offset value fi of the carrier frequency, and its whereabouts zone is detected to the basis of the detected offset value.例文帳に追加

各無線基地局１−ｉ（ｉ＝１，・・・，ｎ）が他の無線基地局１−ｊ（ｉ≠ｊ）と異なる値だけキャリア周波数ｆｉをオフセットして複局同時送信を実行し、無線移動局２がキャリア周波数のオフセット値ｆｉを検出し、検出したオフセット値に基づいて自らの所在ゾーンを検出する。 - 特許庁

In the case where abnormality of the lighting circuit 2A is detected, an auxiliary lighting circuit 2B for lighting each auxiliary light source 4Bi (i=1, 2,..., N) is provided as a replacement for the lighting circuit 2A.例文帳に追加

そして、点灯回路２Ａについての異常が検出された場合には、放電灯の代替として補助光源４Ｂi（ｉ＝１、２、・・・、Ｍ）を点灯させるための補助点灯回路２Ｂを設ける。 - 特許庁

Because an output current I4 of a V/I conversion circuit C changes in proportion to the output voltage Vout, the current limit value Ilim satisfies Ilim=n×{VBE/Rm+Vout×R2/Rn×(R1+R2)}.例文帳に追加

一方、Ｖ／Ｉ変換回路Ｃの出力電流Ｉ４は出力電圧Ｖoutに比例して変化するので、電流制限値Ｉlimが、Ｉlim＝ｎ・｛ＶBE／Ｒｍ＋Ｖout・Ｒ２／Ｒｎ・（Ｒ1＋Ｒ２）｝となる。 - 特許庁

The derivative of ceramid 7 and/or 5.5 used in the invention is expressed by formula (I) (X is a hydrogen atom or hydroxy group; n is 19-29; and m is 9-19).例文帳に追加

セラミド７及び／又は５．５の誘導体は、次の式(Ｉ)：[上式中、Ｘは水素原子又はヒドロキシル基を表し、ｎは１９〜２９を表し、ｍは９〜１９を表す]のものを使用する。 - 特許庁

To provide a non-single crystal solar battery preventing the dispersion to an i layer of elements included in p type or n type impurities and material gas and improving power generation efficiency.例文帳に追加

ｐ型あるいはｎ型不純物および材料ガスに含まれる元素のｉ層への拡散を防止し、発電効率の向上を図った非単結晶太陽電池を提供する。 - 特許庁

The versatile PLC 1 is connected to a CPU unit 2 via Ethernet N so as to control data exchange between the PLC 1 and the I/O device 3 by the CPU unit 2.例文帳に追加

汎用のＰＬＣ１とＣＰＵユニット２とがイーサネットＮを介して接続されており、ＰＬＣ１とＩ／Ｏ装置３との間のデータの送受信をＣＰＵユニット２により制御する。 - 特許庁

The surface F has the data on the three apexes i, j, k constituting the surface F and the data on the three edges L, M, N and a normal line f (fx, fy, fz) of the surface F as surface data.例文帳に追加

そして、面データとして例えば面Ｆは該面を構成する３つの頂点ｉ，頂点ｊ，頂点ｋ，３つの辺Ｌ，辺Ｍ，辺Ｎ，面の法線ｆ（ｆ_x ，ｆ_y ，ｆ_z ）のデータを有している。 - 特許庁

IPS-1 is composed of two domains: one is an N-terminal CARD-like domain which can associate with RIG-I; and the other is a C-terminal effecter domain which recruits FADD and RIP1.例文帳に追加

ＩＰＳ−１は、ＲＩＧ−Ｉと会合するＮ末端ＣＡＲＤ様ドメインと、ＦＡＤＤ及びＲＩＰ１をリクルートするＣ末端エフェクタードメインとの２つのドメインからなる。 - 特許庁

The state monitoring device 20 comprises monitoring units U1-Un for monitoring the state of a block by regarding battery cells Bi1-Bim (i=1 to n) m(≥2) battery cells by m(≥2) battery cells as the block.例文帳に追加

一方、状態監視装置２０は、「ｍ（≧２）」個ずつの電池セルＢｉ１〜Ｂｉｍ（ｉ＝１〜ｎ）を、１つのブロックとして、ブロックの状態を監視する監視ユニットＵ１〜Ｕｎを備えている。 - 特許庁

Level conversion wherein picture element effective bits N are reduced to picture element effective bits I in the level direction is performed to picture elements of input line data DI, and intermediate line data DM are produced (Fig 1 (a), (b)).例文帳に追加

入力ラインデータＤＩの画素に対して、画素有効ビットＮをレベル方向に画素有効ビットＩに削減するレベル変換を施し中間ラインデータＤＭを生成する（図１（ａ），（ｂ））。 - 特許庁

The automatic playing pianos PA and PB including keys 1, strings 4, sound sources 16, control systems 18, sensors 19 and orbit prediction modules 25, are connected to the Internet N from a communication I/F 15.例文帳に追加

自動演奏ピアノＰＡ，ＰＢは、鍵１と、弦４と、音源１６と、制御系１８と、センサ１９と、軌道予測モジュール２５を有しており、通信Ｉ／Ｆ１５からインターネットＮに接続する。 - 特許庁

The compound represented by formula [I] [wherein, R^1 is H or the like; (n) is 1 or 2; Ar^1 is phenyl or pyridyl; ring A is pyridyl, pyrazolyl, or the like] or its pharmaceutically acceptable salt is disclosed.例文帳に追加

式［Ｉ］で表される化合物又はその医薬上許容される塩（式中Ｒ^１は水素原子等、ｎは１又は２、Ａｒ^１はフェニル又はピリジル、環Ａはピリジル，ピラゾリル等を示す。）。 - 特許庁

The first photovoltaic element 3 successively comprises a p-type amorphous silicon carbide film 31, an i-type amorphous silicon film 32, and an n-type amorphous silicon film 33, starting from the transparent electrode 2.例文帳に追加

第１の光起電力素子３は、透明電極２側からｐ型非晶質シリコンカーバイド膜３１、ｉ型非晶質シリコン膜３２およびｎ型非晶質シリコン膜３３を順に含む。 - 特許庁

In the formulae I and II, R1 and R2 are each alkyl, benzyl or phenyl, R3 and R4 are each H, alkyl, aryl or a heterocyclic group and (n) is 0 or 1.例文帳に追加

（一般式（Ｉ）及び（II）において、Ｒ_1及びＲ_2はアルキル基、ベンジル基またはフェニル基を、Ｒ_3及びＲ_4は水素原子、アルキル基、アリール基、または複素環基を、ｎは０または１を示す。） - 特許庁

The second photovoltaic element 5 successively comprises a p-type microcrystal silicon carbide film 51, an i-type microcrystal silicon film 52, and an n-type microcrystal silicon film 53, starting from the reflecting film 4.例文帳に追加

第２の光起電力素子５は、反射膜４側からｐ型微結晶シリコンカーバイド膜５１、ｉ型微結晶シリコン膜５２およびｎ型微結晶シリコン膜５３を順に含む。 - 特許庁